JPH0219800A - 多層膜反射鏡の製造方法および多層膜反射鏡 - Google Patents
多層膜反射鏡の製造方法および多層膜反射鏡Info
- Publication number
- JPH0219800A JPH0219800A JP63169082A JP16908288A JPH0219800A JP H0219800 A JPH0219800 A JP H0219800A JP 63169082 A JP63169082 A JP 63169082A JP 16908288 A JP16908288 A JP 16908288A JP H0219800 A JPH0219800 A JP H0219800A
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- layer film
- film reflecting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、X線リソグラフィー X線顕微鏡、X線望遠
鏡、X線レーザーなどのX線領域での反射光学系に用い
られる多層膜反射鏡に関するものである。
鏡、X線レーザーなどのX線領域での反射光学系に用い
られる多層膜反射鏡に関するものである。
[従来の技術]
X線領域で物質の屈折率は
n=1−δ−ik (δ、に:実数) ・(1)と
表わされ、δ、にともに1に比べて非常に小さい、即ち
、屈折率がほぼ1に近く、X線は物質中を直進する性質
があるので、可視光領域のような屈折を利用したレンズ
は使用できない。そこで反射を利用した光学系が用いら
れるが、全反射臨界角θC(波長25人で最大6°程度
)よりも小さい入射角では反射率が非常に小さいので、
反射面を多数設けた多層膜反射鏡が用いられる。
表わされ、δ、にともに1に比べて非常に小さい、即ち
、屈折率がほぼ1に近く、X線は物質中を直進する性質
があるので、可視光領域のような屈折を利用したレンズ
は使用できない。そこで反射を利用した光学系が用いら
れるが、全反射臨界角θC(波長25人で最大6°程度
)よりも小さい入射角では反射率が非常に小さいので、
反射面を多数設けた多層膜反射鏡が用いられる。
このような多層膜反射鏡は前記(1)式δの大きい物質
とδの小さい物質を交互に順次積層することによフて得
られ、その代表的な組合せとしてはタングステン(以下
Wと記す;δ大)と炭素(以下Cと記す:δ小)を用い
た多層膜が従来から知られており、スパッタリングや真
空蒸着、CV D (Chemical Vapor
Deposition 気相化学反応法)などにより
形成されていた。(文献:T。
とδの小さい物質を交互に順次積層することによフて得
られ、その代表的な組合せとしてはタングステン(以下
Wと記す;δ大)と炭素(以下Cと記す:δ小)を用い
た多層膜が従来から知られており、スパッタリングや真
空蒸着、CV D (Chemical Vapor
Deposition 気相化学反応法)などにより
形成されていた。(文献:T。
Barbee and J、H,Underwood、
Opt、Commun、48.3(1983) PI6
1〜166 に詳しい。)なお、多層膜反射鏡の原理は
、既に周知のように、(1)屈折率の異る界面があると
、そこで反射が起ぎるので、できるだけ多数の界面を作
り、反射を増加させること、(2)第1の界面からの反
射光と、次の界面からの反射光とが位相が合うように光
学的膜厚を設定し、それにより、光の干渉が生して強ま
るようにすることの2点にある。
Opt、Commun、48.3(1983) PI6
1〜166 に詳しい。)なお、多層膜反射鏡の原理は
、既に周知のように、(1)屈折率の異る界面があると
、そこで反射が起ぎるので、できるだけ多数の界面を作
り、反射を増加させること、(2)第1の界面からの反
射光と、次の界面からの反射光とが位相が合うように光
学的膜厚を設定し、それにより、光の干渉が生して強ま
るようにすることの2点にある。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら従来の技術では、設計段階で理論的に計算
した反射率よりも、作成した多層膜反射鏡の反qI率の
実測値がかなり低く、X線を用いた露光装置や顕微鏡等
の装置で所定の特性か達成できないという問題点があっ
た。
した反射率よりも、作成した多層膜反射鏡の反qI率の
実測値がかなり低く、X線を用いた露光装置や顕微鏡等
の装置で所定の特性か達成できないという問題点があっ
た。
本発明は、この点に鑑みてなされたもので、設計値に近
い高反射率の得られるW/C多層I摸反用鏡とその製造
方法を提供することを目的とする。
い高反射率の得られるW/C多層I摸反用鏡とその製造
方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明においては、0層と非晶質状態のW層とが交互
に積層された積層物を、真空中や不活性ガス中等の非酸
化性雰囲気中で、熱処理することにより、前記W層の全
部または一部を結晶化することにより、上記の課題を達
成している。
に積層された積層物を、真空中や不活性ガス中等の非酸
化性雰囲気中で、熱処理することにより、前記W層の全
部または一部を結晶化することにより、上記の課題を達
成している。
[作 用]
従来のW/C多層膜反射鏡において、設計値より低い反
射率しか得られない原因としては、主として次の2点で
あることが推定される。
射率しか得られない原因としては、主として次の2点で
あることが推定される。
(1)多層膜の界面粗さのため、光の散乱による損失が
あること。
あること。
(2)薄膜であるW層の密度が、バルクの場合の密度よ
り小さいため、δの値がバルクの値より小さくなってい
ること。
り小さいため、δの値がバルクの値より小さくなってい
ること。
即ち、スパッタリング、真空蒸着、CVDなどによりW
/C多層膜反射鏡を形成する際に、基板温度を高温とし
てW層を多結晶化した場合、成膜中に結晶粒が成長する
ため表面粗さが大きくなり、その結果、光の散乱による
損失が多くなると考えられる。また、逆に結晶化しない
条件でW層を形成した場合は、結晶粒が存在しないので
界面粗さは小さいが、W薄膜中に原子オーダーの空孔が
多数散在すると考えられ、密度が多結晶の場合よりも小
さくなり、即ちδは小さくなってしまう。
/C多層膜反射鏡を形成する際に、基板温度を高温とし
てW層を多結晶化した場合、成膜中に結晶粒が成長する
ため表面粗さが大きくなり、その結果、光の散乱による
損失が多くなると考えられる。また、逆に結晶化しない
条件でW層を形成した場合は、結晶粒が存在しないので
界面粗さは小さいが、W薄膜中に原子オーダーの空孔が
多数散在すると考えられ、密度が多結晶の場合よりも小
さくなり、即ちδは小さくなってしまう。
そこで、本発明においては、まず、W層が結晶化しない
条件下でW/C多層膜を形成している。
条件下でW/C多層膜を形成している。
この段階では、W層の密度は多結晶の場合よりも小さく
、即ちδの値は小さいので反射率はかなり低い値である
。しかし、結晶粒がないためW層と0層の界面は平坦で
ある。
、即ちδの値は小さいので反射率はかなり低い値である
。しかし、結晶粒がないためW層と0層の界面は平坦で
ある。
なお、0層は、非晶質状態(低密度状態)である必要は
必ずしもないが、その方が好ましいとは言える。
必ずしもないが、その方が好ましいとは言える。
次にこれを真空中や不活性ガス中等、非酸化性の雰囲気
中において、500−1000℃程度の温度、望ましく
は900℃程度の温度で熱処理すると、W層が結晶化す
る。このときW層は上下を0層ではさまれているため、
W層に大きな結晶粒は成長しにくく、極微細な微結晶と
なり、界面の粗さはほとんど増加しない。そして、微結
晶化することにより、W薄膜中の空孔が消失し、緻密化
したW層のδはバルクの値に近づく。
中において、500−1000℃程度の温度、望ましく
は900℃程度の温度で熱処理すると、W層が結晶化す
る。このときW層は上下を0層ではさまれているため、
W層に大きな結晶粒は成長しにくく、極微細な微結晶と
なり、界面の粗さはほとんど増加しない。そして、微結
晶化することにより、W薄膜中の空孔が消失し、緻密化
したW層のδはバルクの値に近づく。
即ち、本発明にかかるW/C多層膜においては、W層の
界面が従来に比較して平滑であるため、界面における光
の散乱が少なく、かつW層が結晶化しているのでバフル
に近いδを有することから、設計値に近い高い反射率が
得られることになる。
界面が従来に比較して平滑であるため、界面における光
の散乱が少なく、かつW層が結晶化しているのでバフル
に近いδを有することから、設計値に近い高い反射率が
得られることになる。
なお、0層は一般に結晶化しにくく、通常非晶質か、ま
たはグラファイト構造の微結晶を含んだ非晶質になり、
表面粗さは小さく、δも小さい値である。かかる多層膜
において、0層はδが小さい方がよいので特に問題はな
い。
たはグラファイト構造の微結晶を含んだ非晶質になり、
表面粗さは小さく、δも小さい値である。かかる多層膜
において、0層はδが小さい方がよいので特に問題はな
い。
[実施例]
rfマグネトロンスパッタリング法によって、Si基板
1上に、厚さ約20人のW層2と厚さ約20人の0層3
を交互にそれぞれ20層形成し、第1図に示すような全
体の膜厚が約800人のX線用多層膜反射鏡を作成した
。(図では層数を省略しである。つこの際、成膜中のS
i基板1の温度を室温に保つことによりW層の結晶化を
防いだ。
1上に、厚さ約20人のW層2と厚さ約20人の0層3
を交互にそれぞれ20層形成し、第1図に示すような全
体の膜厚が約800人のX線用多層膜反射鏡を作成した
。(図では層数を省略しである。つこの際、成膜中のS
i基板1の温度を室温に保つことによりW層の結晶化を
防いだ。
次に、このようにして製作した多層膜反射鏡を真空中で
、それぞれ600℃、800℃、900℃の温度で1時
間熱処理した後、Cu−にα(波長1.54人)で1次
のBragg反射の反射率を測定し、熱処理しないもの
と比較した。この結果を第2図に示す。図に示されるよ
うに、熱処理しないものの反射率は30*であるが、熱
処理を行ったものは明らかに反射率が向上している。処
理温度は高い方が反射率も向上しており、900!程度
で最高の反射率を示し、900℃での反射率は3996
と熱処理しないものに比べて3096程度も増加してい
る。
、それぞれ600℃、800℃、900℃の温度で1時
間熱処理した後、Cu−にα(波長1.54人)で1次
のBragg反射の反射率を測定し、熱処理しないもの
と比較した。この結果を第2図に示す。図に示されるよ
うに、熱処理しないものの反射率は30*であるが、熱
処理を行ったものは明らかに反射率が向上している。処
理温度は高い方が反射率も向上しており、900!程度
で最高の反射率を示し、900℃での反射率は3996
と熱処理しないものに比べて3096程度も増加してい
る。
そして、これらの多層膜反射鏡の断面をTEM (透過
型電子顕微鏡)で観察したところ、熱処理しないものは
W層、C層両方とも非晶質であったか、900℃で熱処
理したものは0層は非晶質のままであったが、W!中に
は非晶質相とともに粒径10Å以下の微結晶が認められ
、非晶質相と微結晶質相が同程度の割合で混在していた
。W層のδを大きくするには、好ましくは緻密な微結晶
質相の割合は多ければ多い程良く、理想的にはW層全体
が微結晶質相であることが望まし、い。
型電子顕微鏡)で観察したところ、熱処理しないものは
W層、C層両方とも非晶質であったか、900℃で熱処
理したものは0層は非晶質のままであったが、W!中に
は非晶質相とともに粒径10Å以下の微結晶が認められ
、非晶質相と微結晶質相が同程度の割合で混在していた
。W層のδを大きくするには、好ましくは緻密な微結晶
質相の割合は多ければ多い程良く、理想的にはW層全体
が微結晶質相であることが望まし、い。
なお、比較例として、基板温度を200℃程度に加熱し
てW層を多結晶の4犬態で形成した後に、その上層とし
て0層を積層するという方法で形成1ノた多層膜反射鏡
の反射率を同様に測定したところ、30*程度の反射率
しか得られなかった。これは、前述したようにW層と0
層の界面が粗いことにより、光の散乱による損失が大き
くなっているためと考えられる。
てW層を多結晶の4犬態で形成した後に、その上層とし
て0層を積層するという方法で形成1ノた多層膜反射鏡
の反射率を同様に測定したところ、30*程度の反射率
しか得られなかった。これは、前述したようにW層と0
層の界面が粗いことにより、光の散乱による損失が大き
くなっているためと考えられる。
また、本実施例ではノ、バッタリングにより多層膜反射
鏡を形成したが、真空蒸着やCVD等の111!、の成
膜方法によっても同様の効果が得られることはいうまで
もない。熱処理工程については、真空中で行うかわりに
、不活性ガス中で行っても良いが、大気中で行うとCは
CO2になり消失し、WはWO2となってしまうので、
非酸化性7(]]気中で行う必要がある。
鏡を形成したが、真空蒸着やCVD等の111!、の成
膜方法によっても同様の効果が得られることはいうまで
もない。熱処理工程については、真空中で行うかわりに
、不活性ガス中で行っても良いが、大気中で行うとCは
CO2になり消失し、WはWO2となってしまうので、
非酸化性7(]]気中で行う必要がある。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、0層と非晶質状態でのW
層とを積層した後、熱処理することによりW層を結晶化
しているので、W層と0層の界面の平坦性と、W層の緻
密化を両立できるので、従来のものよりも高い反射率か
得られる。
層とを積層した後、熱処理することによりW層を結晶化
しているので、W層と0層の界面の平坦性と、W層の緻
密化を両立できるので、従来のものよりも高い反射率か
得られる。
また、本発明によるW/C多層膜反射鏡は、熱処理工程
での高温の熱履歴を経ているので、耐熱性も向上してい
る。かかる多層膜反射鏡を真空中で使用する場合は、熱
処理温度(例えば900℃)まで構造変化はなく、高強
度のX線を照射しても、その吸収による温度上昇により
破壊することがない。
での高温の熱履歴を経ているので、耐熱性も向上してい
る。かかる多層膜反射鏡を真空中で使用する場合は、熱
処理温度(例えば900℃)まで構造変化はなく、高強
度のX線を照射しても、その吸収による温度上昇により
破壊することがない。
第1図は、本発明によるW/C多層膜反射鏡の断面図、
第2図は熱処理温度と反射率の関係を示すグラフである
。 [主要部分の符号の説明] j・・・Si基板、2・・・W層、3・・・C層代理人
弁理士 佐 藤 正 年
第2図は熱処理温度と反射率の関係を示すグラフである
。 [主要部分の符号の説明] j・・・Si基板、2・・・W層、3・・・C層代理人
弁理士 佐 藤 正 年
Claims (2)
- (1)炭素層と非晶質状態のタングステン層とが交互に
積層された積層物を、非酸化性雰囲気中で熱処理するこ
とにより、前記タングステン層の全部または一部を結晶
化することを特徴とする多層膜反射鏡の製造方法。 - (2)炭素層とタングステン層とが交互に積層された多
層膜反射鏡において、 前記タングステン層が粒径10Å以下の微結晶質、また
は粒径10Å以下の微結晶質と非晶質との2相からなる
ことを特徴とする多層膜反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169082A JPH0219800A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 多層膜反射鏡の製造方法および多層膜反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169082A JPH0219800A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 多層膜反射鏡の製造方法および多層膜反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219800A true JPH0219800A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15879990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169082A Pending JPH0219800A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 多層膜反射鏡の製造方法および多層膜反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0219800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510343A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | レチクル上の多層欠陥の軽減 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63169082A patent/JPH0219800A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510343A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | レチクル上の多層欠陥の軽減 |
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