JPH02198420A - 電気光学素子の製造方法 - Google Patents
電気光学素子の製造方法Info
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- JPH02198420A JPH02198420A JP1870189A JP1870189A JPH02198420A JP H02198420 A JPH02198420 A JP H02198420A JP 1870189 A JP1870189 A JP 1870189A JP 1870189 A JP1870189 A JP 1870189A JP H02198420 A JPH02198420 A JP H02198420A
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- liquid crystal
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- optical element
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電気光学素子の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、薄型軽量のデイスプレィとして液晶を用いた電気
光学素子が開発されている。液晶を用いた゛電気光学素
子の簡便な液晶配向法として、電気光学素子を構成する
２枚の基板の向き合う表面の少なくとも一方を布で擦る
方法（ラビング法）が用いられてきた。
光学素子が開発されている。液晶を用いた゛電気光学素
子の簡便な液晶配向法として、電気光学素子を構成する
２枚の基板の向き合う表面の少なくとも一方を布で擦る
方法（ラビング法）が用いられてきた。
［発明が解決しようとする課！］
しかし従来技術では、太さ１５μｍ以上の繊維を用いた
布で２ピングを行うので、繊維が太いため均一にラビン
グされず液晶を封入した際配向欠陥が生じやすいなどの
課題を有する。と（に液晶分子を基板に対して傾けるモ
ード（ＳＴＮあるいは５ＢＦｊと略記）においては、わ
ずかのラビング強度の差で液晶分子の傾き角度が変化す
るので画面全体にわたり均一な素子が得られにくい。
布で２ピングを行うので、繊維が太いため均一にラビン
グされず液晶を封入した際配向欠陥が生じやすいなどの
課題を有する。と（に液晶分子を基板に対して傾けるモ
ード（ＳＴＮあるいは５ＢＦｊと略記）においては、わ
ずかのラビング強度の差で液晶分子の傾き角度が変化す
るので画面全体にわたり均一な素子が得られにくい。
［課題を解決するための手段］
本発明の電気光学素子の製造方法は、
（１）液晶の配向処理方法として電気光学素子を構成す
る２枚の基板の向き合う表面の少なくとも一方を布でこ
する（ラビング）方法において、ラビング布を構成する
繊維の太さが０．１μｍから１５μｍであることを特徴
とする。
る２枚の基板の向き合う表面の少なくとも一方を布でこ
する（ラビング）方法において、ラビング布を構成する
繊維の太さが０．１μｍから１５μｍであることを特徴
とする。
（２）上記液晶が、ネマチック液晶であることを特徴と
する。
する。
（３）上記液晶が、強誘電性液晶であることを特徴とす
る。
る。
［実施例］
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
（実施例１）
第１図に示すような基本構成を有する電気光学素子を作
製した。第１図に示すように、透明なガラスやプラスチ
ックから雇る基板１，９０表面に所定形状の電極２，８
を形成し、その上に絶縁層５．７を形成し、さらにその
上にシランカップリング剤などの配向処理剤からなる配
向層４，６を形成した。これら１対の基板間に液晶層５
を封入して電気光学素子として完成させる前に、配向層
４．６０表面をラビング布で擦する（ラビング）ことに
より、液晶分子を所定の方向に配向させる［作用］ 本発明の上記の構成によれば、ラビング布の繊維が細い
ためラビングが基板全面に均一に行われ、配向欠陥はほ
とんど生じない。またＳＴＮあるいは５ＢＦｉモードに
おいては全面均一な傾斜配向を容易に得ることができる
。
製した。第１図に示すように、透明なガラスやプラスチ
ックから雇る基板１，９０表面に所定形状の電極２，８
を形成し、その上に絶縁層５．７を形成し、さらにその
上にシランカップリング剤などの配向処理剤からなる配
向層４，６を形成した。これら１対の基板間に液晶層５
を封入して電気光学素子として完成させる前に、配向層
４．６０表面をラビング布で擦する（ラビング）ことに
より、液晶分子を所定の方向に配向させる［作用］ 本発明の上記の構成によれば、ラビング布の繊維が細い
ためラビングが基板全面に均一に行われ、配向欠陥はほ
とんど生じない。またＳＴＮあるいは５ＢＦｉモードに
おいては全面均一な傾斜配向を容易に得ることができる
。
５個の基板に対して、それぞれ繊維の太さが０．１μ７
７Ｌ、２μｍ、５μｍ、１０μｍ、１５μｍのラビング
布を用いてラビングしたところ、配向欠陥のない均一な
配向を得ることができた。
７Ｌ、２μｍ、５μｍ、１０μｍ、１５μｍのラビング
布を用いてラビングしたところ、配向欠陥のない均一な
配向を得ることができた。
（実施例２）
本実施例では、液晶として強誘電性液晶を用いた場合に
ついて述べる。用いた液晶はメルク社製ＺＬエーロ４８
８である。液晶を封入して偏光類Ｐｊ＆鏡で観察すると
、ラビングの跡が分からない程にきれいに配向している
。また配向欠陥もほとんどない。
ついて述べる。用いた液晶はメルク社製ＺＬエーロ４８
８である。液晶を封入して偏光類Ｐｊ＆鏡で観察すると
、ラビングの跡が分からない程にきれいに配向している
。また配向欠陥もほとんどない。
（実施例６）
本実施例では、液晶としてネマチック液晶を用製ＺＬニ
ー２２１４＋カイラルドーパントであるさきに述べた方
法で両糸板をラビングし、上下基板方向で液晶分子が９
０°より大きくねじれるようにカイラルドーパントおよ
び上下基板でのラビング方位を調整する。全面均一な傾
斜配向した表示ムラのない、ＳＴＮあるいはＳＢＥモー
ドの電気光学素子を作製できた。
ー２２１４＋カイラルドーパントであるさきに述べた方
法で両糸板をラビングし、上下基板方向で液晶分子が９
０°より大きくねじれるようにカイラルドーパントおよ
び上下基板でのラビング方位を調整する。全面均一な傾
斜配向した表示ムラのない、ＳＴＮあるいはＳＢＥモー
ドの電気光学素子を作製できた。
この他、最近開発されつつある有機非線形光学物質の配
向手段としても本発明を応用できる。
向手段としても本発明を応用できる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、ラビング処理におけ
るラビング布の繊維の太さを細くしたことにより配向欠
陥のない、表示ムラのない電気光学素子を作製できる。
るラビング布の繊維の太さを細くしたことにより配向欠
陥のない、表示ムラのない電気光学素子を作製できる。
また、有機非線形光学素子に応用すれば高調波発生の変
換効率を改善することができる。
換効率を改善することができる。
第１図は、本発明の基本構成を表す電気光学素子の断面
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・電 極 ６・・・・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・・・・配向層 ５・・・・・・・・・液晶層 ６・・・・・・・・・配向層 ７・・・・・・・・・絶縁層 ８・・・・・・・・・電 極 ９・・・・・・・・・基 板
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・電 極 ６・・・・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・・・・配向層 ５・・・・・・・・・液晶層 ６・・・・・・・・・配向層 ７・・・・・・・・・絶縁層 ８・・・・・・・・・電 極 ９・・・・・・・・・基 板
Claims (3)
- （１）液晶の配向処理方法として電気光学素子を構成す
る２枚の基板の向き合う表面の少なくとも一方を布でこ
する（ラビング）方法において、ラビング布を構成する
繊維の太さが０．１μｍから１５μｍであることを特徴
とする電気光学素子の製造方法。 - （２）上記液晶が、ネマチック液晶であることを特徴と
する請求項１に記載の電気光学素子の製造方法。 - （３）上記液晶が、強誘電性液晶であることを特徴とす
る請求項１に記載の電気光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1870189A JPH02198420A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電気光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1870189A JPH02198420A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電気光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198420A true JPH02198420A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11978940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1870189A Pending JPH02198420A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 電気光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198420A (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1870189A patent/JPH02198420A/ja active Pending
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