JPH02199099A - 連続ダイヤモンド薄膜およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ダイヤモンド薄膜に関し、更に詳しくは連続
ダイヤモンド薄膜およびその製法に関する。

［従来の技術］ この種のダイヤモンド膜は、文献に報告されている。し
かし、広い面積（たとえば１　ｃａｚ”）にわたって１
ミクロン未満の薄さを有する連続ダイヤモンド膜は、従
来技術では達成されていない。報告されているダイヤモ
ンド膜の製法は、プラズマの存在または不存在下に高周
波エネルギー、マイクロ波エネルギー、直流法または熱
線フィラメント法を使用するプラズマ促進化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）を含むものであった。

ダイヤモンド膜の製法は、水素の存在下に、メタンのよ
うな炭化水素を分解し、続いてＣＶＤ反応器中の基板材
料上にダイヤモンド結晶を形成することを含んでいる。

まず基板材料が、ダイヤモンド薄膜の為の適当な核形成
サイトを作成する為に、通常ダイヤモンドくずを研摩し
て調製される。

あるいは、ダイヤモンド薄膜は、既存のダイヤモンド結
晶上にエピタキシャル成長される。シリコンおよび他の
半導体基板や金属基板も使用されている。

ダイヤモンド膜成長において問題となる不確実さは、種
々の基板上でダイヤモンドの核形成を行なえるか否かで
あった。典型的には、核形成を促進するには、基板をダ
イヤモンドまたは炭化珪素粉末により研摩して、エネル
ギー的に有利な核形成サイトを基板表面に高密度で形成
する。しかし、この方法には幾つかの欠点がある。研摩
の目的がダイヤモンド膜の核形成を促進する為に局部的
に損傷された領域を基板上に形成することにあるのであ
るから、研摩により基板が損傷されることである。この
核形成の方法は、基板の損傷領域によって影響を受けな
いような用途では使用できるが、基板とダイヤモンド薄
膜との間の界面の質が重要である大多数の用途では、表
面研摩は、ダイヤモンド膜核形成を促進する方法として
使用できない。

ダイヤモンド膜を他の半導体、たとえばシリコンまたは
ヒ化ガリウムと組み合わせてコンデンサ、パッシベーシ
ョン層および伝熱要素に使用する場合、半導体とダイヤ
モンド膜との界面の質が重要となる。良好な界面の質が
要求される他の考えうる用途には、赤外光学材料を摩耗
から保護する為のダイヤモンド被覆がある。このような
場合、赤外光学材料の光学的性質は、界面におけるダイ
ヤモンド半導体の存在により妥協が計られるであろう。

界面における物理的損傷に加え、上記のようにダイヤモ
ンドまたは炭化珪素のような研摩材を使用して基板を調
製すると、表面を汚染することがあるが、汚染された表
面も、高品質界面の生成には有害である。研摩の後で表
面を清浄すると、ダングリングボンドが清浄剤により飽
和されて、局部的に損傷された領域の有効性が低下しう
る。最後に、研摩法は、制御が困難であり、科学よりも
技術が要求され、結果として適用に不確実さが残る。

従って、ダイヤモンド結晶の核形成を促進する為の基板
表面の適切な処理方法が求められている。

ダイヤモンド状炭素は、その物理的および電気的性質か
ら、多くの興味ある用途を持つ材料として期待されてい
る。そのような用途として、電子機器における半導体お
よび絶縁フィルム、また種々の科学分野における放射用
窓が挙げられる。

たとえば、炭素、はう素、窒素および酸素を含む軽元素
からのＸ線スペクトルの研究では、試料から発せられた
Ｘ線フォトンを、意味のあるデータを収集するのに充分
な数で透過できる窓材料が必要である。本発明の完成以
前、そのような窓は、窒化はう素、ベリリウムおよびあ
る種のポリマーフィルムから形成されていた。

そのような材料は有用ではあるが、それぞれ欠点を持っ
ている。たとえば、窒化はう素の性質から、約［■より
大きい直径の窓は、実用化されていない。更に、窒化は
う素は、感知しうる量の水素を含んでいるが、時間がた
つと共に水素によって窒化はう素が劣化される。

ベリリウム窓は、今日では最も一般的に使用されている
が、感知できる程の漏れがないようにして、厚さを約８
．０ミクロン以下にすることができない。そのような欠
点が少ない厚さでは、ベリリウム窓は、炭素、酸素、窒
素およびほう素のような軽元素からの低エネルギーＸ線
を透過しない。

従って、ベリリウム窓を使用したのでは、通常これら元
素からのＸ線を検出することができない。

更に、ベリリウムは、実験室雰囲気に含まれる少量の水
分にさらされることによってさえ、簡単に腐食される。

薄い窓はポリマー材料を用いて作られているが、ポリマ
ーの窓も欠点を持っている。ポリマーフィルムは水分に
よって腐食されることはないが、常圧とＸ線分析機器に
使用される圧力との間で繰り返し圧力変化を受けると、
疲労破壊を起こす。

我々の目から見ると、ダイヤモンドの性質は、ダイヤモ
ンドがＸ線環境、特に軽元素からのＸ線スペクトルの観
察に用いる窓材料に適した材料であることを示している
ように思われる。ダイヤモンド薄膜は、耐腐食性を有し
ていることが期待でき、適切に成形さえすれば、Ｘ線分
析機器における繰り返し圧力変化による応力に耐えうる
強度を有しているはずである。約５０００オンゲスドー
ムまたはそれ以下の厚さのダイヤモンド薄膜は、Ｘ線機
器の窓としてするのに充分な数の低エネルギーＸ線フォ
トンを透過しう４Ｘ線吸収性微細構造を何するであろう
。

先行技術では、このようなまたは他の用途に使用できる
程度に十分薄い（たとえば約２ミクロン以下）連続ダイ
ヤモンド薄膜を得ることはできなかった。ある用途では
、ダイヤモンド膜は、非常に低い透過性、すなわち低漏
洩材料となるように十分欠陥のないもので、Ｘ線機器に
おける絶対圧力差および繰り返し圧力変化に耐えうるち
のである必要がある。ダイヤモンド薄膜のこのような性
質は、高品質ダイヤモンド薄膜を必要とする他の用途に
おける良好な材料であることをも保証する。

［発明の開示］ 本発明の第１の要旨は、ダイヤモンド薄膜に関する。こ
の薄膜は、約２ミクロン未満の厚さを有する「連続」　
（すなわち一体の）膜である多結晶ダイヤモンドから成
る。好ましい態様では、本発明のダイヤモンド薄膜は約
５０００人（０，５ミクロン）未満の厚さを有する。本
発明のダイヤモンド薄膜は、低いヘリウム透過率を有し
ており、比較的漏洩が少ない。本発明のダイヤモンド薄
膜は、約Ｉ　Ｘ　１０−＠５ｃｃＩＩｌ／　ｓｅｃ／　
ｚ＊″［フィルム面積Ｉ　ｍｍ’当たり１抄出たりの標
準ｃｆｆｉ″（−ｓｃｃｍ、　５ｔａｎｄａｒｄ　ｃｕ
ｂｉｃ　ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ）　］未満、好ましく
はＩＸ　ｌ　Ｏ−”５ｃｃａ＋／　ｓｅｅ／　３１１１
未満のヘリウム透過率を有する。

本発明のダイヤモンド薄膜の１つの好ましい態様は、２
層構造である。逆の順序でもよいが、微結晶ダイヤモン
ドの第２層（下層）の上に、多結晶ダイヤモンドの第１
層（上層）を成長させる。

微結晶ダイヤモンドの下層は、基板材料の上に成長され
、基板材料は、後に部分的にまたは完全に、たとえば選
択的エツチング剤によりエツチングして除去することが
できる。用途によっては、基板は、ダイヤモンドが被覆
として用いられる工具または他の構造物であってよい。

本発明の別の要旨は、ダイヤモンド薄膜から成り、サポ
ートグリッド上に配置された窓に関する。

周囲に配した取付手段によって、ダイヤモンド薄膜窓を
Ｘ線装置または他の装置に取り付ける。

本発明のダイヤモンド薄膜は、本発明の要旨の１つであ
る方法により製造される。

基板を、ＣＶＤ反応器に配置する。基板をダイヤモンド
粉または他の研摩材により物理的に研摩する必要はない
。基板を置く基板ホルダを電源の正電圧につなぐ。基板
ホルダ陽極から離されているガス供給系を電源の負電圧
につなぎ、陰極として機能させる。ＣＶＤ反応器は、組
み立てられ、密封される。空気を排気した後、水素ガス
を反応器に導入する。反応器を取り囲む炉を起動する。

電圧を基板ホルダとガス供給系との間に加える。

反応器内の温度と圧力とが安定した段階で、メタンまた
は他の反応体炭素源ガスを反応器に導入する。蒸着の第
１相中、水素雰囲気中のメタン濃度は比較的高くする。

所定時間経過後、メタン濃度を低くし、反応の第２相は
、反応体ガス濃度を低くしてダイヤモンド薄膜の厚さが
所定の厚さに達するのに十分な時間、実施する。

基板上に形成されたダイヤモンド薄膜をＣＶＤ反応器か
ら取り出す。基板材料の一部または全部を選択的エツチ
ング剤を用いたエツチングにより除去してもよい。基板
は、標準的な半導体製造工程を用いてマスクしておいて
もよい。物理的強度および／または非常に薄い膜厚が要
求される用途に対しては、サポートグリッドを仕上げら
れたダイヤモンド薄膜に取り付けてもよいし、あるいは
マスクパターンを用いてダイヤモンド薄膜の為のサポー
トグリッドを形成してもよい。

第１図において、上層１２および下層１４から成るダイ
ヤモンド薄膜１０が基板１６上に配置されている。基板
１６は、金属、例えば、モリブデン、チタン、タングス
テン、ジルコニウムまたはアルミニウム、半導体物質、
例えば、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムまたは
他の物質であってよい。第１図は、平坦な基板１６、平
坦な層１２および１４を示すが、当業者であれば、平坦
でない表面をダイヤモンド薄膜で被覆してもよいことは
理解できる。

ダイヤモンド薄膜１０の層１２は、多結晶ダイヤモンド
膜の層である。層１２は、微結晶ダイヤモンドの層１４
の表面上に位置している。微結晶ダイヤモンド層＋４は
、多結晶ダイヤモンド層！２のための多数の核形成サイ
トを形成している。

「微結晶」とは、本明細書において約５０〜３０００人
の平均直径を有する結晶を意味する。層１４は基材１６
の表面上で多数の核形成サイトを供給している。

ダイヤモンド薄膜１０は連続膜である。「連続膜」とは
−片のダイヤモンド膜構造であることを意味する。これ
は、５０００人よりも薄い厚さにおいてさえ連続膜であ
る。ダイヤモンド薄膜１０は、約５０００人よりも薄い
厚さにおいてピンホール及び他の構造欠陥を本質的に持
たない高品質膜である。

ダイヤモンド薄膜１０は、低漏洩の物質であり、約１　
ｘ　１０−’５ｃａＩｌ／　ｓｅｃ／ｘｘ”よりも低い
ヘリウム透過率を有する。

本発明のダイヤモンド薄膜は、１ａｍ″よりも大きな膜
面積において有益な性質を示す。例えば、これら膜は直
径１０ｃｍのシリコン上に首尾よく成長する。大面積の
高品質ダイヤモンドは、Ｘ線スペクトル分析の窓、Ｘ線
リソグラフのマスク膜として及び他の用途において使用
できる。

第２ａ図は、従来技術において知られた単相法を使用し
て約１〜２ミクロンの厚さにしたＣＶＤダイヤモンドの
典型的な結晶構造を示す顕微鏡写真である。構造は個々
の結晶によって特徴付けられ、いくつかの結晶は成長時
に融合している。そのような構造は、約３ミクロンの最
小厚さに達するまで、連続膜を形成しない。機械的研摩
によって調製した基板上に成長したダイヤモンドは約０
゜８ミクロンの厚さで融合して連続膜となるが、実質的
にもっと厚くなるまで、乏しい漏洩特性を示す。

第２ｂ図は本発明により形成された連続ダイヤモンド薄
膜の表面での典型的な結晶構造を示す顕微鏡写真である
。２０００人（０２２ミクロン）程度に薄い連続膜が、
本発明を用いて首尾よく成長している。

第３図において、サポートグリッド２０がダイヤモンド
薄膜２２に接触した状態で示されている。

好ましい態様において、サポートグリッド２０は、厚さ
約０．０２５インチであり、約０．０１５インチの間隔
でスロット幅約０．０４インチである。

これにダイヤモンド薄膜が支持される。あるいは、サポ
ートグリッドは、他の材料、例えば、孔あけされた金属
シートから製造されてよい。この複合構造は、ダイヤモ
ンド薄膜が余りに薄くて、使用時に適用される力に耐え
られない用途において有用である。例えば、本発明のダ
イヤモンド薄膜は、軽元素（ホウ素、炭素、チッ素およ
び酸素）からの低エネルギーＸ線スペクトルを観測する
なめに使用するのに適したＸ線分光窓として使用できる
。

そのような用途において、ダイヤモンド薄膜は５０００
人又はそれ以下の厚さを有し、窓を横断して生じる圧力
差はサポートグリッドを必要とする程度のものである。

本発明において好ましいシリコンサポートグリッドは、
標準的な半導体マスキングおよびエツチング法によって
製造でき、次いでダイヤモンド薄膜と合一され、ダイヤ
モンド薄膜が上に位置していたシリコン基板をダイヤモ
ンド薄膜から標準的半導体ＨＦ／ＨＮＯ，エツチング剤
中で除去する。

ダイヤモンド薄膜が成長したシリコン基板は、標準的半
導体マスキング法及びエツチング法を用いてエツチング
され、第３図のダイヤモンド薄膜２２の表面にサポート
グリッド２０を形成する。

本発明のダイヤモンド薄膜がＸ線分光窓のような用途に
使用される場合に、分光装置に取り付けるために窓の周
囲に取り付は手段を供給する。好ましい取り付は手段は
アルミニウムリングである。

そのような取り付は手段を包含する完全な窓を第４図に
示す。

アルミニウムリングは、ダイヤモンド膜窓が位置する内
側直径にフランジを有してよい。フランジは、適切なシ
ーラントで被覆されてよく、ダイヤモンド薄膜がシーラ
ントの粒の上に位置する。

ダイヤモンド膜が所定位置にある場合に、さらにシーラ
ントを適用してよい。あるいは、ダイヤモンド薄膜をシ
ーラントにより２つのリングの間で締め付けてよい。

他の取り付は手段も本発明の範囲である。例えば、ダイ
ヤモンド薄膜窓の中央レンズ部分に対して厚い円周ダイ
ヤモンドランドを、始めには厚いダイヤモンド膜ディス
クを選択的にエツチングすることによって形成してもよ
い。他の取り付は手段は、当業者であれば容易に考えら
れ、本発明の範囲内である。

第４図において、円状アルミニウムリング内に取り付け
られた、サポートグリッド上に位置したダイヤモンド薄
膜３０を包含するＸ線窓アッセンブリが示されている。

ダイヤモンド膜及びグリッド３０は、高真空封止に適し
た２成分型エボキンであってよい真空適合性接着剤およ
びシーラント３４の使用によってリング３２に取り付け
られる。

そのようなシーラントは、１　ｘ　１０−＠ｓｃｃｍ／
　ｓｅｃ／貰貢８よりも小さい、好ましくはＩ　Ｘ　ｌ
　Ｏ−”５ｃｅｎｅ／ｓｅａ／ｉｕ″よりも小さいヘリ
ウム透過率を有するＸ線窓を形成できる。パリアン・コ
ープ（Ｖ　ａｒｉａｎＣｏｒｐ、マツサチューセッッ州
しキシントン在）のトウルシール（Ｔ　ｏｒｒｓｅａｌ
）は、本発明において満足なものであり、アームストロ
ング・プロダクツ（Ａ　ｒｍｓｔｒｏｎｇ　ｐｒｏｄｕ
ｃｔ、インデイアナ州ワーソー在）のアームストロング
Ｃ−４及びＤアクチベーターと同様である。

本発明のダイヤモンド薄膜は新規な直流電流助成ＣＶＤ
法によって製造できる。この方法は、第５図に示したチ
ューブ状ＣＶＤ反応器において実施できる。しかし、本
発明の範囲から外れることなく、他の装置を使用するこ
とも可能である。

第５図において、本発明の方法を行うのに適したチュー
ブ状ＣＶＤ反応器を示す。従来知られているような石英
から造られたチューブ状反応器４０は、」二部フランジ
４２及び下部フランジ４４を有している。これらフラン
ジは反応器４０に組み付けられ真空封止されている。反
応器４０は、ちょうつがい開閉式又は分割式の炉によっ
て包囲されている。炉壁を概略的に４６で示す。

真空ポンプ４８が、下部フランジ４４を通過するライン
５０を介して反応器の内側に接続されている。圧力トラ
ンスデユーザー５２がライン５０と接続され、真空調節
器５４を駆動し、真空調節器５４がバルブ５６を駆動す
る。圧カドランスデューサー５２、真空調節器５４およ
びバルブ５６は一体となって、反応容器４０の内側の圧
力を所望レベルに維持するための既知のフィードバック
ループを形成する。

ダイヤモンド薄膜を付着させる基板５８は基板ホルダー
６０に保持される。基板ホルダー６０は、上部フランジ
４２を通過する部材６４によって、正電圧の電源６２（
（＋）で示す。）に電気的に接続されている。熱電対６
６が基板５８と接触して配置され、温度調節器６８と電
気的につながっている。？Ａ電対６６および温度調節器
６８を包含するフィードバックループは良く知られてお
り、炉の電源（図示せず。）を調節して、所望温度を保
つ。

ガス配給システムは、充気室部分７２およびライン部分
７４を有するガス配給容器７０を包含する。ガス配給容
器７０は石英からできていてよい。

充気室部分７２の深さは、基板表面を横断する均一なガ
ス分布が確実になるように選択する。４インチの基板お
よび６インチ直径の反応器において、１．７５インチの
深さで充分である。充気室部分７２はガス配給ノズルに
よって覆われている。ガス配給ノズル７６は負の電圧（
（−）で示す。）の電源７８に電気的に接続されている
。

配給ノズル７６は真空適合物質からできていてよく、好
ましくはモリブデンである。配給ノズル７６は、反応器
４０中で基板５８の表面に反応ガスの均一な流れを配給
するため、複数の穴を有する。穴の寸法および間隔は、
方法の操作に影響する。余りに大きい穴は、中空カソー
ド効果をもたらし、余りに小さい穴は機械加工が困難で
あり、望ましくない程度に高い圧力のガス源を必要とす
る。約０．０１５インチ直径の穴が、六角形のパターン
で約０．１７０インチ間隔で位置する場合に、本発明に
適している。六角形のパターンは、蒸着において端効果
をなくするために、基板より僅かに大きな径を有してい
る。

方法を開始する前に、基板を基材ホルダーに固定し、熱
電対と接触させる。次いでフランジで反応器を封止する
。真空ポンプにより減圧を開始し、炉のスイッチを入れ
、水素ガスを流し始める。

好ましい態様において、圧力を約２５トールにし、温度
を約３００〜７２５℃で安定させた後、電極６２および
７８に接続された電源のスイッチを入れ、プラズマを開
始させる。７２５℃が好ましい（なぜなら、高温が大き
な結晶粒寸法および／またはグラファイトの形成および
侵入を生じさせると考えられるからである。）。

供給された全電力は、約３００■の典型的電圧および０
．７５〜１．５アンペアの電流において約２００〜４５
０ワツトであることが好ましい。電圧を派生パラメータ
ーとしながら、電流を調節する。基板における電流密度
は、充分に高くすべきであり、許容可能な成長速度が得
られるが、核形成密度が低くなり、完全融合または連続
膜が形成されなくなるよりは低くすべきである。４イン
チの基板において、電流は３アンペアよりも小さくある
べきである。温度を再び安定化させた後、メタンガスを
流し始める。

本発明に適したガス配給流速は、上限と下限との間に保
つべきである。ガス配給流速の下限は適切な蒸着時間を
得るための要求に応じて実際的に決める。例えば、１Ｏ
ｓｃｃｎ＋またはそれ以下の流速は４インチの基板上へ
の膜の製造において過度に長い時間を必要とする。上限
は膜質によって決まる。５００　ｓｃｃｍ又はそれ以上
の流速は４インチの基板に好ましくない構造を生じさせ
る。

全ガス圧は、安定なりＣプラズマが基板とガス配給ノズ
ル７６の間に発生され、維持されるように充分に高くな
ければならないが、ノズル７６の過熱がイオン衝突のた
めに生じその結果としてグラファイトの形成が生じる程
度までは高くない。

好ましい態様において、約１０１００５ｅの全ガス流速
が満足できるものである。ダイヤモンド薄膜の蒸着は２
つの相において行われ、ガス状炭素源の供給は、微結晶
ダイヤモンドの蒸着を充分に確実に行う条件下で第１相
時に生じ、本発明の目的の達成に適した核形成が行われ
る。好ましい態様において、第１相は約４時間にわたっ
て行われる。

第１相において、反応器に供給されるガス混合物は、２
〜５容量％のｃ　Ｈ４（メタン）を含む。好ましい態様
において、５容量％のメタンを使用する。

他のガス状炭化水素化合物、例えば、エチレン、エタン
、ベンゼンなどを使用できる。さらに、炭化水素でない
炭素源、例えば、−酸化炭素および他の同様の化合物、
例えば、二硫化炭素を使用してよい。

ガス純度がピンホール欠陥密度に影響をもたら・ず。従
って、窒素含量が５　ｐｐｍよりも少ないメタンガスを
使用する。第１相時、電流を約６８０ｍＡに設定し、基
板に９１１１Ａ／ＣＪ！’の電流密度を達成し、基板ホ
ルダーによって約６　ｃｍ”マスクオフされた４インチ
のシリコンウェハーを得る。

第１相の後、第２相を開始する。第２相において、メタ
ン流速を約０．２容量％よりも小さい値に減少し、電流
密度をｌｏｍＡ／ＣＩ”基板面積よりも大きい値に増加
する。４インチシリコンウェハーに対して約７５０ｍＡ
である。

第２相は、好ましい末端厚さを達成するのに充分な時間
にわたって行われる。好ましいパラメーターを使用して
、第２相時の蒸着速度は約６０人／時である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の好ましい態様に従った基板上に位置
するダイヤモンド薄膜の断面図、第２ａ図および第２ｂ
図は、従来技術および本発明をそれぞれ使用して得られ
たダイヤモンド薄膜の上から見た結晶構造を示す写真、 第３図は、本発明の好ましい態様に従、ったＸ線窓にお
いて使用するのに適したサポートグリシド上にあるダイ
ヤモンド薄膜の斜視図、 第４図は、円周設置手段を有するＸ線窓に組み込んだ第
３図の構造体を示す斜視図、 第５図は、本発明の好ましい態様に従ったダイヤモンド
薄膜を製造するのに適した直流プラズマ助成ＣＶＤ反応
器の概略図である。 １０．２２・・・ダイヤモンド薄膜、１２・・・上層、
１４・・・下層、１６．５８・・・基板、２０．３０・
・・サポートグリッド、３２・・・アルミニウムリング
、３４・シーラント、４０・・・反応器、４２．４４・
・・フランジ、７６・・・ガス配給ノズル。 特許出願人　り　リスク　リ　ューム 代理　人弁理士　青山葆　はか１名 、ノ２−二］；メＧ　　　、Ｐ、、−／７゜’、／　＃ 乙ν、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、約１ｍｍ＾２より大きい面積、約２ミクロン未満の
   厚さ、および１×１０＾−＾６ｓｃｃｍ／ｓｅｃ／ｍｍ
   ＾２未満のヘリウム透過率を有する連続多結晶ダイヤモ
   ンド薄膜。 ２、基板の上に形成された請求項１記載の連続多結晶ダ
   イヤモンド薄膜。 ３、約５０００Å未満の厚さを持つ請求項１記載の連続
   多結晶ダイヤモンド薄膜。 ４、該基板が、研摩された非結晶シリコンである請求項
   ２記載の連続多結晶ダイヤモンド薄膜。 ５、約１ｍｍ＾２より大きい面積、約２ミクロン未満の
   厚さ、および１×１０＾−＾６ｓｃｃｍ／ｓｅｃ／ｍｍ
   ＾２未満のヘリウム透過率を有する連続多結晶ダイヤモ
   ンド薄膜、並びに該薄膜を装着する為の装着手段を有す
   る窓。 ６、該薄膜がサポートグリッド上に配置されている請求
   項５記載の窓。 ７、該サポートグリッドが、穴あき金属グリッドである
   請求項５記載の窓。 ８、該サポートグリッドが、微細加工シリコングリッド
   である請求項５記載の窓。 ９、該サポートグリッドが、現場エッチングされたシリ
   コングリッドである請求項５記載の窓。 １０、多結晶ダイヤモンドの第１層、および該第１層に
   比べて薄い微結晶ダイヤモンドの第２連続層から成る多
   層連続ダイヤモンド膜。 １１、約２ミクロン未満の厚さを有する請求項１０記載
   の多層ダイヤモンド膜。 １２、基板をＣＶＤ反応器に配置し、 ＣＶＤ反応器を減圧にし、 ＣＶＤ反応器の温度を約３００〜７２５℃に上昇させ、 ＣＶＤ反応器に水素を導入し、 反応の第１相では、約２〜５容量％の炭素源ガスをＣＶ
   Ｄ反応器に導入し、 反応の第２相では、炭素源ガスの濃度を約０．２容量％
   に低下する ことを含んで成る連続ダイヤモンド薄膜の製法。