JPH02199428A - Light control laminated body - Google Patents

Light control laminated body

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JPH02199428A
JPH02199428A JP1749489A JP1749489A JPH02199428A JP H02199428 A JPH02199428 A JP H02199428A JP 1749489 A JP1749489 A JP 1749489A JP 1749489 A JP1749489 A JP 1749489A JP H02199428 A JPH02199428 A JP H02199428A
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JP
Japan
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transparent conductive
conductive film
liquid crystal
film
substrate
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Application number
JP1749489A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Shingu
新宮 公
Hitoshi Mikoshiba
均 御子柴
Masao Suzuki
鈴木 将夫
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain the light control laminated body which allows arbitrary control of the see-through property of a window and is stable over a long period of time by disposing a liquid crystal material layer between the respective transparent conductive film sides of 1st and 2nd transparent conductive substrates, which films consist mainly of an indium oxide and are disposed to face each other, thereby forming the laminated body. CONSTITUTION:The liquid crystal material layer is disposed on the transparent conductive film of the 1st transparent conductive substrate constituted by forming the crystalline transparent conductive film mainly consisting of the indium oxide on a transparent supporting substrate. Further, the 2nd transparent conductive substrate is disposed thereon in such a manner that the transparent conductive film side faces the liquid crystal material layer side. The transparent conductive film of the 2nd transparent conductive substrate is the crystalline transparent conductive film mainly consisting of the indium oxide like with the 1st transparent conductive substrate. Namely, the laminated body disposed with the transparent supporting substrate, the transparent conductive film, the liquid crystal material layer, the transparent conductive film and the transparent supporting substrate in this order is formed. The light control laminated body which allows the arbitrary control of the transmittance of light and is stable over a long period of time is thereby obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 [利用分野] 本発明は調光積層体に関する。液晶材料は電界や熱を加
えることにより光線の透過を制御できるので電卓の表示
素子やテレビ画面などに応用されている。近年、建物の
窓が大面積化しているため、窓の透視性を任意ににコン
トロールすることができれば安全性、居住性、その他を
目的とした広範な応用が期待される。しかしながら従来
の前記の如き応用を1指して開発された液晶材料含有素
子は、上記の如き目的を達成する上では、全く不向きの
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application] The present invention relates to a light control laminate. Liquid crystal materials can control the transmission of light by applying an electric field or heat, so they are used in things such as calculator display elements and television screens. In recent years, windows in buildings have become larger in area, so if the transparency of windows can be controlled arbitrarily, a wide range of applications for safety, livability, and other purposes are expected. However, the conventional liquid crystal material-containing devices developed for the above-mentioned applications are completely unsuitable for achieving the above-mentioned objectives.

本発明者らは、上記の如き目的に適した液晶材料を用い
た構成体を得るべく鋭意研究し、本発明に到達したもの
である。
The present inventors have conducted intensive research to obtain a structure using a liquid crystal material suitable for the above purpose, and have arrived at the present invention.

[発明の構成コ 上述の目的は以下の本発明により達成される。[Components of the invention The above objects are achieved by the invention as follows.

すなわら、本発明は透明支持基板の上に主としてインジ
ウム酸化物からなる結晶性の透明導電性膜を形成させて
なる第1の透明導電性基板、その透明導電性膜上に配置
された液晶材料層、更にその上に該液晶材料層側に透明
導電性膜側が向くように配置された第2の透明導電性基
板からなる調光積層体である。
In other words, the present invention provides a first transparent conductive substrate in which a crystalline transparent conductive film mainly made of indium oxide is formed on a transparent support substrate, and a liquid crystal disposed on the transparent conductive film. This is a light control laminate including a material layer and a second transparent conductive substrate disposed on the material layer so that the transparent conductive film side faces the liquid crystal material layer side.

以下、本発明について詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明の第1および第2の透明導電性基板において用い
られる透明支持基板は板ガラスまたは可撓性透明フィル
ムである。
The transparent supporting substrate used in the first and second transparent conductive substrates of the present invention is a plate glass or a flexible transparent film.

可撓性透明フィルムは、主として有機高分子フィルムか
らなるものであるが、かかる有機高分子化合物としては
、耐熱性を有する透明な有機高分子化合物であれば特に
限定しない。通常耐熱性どしては、好ましくは 100
℃以上、特に好ましくは130℃以上のものであって、
例えば、ポリイミド。
The flexible transparent film is mainly composed of an organic polymer film, but the organic polymer compound is not particularly limited as long as it is a transparent organic polymer compound that has heat resistance. Normally, heat resistance is preferably 100
℃ or higher, particularly preferably 130℃ or higher,
For example, polyimide.

ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸
、ボリヒダン1へインを始めとし、ポリエチレンテレフ
タレー1へ、ポリエチレン−2,6−ナツタレンジカル
ホキシレー1〜.ポリジアリルフタレト、ポリカーボネ
ート等のポリエステル系樹脂、延伸硬質塩ビ、延伸ポリ
プロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂及
び芳香族ポリアミド、セルローストリアセテ−1・等が
挙げられる。
Including polyether sulfone, polysulfone, polyparabanic acid, polyhydrane 1, polyethylene terephthalate 1, polyethylene-2,6-natsutale dicarboxylene 1 to 1. Examples include polyester resins such as polydiallylphthalate and polycarbonate, polyolefin resins such as stretched rigid vinyl chloride, stretched polypropylene, and polyethylene, aromatic polyamides, and cellulose triacetate-1.

もちろんこれらはホモポリマー コポリマーとして、又
、単独又はブレンドとしても使用しうる。
Of course, these can also be used as homopolymers and copolymers, alone or in blends.

かかる有機高分子化合物の成型物の形状は特に限定され
るものではないが、通常シー1へ状、フィルム状のもの
が好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能であ
り、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフ
ィルム状のものが使用される場合においては、フィルム
の厚さは6〜500μmが好ましく、更には12〜12
5μmが好ましい。
The shape of the molded product of the organic polymer compound is not particularly limited, but it is usually preferable to have a sheet shape or a film shape, and among them, a film shape can be rolled up and can be continuously produced. Therefore, it is particularly preferable. Furthermore, when a film is used, the thickness of the film is preferably 6 to 500 μm, more preferably 12 to 12 μm.
5 μm is preferred.

これらのフィルム又はシートは透明性を損わない程度に
おいて顔料を添加したり、又、表面加工例えばサンドマ
ット加工等をほどこしてもよい。
Pigments may be added to these films or sheets to the extent that transparency is not impaired, or surface treatments such as sand matting may be applied.

又、これらのフィルム又はシートは単独でもラミネート
して用いてもよい。
Further, these films or sheets may be used alone or in a laminated manner.

更に、その上に形成される透明導電性膜との密着性を向
」ニさせるため透明導電性膜形成前にフィルム上に中間
層を形成しても良い。中間層としては例えば有機ケイ素
化合物、ヂタンアルキルエステル、ジルコニウムアルキ
ルエステル等の有機金属化合物の加水分解により生成さ
れた層が好ましく用いられる。該中間層は、多層構成と
しても良い。
Further, an intermediate layer may be formed on the film before forming the transparent conductive film in order to improve the adhesion with the transparent conductive film formed thereon. As the intermediate layer, a layer produced by hydrolysis of an organometallic compound such as an organosilicon compound, a dithane alkyl ester, or a zirconium alkyl ester is preferably used. The intermediate layer may have a multilayer structure.

該中間層は、フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、イオ
ンボンバード或いは紫外線、β線、γ線などの放射線に
より硬化させる。
After the intermediate layer is coated on the film, it is dried and cured by heating, ion bombardment, or radiation such as ultraviolet rays, β rays, and γ rays.

また該中間層の塗布には、透明フィルムや塗工液の形状
、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコータ−、カーテンコター、ナイフコーターな
どの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸漬
法などが用いられる。
The intermediate layer may be coated using a known coating machine such as a doctor knife, bar coater, gravure roll coater, curtain coater, or knife coater, depending on the shape and properties of the transparent film and coating solution. A spray method, a dipping method, etc. are used.

該中間層の厚さとしては、100〜100OAが好まし
く、特に200〜900人が好ましい。100人未満の
場合には、連続層を形成しないため密着性向上効果がな
い。又、1000人をこえると、クラックや剥離を生じ
たりして好ましくない。
The thickness of the intermediate layer is preferably 100 to 100 OA, particularly preferably 200 to 900 OA. If there are fewer than 100 people, no continuous layer is formed and there is no effect of improving adhesion. Moreover, if the number of people exceeds 1000, cracks and peeling may occur, which is not preferable.

本発明の第1の透明導電性基板において用いられる透明
導電性膜は主としてインジウム酸化物からなる結晶性の
ものである。
The transparent conductive film used in the first transparent conductive substrate of the present invention is a crystalline film mainly made of indium oxide.

また、主としてインジウム酸化物からなる結晶性の透明
導電性膜とは該透明導電性膜のXm回折パターンが酸化
インジウムの[222]ピークを呈丈るものであり、あ
るいは2θ−32°付近を中心とする幅広ピークと酸化
インジウムの[222]ピクとを同時に呈するものであ
り、好ましくは更に[400]ピーク又は[440]ピ
ークを同時に呈するものである。[222] 、  [
400] 、  [440]のピークを同時に呈する場
合は抵抗安定性、耐久性等が特に優れている。
In addition, a crystalline transparent conductive film mainly composed of indium oxide is one in which the Xm diffraction pattern of the transparent conductive film exhibits the [222] peak of indium oxide, or the Xm diffraction pattern is centered around 2θ-32°. It exhibits the broad peak of , and the [222] peak of indium oxide at the same time, and preferably also exhibits the [400] peak or the [440] peak at the same time. [222], [
When the peaks of [400] and [440] are exhibited at the same time, resistance stability, durability, etc. are particularly excellent.

本発明のX線回折パターンを有する透明導電性膜を形成
する方法は、真空蒸着法に限らずスパッタリング法、イ
オンブレーティング法等の公知のPVD法が適用できる
。好ましい適用例を下記に示す。
The method for forming a transparent conductive film having an X-ray diffraction pattern according to the present invention is not limited to vacuum evaporation, but may be any known PVD method such as sputtering or ion blasting. Preferred application examples are shown below.

■ 高分子成形物の温度を100℃以下として従来公知
の方法例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法等で、先ず主として非晶質のインジウム
低級酸化物を含む層を形成した後、酸素雰囲気下100
〜250℃の温度で加熱処理することにより結晶質の透
明導電性膜に転化する。
■ First, a layer containing mainly amorphous indium lower oxide is formed by a conventionally known method such as vacuum evaporation, sputtering, or ion blating at a temperature of 100°C or less for the polymer molded product, and then oxygen 100 under atmosphere
It is converted into a crystalline transparent conductive film by heat treatment at a temperature of ~250°C.

■ 高分子成形物を100〜250℃に加熱した状態で
、従来公知の方法例えば真空蒸着法、スパッタリング法
、イオンブレーティング法等で、結晶質の透明導電性膜
を形成する。
(2) With the polymer molded product heated to 100 to 250° C., a crystalline transparent conductive film is formed by a conventionally known method such as vacuum evaporation, sputtering, or ion blating.

要は、高分子成型物の性質に応じて本発明のX線回折パ
ターンが得られる条件を実験的に求めることである。
The point is to experimentally determine the conditions under which the X-ray diffraction pattern of the present invention can be obtained depending on the properties of the polymer molded product.

真空蒸着法には、インジウムを主成分とする合金又は酸
化インジウムを主成分とする成型物を用いることができ
る。前者においては真空槽内に酸素ガス等の反応性ガス
を導入して反応性蒸着を行なう。後者においては、真空
槽内に微量の酸素ガス等の反応性ガスを導入するか或い
はガス導入をせずに蒸着を行なう。
In the vacuum evaporation method, an alloy containing indium as a main component or a molded product containing indium oxide as a main component can be used. In the former method, reactive gas such as oxygen gas is introduced into a vacuum chamber to perform reactive vapor deposition. In the latter case, a trace amount of a reactive gas such as oxygen gas is introduced into the vacuum chamber, or vapor deposition is performed without introducing any gas.

蒸着材料の加熱手段としては抵抗加熱方式、高周波加熱
方式、電子ビーム加熱方式等公知の方式が適用できる。
As a heating means for the vapor deposition material, known methods such as a resistance heating method, a high frequency heating method, an electron beam heating method, etc. can be applied.

高速で組成ずれなく膜形成を行なう方法としては電子ビ
ーム加熱方式が好ましい。
An electron beam heating method is preferable as a method for forming a film at high speed and without compositional deviation.

スパッタリング法には、インジウムを主成分とする合金
又は、酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲッ
トとして用いることができる。前者においては、アルゴ
ン等の不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽
内に導入して、反応性スパッタリングを行なう。後者に
おいては、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴ
ン等の不活性ガスに微量の酸素ガス等の反応性ガスを混
合したものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタ
リングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は
高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等
公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基
板へのプラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい
In the sputtering method, an alloy containing indium as a main component or a sintered body containing indium oxide as a main component can be used as a target. In the former, an inert gas such as argon and a reactive gas such as oxygen gas are introduced into a vacuum chamber to perform reactive sputtering. In the latter case, sputtering is performed using an inert gas such as argon alone or a mixture of an inert gas such as argon and a trace amount of a reactive gas such as oxygen gas. As the sputtering method, known methods such as direct current or high frequency bipolar sputtering, direct current or high frequency magnetron sputtering, and ion beam sputtering can be applied. Among these, the magnetron method is preferable because it causes less plasma impact on the substrate and allows high-speed film formation.

又、イオンブレーティング法には、インジウムを主成分
とする合金又は、酸化インジウムを主成分とする成型物
を用いることができる。前者においては酸素ガス等の反
応性ガス単独、或いは反応性ガスとアルゴン等の不活性
ガスの混合ガスを真空槽内に導入して反応性イオンブレ
ーティングを行なう。後者においては、アルゴン等の不
活性ガス単独か或いは不活性ガスに微量の酸素ガス等の
反応性ガスを混合したものを用いる。
Further, in the ion blating method, an alloy containing indium as a main component or a molded product containing indium oxide as a main component can be used. In the former case, reactive ion blating is performed by introducing a reactive gas such as oxygen gas alone or a mixed gas of a reactive gas and an inert gas such as argon into the vacuum chamber. In the latter case, an inert gas such as argon alone or a mixture of an inert gas and a trace amount of a reactive gas such as oxygen gas is used.

ここでイオンブレーティング法とは蒸発粒子及び/又は
導入ガスの一部をイオン化しつつ膜形成を行なうもので
あり、イオン化の手段としては、直流、交流、高周波、
マイクロ波等を印加する方法がある。又蒸発源近くにイ
オン化電極を設(プ、導入ガスを必要としない方法もあ
る。
Here, the ion blating method is a method of forming a film while ionizing part of the evaporated particles and/or introduced gas, and ionization methods include direct current, alternating current, high frequency,
There is a method of applying microwaves or the like. There is also a method that does not require the installation of an ionization electrode near the evaporation source or the introduction of gas.

本発明に用いられる透明導電性膜は主としてインジウム
酸化物を含む膜である。インジウム酸化物層は本来透明
な電気絶縁体であるが、■微量の不純物を含有する場合
、■わずかに酸素不足になっている場合等に半導体にな
る。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば、不純
物として錫又はフッ素を含む酸化インジウムをあげるこ
とができる。特に好ましくは、酸化錫を2N20wt%
含むインジウム酸化物の膜である。
The transparent conductive film used in the present invention is a film mainly containing indium oxide. The indium oxide layer is originally a transparent electrical insulator, but it becomes a semiconductor when (1) it contains trace amounts of impurities, (2) it is slightly oxygen deficient, etc. Preferred semiconductor metal oxides include, for example, indium oxide containing tin or fluorine as an impurity. Particularly preferably, tin oxide is 2N20wt%
It is a film of indium oxide containing

本発明に用いられる主としてインジウム酸化物よりなる
透明導電性膜の膜厚は十分な導電性を得るためには、3
0Å以上であることが好ましく、50Å以上であれば更
に好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るため
には、500Å以下である事が好ましく、400Å以下
がより好ましい。
In order to obtain sufficient conductivity, the thickness of the transparent conductive film mainly made of indium oxide used in the present invention must be 3.
It is preferably 0 Å or more, and more preferably 50 Å or more. Further, in order to obtain a film with sufficiently high transparency, the thickness is preferably 500 Å or less, more preferably 400 Å or less.

本発明における第1の透明導電性基板は前述の透明支持
基板上に前述の透明導電性膜を形成させてなるものであ
る。
The first transparent conductive substrate in the present invention is formed by forming the above-mentioned transparent conductive film on the above-mentioned transparent support substrate.

又、本発明における透明導電性基板は例えばインジウム
酸化物よりなる透明導電性膜上に耐スクラッチ性を向上
させるといういわゆる表面保護の目的のために保護層を
積層させてもよい。
Further, in the transparent conductive substrate of the present invention, a protective layer may be laminated on a transparent conductive film made of, for example, indium oxide for the purpose of so-called surface protection to improve scratch resistance.

カカル保護層とシテハ、Ti 02 、 Sn 02 
Kakaru protective layer and Shiteha, Ti 02, Sn 02
.

Si 02 、Zr 02 、Zn O等の透明酸化物
Transparent oxides such as Si 02 , Zr 02 , Zn 2 O, etc.

Si 3 N4 、 Ti N等の窒化物あるいはアク
リロニトリル樹脂、スチレン樹脂、アクリレート樹脂。
Nitride such as Si 3 N 4 and Ti 2 N, or acrylonitrile resin, styrene resin, acrylate resin.

ポリエステル樹脂等の透明な有機化合物重合体或いは、
有機ケイ素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニ
ウムアルキルエステル等の有機金属化合物等を用いる事
ができる。
Transparent organic compound polymer such as polyester resin or
Organometallic compounds such as organosilicon compounds, titanium alkyl esters, zirconium alkyl esters, etc. can be used.

かかる保護膜の厚さは透明導電性膜の特性を低下させな
い範囲で任意に設ける事が可能である。
The thickness of such a protective film can be set arbitrarily within a range that does not deteriorate the characteristics of the transparent conductive film.

また本発明における透明導電性基板は、有機高分子フィ
ルムの両面に必要に応じて中間層を介して透明導電性膜
を積層した構成にしても良く、或いは有機高分子フィル
ムの片面に必要に応じて中間層を介して透明導電性膜を
積層した構成において、透明導電性膜を積層した面と反
対面において透明性を損わない範囲で接着性2表面硬度
、光学特性等を改善する目的で、例えば前述した中間層
−と同種の層や、酸化物層、窒化物層、硫化物層。
Furthermore, the transparent conductive substrate of the present invention may have a structure in which transparent conductive films are laminated on both sides of an organic polymer film via an intermediate layer as necessary, or a transparent conductive film may be laminated on one side of the organic polymer film as necessary. In a structure in which a transparent conductive film is laminated via an intermediate layer, adhesiveness 2 is used to improve the surface hardness, optical properties, etc. of the surface opposite to the surface on which the transparent conductive film is laminated, to the extent that transparency is not impaired. , for example, a layer of the same type as the above-mentioned intermediate layer, an oxide layer, a nitride layer, or a sulfide layer.

炭化物層や有機物層を設けても良い。A carbide layer or an organic layer may also be provided.

本発明における液晶材料層の液晶はネマチック型、コレ
ステリック型、スメクチック型のいずれもが用いられる
The liquid crystal of the liquid crystal material layer in the present invention may be of nematic type, cholesteric type, or smectic type.

ネマチック型としては、ポリ(p−フェニレンテレフタ
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
Nematic types include poly(p-phenylene terephthalamide) and poly(p-benzamide).

ポリ(p−フェニレンベンゾビスオキサゾール)。Poly(p-phenylenebenzobisoxazole).

ポリ(p−フェニレンベンゾビスチアゾール)等の高分
子液晶、あるいは4′−メトキシベンジリデン−4′−
ブチルアニリン、4−シアノ−4′ヘキソキシビフエニ
ル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロヘ
キサン化合物、シアノシクロへキシルシクロヘキサン化
合物などの化合物があげられる。
Polymer liquid crystals such as poly(p-phenylenebenzobisthiazole), or 4'-methoxybenzylidene-4'-
Examples include compounds such as butylaniline, 4-cyano-4'hexoxybiphenyl, cyanobiphenyl compounds, cyanophenylcyclohexane compounds, and cyanocyclohexylcyclohexane compounds.

これらの化合物は、駆動特性、安定性などを調整するた
めに数種混合されて使用される場合が多い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
These compounds are often used in combination in order to adjust driving characteristics, stability, etc. In addition, many products containing these mixtures are commercially available, and these can also be applied.

コレステリック型としては、コレステリルリル−ト、コ
レステリルオレエート、セルロース。
Cholesteric types include cholesteryl lylate, cholesteryl oleate, and cellulose.

セルロース誘導体、DNA、RNA、ポリペプチド等が
ある。
Examples include cellulose derivatives, DNA, RNA, and polypeptides.

スメクチック型としては、ポリエステル等がある。Examples of the smectic type include polyester.

本発明における液晶は、正の誘電異方性を備えたネマチ
ック型の液晶が好ましい。
The liquid crystal in the present invention is preferably a nematic liquid crystal with positive dielectric anisotropy.

本発明の液晶材料層は、これら液晶をそのままで用いる
こともできるし、高分子化合物などの固体物質中に包含
させることもできる。包含する方法としては、単純に高
分子化合物と液晶を溶剤などと共に混合し、電極を備え
たプラスチックフィルム基板などに塗布した後、溶剤を
とばして該基板フィルム上に液晶を包含した高分子化合
物の膜として形成する方法、あらかじめ液晶をマイクロ
カプセル化しておきその後に高分子化合物及び溶剤と混
合して塗布、乾燥する方法及び多孔質高分子フィルムに
液晶を含浸させる方法などがあり、任意の方法が選択さ
れる。この場合、液晶材料層の膜厚は数μm、数百μm
の範囲で任意に選ばれるが、コスト、透明性の点などか
ら数十μ瓦の膜厚が好ましい。
In the liquid crystal material layer of the present invention, these liquid crystals can be used as they are, or can be incorporated into a solid substance such as a polymer compound. A method of incorporating the liquid crystal is to simply mix the polymer compound and the liquid crystal together with a solvent, etc., apply the mixture to a plastic film substrate equipped with electrodes, and then remove the solvent and place the polymer compound containing the liquid crystal on the substrate film. There are several methods, including a method of forming a film, a method of microcapsulating liquid crystal in advance and then mixing it with a polymer compound and a solvent, coating and drying, and a method of impregnating a porous polymer film with liquid crystal. selected. In this case, the thickness of the liquid crystal material layer is several μm to several hundred μm.
Although the film thickness can be arbitrarily selected within the range of , a film thickness of several tens of micrometers is preferable from the viewpoint of cost and transparency.

上記の中でも液晶は高分子材料等の固体物質中に数μm
の大きさに球状に包含される事が好ましい。公知の通り
液晶材料層はこのような状態で電極に電圧を印加しない
場合、液晶が全体としてランダムに配向するために入射
してくる光を散乱する。そして電極に所定例えば50〜
100Vの直流ないし交流電圧を印加すると液晶の持つ
誘電異方性により液晶は電場に平行に配向し、入射する
光を散乱する事なく透過する。この現象により積層構成
の調光フィルムは電圧のオン、オフにより光の透過量を
調整する事ができ、調光窓、調光カーテンなどとして使
用できる。
Among the above, liquid crystals are a few micrometers deep in solid materials such as polymer materials.
It is preferable that it be contained in a spherical shape with a size of . As is well known, when no voltage is applied to the electrodes in this state, the liquid crystal material layer scatters incident light because the liquid crystal is randomly aligned as a whole. Then, the electrode is given a predetermined value, for example, 50~
When a DC or AC voltage of 100 V is applied, the dielectric anisotropy of the liquid crystal causes the liquid crystal to align parallel to the electric field and transmit incident light without scattering. Due to this phenomenon, a light control film with a laminated structure can adjust the amount of light transmitted by turning the voltage on or off, and can be used as a light control window, light control curtain, etc.

本発明における第2の透明導電性基板は第1の透明導電
性基板と同様に透明支持基板の上に透明導電性膜を形成
させてなるものである。
The second transparent conductive substrate in the present invention is formed by forming a transparent conductive film on a transparent support substrate, similarly to the first transparent conductive substrate.

ここで透明支持基板は前述の通りである。第2の透明導
電性基板において用いられる透明導電性膜は第1の透明
導電性基板で用いられた主としてインジウム酸化物から
なる結晶性の透明導電性膜であることが好ましいが、イ
ンジウム以外の金属及び/又は金属酸化物薄膜よりなる
ものでもよい。
Here, the transparent support substrate is as described above. The transparent conductive film used in the second transparent conductive substrate is preferably the crystalline transparent conductive film mainly composed of indium oxide used in the first transparent conductive substrate; And/or it may be made of a metal oxide thin film.

また、これは金属薄膜単独あるいは金属酸化物薄膜単独
であることもできるしそれらの組合せであることもでき
る。
Moreover, this can be a metal thin film alone, a metal oxide thin film alone, or a combination thereof.

より具体的には以下の如きものを挙げることができる。More specifically, the following can be mentioned.

■ 金、銅、銀、アルミニウム、パラジウム等の単独或
いは合金金属薄膜: ■ 酸化インジウム、M化スズ等の金属酸化物薄膜; ■ ■の金属薄膜と、■の金属酸化物薄膜との組合せに
より、ある波長領域における透明性を改善したちの: 特に上記■の構成体の代表的なものは、例えば真空蒸着
1反応性蒸着、化学コーディング法又はスパッタリング
法を用いて形成されたBi2O3/AU /Bf 20
3.Zn S/A(1/Zn S。
■ Single or alloy metal thin films such as gold, copper, silver, aluminum, palladium, etc.; ■ Metal oxide thin films such as indium oxide, tin Mide, etc.; ■ By combining the metal thin film (■) and the metal oxide thin film (■), To improve transparency in a certain wavelength range: Particularly typical of the structures mentioned in (1) above are Bi2O3/AU/Bf formed using, for example, vacuum evaporation, reactive evaporation, chemical coating method or sputtering method. 20
3. Zn S/A (1/Zn S.

王l 02 /A!+ /Tf 02 、S! 02 
/ (AU及び/又はA(1)/S! 02 、Zr 
02 /AgCU /Zr 02 、In 203/A
(1−CU /In 203 、 T! 02 /A(
+ −CLI /T! 02が挙げられる。又金属酸化
物薄膜は金属薄膜の片面のみであっても良い。
King l 02 /A! + /Tf 02, S! 02
/ (AU and/or A(1)/S! 02, Zr
02 /AgCU /Zr 02 , In 203/A
(1-CU/In 203, T! 02/A(
+ -CLI /T! 02 is mentioned. Further, the metal oxide thin film may be formed on only one side of the metal thin film.

これら金属薄膜及び金属酸化物薄膜の膜厚は、通常数十
〜数千人の範囲であり、液晶材料の駆動電極としてのみ
使用するか、断熱性能を兼ねるために赤外反射能も備え
るかにより膜厚が異る。
The thickness of these metal thin films and metal oxide thin films is usually in the range of tens to thousands of layers, depending on whether they are used only as driving electrodes for the liquid crystal material or whether they also have infrared reflective ability to serve as heat insulation. Film thickness is different.

殻内に金属薄膜を使用する前記■及び■の場合、その膜
厚は駆動電極のみの機能の場合50〜100人、赤外反
射能も必要な場合は100〜200人程度が普通である
In the case of (1) and (2) above, in which a metal thin film is used in the shell, the thickness of the film is usually about 50 to 100 if it functions only as a drive electrode, and about 100 to 200 if infrared reflective ability is also required.

■の金属酸化物のみの場合は、駆動電極のみの機能の場
合150〜300人、赤外反射能も備える場合0.2〜
0.5μm程度が普通である。
In the case of only metal oxide (2), 150 to 300 people if it functions only as a drive electrode, and 0.2 to 300 people if it also has infrared reflectivity.
The average thickness is about 0.5 μm.

■の場合の金属酸化物は、光の干渉に関与する機能のみ
であるので導電性は必要なく膜厚は100〜300人程
度である。
In case (2), the metal oxide only has a function related to light interference, so conductivity is not required and the film thickness is about 100 to 300 mm.

金属薄膜は、薄い膜厚で導電性、赤外反射能の機能を発
現する事ができ、基板フィルム側の電極材料としては適
している。しかしながら、膜厚が厚くなると透明性が下
るので■の例で示したように、金属酸化物の積層により
透過率アップを計る事が好ましい。
A metal thin film can exhibit conductivity and infrared reflection functions with a small thickness, and is suitable as an electrode material on the substrate film side. However, as the film thickness increases, the transparency decreases, so it is preferable to increase the transmittance by layering metal oxides, as shown in the example (2).

更に又、前記金属酸化物で前記金属層を挾んだ構成の一
層又は複数層とする事も出来る。
Furthermore, it is also possible to form one or more layers in which the metal layer is sandwiched between the metal oxides.

本発明の調光積層体においては、上記に説明した透明支
持基板、透明導電性膜、液晶材料層が、透明支持基板/
透明導電性膜/液晶材料層/透明導電性膜/透明支持基
板の順に配置されている。
In the light control laminate of the present invention, the transparent support substrate, the transparent conductive film, and the liquid crystal material layer described above are
The transparent conductive film/liquid crystal material layer/transparent conductive film/transparent support substrate are arranged in this order.

かかる本発明の調光積層体を用いると以下の如き利点が
ある。
The use of the light control laminate of the present invention has the following advantages.

調光積層体内の液晶材料層の耐久性が良くなり、長期に
安定した調光積層体を得ることかできる。
The durability of the liquid crystal material layer in the light control laminate is improved, and it is possible to obtain a light control laminate that is stable over a long period of time.

以下実施例により更に具体的に説明する。This will be explained in more detail below with reference to Examples.

[実施例1〜3及び比較例1] 100μm厚の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムに、有機ケイ素化合物のブタノール。
[Examples 1 to 3 and Comparative Example 1] Butanol, an organosilicon compound, was added to a 100 μm thick biaxially stretched polyethylene terephthalate film.

イソプロパツール混合アルコール系溶液(11度0.6
重量%)をバーコーターで塗布し、120℃で1分間乾
燥した。乾燥後の薄膜は200人であった。
Isopropanol mixed alcohol solution (11 degrees 0.6
% by weight) using a bar coater and dried at 120° C. for 1 minute. The thin film after drying was 200 people.

該フィルムを直流マグネトロンスパッタ装置内の基板保
持台に固定し、真空度1x 10−5 T orrまで
真空槽を排気した。その後、Ar102混合ガス(02
20%)を構内に導入し、真空度を1×1O−2Tor
rに保った後、In /Sn合金(Sn 5重量%)よ
りなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により
基板温度を変えて実施例1〜3及び比較例1の透明導電
性フィルムを作成した。
The film was fixed to a substrate holder in a DC magnetron sputtering device, and the vacuum chamber was evacuated to a vacuum level of 1×10 −5 Torr. After that, Ar102 mixed gas (02
20%) into the premises, and the vacuum level was set to 1 x 1 O-2 Torr.
After maintaining the temperature at r, transparent conductive films of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were produced by reactive sputtering using a target made of In 2 /Sn alloy (Sn 5% by weight) while changing the substrate temperature.

透明導電膜の結晶性をX線回折装置(理学電機■製RO
tafleX )を用いてCu−にα線により調べた。
The crystallinity of the transparent conductive film was measured using an X-ray diffraction device (RO manufactured by Rigaku Denki).
Cu- was examined using α-rays using taflX).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

本発明の透明導電性膜のX線回折パターンは酸化インジ
ウムの[222]ピークを呈していた。
The X-ray diffraction pattern of the transparent conductive film of the present invention exhibited a [222] peak of indium oxide.

方、比較例1の透明導電性膜のX線回折パターンには酸
化インジウムの[222]ピークが存在していなかった
On the other hand, the [222] peak of indium oxide was not present in the X-ray diffraction pattern of the transparent conductive film of Comparative Example 1.

次に該透明導電性フィルムの透明導電性膜上にアクリル
樹脂(三菱レーヨン LR574)と液晶(B D l
−1社 E−37>との混合物(固形分換算で1:  
1.5)のメチルエチルケトン溶液を塗工した後、10
0℃2分間乾燥し、厚さ15μmの液晶材料層を形成し
た。
Next, acrylic resin (Mitsubishi Rayon LR574) and liquid crystal (B D l
-1 company E-37> mixture (1: solid content)
After applying the methyl ethyl ketone solution of 1.5),
It was dried at 0° C. for 2 minutes to form a liquid crystal material layer with a thickness of 15 μm.

しかる後に、第1の透明導電フィルムと同じ第2の透明
導電性フィルムの透明導電性膜面を貼り合わせることに
より調光積層体を作成した。
Thereafter, a light control laminate was created by bonding together the transparent conductive film surfaces of the first transparent conductive film and the same second transparent conductive film.

該調光積層体は電圧無印加時の透過率が5%。The light control laminate has a transmittance of 5% when no voltage is applied.

電圧印加時の透過率が60%と優れた調光能力を示した
It exhibited excellent light control ability with a transmittance of 60% when voltage was applied.

電圧印加時の耐久性をみるために、交流電圧100Vを
印加し、1秒間隔の0N−OFFを繰り返した。結果を
第1表に示す。
In order to check the durability during voltage application, an AC voltage of 100 V was applied, and ON-OFF cycles were repeated at 1-second intervals. The results are shown in Table 1.

本発明の透明導電性膜を用いた調光積層体は電圧印加時
の透過率に変化はみられなかった。一方、比較例1の透
明導電性膜を用いた調光積層体は徐々に透過率が低下し
ていき耐久性が悪かった。
In the light control laminate using the transparent conductive film of the present invention, no change in transmittance was observed when voltage was applied. On the other hand, in the light control laminate using the transparent conductive film of Comparative Example 1, the transmittance gradually decreased and the durability was poor.

第1表Table 1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透明支持基板の上に主としてインジウム酸化物か
らなる結晶性の透明導電性膜を形成させてなる第1の透
明導電性基板、その透明導電性膜上に配置された液晶材
料層、更にその上に該液晶材料層側に透明導電性膜側が
向くように配置された第2の透明導電性基板からなる調
光積層体。
(1) a first transparent conductive substrate formed by forming a crystalline transparent conductive film mainly made of indium oxide on a transparent support substrate; a liquid crystal material layer disposed on the transparent conductive film; A light control laminate comprising a second transparent conductive substrate disposed thereon so that the transparent conductive film side faces the liquid crystal material layer side.
(2)上記第2の透明導電性基板における透明導電性膜
が主としてインジウム酸化物からなる結晶性の透明導電
性膜である請求項1の調光積層体。
(2) The light control laminate according to claim 1, wherein the transparent conductive film in the second transparent conductive substrate is a crystalline transparent conductive film mainly composed of indium oxide.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2018045136A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 凸版印刷株式会社 Light control film, light control device using the same, and screen
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JP2021081743A (en) * 2021-02-22 2021-05-27 凸版印刷株式会社 Light control film, light control device using the same, and screen

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