JPH02199814A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH02199814A JPH02199814A JP1017490A JP1749089A JPH02199814A JP H02199814 A JPH02199814 A JP H02199814A JP 1017490 A JP1017490 A JP 1017490A JP 1749089 A JP1749089 A JP 1749089A JP H02199814 A JPH02199814 A JP H02199814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- air
- optical path
- projection
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａ業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体集積回路のように非常に微細な
パターンを形成する場合に用いられる投影露光装置に関
するものである。
パターンを形成する場合に用いられる投影露光装置に関
するものである。
［従来の技術］
近年、半導体集積回路の集積度が高まるにつれて、レチ
クル上のパターンをウェハ上に投影転写する投影露光装
置も、高解像力の縮小投影レンズを搭載し、ウェハをス
テップ・アンド・リピート方式で移動させることにより
クエへの複数の露光領域に順次パターンを投影転写する
いわゆるステッパーが主流となっている。
クル上のパターンをウェハ上に投影転写する投影露光装
置も、高解像力の縮小投影レンズを搭載し、ウェハをス
テップ・アンド・リピート方式で移動させることにより
クエへの複数の露光領域に順次パターンを投影転写する
いわゆるステッパーが主流となっている。
ステッパーには、投影レンズの解像力に見合フた重ね合
せ（ウェハ上の前工程で形成されたパターンとレチクル
の投影像の位置合せ）精度が要求される。一般には投影
レンズの最小解像線幅の１７５〜１／ｌＯの重ね合せ精
度が必要とされている。したがって、例えば超ＬＳＩ製
造用の０．８μｍ幅のパターンを解像するレンズに対し
ては０．０８〜０．１６μｍの重ね合せ精度が必要であ
る。
せ（ウェハ上の前工程で形成されたパターンとレチクル
の投影像の位置合せ）精度が要求される。一般には投影
レンズの最小解像線幅の１７５〜１／ｌＯの重ね合せ精
度が必要とされている。したがって、例えば超ＬＳＩ製
造用の０．８μｍ幅のパターンを解像するレンズに対し
ては０．０８〜０．１６μｍの重ね合せ精度が必要であ
る。
このような高精度の重ね合せを実現するには装置各部の
温調が重要であり、従来は第４図に示すように装置全体
を温調チャンバ１２０内に設置して、チャンバ１２０内
の空気の温度を制御していた。第４図に於いて、レチク
ル１０２は照明光学系１０１によって照明され、レチク
ル１０２に形成されたパターンの像は投影レンズ１０３
によりウェハ１０４の投影レンズ１０３直下に位置する
露光領域に投影転写される。
温調が重要であり、従来は第４図に示すように装置全体
を温調チャンバ１２０内に設置して、チャンバ１２０内
の空気の温度を制御していた。第４図に於いて、レチク
ル１０２は照明光学系１０１によって照明され、レチク
ル１０２に形成されたパターンの像は投影レンズ１０３
によりウェハ１０４の投影レンズ１０３直下に位置する
露光領域に投影転写される。
ウェハ１０４はＺステージ１０５によって上下方向（投
影レンズの光軸方向）に移動可能であるとともに、Ｘス
テージ１０６、Ｙステージ１０７によってＸ、Ｙ方向（
投影レンズの光軸と直交する方向）に移動可能となって
いる。そして、ウェハ１０４のＸ、Ｙ方向の位置は、レ
ーザ干渉計測長器１１０によってモニタされ、Ｘおよび
Ｙステージ１０６，１０７によって所定の位置に位置ぎ
めされる。また、ウェハ１０４は不図示の高さセンサに
よって表面の高さが検出され、Ｚステージによって高さ
調節される。
影レンズの光軸方向）に移動可能であるとともに、Ｘス
テージ１０６、Ｙステージ１０７によってＸ、Ｙ方向（
投影レンズの光軸と直交する方向）に移動可能となって
いる。そして、ウェハ１０４のＸ、Ｙ方向の位置は、レ
ーザ干渉計測長器１１０によってモニタされ、Ｘおよび
Ｙステージ１０６，１０７によって所定の位置に位置ぎ
めされる。また、ウェハ１０４は不図示の高さセンサに
よって表面の高さが検出され、Ｚステージによって高さ
調節される。
かかる装置全体は、防振台１０９によって防振された定
盤１０８の上に載置されて、温調チャンバ１２０内に設
置されている。この温調チャンバ１２０内には、熱交換
器１２１によって設定温度に調整された空気が吹き出し
ダクト１２２から送風され、送風された空気はリターン
ダクト１２３から排気される６図では明示されていない
が、吹き出しダクト１２２から送り出された空気はレチ
クル１０２周辺、投影レンズ１０３周辺およびウェハス
テージ（１０５，１０６，１０７）周辺にも流れている
。
盤１０８の上に載置されて、温調チャンバ１２０内に設
置されている。この温調チャンバ１２０内には、熱交換
器１２１によって設定温度に調整された空気が吹き出し
ダクト１２２から送風され、送風された空気はリターン
ダクト１２３から排気される６図では明示されていない
が、吹き出しダクト１２２から送り出された空気はレチ
クル１０２周辺、投影レンズ１０３周辺およびウェハス
テージ（１０５，１０６，１０７）周辺にも流れている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記の如き従来の技術に於いては、装置全体を
一つのチャンバで取り囲んで一括して空調しているため
、各種電子部品や、モータ、レーザなどの熱源から発生
する熱の影響が大きく、レチクルとクエへ間の投影光学
系を含む空間の空気の屈折率の時間的、空間的な均一性
を保つことが困難であった。即ち、温度に依存して空気
の屈折率が変化するため、結像位置が播いたり、あるい
は像の歪みを生じ、重ね合せ精度を劣化させる大きな原
因の一つになっていた。
一つのチャンバで取り囲んで一括して空調しているため
、各種電子部品や、モータ、レーザなどの熱源から発生
する熱の影響が大きく、レチクルとクエへ間の投影光学
系を含む空間の空気の屈折率の時間的、空間的な均一性
を保つことが困難であった。即ち、温度に依存して空気
の屈折率が変化するため、結像位置が播いたり、あるい
は像の歪みを生じ、重ね合せ精度を劣化させる大きな原
因の一つになっていた。
本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので
、露光光の光路となる空間の空気の屈折率変動を最小限
に押え、良好な重ね合せ精度を得ることのできる投影露
光装置を提供することを目的とするものである。
、露光光の光路となる空間の空気の屈折率変動を最小限
に押え、良好な重ね合せ精度を得ることのできる投影露
光装置を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明においては、投影露光装置全体を取り囲む第１チ
ャンバの他に、投影光学系と露光対象である第２物体（
ウェハ）の間の露光光の光路を含む空間を取り囲む第２
チャンバを設け、第１チャンバと第２チャンバ内の空気
を別個に温度調節することにより、上記の課題を達成し
ている。
ャンバの他に、投影光学系と露光対象である第２物体（
ウェハ）の間の露光光の光路を含む空間を取り囲む第２
チャンバを設け、第１チャンバと第２チャンバ内の空気
を別個に温度調節することにより、上記の課題を達成し
ている。
また、さらに第２物体（クエへ）に投影される所定のパ
ターンが形成された第１物体（レチクル）と投影光学系
の間の露光光の光路を含む空間を取り囲む第３チャンバ
を設け、第１のチャンバ内の空気と第２および第３チャ
ンバ内の空気を別個に温度調節するようにすれば、像の
揺らぎや歪を抑える上で、より望ましい。
ターンが形成された第１物体（レチクル）と投影光学系
の間の露光光の光路を含む空間を取り囲む第３チャンバ
を設け、第１のチャンバ内の空気と第２および第３チャ
ンバ内の空気を別個に温度調節するようにすれば、像の
揺らぎや歪を抑える上で、より望ましい。
［作 用］
投影される像の歪や揺らぎの大きな原因となるのは、露
光光の光路となる空間の空気の屈折率の変動であるので
、本発明では、露光装置全体を取り囲む第１チャンバの
他に、レチクルとクエへの間の露光光の光路を含む空間
を局部的に取り囲む第２及び第３チャンバを設け、第１
チャンバとは別個に温度制御を行なっている。即ち、こ
の第２及び第３チャンバの中には熱源が含まれず、かつ
容量も小さいので、チャンバ内の熱負荷が小さく、従っ
て非常に精度良く空気の温度制御を行なうことが可能で
ある。
光光の光路となる空間の空気の屈折率の変動であるので
、本発明では、露光装置全体を取り囲む第１チャンバの
他に、レチクルとクエへの間の露光光の光路を含む空間
を局部的に取り囲む第２及び第３チャンバを設け、第１
チャンバとは別個に温度制御を行なっている。即ち、こ
の第２及び第３チャンバの中には熱源が含まれず、かつ
容量も小さいので、チャンバ内の熱負荷が小さく、従っ
て非常に精度良く空気の温度制御を行なうことが可能で
ある。
かかる第２及び第３チャンバはなるべく容量が小さくな
るように設けることが好ましいが、第２チャンバの容量
があまり大きくならない範囲で、ウェハステージの位置
を検出する干渉計測長器の光路を含むステージ周辺の空
間を第２チャンバで囲むようにすれば、ウェハの位置検
出誤差が小さくなり、重ね合せ精度を向上させる上で有
利である。
るように設けることが好ましいが、第２チャンバの容量
があまり大きくならない範囲で、ウェハステージの位置
を検出する干渉計測長器の光路を含むステージ周辺の空
間を第２チャンバで囲むようにすれば、ウェハの位置検
出誤差が小さくなり、重ね合せ精度を向上させる上で有
利である。
なお、上記の第３チャンバについては、投影光学系によ
って縮小投影が行なわれる場合は必ずしも設ける必要は
ない、というのは、縮小投影光学系の縮小率をｍ倍とす
ると、レチクルと投影光学系間の空気の屈折率変動の影
響もｍ倍されるので、投影光学系とクエへ間の空間に比
べれば、レチクルと投影光学系間の空気の屈折率変動に
よる影響は小さいからである。
って縮小投影が行なわれる場合は必ずしも設ける必要は
ない、というのは、縮小投影光学系の縮小率をｍ倍とす
ると、レチクルと投影光学系間の空気の屈折率変動の影
響もｍ倍されるので、投影光学系とクエへ間の空間に比
べれば、レチクルと投影光学系間の空気の屈折率変動に
よる影響は小さいからである。
［実施例］
第１図は本発明実施例にかかる投影露光装置の構成図で
ある１図において、レチクル２は照明光学系１によって
照明され、レチクル２に形成されたパターンは投影レン
ズ３によりウェハ４の投影レンズ３直下に位置する露光
領域に投影転写される。
ある１図において、レチクル２は照明光学系１によって
照明され、レチクル２に形成されたパターンは投影レン
ズ３によりウェハ４の投影レンズ３直下に位置する露光
領域に投影転写される。
ウェハ４はＺステージ５によって上下方向（投影レンズ
の光軸方向）に移動可能であるとともに、Ｘステージ６
、Ｙステージ７によってＸ、 Ｙ方向（投影レンズの光
軸と直交する方向）に移動可能となっている。そして、
ウェハ４のＸ、Ｙ方向の位置は、レーザ干渉計測長器１
０によってモニタされ、ウェハ４はＸおよびＹステージ
１０６１０７によって所定の位置に位置ぎめされる。
の光軸方向）に移動可能であるとともに、Ｘステージ６
、Ｙステージ７によってＸ、 Ｙ方向（投影レンズの光
軸と直交する方向）に移動可能となっている。そして、
ウェハ４のＸ、Ｙ方向の位置は、レーザ干渉計測長器１
０によってモニタされ、ウェハ４はＸおよびＹステージ
１０６１０７によって所定の位置に位置ぎめされる。
また、ウェハ１０４は不図示の高さセンサによって表面
の高さが検出され、Ｚステージによって高さ調節される
。
の高さが検出され、Ｚステージによって高さ調節される
。
かかる装置全体は、防振台９によって防振された定盤８
の上に載置されて、装置全体を取り囲む第１チャンバ２
０内に設置されている。この第１チャンバ２０自体は従
来の露光装置に備えられているものと同様な構成をなし
、第１チャンバ２０内には熱交換器２１によって所定温
度に調整された空気が吹き出しダクト２３から送風され
、送風された空気はリターンダクト２３から排気される
ようになっている。なお、照明光学系１へ照明光を供給
する光源（ランプ等）は、第１チャンバ２０の隔壁の外
に配置される。
の上に載置されて、装置全体を取り囲む第１チャンバ２
０内に設置されている。この第１チャンバ２０自体は従
来の露光装置に備えられているものと同様な構成をなし
、第１チャンバ２０内には熱交換器２１によって所定温
度に調整された空気が吹き出しダクト２３から送風され
、送風された空気はリターンダクト２３から排気される
ようになっている。なお、照明光学系１へ照明光を供給
する光源（ランプ等）は、第１チャンバ２０の隔壁の外
に配置される。
本発明では、この第１チャンバ２０の他に、投影レンズ
３と露光対象であるウェハ４の間の露光光の光路となる
空間を取り囲む第２チャンバ３３を設けており、本実施
例ではこの第２チャンバ３３によって干渉計測長器１０
の光路を含むウェハステージ（２ステージ５．Ｘステー
ジ６、Ｙステージ７）の周辺の空間も取り囲んでいる。
３と露光対象であるウェハ４の間の露光光の光路となる
空間を取り囲む第２チャンバ３３を設けており、本実施
例ではこの第２チャンバ３３によって干渉計測長器１０
の光路を含むウェハステージ（２ステージ５．Ｘステー
ジ６、Ｙステージ７）の周辺の空間も取り囲んでいる。
ここで、熱源となる測長器１０のレーザ光源１１は第２
チャンバ３３の外に設置されており、レーザ光はバイブ
１２で覆われた導入光学系によって第２チャンバ３３内
に導入されている。
チャンバ３３の外に設置されており、レーザ光はバイブ
１２で覆われた導入光学系によって第２チャンバ３３内
に導入されている。
また、この実施例においては、レチクル２と投影レンズ
３の間の露光光の光路を含む空間についても第３チャン
バ３４によって取り囲んでいる。
３の間の露光光の光路を含む空間についても第３チャン
バ３４によって取り囲んでいる。
そして、かかる第２および第３チャンバ３３゜３４には
、それぞれ送風バイブ３１．３２によって、熱交換・送
風機３０から送り出された所定の温度に調節された空気
が送り込まれる。なお、第２及び第３チャンバ３３．３
４の隔壁と投影レンズ３との間には投影レンズ３に送風
による振動が伝わらないようにように間隙が設けられて
いるが、さらにバイブ３１．３２は、熱交換・送風機３
０の振動を吸収できるような材質で構成されていること
が望ましい。
、それぞれ送風バイブ３１．３２によって、熱交換・送
風機３０から送り出された所定の温度に調節された空気
が送り込まれる。なお、第２及び第３チャンバ３３．３
４の隔壁と投影レンズ３との間には投影レンズ３に送風
による振動が伝わらないようにように間隙が設けられて
いるが、さらにバイブ３１．３２は、熱交換・送風機３
０の振動を吸収できるような材質で構成されていること
が望ましい。
第２および第３温調チャンバ３３．３４に送風された空
気は、チャンバ隔壁に開けられた透孔（図示せず）から
流出するようになっており、チャンバ３３．３４内の圧
力が外側よりもわずかに高くなるように送風量を調整し
ておけば、空気が逆流することがない。もちろん帰還ダ
クトを設けて、熱交換・送風機３０に空気を帰還させて
もよい、また、図示はしていないが、ウェハ４の出し入
れのためにチャンバ３３には屏が設けられており、出し
入れの時だけ開閉する構造になっている。
気は、チャンバ隔壁に開けられた透孔（図示せず）から
流出するようになっており、チャンバ３３．３４内の圧
力が外側よりもわずかに高くなるように送風量を調整し
ておけば、空気が逆流することがない。もちろん帰還ダ
クトを設けて、熱交換・送風機３０に空気を帰還させて
もよい、また、図示はしていないが、ウェハ４の出し入
れのためにチャンバ３３には屏が設けられており、出し
入れの時だけ開閉する構造になっている。
なお、上記に説明した実施例ではレチクル２と投影レン
ズ３の間に温調チャンバ３４を設けているが、前述した
ように、投影レンズ３が縮小投影レンズである場合には
、レチクル２と投影レンズ３の間の空気の屈折率変動に
よる悪影響は小さくなるので必ずしも設ける必要はない
。
ズ３の間に温調チャンバ３４を設けているが、前述した
ように、投影レンズ３が縮小投影レンズである場合には
、レチクル２と投影レンズ３の間の空気の屈折率変動に
よる悪影響は小さくなるので必ずしも設ける必要はない
。
次に、第２図は本発明にかかるチャンバの隔壁の例を示
す断面図であり、チャンバ３３の隔壁は内側の金属板４
１と外側の板部材４３の間に断熱材４２を充填した構造
になっている。このようにすれば、チャンバの外部で発
生する熱の影響が少なく、金属板４１に熱伝導率の高い
材質を選べばチャンバ内面全体が速やかにバイブ３２か
ら送風される空気の温度とほぼ等しくなり、チャンバ内
の空気の温度を正確に制御できる。
す断面図であり、チャンバ３３の隔壁は内側の金属板４
１と外側の板部材４３の間に断熱材４２を充填した構造
になっている。このようにすれば、チャンバの外部で発
生する熱の影響が少なく、金属板４１に熱伝導率の高い
材質を選べばチャンバ内面全体が速やかにバイブ３２か
ら送風される空気の温度とほぼ等しくなり、チャンバ内
の空気の温度を正確に制御できる。
第３図は同じくチャンバ障壁の例を示す断面図である。
チャンバ３３の隔壁の内側が金属板４１、外側が板部材
４３で構成されている点は第２図と同様であるが、第３
図の例では隔壁内が二層構造となっている０図において
隔壁の内面側の層には温度制御された流体を流すための
流体管路４４が設けられており、流入口４５から流体が
入り、流出口４６から出る構造となっている。また、流
体管路４４の外側には板部材４３との間に断熱材４２が
充填されている。
４３で構成されている点は第２図と同様であるが、第３
図の例では隔壁内が二層構造となっている０図において
隔壁の内面側の層には温度制御された流体を流すための
流体管路４４が設けられており、流入口４５から流体が
入り、流出口４６から出る構造となっている。また、流
体管路４４の外側には板部材４３との間に断熱材４２が
充填されている。
かかる隔壁構造のチャンバを用いて、流体の温度がパイ
プ３２から送風される空気の温度と一致するように温度
制御を行えば、チャンバ内の温度を、より均一に、かつ
正確に所定の温度に保つことができ、チャンバ内の空気
の屈折率分布の変動を非常に小さくすることができる。
プ３２から送風される空気の温度と一致するように温度
制御を行えば、チャンバ内の温度を、より均一に、かつ
正確に所定の温度に保つことができ、チャンバ内の空気
の屈折率分布の変動を非常に小さくすることができる。
［発明の効果］
以上の様に本発明は、露光対象に投影されるパターンが
形成された第１物体と露光対象である第２物体の間の露
光光の光路を含む空間を局部的に囲んで、露光装置全体
を囲むチャンバとは別個に温度制御したことにより、露
光光の光路となる空間の空気の屈折率の変動を非常に小
さくでき、投影される像の揺らぎや歪をほとんどなくす
ことができるという効果を有している。
形成された第１物体と露光対象である第２物体の間の露
光光の光路を含む空間を局部的に囲んで、露光装置全体
を囲むチャンバとは別個に温度制御したことにより、露
光光の光路となる空間の空気の屈折率の変動を非常に小
さくでき、投影される像の揺らぎや歪をほとんどなくす
ことができるという効果を有している。
即ち、かかる投影露光装置を集積回路の製造に用いれば
、クエへに形成されるパターンの重ね合せ精度が向上し
、より集積度の高い集積回路を歩留り良く製造すること
ができ、極めて有益である。
、クエへに形成されるパターンの重ね合せ精度が向上し
、より集積度の高い集積回路を歩留り良く製造すること
ができ、極めて有益である。
第１図は本発明実施例にかかる投影露光装置の構成図、
第２図及び第３図はそれぞれ本発明にかかるチャンバの
隔壁部の構造を示す断面図、第４図は従来の装置の構成
図である。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・照射光学系 ２・・・レチクル（第１物体） ３・・・投影レンズ ４・・・ウェハ（第２物体） ２０・・・第１チャンバ ３０・・・熱交換・送風機（温度調節手段）３３・・・
第２チャンバ ３４・・・第３チャンバ 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第２図 第３ 図
第２図及び第３図はそれぞれ本発明にかかるチャンバの
隔壁部の構造を示す断面図、第４図は従来の装置の構成
図である。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・照射光学系 ２・・・レチクル（第１物体） ３・・・投影レンズ ４・・・ウェハ（第２物体） ２０・・・第１チャンバ ３０・・・熱交換・送風機（温度調節手段）３３・・・
第２チャンバ ３４・・・第３チャンバ 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第２図 第３ 図
Claims (2)
- （１）光源から射出された光を第１物体に照射すること
により、前記第１物体に形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感光性の第２物体の所定の露光領域に投
影転写する投影露光装置において、 前記投影露光装置全体を取り囲む第１チャンバと、 前記投影光学系と前記第２物体の間の露光光の光路を含
む空間を取り囲む第２チャンバと、前記第１チャンバ内
の空気と前記第２チャンバ内の空気を別個に温度調節す
る温度調節手段とを備えたことを特徴する投影露光装置
。 - （２）光源から射出された光を第１物体に照射すること
により、前記第１物体に形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感光性の第２物体の所定の露光領域に投
影転写する投影露光装置において、 前記投影露光装置全体を取り囲む第１チャンバと、 前記投影光学系と前記第２物体の間の露光光の光路を含
む空間を取り囲む第２チャンバと、前記第１の物体と前
記投影光学系の間の露光光の光路を含む空間を取り囲む
第３チャンバと、前記第１チャンバ内の空気と、前記第
２及び第３チャンバ内の空気を別個に温度調節する温度
調節手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017490A JP2794587B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017490A JP2794587B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199814A true JPH02199814A (ja) | 1990-08-08 |
| JP2794587B2 JP2794587B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=11945448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017490A Expired - Fee Related JP2794587B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794587B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992001198A1 (fr) * | 1990-07-10 | 1992-01-23 | Tadahiro Ohmi | Dispositif de refroidissement refroidi par liquide |
| KR19980042711A (ko) * | 1996-11-25 | 1998-08-17 | 요시다쇼이치로 | 노광 장치 |
| US5875031A (en) * | 1994-09-13 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Distance measuring device based on laser interference with a baffle structure member |
| WO1999012194A1 (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Nikon Corporation | Temperature adjusting method and aligner to which this method is applied |
| US6450288B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Air-conditioning apparatus, partition and exposure apparatus |
| US6714278B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP2006261273A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Canon Inc | チャンバおよびこれを用いた露光装置 |
| US7126689B2 (en) | 2000-02-15 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US7391498B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Technique of suppressing influence of contamination of exposure atmosphere |
| CN105867074A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-17 | 安徽德衍智控科技有限公司 | 一种投影物镜柔性调平装置及其调平方法 |
| KR20160136440A (ko) * | 2014-04-30 | 2016-11-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2021085911A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品製造方法 |
| JP2021156535A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 水戸工業株式会社 | 空調装置 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017490A patent/JP2794587B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555928A (en) * | 1990-07-10 | 1996-09-17 | Tadahiro Ohmi | Liquid cooled cooling device |
| WO1992001198A1 (fr) * | 1990-07-10 | 1992-01-23 | Tadahiro Ohmi | Dispositif de refroidissement refroidi par liquide |
| US5875031A (en) * | 1994-09-13 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Distance measuring device based on laser interference with a baffle structure member |
| KR19980042711A (ko) * | 1996-11-25 | 1998-08-17 | 요시다쇼이치로 | 노광 장치 |
| EP0844532A3 (en) * | 1996-11-25 | 1999-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US6714278B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| WO1999012194A1 (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Nikon Corporation | Temperature adjusting method and aligner to which this method is applied |
| US6450288B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Air-conditioning apparatus, partition and exposure apparatus |
| US7126689B2 (en) | 2000-02-15 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US7391498B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Technique of suppressing influence of contamination of exposure atmosphere |
| JP2006261273A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Canon Inc | チャンバおよびこれを用いた露光装置 |
| KR20160136440A (ko) * | 2014-04-30 | 2016-11-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2017515142A (ja) * | 2014-04-30 | 2017-06-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US9921497B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-03-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN105867074A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-17 | 安徽德衍智控科技有限公司 | 一种投影物镜柔性调平装置及其调平方法 |
| JP2021085911A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品製造方法 |
| JP2021156535A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 水戸工業株式会社 | 空調装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794587B2 (ja) | 1998-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5877843A (en) | Exposure apparatus | |
| US4989031A (en) | Projection exposure apparatus | |
| KR100885970B1 (ko) | 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 | |
| US5550633A (en) | Optical measuring apparatus having a partitioning wall for dividing gas flow in an environmental chamber | |
| JP4673185B2 (ja) | 機器及びリソグラフィ機器 | |
| KR101826100B1 (ko) | 리소그래피 장치 | |
| KR100665750B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JPH02199814A (ja) | 投影露光装置 | |
| US20040156026A1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| US7391498B2 (en) | Technique of suppressing influence of contamination of exposure atmosphere | |
| JP2010056545A (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JPH0982626A (ja) | 投影露光装置 | |
| KR100700368B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| TWI805683B (zh) | 用於整合氣鎖之裝置及其操作方法和微影裝置 | |
| US10642166B2 (en) | Patterning device cooling apparatus | |
| TW202305515A (zh) | 用於倍縮光罩之冷卻罩 | |
| JP2019509521A (ja) | パターニングデバイス冷却システム及びパターニングデバイスを熱調節する方法 | |
| JPH0922860A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH09320927A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2020177142A (ja) | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
| JPH11312633A (ja) | ガス温度調整装置および露光装置 | |
| JPH0480912A (ja) | 露光装置 | |
| JP6017630B1 (ja) | リソグラフィ装置のレチクル冷却システム | |
| CN121336152A (zh) | 用于光刻应用的掩模版调节 | |
| CN117581160A (zh) | 光刻系统、衬底下垂补偿器及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |