JPH02199827A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JPH02199827A JPH02199827A JP1017616A JP1761689A JPH02199827A JP H02199827 A JPH02199827 A JP H02199827A JP 1017616 A JP1017616 A JP 1017616A JP 1761689 A JP1761689 A JP 1761689A JP H02199827 A JPH02199827 A JP H02199827A
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- Japan
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- conductive film
- cvd
- fine wiring
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- film formed
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細配線に係り、特に微細なコンタクト孔内
Ｉｌ＝導電膜を埋め込んだ高信頼性微細配線に関する。
Ｉｌ＝導電膜を埋め込んだ高信頼性微細配線に関する。
従来の微細配線及びその製造方法は例えばシンポジウム
オン ブイエルニスアイ テクノロジー ダイジェス
ト オン テクニカル ペーパーズ（Ｓｙ＋＋ｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅ
ｒｓ） ｐ、１０１１９８８Ｊ、「伊藤他、１９８８年
半導体専門講習会予行集 於蔵王（財）半導体研究振興
会編ｐ、１０１ １９８８Ｊに記載されている。従来、
微細配線はスパッタ法または化学気相成長法により形成
されていた。
オン ブイエルニスアイ テクノロジー ダイジェス
ト オン テクニカル ペーパーズ（Ｓｙ＋＋ｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅ
ｒｓ） ｐ、１０１１９８８Ｊ、「伊藤他、１９８８年
半導体専門講習会予行集 於蔵王（財）半導体研究振興
会編ｐ、１０１ １９８８Ｊに記載されている。従来、
微細配線はスパッタ法または化学気相成長法により形成
されていた。
上記従来技術のうちスパッタ法により形成された微細配
線には段差被覆特性が劣るという問題があった。すなわ
ち、直径が０．５ μｍ、深さが直径と同程度以上の
寸法の微細で高アスペクト比の接続孔の内部には導電（
金属または金属化合物）材料を十分に埋め込むことがで
きないという欠点があった。また、上記従来技術のうち
化学気相成長法により形成された微細配線には下地との
密着性が十分でなく、剥離を生じたりコンタクト抵抗が
増大するという問題があった。
線には段差被覆特性が劣るという問題があった。すなわ
ち、直径が０．５ μｍ、深さが直径と同程度以上の
寸法の微細で高アスペクト比の接続孔の内部には導電（
金属または金属化合物）材料を十分に埋め込むことがで
きないという欠点があった。また、上記従来技術のうち
化学気相成長法により形成された微細配線には下地との
密着性が十分でなく、剥離を生じたりコンタクト抵抗が
増大するという問題があった。
本発明の目的は、密着性１段差被覆特性に優れ、低コン
タクト抵抗の微細配線を提供することにある。
タクト抵抗の微細配線を提供することにある。
上記目的は、微細なコンタクト孔を有する基板表面にス
パッタ法で、Ｓｉ拡散層などの導電材料上にも２また。
パッタ法で、Ｓｉ拡散層などの導電材料上にも２また。
５ｉＯｚなどの絶縁材料の上にも良好な密着性で、しか
も次に形成する膜とも密着性、導通特性が良い５０ｎｍ
程度の薄い圧縮性応力を有する導１ｌｔ（金属または金
属化合物）膜を形成した後、ＣＶＤ法で厚い導１１！（
金属または金属化合物）［を形成することにより達成さ
れる。
も次に形成する膜とも密着性、導通特性が良い５０ｎｍ
程度の薄い圧縮性応力を有する導１ｌｔ（金属または金
属化合物）膜を形成した後、ＣＶＤ法で厚い導１１！（
金属または金属化合物）［を形成することにより達成さ
れる。
微細なコンタクト孔を有する基板表面にスパッタ法で形
成した５０ｎｍ程度ψ・薄い導電（金属または金属化合
物）膜は、下地と該導電膜との良好な密着性と低コンタ
クト抵抗を実現する６該導電膜上にＣＶＤ法で形成する
際に導入する高融点金属フッ化物のガスは、スパッタ導
電膜上に形成される自然酸化膜を除去し、スパッタ導電
膜上に形成したＣＶＤ−導電膜は良好な段差被覆特性を
実現する。またスパッタ法で形成した５０ｎｍ程度の薄
い導電膜は、ＣＶＤ法で厚い′導電膜を形成する際の反
応生成物とＳｉとの反応を防ぐバリア層として作用する
ので、従来のＣＶＤ法のみで配線を形成する際に発生し
たエンクローチメントやトンネリングを防止することが
できる。また、圧縮性応力を有するスパッタ導電膜は引
っ張り性のＣＶＤ−導電膜を形成する際の応力を低減さ
せる作用をする。
成した５０ｎｍ程度ψ・薄い導電（金属または金属化合
物）膜は、下地と該導電膜との良好な密着性と低コンタ
クト抵抗を実現する６該導電膜上にＣＶＤ法で形成する
際に導入する高融点金属フッ化物のガスは、スパッタ導
電膜上に形成される自然酸化膜を除去し、スパッタ導電
膜上に形成したＣＶＤ−導電膜は良好な段差被覆特性を
実現する。またスパッタ法で形成した５０ｎｍ程度の薄
い導電膜は、ＣＶＤ法で厚い′導電膜を形成する際の反
応生成物とＳｉとの反応を防ぐバリア層として作用する
ので、従来のＣＶＤ法のみで配線を形成する際に発生し
たエンクローチメントやトンネリングを防止することが
できる。また、圧縮性応力を有するスパッタ導電膜は引
っ張り性のＣＶＤ−導電膜を形成する際の応力を低減さ
せる作用をする。
第１図は配線材料にＷを用いた場合の本発明の一実施例
の微細配線の製造工程を示す断面図である。
の微細配線の製造工程を示す断面図である。
接続孔の直径は０．５ μｍ、深さも０．５ μｍとし
た。
た。
第１図（ａ）は、ｐ型Ｓｉ基板１の一生面の所望の領域
に５ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｙａ−”のＡｓ＋をイオン打ち込
みし、９００℃の窒素雰囲気中で１ｏ分間熱処理し、ｎ
十拡散層２を形成した後、ＣＶＤ法で０．５ μｍの膜
厚の層間絶縁膜５ｉＯａ３を形成し、接続孔をドライエ
ツチング法で開孔した試料の断面を示す図である。
に５ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｙａ−”のＡｓ＋をイオン打ち込
みし、９００℃の窒素雰囲気中で１ｏ分間熱処理し、ｎ
十拡散層２を形成した後、ＣＶＤ法で０．５ μｍの膜
厚の層間絶縁膜５ｉＯａ３を形成し、接続孔をドライエ
ツチング法で開孔した試料の断面を示す図である。
次に、開孔部に露出したＳｉ表面をＨＦとＮＨａＦの混
合液（ＨＦ ： ＮＨ４Ｆ ＝ １ ： ２０、以下１
／２０Ｂと略す）で３０秒間洗浄し、５０ｎｍのＷ４を
ＤＣスパッタ法で形成した。Ｗのスパッタ条件は２ 、
５ｋＶ、 １ ｍＴｏｒｒとした。この状態を示したの
が第１図（ｂ）である。
合液（ＨＦ ： ＮＨ４Ｆ ＝ １ ： ２０、以下１
／２０Ｂと略す）で３０秒間洗浄し、５０ｎｍのＷ４を
ＤＣスパッタ法で形成した。Ｗのスパッタ条件は２ 、
５ｋＶ、 １ ｍＴｏｒｒとした。この状態を示したの
が第１図（ｂ）である。
次に、ＣＶＤ法により０．５ μｍのｗ５を形成した
。形成条件は、圧力が１００ ｍＴｏｒｒ、温度が３９
０℃、ＷＦａ流量が２０ｓｃｃ＋ａ、Ｈｚ流斌が１００
０ｓｃｃ＠である。この状態の断面を示したのが第１図
（ｃ）である。
。形成条件は、圧力が１００ ｍＴｏｒｒ、温度が３９
０℃、ＷＦａ流量が２０ｓｃｃ＋ａ、Ｈｚ流斌が１００
０ｓｃｃ＠である。この状態の断面を示したのが第１図
（ｃ）である。
この構造のＷ／ｎ＋ −８ｉのコンタクト抵抗は１８Ω
であり、十分低く良好であった。また、ｎ型Ｓｉ基板を
用イテ、ＢＦｔ＋を５ Ｘ １０ ”ｃａｒ−”イオン
打ち込みし、９００℃の窒素雰囲気中で１゜分間熱処理
して形成したｐ◆拡散層に対するＷ／ｐ＋−８ｉのコン
タクト抵抗は４５Ωであり、ｐ＋−８ｉに対しては十分
低い値であった。平坦な絶縁膜５ｉＯｚ上のＷ層の抵抗
率は７．８ μΩ国と低い値であった。
であり、十分低く良好であった。また、ｎ型Ｓｉ基板を
用イテ、ＢＦｔ＋を５ Ｘ １０ ”ｃａｒ−”イオン
打ち込みし、９００℃の窒素雰囲気中で１゜分間熱処理
して形成したｐ◆拡散層に対するＷ／ｐ＋−８ｉのコン
タクト抵抗は４５Ωであり、ｐ＋−８ｉに対しては十分
低い値であった。平坦な絶縁膜５ｉＯｚ上のＷ層の抵抗
率は７．８ μΩ国と低い値であった。
本発明による段差被覆特性の改善を第２図に示した。第
２図（ａ）は本発明の一実施例による配線膜の模式図で
あり、微細な接続孔の内部にも充分にＷが埋め込まれて
いる。一方、従来のスパッタ法のみによるＷ配線では、
第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜としてグラスフロー
を行なってコンタクト孔の開孔部を拡げたＢＰＳＧ膜８
を用いているにもかかわらず、平坦な部分の膜厚に対す
る微細な接続孔の内部の最も薄い部分の膜厚の比（カバ
レジファクタ）は０．２ 以下となっており。
２図（ａ）は本発明の一実施例による配線膜の模式図で
あり、微細な接続孔の内部にも充分にＷが埋め込まれて
いる。一方、従来のスパッタ法のみによるＷ配線では、
第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜としてグラスフロー
を行なってコンタクト孔の開孔部を拡げたＢＰＳＧ膜８
を用いているにもかかわらず、平坦な部分の膜厚に対す
る微細な接続孔の内部の最も薄い部分の膜厚の比（カバ
レジファクタ）は０．２ 以下となっており。
顕著な改善がされていることがわかる。ここで５上記Ｂ
ＰＳＧ膜はボロン酸化物を添加して加熱流動性を増加さ
せたＰＳＧ （ホスホシリケートグラス）である。
ＰＳＧ膜はボロン酸化物を添加して加熱流動性を増加さ
せたＰＳＧ （ホスホシリケートグラス）である。
また、第１図（ｃ）の構造のＷ配線のシート抵抗は０．
３９ Ω／口であるがＣＶＤ−Ｗ膜のがわりにＣＶＤ法
で形成したＭ ｏ 、あるいはＡ２膜を用いても良く、
更にシート抵抗を低減するためには第３図のようにＡｌ
−Ｃｕ−８ｉ／ＴｉＮ積層薄膜６，７を形成しても、あ
るいはまた、ＴｉＮ６を用いないでＡ Ｑ −Ｃｕ −
Ｓ ｉ薄膜７のみを形成しても良い。これらの配線の膜
厚は回路設計から要求されるシート抵抗より決定される
。
３９ Ω／口であるがＣＶＤ−Ｗ膜のがわりにＣＶＤ法
で形成したＭ ｏ 、あるいはＡ２膜を用いても良く、
更にシート抵抗を低減するためには第３図のようにＡｌ
−Ｃｕ−８ｉ／ＴｉＮ積層薄膜６，７を形成しても、あ
るいはまた、ＴｉＮ６を用いないでＡ Ｑ −Ｃｕ −
Ｓ ｉ薄膜７のみを形成しても良い。これらの配線の膜
厚は回路設計から要求されるシート抵抗より決定される
。
スパッタＷを用いないで直接下地上にＣＶＤ−Ｗを形成
すると、密着性を示すひっがき試験の臨界荷重は５０ｇ
ｗ以下であり、極めて剥離しやすいのに対し、本発明の
実施例では臨界荷重が５００１ｗ以上であり、密着性の
良好なスパッタＷと同等の値が得られた。
すると、密着性を示すひっがき試験の臨界荷重は５０ｇ
ｗ以下であり、極めて剥離しやすいのに対し、本発明の
実施例では臨界荷重が５００１ｗ以上であり、密着性の
良好なスパッタＷと同等の値が得られた。
また、この薄いスパッタｗ改は、ＣＶＤ過程中の反応ガ
スとＳｉとの反応を防止するバリア層としても作用する
。従来Ｗ Ｆ ｓのＨ２還元反応を適用した場合にはＳ
ｉ ＯｘとＳｉとの界面付近の領域にエンクローチメ
ントやトンネリングが存在したが、本発明によりばこれ
らの発生はなく、良好な界面が形成された。エンクロー
チメントの発生が防止されていることは第２図（ａ）に
示した。
スとＳｉとの反応を防止するバリア層としても作用する
。従来Ｗ Ｆ ｓのＨ２還元反応を適用した場合にはＳ
ｉ ＯｘとＳｉとの界面付近の領域にエンクローチメ
ントやトンネリングが存在したが、本発明によりばこれ
らの発生はなく、良好な界面が形成された。エンクロー
チメントの発生が防止されていることは第２図（ａ）に
示した。
また、この第２図（ａ）を見てわかるように、スパッタ
Ｗ上にＣＶＤ−Ｗを形成すると、スパッタＷの表面に形
成されたＷの自然酸化膜は、ＶＦｓガスを流すことによ
り容易に除去され、ＣＶＤ−Ｗ膜はエピタキシャル成長
をし、下地近傍ではく１１０〉に配向したスパッタＷ膜
に近い性質を持ち、下地から遠ざかるに従ってＣＶＤ−
Ｗ膜特有の特性となっており、ＣＶＤ−Ｗの表面には数
１００人の凹凸が見られる。
Ｗ上にＣＶＤ−Ｗを形成すると、スパッタＷの表面に形
成されたＷの自然酸化膜は、ＶＦｓガスを流すことによ
り容易に除去され、ＣＶＤ−Ｗ膜はエピタキシャル成長
をし、下地近傍ではく１１０〉に配向したスパッタＷ膜
に近い性質を持ち、下地から遠ざかるに従ってＣＶＤ−
Ｗ膜特有の特性となっており、ＣＶＤ−Ｗの表面には数
１００人の凹凸が見られる。
次に、第４図を用いて別の実施例を示す、接続孔の底面
積に対し開孔部の面積が同等以下の所謂逆テーパーの接
続孔の場合には、接続部に空洞が形成されることがある
が、第４図の実施例のように開孔上部の面積が底面積よ
り広くなるように形成すれば厚いＣＶＤ膜を形成しても
空洞はできず、ＣＶＤ−Ｗを十分に埋め込んで微細配線
が形成できる。
積に対し開孔部の面積が同等以下の所謂逆テーパーの接
続孔の場合には、接続部に空洞が形成されることがある
が、第４図の実施例のように開孔上部の面積が底面積よ
り広くなるように形成すれば厚いＣＶＤ膜を形成しても
空洞はできず、ＣＶＤ−Ｗを十分に埋め込んで微細配線
が形成できる。
次に、第５図を用いて別の実施例を示す。
第５図（ａ）は、ｐ型Ｓｉ基板１の一生面の所望の領域
に５ Ｘ １０ ”ｘ−”のＡｓ＋イオンをイオン打ち
込み９００℃の窒素雰囲気中で１０分間熱処理し、ｎ十
拡散層２を形成した後、ＣＶＤ法で０．５ μｍの膜厚
の層間絶縁膜５ｉＯｚ３を形成し、接続孔をドライエツ
チング法で開孔し、１／２０Ｂ液で処理した後、スパッ
タＷ膜４とＣＶＤ−Ｗ膜５を形成した試料の断面を示す
図である。
に５ Ｘ １０ ”ｘ−”のＡｓ＋イオンをイオン打ち
込み９００℃の窒素雰囲気中で１０分間熱処理し、ｎ十
拡散層２を形成した後、ＣＶＤ法で０．５ μｍの膜厚
の層間絶縁膜５ｉＯｚ３を形成し、接続孔をドライエツ
チング法で開孔し、１／２０Ｂ液で処理した後、スパッ
タＷ膜４とＣＶＤ−Ｗ膜５を形成した試料の断面を示す
図である。
次に、ホトレジスト９を０．５ μｍ塗布した。この
状態を示したのが第５図（ｂ）である。
状態を示したのが第５図（ｂ）である。
次に、ドライエツチング法を用いてホトレジスト９と５
ｉＯａ３上のＷ膜４，５をエッチバックして除去し、Ｗ
プラグを形成した。ドライエツチングは、圧力が２０
ｍ Ｔｏｒｒ、電力が５０ Ｗ 、 ＳＦｓガスの流量
が２０ｓｅｃｍの条件で行なった。なお、５ｉＯｚ３上
のＶＨ２，５のドライエツチングの終点検出はＳｚの発
光をモニターして行なった。
ｉＯａ３上のＷ膜４，５をエッチバックして除去し、Ｗ
プラグを形成した。ドライエツチングは、圧力が２０
ｍ Ｔｏｒｒ、電力が５０ Ｗ 、 ＳＦｓガスの流量
が２０ｓｅｃｍの条件で行なった。なお、５ｉＯｚ３上
のＶＨ２，５のドライエツチングの終点検出はＳｚの発
光をモニターして行なった。
この状態を示したのが第５図（ｃ）である。
そして、スパッタ法によりＡｌ２−Ｃｕ−５ｉ配線層７
を形成し、第５図（ｄ）に断面構造を示した金属配線を
作製した。
を形成し、第５図（ｄ）に断面構造を示した金属配線を
作製した。
この金属配線のコンタクト抵抗は第１図に示したＷ配線
と同程度の５Ωであり、密着性も極めて良好であった。
と同程度の５Ωであり、密着性も極めて良好であった。
また、Ｗ／ｐ＋ −ｓｉのコンタクトも形成して測定し
たところ、抵抗は４７Ωであり、第１図に示したＷ配線
と同程度であり、密着性も極めて良好であった。
たところ、抵抗は４７Ωであり、第１図に示したＷ配線
と同程度であり、密着性も極めて良好であった。
以上、スパッタ膜としてスパッタＷ膜を、ＣＶＤ膜とし
てＣＶＤ−Ｗ膜を例として説明してきたが、スパッタ膜
としてＴｉＷ、Ｍｏ、Ｗ珪化物、Ｔｉ珪化物、Ｍｏ珪化
物のいずれかを適用しても、また、ＣＶＤ１１％として
Ｍｏ、Ｔｉ珪化物のうちのいずれかを適用しても同様の
効果がある。また、Ｃｕ、ＴｉＷのＣＶＤ法は現在開発
途上にあるが。
てＣＶＤ−Ｗ膜を例として説明してきたが、スパッタ膜
としてＴｉＷ、Ｍｏ、Ｗ珪化物、Ｔｉ珪化物、Ｍｏ珪化
物のいずれかを適用しても、また、ＣＶＤ１１％として
Ｍｏ、Ｔｉ珪化物のうちのいずれかを適用しても同様の
効果がある。また、Ｃｕ、ＴｉＷのＣＶＤ法は現在開発
途上にあるが。
この技術が適用可能となればＣＶＤ−Ｃｕ、ＣＶＤ −
ＴｉＷも有効であると考えられる。
ＴｉＷも有効であると考えられる。
本発明によれば、積層Ｗ （ＣＶＤ−Ｗ／スパッターＷ
）構造のため、高信頼性でかつ低抵抗の配線が実現でき
る。すなわち、スパッタＷ ｋ Ｓ ｉ上に形成するの
でＷ／ｎ＋ −８ｉのコンタクトでコンタクト抵抗が１
８Ω、Ｗ／ｐ＋−８ｉのコンタクトでコンタクト抵抗が
４５Ωという低コンタクト抵抗が実現できた。また、５
ｉ ０ｘ上にスパッタＷを形成するので密着性の良好
な配線が実現できる。更にスパッタＷ上にＣＶＤ−Ｗを
形成する際ニＷ Ｆ ｅガスによりスパッタＷ上の自然
酸化膜は除去され、ＣＶＤ−ＷはスパッタＷ上にエピタ
キシャル成長し、ＣＶＤ−Ｗの特性を反映した８μΩ口
程度の低抵抗率で、しかも極めて段差被覆特性の優れた
金属薄膜が形成できる。また、従来のＣＶＤ−Ｗを形成
する際に問題となったエンクローチメントやトンネリン
グはスパッタＷがバリア層として作用するので全く問題
はない。
）構造のため、高信頼性でかつ低抵抗の配線が実現でき
る。すなわち、スパッタＷ ｋ Ｓ ｉ上に形成するの
でＷ／ｎ＋ −８ｉのコンタクトでコンタクト抵抗が１
８Ω、Ｗ／ｐ＋−８ｉのコンタクトでコンタクト抵抗が
４５Ωという低コンタクト抵抗が実現できた。また、５
ｉ ０ｘ上にスパッタＷを形成するので密着性の良好
な配線が実現できる。更にスパッタＷ上にＣＶＤ−Ｗを
形成する際ニＷ Ｆ ｅガスによりスパッタＷ上の自然
酸化膜は除去され、ＣＶＤ−ＷはスパッタＷ上にエピタ
キシャル成長し、ＣＶＤ−Ｗの特性を反映した８μΩ口
程度の低抵抗率で、しかも極めて段差被覆特性の優れた
金属薄膜が形成できる。また、従来のＣＶＤ−Ｗを形成
する際に問題となったエンクローチメントやトンネリン
グはスパッタＷがバリア層として作用するので全く問題
はない。
従ッて１本発明は０．５ μｍレベル以降の微細配線に
好適である。
好適である。
第１図は本発明の一実施例のＷ配線の製造工程を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例のＷ配線と従来のスパ
ッタＷ配線の段差被覆形状を比較した断面図、第３図は
本発明の一実施例のＡｌ−Ｃｕ −Ｓ ｉ ／ Ｗ配線
の断面図、第４図は本発明の一実施例を示す下地接続孔
の開口形状を緩和したＷ配線の断面図、第５図は本発明
の一実施例のＷプラグＡｌ−Ｃｕ−８ｉ配線の製造工程
を示す断面図である。 １・・・Ｐ型Ｓｉ基板、２・・・ｎ÷拡散層、３・・・
５ｉＯｚ、４−２バツタＷ、５−ＣＶＤ−Ｗ、６−Ｔｉ
Ｎ。 ７−Ａｆｉ Ｃｕ Ｓｉ、８−ＢＰＳＧ。 第１図 ３ Ｓｔ、θ２ 冨 ３ 回 冨 ４ 図 Ｓ６θ２ スへ１ヅ７−Ｗ′ ＣＶＤ−１／ １２１）（”Ａ スへ”−ｙ７−Ｗ ｖｕ−ｗ ＬＮ Ａｌ−（ｕ−５Ｌ ＶＪ ５ 図 ニ」） ニ］； ］］斗・ スハ１ファーＷ ｖｏ−ｗ Ａｌ−Ｃｕ、−５ｉ。 ホＬＬジスト
面図、第２図は本発明の一実施例のＷ配線と従来のスパ
ッタＷ配線の段差被覆形状を比較した断面図、第３図は
本発明の一実施例のＡｌ−Ｃｕ −Ｓ ｉ ／ Ｗ配線
の断面図、第４図は本発明の一実施例を示す下地接続孔
の開口形状を緩和したＷ配線の断面図、第５図は本発明
の一実施例のＷプラグＡｌ−Ｃｕ−８ｉ配線の製造工程
を示す断面図である。 １・・・Ｐ型Ｓｉ基板、２・・・ｎ÷拡散層、３・・・
５ｉＯｚ、４−２バツタＷ、５−ＣＶＤ−Ｗ、６−Ｔｉ
Ｎ。 ７−Ａｆｉ Ｃｕ Ｓｉ、８−ＢＰＳＧ。 第１図 ３ Ｓｔ、θ２ 冨 ３ 回 冨 ４ 図 Ｓ６θ２ スへ１ヅ７−Ｗ′ ＣＶＤ−１／ １２１）（”Ａ スへ”−ｙ７−Ｗ ｖｕ−ｗ ＬＮ Ａｌ−（ｕ−５Ｌ ＶＪ ５ 図 ニ」） ニ］； ］］斗・ スハ１ファーＷ ｖｏ−ｗ Ａｌ−Ｃｕ、−５ｉ。 ホＬＬジスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッタ蒸着法で形成した導電膜と化学気相成長法
で形成した導電膜を積層させた微細配線に於いて、スパ
ッタ蒸着法で形成した導電膜が化学気相成長法で形成し
た導電膜より薄いことを特徴とする微細配線。 ２、請求項１記載の微細配線に於いて、化学気相成長法
で形成した導電膜の表面を平坦化したことを特徴とする
微細配線。 ３、請求項１記載の微細配線に於いて、化学気相成長法
で導電膜を形成した後、エッチバックによつてコンタク
ト孔内部に導電材料を残してプラグを形成し、その他の
部分の導電膜を除去した後、新たに配線を形成すること
を特徴とする微細配線。 ４、請求項１記載の微細配線に於いて、スパッタ蒸着法
で形成した導電膜と化学気相成長法で形成した導電膜と
が同種の金属であり、該金属がＷ、Ｍｏ、Ａｌの中のい
ずれかであることを特徴とする微細配線。 ５、請求項１記載の微細配線に於いて、スパッタ蒸着法
で形成した導電膜がＷ、Ｍｏのいずれかであり、化学気
相成長法で形成した導電膜がＷ、Ｍｏ、Ｗ珪化物、Ｍｏ
珪化物、Ｔｉ珪化物のいずれかであることを特徴とする
微細配線。 ６、請求項１記載の微細配線に於いて、スパッタ蒸着法
で形成した導電膜が１００ｎｍ以下であることを特徴と
する微細配線。 ７、請求項１記載の微細配線に於いて、ＴｉＮ、ＴｉＷ
、ＭｏＳｉ＿２、ＷＳｉ＿２、ＴｉＳｉ＿２の中の少な
くとも一つをスパッタ蒸着法で形成した後、スパッタ蒸
着法で導電膜を形成することを特徴とする微細配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017616A JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017616A JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199827A true JPH02199827A (ja) | 1990-08-08 |
| JP2821157B2 JP2821157B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=11948812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017616A Expired - Lifetime JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821157B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05347272A (ja) * | 1991-01-26 | 1993-12-27 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2821157B2 (ja) | 1998-11-05 |
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