JPH0220137B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0220137B2 JPH0220137B2 JP58235326A JP23532683A JPH0220137B2 JP H0220137 B2 JPH0220137 B2 JP H0220137B2 JP 58235326 A JP58235326 A JP 58235326A JP 23532683 A JP23532683 A JP 23532683A JP H0220137 B2 JPH0220137 B2 JP H0220137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- silicon layer
- total reflection
- reflection mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、２本のレーザビームを光学系により
合成し、双峰型エネルギー分布のビームにするこ
とにより良質のSOI構造を形成するためのレーザ
照射方法に関するものである。
合成し、双峰型エネルギー分布のビームにするこ
とにより良質のSOI構造を形成するためのレーザ
照射方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来より、たとえばレーザアニール装置などに
用いられているレーザ照射装置は、殆んどの場
合、１台のレーザ光源を用いた１本のレーザビー
ムを照射する機構であつた。一般にレーザビーム
の最安定で高エネルギーモードはTEM00モード
でありこの場合のパワー強度分布はビーム中心で
最大パワー密度となるガウス型分布をしている。
このようなガウス型パワー分布を有するレーザビ
ームをたとえば、非晶質絶縁基板上のシリコン層
即ちSOIの溶融再結晶化技術に適用すると、細か
い小さな結晶粒の集合体となつてしまうことが知
られている。
用いられているレーザ照射装置は、殆んどの場
合、１台のレーザ光源を用いた１本のレーザビー
ムを照射する機構であつた。一般にレーザビーム
の最安定で高エネルギーモードはTEM00モード
でありこの場合のパワー強度分布はビーム中心で
最大パワー密度となるガウス型分布をしている。
このようなガウス型パワー分布を有するレーザビ
ームをたとえば、非晶質絶縁基板上のシリコン層
即ちSOIの溶融再結晶化技術に適用すると、細か
い小さな結晶粒の集合体となつてしまうことが知
られている。
このような再結晶化層を半導体デバイスの母材
として用いると、結晶粒界の影響でリーク電流の
増大、易動度の劣化等、デバイスとしての重大な
電気特性の劣化をきたすものである。したがつ
て、このような問題を除去するために、大結晶粒
もしくは単結晶のシリコン層を得る一つの方法と
して、レーザビームのビームパワー分布を中央が
周辺より強度の弱いドーナツ型ビームとなる
TEM01モードとTEM10モードの合成ビーム、あ
るいはビームの極大値が複数あるたとえば
TEM01モードなどのビームを照射することが試
みられている。事実、このようなビーム照射によ
りビーム走査の中央付近、即ち周辺よりパワーの
小さい部分において、大結晶粒となることが報告
されている。
として用いると、結晶粒界の影響でリーク電流の
増大、易動度の劣化等、デバイスとしての重大な
電気特性の劣化をきたすものである。したがつ
て、このような問題を除去するために、大結晶粒
もしくは単結晶のシリコン層を得る一つの方法と
して、レーザビームのビームパワー分布を中央が
周辺より強度の弱いドーナツ型ビームとなる
TEM01モードとTEM10モードの合成ビーム、あ
るいはビームの極大値が複数あるたとえば
TEM01モードなどのビームを照射することが試
みられている。事実、このようなビーム照射によ
りビーム走査の中央付近、即ち周辺よりパワーの
小さい部分において、大結晶粒となることが報告
されている。
しかしながら、レーザ発振モードとして、
TEM00モードからはずれるTEM01，TEM10モー
ドなどは、ビーム発振がきわめて不安定であると
同時に出力パワーも小さくなる。したがつて、レ
ーザ光源として安定に使うためには、TEM00モ
ードで発振させることが望ましい。
TEM00モードからはずれるTEM01，TEM10モー
ドなどは、ビーム発振がきわめて不安定であると
同時に出力パワーも小さくなる。したがつて、レ
ーザ光源として安定に使うためには、TEM00モ
ードで発振させることが望ましい。
したがつて、上記の欠点を除き、安定で、高エ
ネルギーでしかも、所望のパワー分布を制御でき
るレーザビーム照射装置の開発を含むレーザ照射
法の開発が望まれている。
ネルギーでしかも、所望のパワー分布を制御でき
るレーザビーム照射装置の開発を含むレーザ照射
法の開発が望まれている。
発明の目的
本発明は、レーザ照射によるSOIの再結晶化や
アニールに用いるレーザビームにおける上記従来
例の欠点を克服し、レーザビームの強度分布を制
御して所望の分布を得ることのできるレーザビー
ム照射装置により、所望のエネルギー分布のレー
ザビームを用い、良質のSOIを形成するためのレ
ーザ照射方法を提供するものである。
アニールに用いるレーザビームにおける上記従来
例の欠点を克服し、レーザビームの強度分布を制
御して所望の分布を得ることのできるレーザビー
ム照射装置により、所望のエネルギー分布のレー
ザビームを用い、良質のSOIを形成するためのレ
ーザ照射方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、２台のレーザ光源を用いて、安定な
たとえばTEM00モードのガウス型エネルギーを
有する２本のレーザビームを光学系により合成し
制御して合成されたレーザビームを所望のビーム
パワー分布にせしめ、絶縁基板上のシリコン層に
照射して、前記シリコン層を溶融し再結晶化する
ものである。
たとえばTEM00モードのガウス型エネルギーを
有する２本のレーザビームを光学系により合成し
制御して合成されたレーザビームを所望のビーム
パワー分布にせしめ、絶縁基板上のシリコン層に
照射して、前記シリコン層を溶融し再結晶化する
ものである。
本発明の構成を２台のレーザ光源を用いた本発
明の構成を以下に説明する。
明の構成を以下に説明する。
レーザ光源として、たとえば連続発振Arイオ
ンレーザを用いる。光源からのレーザビームは、
たとえば直線偏光のＰ波になつている。第１のレ
ーザ光源からの第１のレーザ光はＰ波のまま、ビ
ームエクスパンダーに入射し、続いてグランテー
ラープリズムでパワー調節されて、Ｐ波を殆んど
透過せしめる偏光ビームスプリツターに入射す
る。第２のレーザ光源からの第２のレーザ光のＰ
波は第１のレーザ光と平行であつて1/2波長板を
通過後Ｓ波に変換されるようにする。その後、第
２のレーザ光は、全反射ミラーで入射方向から
90゜の方向反射されて、前記偏光ビームスプリツ
ターに第１のレーザ光が透過している付近に入射
する。偏光ビームスプリツターは、Ｓ波は殆んど
反射し入射方向に対して90゜の方向に曲げられる
ものである。したがつて偏光ビームスプリツター
を出た第２のレーザ光は、はじめの方向と平行に
なつている。また前記の如く第１のレーザ光は偏
光ビームスプリツターを殆んど透過しているの
で、偏光ビームスプリツターを出た光は、殆んど
一本のビームのように合成されることになる。第
２のレーザ光を反射する全反射ミラーは、第２の
レーザ光の光軸と平行に微少移動可能にしておく
ことにより、偏光ビームスプリツターを出た合成
ビームはこの全反射ミラーの移動距離と同じ距離
だけ第２のレーザ光の中心が、第１のレーザ光の
中心から離れているビームとなつている。したが
つて、この移動距離を任意に変えることによりガ
ウス型強度分布のビームが２本重ね合わせられた
強度分布を有することになり、ピークの接近した
２ピークビームあるいは中央部がほぼ平坦な強度
分布を有する合成ビームを得ることができる。
ンレーザを用いる。光源からのレーザビームは、
たとえば直線偏光のＰ波になつている。第１のレ
ーザ光源からの第１のレーザ光はＰ波のまま、ビ
ームエクスパンダーに入射し、続いてグランテー
ラープリズムでパワー調節されて、Ｐ波を殆んど
透過せしめる偏光ビームスプリツターに入射す
る。第２のレーザ光源からの第２のレーザ光のＰ
波は第１のレーザ光と平行であつて1/2波長板を
通過後Ｓ波に変換されるようにする。その後、第
２のレーザ光は、全反射ミラーで入射方向から
90゜の方向反射されて、前記偏光ビームスプリツ
ターに第１のレーザ光が透過している付近に入射
する。偏光ビームスプリツターは、Ｓ波は殆んど
反射し入射方向に対して90゜の方向に曲げられる
ものである。したがつて偏光ビームスプリツター
を出た第２のレーザ光は、はじめの方向と平行に
なつている。また前記の如く第１のレーザ光は偏
光ビームスプリツターを殆んど透過しているの
で、偏光ビームスプリツターを出た光は、殆んど
一本のビームのように合成されることになる。第
２のレーザ光を反射する全反射ミラーは、第２の
レーザ光の光軸と平行に微少移動可能にしておく
ことにより、偏光ビームスプリツターを出た合成
ビームはこの全反射ミラーの移動距離と同じ距離
だけ第２のレーザ光の中心が、第１のレーザ光の
中心から離れているビームとなつている。したが
つて、この移動距離を任意に変えることによりガ
ウス型強度分布のビームが２本重ね合わせられた
強度分布を有することになり、ピークの接近した
２ピークビームあるいは中央部がほぼ平坦な強度
分布を有する合成ビームを得ることができる。
この後、絞りレンズにより、所望のビームサイ
ズに絞つて絶縁基板上のシリコン層に走査しなが
ら照射して溶融再結晶化して良質のSOI構造を得
るものである。シリコン層上では、レーザビーム
の２つのエネルギーピーク間隔を高精度で制御さ
れている。
ズに絞つて絶縁基板上のシリコン層に走査しなが
ら照射して溶融再結晶化して良質のSOI構造を得
るものである。シリコン層上では、レーザビーム
の２つのエネルギーピーク間隔を高精度で制御さ
れている。
実施例の説明
本発明にかかわる一実施例を図面に基き、以下
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の双峰型エネルギー分布を有す
るビームを得るに至り、絞りレンズ前までの光学
系部分の概念を示す平面図である。
るビームを得るに至り、絞りレンズ前までの光学
系部分の概念を示す平面図である。
第１のレーザ光源１から出た直線偏光のＰ波で
ある第１のレーザ光L1は、ビームエクスパンダ
ー４を通過後ビーム径がたとえば10倍のレーザ光
L12となり、パワーを調節するためのグランテー
ラープリズム６を通過後所望のパワーのレーザ光
L13となつて、偏光ビームスプリツター８に入射
する。この偏光ビームスプリツター８は、Ｐ波に
対して透過型にしてあるのでレーザ光L13は殆ん
ど減衰せず偏光ビームスプリツター８を通過した
レーザ光L14が得られる。光学系は光軸を揃えて
あるので、第１のレーザ光L1，L12，L13，L14は
すべて、同一直線の光軸上にある。
ある第１のレーザ光L1は、ビームエクスパンダ
ー４を通過後ビーム径がたとえば10倍のレーザ光
L12となり、パワーを調節するためのグランテー
ラープリズム６を通過後所望のパワーのレーザ光
L13となつて、偏光ビームスプリツター８に入射
する。この偏光ビームスプリツター８は、Ｐ波に
対して透過型にしてあるのでレーザ光L13は殆ん
ど減衰せず偏光ビームスプリツター８を通過した
レーザ光L14が得られる。光学系は光軸を揃えて
あるので、第１のレーザ光L1，L12，L13，L14は
すべて、同一直線の光軸上にある。
次に、第２のレーザ光源２を出た直線偏光のＰ
波である第２のレーザ光L2は、1/2波長板３を通
過することにより、直線偏光のＳ波に変換され
る。このＳ波となつた第２のレーザ光L21は、ビ
ームエクスパンダー５を通過して、ビーム径が10
倍のレーザ光L22となつて、グランテーラープリ
ズム７を通過して、所望のパワーのレーザ光L23
となつて、全反射ミラー９に入射する。第２のレ
ーザ光源２を出たレーザ光L2，L21，L22，L23は
全て同一直線の光軸上にあり、第１のレーザ光
L1，L12，L13とは、平行である。また全反射ミラ
ー９は第２のレーザ光L2，L21，L22，L23の光軸
上をこの光軸に平行に微動できるようになつてい
る。
波である第２のレーザ光L2は、1/2波長板３を通
過することにより、直線偏光のＳ波に変換され
る。このＳ波となつた第２のレーザ光L21は、ビ
ームエクスパンダー５を通過して、ビーム径が10
倍のレーザ光L22となつて、グランテーラープリ
ズム７を通過して、所望のパワーのレーザ光L23
となつて、全反射ミラー９に入射する。第２のレ
ーザ光源２を出たレーザ光L2，L21，L22，L23は
全て同一直線の光軸上にあり、第１のレーザ光
L1，L12，L13とは、平行である。また全反射ミラ
ー９は第２のレーザ光L2，L21，L22，L23の光軸
上をこの光軸に平行に微動できるようになつてい
る。
全反射ミラー９によつて全反射された第２のレ
ーザ光L24は、レーザ光L2，L21，L22，L23の光軸
に対して、90゜の角度をもつた光軸を有するよう
に、全反射ミラー９の角度を調整してある。この
第２のレーザ光L24は、全反射ミラー９の位置を
調節して、第１のレーザ光L13が透過する偏光ビ
ームスプリツター８のＡの位置付近に入射するよ
うにしてある。第２のレーザ光L24はＳ波である
ので偏光ビームスプリツター８により、ほぼ全て
の光エネルギーが直角方向に反射され、偏光ビー
ムスプリツター８を通過した第１のレーザ光１４
と平行で殆んど光軸が接近したレーザ光L25とな
つて偏光ビームスプリツター８から出てくる。し
たがつて、偏光ビームスプリツター８を出たレー
ザ光L14，L25は、光軸がごく接近した平行ビーム
となつているので合成されて１本のビームのよう
に見える。
ーザ光L24は、レーザ光L2，L21，L22，L23の光軸
に対して、90゜の角度をもつた光軸を有するよう
に、全反射ミラー９の角度を調整してある。この
第２のレーザ光L24は、全反射ミラー９の位置を
調節して、第１のレーザ光L13が透過する偏光ビ
ームスプリツター８のＡの位置付近に入射するよ
うにしてある。第２のレーザ光L24はＳ波である
ので偏光ビームスプリツター８により、ほぼ全て
の光エネルギーが直角方向に反射され、偏光ビー
ムスプリツター８を通過した第１のレーザ光１４
と平行で殆んど光軸が接近したレーザ光L25とな
つて偏光ビームスプリツター８から出てくる。し
たがつて、偏光ビームスプリツター８を出たレー
ザ光L14，L25は、光軸がごく接近した平行ビーム
となつているので合成されて１本のビームのよう
に見える。
第２のレーザ光L23が反射され、偏光ビームス
プリツター８により第１のレーザ光L13と合成さ
れてあたかも１本のレーザ光となつてみえる様子
を第２図に従つて簡単に説明する。
プリツター８により第１のレーザ光L13と合成さ
れてあたかも１本のレーザ光となつてみえる様子
を第２図に従つて簡単に説明する。
全反射ミラー９がＢの位置にあるとき、第２の
レーザ光L23の反射光L24は偏光ビームスプリツタ
ー８のＡの位置に入射する。このＡ点は、第１の
レーザ光L13が偏光ビームスプリツター８を透過
する点である。次に全反射ミラー９を第２のレー
ザ光L23の光軸に平行に距離ｄだけ平行移動すれ
ば、反射光L24は、偏光ビームスプリツター８で
反射された後、第１のレーザ光L14の光軸からｄ
だけ離れた平行な光軸を有するレーザ光L25とな
り、第１のレーザ光L14と第２のレーザ光L25によ
り合成されたビームはそれぞれがガウス型のパワ
ー分布の２つのピークをもつパワー分布となつて
いる。しかも、この２つのピークの距離ｄは、全
反射ミラー９を微調整することにより、任意の所
望の値に設定できる。
レーザ光L23の反射光L24は偏光ビームスプリツタ
ー８のＡの位置に入射する。このＡ点は、第１の
レーザ光L13が偏光ビームスプリツター８を透過
する点である。次に全反射ミラー９を第２のレー
ザ光L23の光軸に平行に距離ｄだけ平行移動すれ
ば、反射光L24は、偏光ビームスプリツター８で
反射された後、第１のレーザ光L14の光軸からｄ
だけ離れた平行な光軸を有するレーザ光L25とな
り、第１のレーザ光L14と第２のレーザ光L25によ
り合成されたビームはそれぞれがガウス型のパワ
ー分布の２つのピークをもつパワー分布となつて
いる。しかも、この２つのピークの距離ｄは、全
反射ミラー９を微調整することにより、任意の所
望の値に設定できる。
したがつて、安定な、双峰型のピークを有しそ
のピークの距離を任意の所望の値に設定されるレ
ーザ光を得ることができる。
のピークの距離を任意の所望の値に設定されるレ
ーザ光を得ることができる。
この後、レーザ光を適当な絞りレンズ系で絞り
込むことにより、絶縁基板上に形成されたシリコ
ン層上において、第３図に示すような断面が双峰
型のエネルギー分布を有するレーザ光を得ること
ができ、この双峰型ビームの２つのビーム強度の
極大点の距離は高精度で制御することが可能であ
る。したがつて、このレーザ光を用いてシリコン
層を溶融再結晶化すれば、再結晶シリコン層は大
結晶粒化された結晶層とすることができ、良質の
SOI構造を得ることができる。
込むことにより、絶縁基板上に形成されたシリコ
ン層上において、第３図に示すような断面が双峰
型のエネルギー分布を有するレーザ光を得ること
ができ、この双峰型ビームの２つのビーム強度の
極大点の距離は高精度で制御することが可能であ
る。したがつて、このレーザ光を用いてシリコン
層を溶融再結晶化すれば、再結晶シリコン層は大
結晶粒化された結晶層とすることができ、良質の
SOI構造を得ることができる。
発明の効果
試料構造がシリコン島であるシリコン層に本発
明によるレーザ光を適当な絞りレンズ系で絞り込
むことにより、最適結晶化に要求される高精度な
ビーム間隔制御による所望のエネルギー分布を有
する双峰型ビームを得ることができ、このレーザ
光をSOI構造のシリコンの溶融再結晶化に用いれ
ば、再結晶化シリコン層は、大結晶粒化された結
晶層とすることができる。試料構造がシリコン島
であるシリコン層に本発明によるレーザ光を照射
すればこのシリコン島全体はほぼ単結晶化するこ
とができ、すぐれたSOI素子を提供できることに
なり、高性能、高集積な半導体ICの実現にとつ
て効果は極めて大なるものがある。
明によるレーザ光を適当な絞りレンズ系で絞り込
むことにより、最適結晶化に要求される高精度な
ビーム間隔制御による所望のエネルギー分布を有
する双峰型ビームを得ることができ、このレーザ
光をSOI構造のシリコンの溶融再結晶化に用いれ
ば、再結晶化シリコン層は、大結晶粒化された結
晶層とすることができる。試料構造がシリコン島
であるシリコン層に本発明によるレーザ光を照射
すればこのシリコン島全体はほぼ単結晶化するこ
とができ、すぐれたSOI素子を提供できることに
なり、高性能、高集積な半導体ICの実現にとつ
て効果は極めて大なるものがある。
第１図は本発明の双峰型ビームを得るまでの光
学系部分の装置の一実施例の概念図、第２図は合
成ビームを得る部分の詳細説明図、第３図は本発
明の装置から得られた合成ビームを絞り込んだの
ち絶縁基板上に形成されたシリコン層上に照射さ
れたレーザ光のパワー分布の模式図で、第３図ａ
は平面パワー分布図、同ｂは断面パワー分布図で
ある。 １，２……レーザ光源、３……1/2波長板、４，
５……ビームエクスパンダー、６，７……グラン
テーラープリズム、８……偏光ビームスプリツタ
ー、９……全反射ミラー、L1，L12，L13，L14…
…第１のレーザ光、L2，L21，L22，L23，L24，
L25……第２のレーザ光。
学系部分の装置の一実施例の概念図、第２図は合
成ビームを得る部分の詳細説明図、第３図は本発
明の装置から得られた合成ビームを絞り込んだの
ち絶縁基板上に形成されたシリコン層上に照射さ
れたレーザ光のパワー分布の模式図で、第３図ａ
は平面パワー分布図、同ｂは断面パワー分布図で
ある。 １，２……レーザ光源、３……1/2波長板、４，
５……ビームエクスパンダー、６，７……グラン
テーラープリズム、８……偏光ビームスプリツタ
ー、９……全反射ミラー、L1，L12，L13，L14…
…第１のレーザ光、L2，L21，L22，L23，L24，
L25……第２のレーザ光。
Claims (1)
- １ 第１のレーザ光が第１のビームエクスパンダ
ーを介してビームスプリツターを透過する光路を
経るように第１の各光学機器が配置され、また第
２のレーザ光が1/2波長板を透過したのち第２の
ビームエクスパンダーを介して全反射ミラーによ
り屈折させられたのち前記ビームスプリツターに
前記第１のレーザ光に対して直角に入射せしめら
れ前記ビームスプリツターで前記第１のレーザ光
と平行になるように屈折せしめられる光路を経る
ように第２の各光学機器が配置された光学系によ
り、前記第１、第２のレーザ光を１本のビームに
合成するに際し、前記第１、第２のレーザ光を安
定なガウス型エネルギー分布とし、前記１本に合
成されたビームのエネルギー分布が２つの極大値
を有するようにせしめ、前記全反射ミラーを移動
することにより前記２つのエネルギー極大値をと
る位置の相互の距離を微調整し、所望のエネルギ
ー分布を有する合成ビームを得たのち、絞りレン
ズを通して前記合成ビームの２つの極大値間の距
離を制御して、絶縁基板上に形成したシリコン層
に照射し、前記シリコン層を溶融して再結晶化し
SOI構造を形成することを特徴とするSOI形成用
レーザ照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235326A JPS60126840A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Ｓｏｉ形成用レーザ照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235326A JPS60126840A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Ｓｏｉ形成用レーザ照射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60126840A JPS60126840A (ja) | 1985-07-06 |
| JPH0220137B2 true JPH0220137B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=16984445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235326A Granted JPS60126840A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Ｓｏｉ形成用レーザ照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60126840A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2605090B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1997-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ビームアニール装置 |
| JPH01246829A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
| US6977775B2 (en) | 2002-05-17 | 2005-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
| JP2004103628A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | レーザアニール装置及びｔｆｔ基板のレーザアニール方法 |
| WO2005124842A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472489U (ja) * | 1977-11-01 | 1979-05-23 | ||
| JPS56114390A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Laser apparatus |
| JPS57128024A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Single crystallization for non-single crystalline semiconductor layer |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58235326A patent/JPS60126840A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60126840A (ja) | 1985-07-06 |
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