JPH02201734A - 光ディスク記録方法 - Google Patents
光ディスク記録方法Info
- Publication number
- JPH02201734A JPH02201734A JP1021822A JP2182289A JPH02201734A JP H02201734 A JPH02201734 A JP H02201734A JP 1021822 A JP1021822 A JP 1021822A JP 2182289 A JP2182289 A JP 2182289A JP H02201734 A JPH02201734 A JP H02201734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- irradiated
- erasing
- laser power
- optical disc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶／非晶質の相変化現象を生じる光ディス
クの記録膜に情報を効率よくかつ高品質に記録する方法
に関する。
クの記録膜に情報を効率よくかつ高品質に記録する方法
に関する。
結晶／非晶質の相変化現象を生じる光ディスクの記録膜
に情報を記録するには、該記録膜にレーザビームを照射
して該記録膜材料をその融点以上にまで加熱したあと急
冷させることにより、アモルファス（非晶質）マークを
形成して行っている。
に情報を記録するには、該記録膜にレーザビームを照射
して該記録膜材料をその融点以上にまで加熱したあと急
冷させることにより、アモルファス（非晶質）マークを
形成して行っている。
一方、情報を消去するには、記録のときより小さいパワ
ーのレーザパームームを照射して記録膜を融点以下の温
度にまで高め、記録膜上のアモルファスマークを結晶状
態に相変化させることによって行っている。
ーのレーザパームームを照射して記録膜を融点以下の温
度にまで高め、記録膜上のアモルファスマークを結晶状
態に相変化させることによって行っている。
ところで、記録膜は作製時には一般に結晶／非品質の混
合状態にあることが多いので、実際に記録用ディスクと
して供給するときは、予め記録膜の全体を結晶状態にす
ることが行われる。これは初期化と呼ばれる。
合状態にあることが多いので、実際に記録用ディスクと
して供給するときは、予め記録膜の全体を結晶状態にす
ることが行われる。これは初期化と呼ばれる。
第３図は従来の記録（結晶化、初期化、アモルファス化
、消去等）過程についての説明図である。
、消去等）過程についての説明図である。
先ず、（ａｌは結晶化過程についての説明図である。
該図の縦軸は反射率、横軸は記録パワーである。
ここでは、反射率の高い方が結晶状態、低い方がアモル
ファス状態となる。この逆の関係になる記録膜構成も存
在するが、その場合には結晶化とアモルファス化で反射
率変化を逆にして考えればよい。
ファス状態となる。この逆の関係になる記録膜構成も存
在するが、その場合には結晶化とアモルファス化で反射
率変化を逆にして考えればよい。
成膜後の光ディスクの反射率は２１で示す点の値Ｆ１で
ある。この光ディスクに直流的にレーザビームを照射す
ると点２１から反射率が変化し始め、点２２ （反射率
Ｆ３）を通って点２３ （反射率Ｆ２）に至る曲線で示
す変化となる。点２１から点２２に至る過程は結晶化の
過程であって、点２２を過ぎると、アモルファス相が出
現し、反射率は低下の傾向を示す。この時のアモルファ
ス相が出現するパワーをＰＯとし、また、点２１．２３
に対応する記録パワーを各々Ｑ１、Ｑ２とする。
ある。この光ディスクに直流的にレーザビームを照射す
ると点２１から反射率が変化し始め、点２２ （反射率
Ｆ３）を通って点２３ （反射率Ｆ２）に至る曲線で示
す変化となる。点２１から点２２に至る過程は結晶化の
過程であって、点２２を過ぎると、アモルファス相が出
現し、反射率は低下の傾向を示す。この時のアモルファ
ス相が出現するパワーをＰＯとし、また、点２１．２３
に対応する記録パワーを各々Ｑ１、Ｑ２とする。
さて、情報を記録する前には予め結晶状態にする。その
方法は２通りある。その１つはパワーＰＯを照射して反
射率をＦ３にする方法、他の１つはまずパワーＱ２を照
射した後にパワーＰＯを照射して、反射率をＦ４の状態
にする方法である。いずれの方法も結晶化状態の点２２
から結晶状態の２５の範囲の反射率となる。そして、こ
のようになった状態（結晶）の部分に高パワーのレーザ
ビームを照射すれば、はぼ照射された範囲がアモルファ
ス状態になって反射率が通常Ｆ１で示す値以下となって
、情報が記録される。
方法は２通りある。その１つはパワーＰＯを照射して反
射率をＦ３にする方法、他の１つはまずパワーＱ２を照
射した後にパワーＰＯを照射して、反射率をＦ４の状態
にする方法である。いずれの方法も結晶化状態の点２２
から結晶状態の２５の範囲の反射率となる。そして、こ
のようになった状態（結晶）の部分に高パワーのレーザ
ビームを照射すれば、はぼ照射された範囲がアモルファ
ス状態になって反射率が通常Ｆ１で示す値以下となって
、情報が記録される。
この記録済みの状態の部分に新たな情報を記録する場合
には、上記パワーＰＯを与えて結晶化し予め情報を消去
してから行っている。この消去過程を第３図（ｂ）に示
す。縦軸は消去率、横軸は消去パワーである。消去パワ
ーＰＯ付近の消去特性は曲線２６のようになる。この場
合、点２７ （はぼＰＯ点）で消去率は最大となる。
には、上記パワーＰＯを与えて結晶化し予め情報を消去
してから行っている。この消去過程を第３図（ｂ）に示
す。縦軸は消去率、横軸は消去パワーである。消去パワ
ーＰＯ付近の消去特性は曲線２６のようになる。この場
合、点２７ （はぼＰＯ点）で消去率は最大となる。
ところが、点２７より低い消去パワーの領域では消去が
不十分であり、点２７より高い消去ノｉワーの領域では
、同図（ａｌにおける点２２〜２３を通る曲線で示した
ようにアモルファス相が出現して消去ができない。この
ように、この消去方法では消去のパワーマージンがきわ
めて狭いという問題点があった。
不十分であり、点２７より高い消去ノｉワーの領域では
、同図（ａｌにおける点２２〜２３を通る曲線で示した
ようにアモルファス相が出現して消去ができない。この
ように、この消去方法では消去のパワーマージンがきわ
めて狭いという問題点があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、消去のパワーマージンを広くして、記録膜に高
品質な信号を記録することができるようにした光ディス
ク記録方法を提供することである。
目的は、消去のパワーマージンを広くして、記録膜に高
品質な信号を記録することができるようにした光ディス
ク記録方法を提供することである。
このために本発明は、結晶／非晶質の相転移現象を利用
した書換え可能な記録膜を有する光ディスクに光ビーム
を照射して情報を記録する光ディスク記録方法において
、光ビームを上記光ディスクに照射した際に非晶質相が
出現しはしめるレーザパワーの１．５倍以上の第１のレ
ーザパワーを上記光ディスクに照射するようにした。
した書換え可能な記録膜を有する光ディスクに光ビーム
を照射して情報を記録する光ディスク記録方法において
、光ビームを上記光ディスクに照射した際に非晶質相が
出現しはしめるレーザパワーの１．５倍以上の第１のレ
ーザパワーを上記光ディスクに照射するようにした。
上記第１のレーザパワーの照射の後に、該第１のレーザ
パワーより大きな第２のレーザパワーを照射し、その後
に上記第１のレーザパワーより小さい第３のレーザパワ
ーを照射することもできる。
パワーより大きな第２のレーザパワーを照射し、その後
に上記第１のレーザパワーより小さい第３のレーザパワ
ーを照射することもできる。
また、上記第１、第２及び第３の各レーザパワーを光パ
ルス列の包絡線で構成するこ′ともできる。
ルス列の包絡線で構成するこ′ともできる。
以下、第１図及び第２図によって本発明の光ディスク記
録方法の一実施例を説明する。第１図は光ディスク記録
膜に照射するレーザビームのパワーの説明図である。ま
ず（ａ）はレーザビームの尖頭値のパワーＰ１をＰＯ（
第３図で示したパワーＰＯと共通）の１．５倍以上のあ
る値とした場合のレーザビームの駆動特性２を示す図で
ある。ここではこのパワーＰ１を、情報列工の「０」に
対応するパワー（又は消去のためのパワー）として使用
している。
録方法の一実施例を説明する。第１図は光ディスク記録
膜に照射するレーザビームのパワーの説明図である。ま
ず（ａ）はレーザビームの尖頭値のパワーＰ１をＰＯ（
第３図で示したパワーＰＯと共通）の１．５倍以上のあ
る値とした場合のレーザビームの駆動特性２を示す図で
ある。ここではこのパワーＰ１を、情報列工の「０」に
対応するパワー（又は消去のためのパワー）として使用
している。
同図（ｂ）は、上記したパワーＰ１で消去しながら、情
報列３の’ＩＪに対応する部分にそのパワーＰ１よりは
高いパワーＰ２のレーザビームを照射し、続いてそのビ
ームを上記パワーＰ１よりは低いパワーＰ３に変化させ
た後、再びＰｌに戻す駆動特性４を示す図である。この
方法では、レーザビームヲハワーＰ３に変化させた直後
にアモルファスマークが形成される。
報列３の’ＩＪに対応する部分にそのパワーＰ１よりは
高いパワーＰ２のレーザビームを照射し、続いてそのビ
ームを上記パワーＰ１よりは低いパワーＰ３に変化させ
た後、再びＰｌに戻す駆動特性４を示す図である。この
方法では、レーザビームヲハワーＰ３に変化させた直後
にアモルファスマークが形成される。
従って、情報列に従い「１」に対応するタイミングでレ
ーザビームのパワーをＰ１＝＝）Ｐ２→Ｐ３→Ｐ１のよ
うに変化させて駆動すれば、以前に記録されていた情報
が消去されながら新しい情報が記録されることになる。
ーザビームのパワーをＰ１＝＝）Ｐ２→Ｐ３→Ｐ１のよ
うに変化させて駆動すれば、以前に記録されていた情報
が消去されながら新しい情報が記録されることになる。
同図（Ｃ１は、（ｂ）の駆動波形をパルス列５で構成し
た場合の実施例である。なお、このようなレーザビーム
のパルス列化は当然同図（ａ）に対しても適用できる。
た場合の実施例である。なお、このようなレーザビーム
のパルス列化は当然同図（ａ）に対しても適用できる。
第２１ｍ＋ａｌは、パワーＰ１のレーザビームを照射し
た後に波長２μｍの記号を記録し、この記録信号を消去
する場合の消去パワーと消極率（波形６）の関係を示す
図、（ｂ）は記録パワーと反射率（波形７）の関係を示
す図である。
た後に波長２μｍの記号を記録し、この記録信号を消去
する場合の消去パワーと消極率（波形６）の関係を示す
図、（ｂ）は記録パワーと反射率（波形７）の関係を示
す図である。
従来方法では第３図の説明で述べたように、パワーＰＯ
の付近のレーザビームで消去するため、消去のパワーマ
ージンが狭かったのに対し、本実施例では、従来方法よ
り高いパワー、具体的にはＰＯの１．５倍以上のパワー
Ｐ１で消去するので、そのようなことはない。
の付近のレーザビームで消去するため、消去のパワーマ
ージンが狭かったのに対し、本実施例では、従来方法よ
り高いパワー、具体的にはＰＯの１．５倍以上のパワー
Ｐ１で消去するので、そのようなことはない。
実験例によればパワーＰ１の値をパワーＰＯの１．５倍
以上としたとき、消去率が一３０ｄＢ以下となった。第
２図（ａｌ、（ｋｌ）におけるパワーＰｃは、Ｐ ｃ
＝ １．５ ｘ Ｐ Ｏ である。さらにより高い消去パワーとした場合、４０ｄ
Ｂ以下の消去率が得られた。
以上としたとき、消去率が一３０ｄＢ以下となった。第
２図（ａｌ、（ｋｌ）におけるパワーＰｃは、Ｐ ｃ
＝ １．５ ｘ Ｐ Ｏ である。さらにより高い消去パワーとした場合、４０ｄ
Ｂ以下の消去率が得られた。
これは、高パワーのレーザビームを連続照射した場合、
レーザビームが記録膜を通過したあとも、レーザビーム
の後端部の影響で冷却が比較的ゆっくりなされるためで
ある。このとき、光ディスク記録膜の反射率はＦ２に示
すように成膜後の反射率Ｆ１と結晶状態の反射率Ｆ３ま
たはＦ４の中間状態となる。記録の場合には、第１図の
波形４．５に示すようにレーザビームを瞬断（変化）さ
せることにより、アモルファスマークが形成でき、記録
が達成される。
レーザビームが記録膜を通過したあとも、レーザビーム
の後端部の影響で冷却が比較的ゆっくりなされるためで
ある。このとき、光ディスク記録膜の反射率はＦ２に示
すように成膜後の反射率Ｆ１と結晶状態の反射率Ｆ３ま
たはＦ４の中間状態となる。記録の場合には、第１図の
波形４．５に示すようにレーザビームを瞬断（変化）さ
せることにより、アモルファスマークが形成でき、記録
が達成される。
さらに、前に記録されている情報を１ビームオーバライ
ドすることも第１図に示したように可能で、実験によれ
ば、ＰＬ＞１．５ｘＰＯの条件で消去率は一３０ｄＢ以
下の実用上十分な消去特性が得られた。
ドすることも第１図に示したように可能で、実験によれ
ば、ＰＬ＞１．５ｘＰＯの条件で消去率は一３０ｄＢ以
下の実用上十分な消去特性が得られた。
本実施例の方法は、第２図に示したように消去のパワー
マージンが広い。その上限パワーは記録膜膜の永久変形
を起こすパワーであり、通常パワーｐｏの３〜４倍の値
である。
マージンが広い。その上限パワーは記録膜膜の永久変形
を起こすパワーであり、通常パワーｐｏの３〜４倍の値
である。
以上述べたように、本発明の光ディスク記録方法では、
レーザパワーを光ディスクに（直流的に）連続照射した
時に非晶質相が出現しはじめるレーザパワーをＰＯとす
ると、１．５ ｘ Ｐ ０以上のパワーＰＩを該光ディ
スクに照射する。また、このパワーＰ１を照射しつつ、
このパワーＰ１より大きなパワーＰ２を照射し、つづい
てそのパワーＰ１より小さいパワーＰ３を照射する。あ
るいは、これら記録のための前記レーザパワーを光パル
ス列の包絡線で構成する。これらにより、消去特性を大
幅に改善でき、かつ消去のパワーマージンを拡大できる
。従って、相変化媒体に対して高品質かつ効率よい記録
／消去を行うことが可能となる。
レーザパワーを光ディスクに（直流的に）連続照射した
時に非晶質相が出現しはじめるレーザパワーをＰＯとす
ると、１．５ ｘ Ｐ ０以上のパワーＰＩを該光ディ
スクに照射する。また、このパワーＰ１を照射しつつ、
このパワーＰ１より大きなパワーＰ２を照射し、つづい
てそのパワーＰ１より小さいパワーＰ３を照射する。あ
るいは、これら記録のための前記レーザパワーを光パル
ス列の包絡線で構成する。これらにより、消去特性を大
幅に改善でき、かつ消去のパワーマージンを拡大できる
。従って、相変化媒体に対して高品質かつ効率よい記録
／消去を行うことが可能となる。
なお、本発明は以上述べた実施例に限定されないことは
勿論である。
勿論である。
以上から本発明によれば、消去を結晶状態、アモルファ
ス状態のいずれかに対応させた従来と異なり、それらの
中間状態に対応させることができるので、消去マージン
の広い安定な消去を実現できる。
ス状態のいずれかに対応させた従来と異なり、それらの
中間状態に対応させることができるので、消去マージン
の広い安定な消去を実現できる。
また、本発明は、新たな信号処理上の利点も持つ。すな
わち、消去状態が結晶状態とアモルファス状態の中間を
とることは、結晶状態とアモルファス状態にもう一つの
状態を加えた３値レベルの記録が可能なことを意味し、
多値記録が可能となる。
わち、消去状態が結晶状態とアモルファス状態の中間を
とることは、結晶状態とアモルファス状態にもう一つの
状態を加えた３値レベルの記録が可能なことを意味し、
多値記録が可能となる。
よって、レーザパワーをレベル変調させることにより、
低レベルのレーザパワーを与えて結晶状態を、高パワー
を与えてアモルファス状態を、中間のパワーで中間状態
を記録できる。これらは効率よい情報処理方法として好
適である。
低レベルのレーザパワーを与えて結晶状態を、高パワー
を与えてアモルファス状態を、中間のパワーで中間状態
を記録できる。これらは効率よい情報処理方法として好
適である。
第１図及び第２図は本発明の一実施例の光ディスク記録
方法の説明図、第３図は従来の光ディスク記録方法の説
明図である。 １・・・情報列、２・・・パワー特性線、３・・・情報
列、４・・・パワー波形、５・・・パルス列化したパワ
ー波形、６・・・消去率の波形、７・・・反射率の波形
、ＰＯ１ＱＩＱ２、Ｐｌ、Ｐｃ・・・レーザパワー、２
１〜２３・・・点、Ｆ１〜Ｆ４・・・反射率。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 ＬＣＬ 端餐軒
方法の説明図、第３図は従来の光ディスク記録方法の説
明図である。 １・・・情報列、２・・・パワー特性線、３・・・情報
列、４・・・パワー波形、５・・・パルス列化したパワ
ー波形、６・・・消去率の波形、７・・・反射率の波形
、ＰＯ１ＱＩＱ２、Ｐｌ、Ｐｃ・・・レーザパワー、２
１〜２３・・・点、Ｆ１〜Ｆ４・・・反射率。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 ＬＣＬ 端餐軒
Claims (3)
- （１）、結晶／非晶質の相転移現象を利用した書換え可
能な記録膜を有する光ディスクに光ビームを照射して情
報を記録する光ディスク記録方法において、 光ビームを上記光ディスクに照射した際に非晶質相が出
現しはじめるレーザパワーの１．５倍以上の第１のレー
ザパワーを上記光ディスクに照射することを特徴とする
光ディスク記録方法。 - （２）、上記第１のレーザパワーの照射の次に、該第１
のレーザパワーより大きな第２のレーザパワーを照射し
、その後に上記第１のレーザパワーより小さい第３のレ
ーザパワーを照射して、前の情報を消去しながら新たな
情報を記録することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光ディスク記録方法。 - （３）、上記第１、第２及び第３の各レーザパワーを光
パルス列の包絡線で構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載又は第２項記載の光ディスク記録方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021822A JPH02201734A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光ディスク記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021822A JPH02201734A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光ディスク記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201734A true JPH02201734A (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=12065753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1021822A Pending JPH02201734A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光ディスク記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02201734A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594620A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-16 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え形光情報記録媒体の重ね書き方法 |
| US5965323A (en) * | 1997-02-27 | 1999-10-12 | Tdk Corporation | Method for preparing optical recording medium |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1021822A patent/JPH02201734A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594620A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-16 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え形光情報記録媒体の重ね書き方法 |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| US5965323A (en) * | 1997-02-27 | 1999-10-12 | Tdk Corporation | Method for preparing optical recording medium |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
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