JPH02201756A

JPH02201756A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH02201756A
Application number: JP2151189A
Authority: JP
Inventors: Masaya Ishida; 方哉石田; Satoshi Shimokawato; 下川渡　聡; Hiroshi Ito; 浩伊藤; Mitsuhiro Horikawa; 堀川　満広; Tsugio Ide; 次男井出
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1989-01-31
Filing date: 1989-01-31
Publication date: 1990-08-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、光磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］従来の光磁気記録媒体は、記録膜として非常に酸化しや
すい希土類−遷移金属を用いているため、記録膜の両面
を保護膜で被覆する必要がある。そこで、基板／保護膜
／記録膜／保護膜あるいは、基板／保護膜／記録膜／保
護膜／反射膜といった構造が用いられてきた。保護膜と
しては、記録感度を良くするために熱伝導度の比較的小
さく、光の透過率の高い窒化物または酸化物が用いられ
ていた。

［発明が解決しようとする課題］しかし、このような構造の記録媒体は、記録膜に熱が蓄
積され、多数回の繰り返し記録及び消去を行うと記録膜
が損傷され、再生信号が劣化する。

また、レーザーパルスにより加熱した後、熱が逃げにく
く、徐々に冷却されるため記録ビットの位置がずれ易い
等の問題点があった。

また、従来の媒体構造は光磁気記録のオーバーライドに
も適していない。これまでにオーバライドの方式は幾つ
も提案されており、主なものとしては、　（１）レーザ
ービームを連続して照射し、磁界を高速で変調する方式
、　（２）記録膜に２種類の温度勾配を形成して、それ
ぞれで記録状態・消去状態を実現する方法、　（３）磁
界を一定の周波数で変調し、磁界が記録したい方向に印
加されているときレーザーパルスを照射して記録する方
式、等が挙げられる。（１）の方式においては、記録膜
をキュリー温度付近までレーザービームで加熱し、その
部分が冷却されるときに磁界の印加方向に磁化されて記
録ビットとなる。しかしながら、従来の媒体構造におい
ては徐々に冷却されるため、記録領域の境界が不鮮明に
なり、再生信号のジッター量の増大につながる。（２）
の方式については、記録膜に急な温度勾配をつけること
により磁区を収縮させて消去を行うが、従来の媒体構造
では記録膜に蓄熱されて所望の温度勾配の形成が難しい
。（３）の方式についても、記録膜の蓄熱によりジッタ
ー量が増加する。以上のような問題点があり、容易にオ
ーバーライドを行うことができなかった。

そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは温度上昇による膜質の劣化が少
なく、再生信号のジッター量が小さく、さらにオーバー
ライドに適した光磁気記録媒体を提供するところにある
。

［課題を解決するための手段］本発明は、基板上に、希土類−遷移金属を主たる成分と
する記録膜及び保護膜を形成し、情報を光により記録・
再生・消去できる記録媒体において、記録膜の基板と反
対側に記録膜に接して熱伝導膜を形成し、前記熱伝導膜
の熱伝導率が５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であり、尚且つ前記熱
伝導膜の膜厚が２０ｎｍ以上ｉｏｏｎｍ以下の範囲にあ
ることを特徴とする。さらに、前記熱伝導膜としてＣｕ
、ＡＩ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔのうちの一種類あるい
はこれらの混合物であることが望ましい。

［実施例１コ以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の光磁気記録媒体の構成図である。

案内溝付きの基板上に保護膜として５ｉ３Ｎｎを６０ｎ
ｍを形成し、その上に記録膜としてＴｂ２＋Ｆ８６６ｃ
ｃＪａを４０ｎｍ形成し、その上に熱伝導膜としてＣｕ
、　　ＡＩ、　　Ｃｒ、　　Ａｇ、　　Ａｕ、　　Ｐｔ
、　　ＳｉＣ２，Ｓｉ３Ｎ４のうちのいずれかを４０ｎ
ｍ形成し、さらに、保護膜としてＳｉ３Ｎ４を６０ｎｍ
形成して８種類の光磁気記録媒体を作成した。表１にそ
れぞれの膜の熱伝導率を示す。各媒体を９０Ｏｒｐｍで
回転させて、同一トラックを連続して繰り返し消去した
後に信号を記録して、その再生信号のＣＮ比とジッター
量を測定した。表２は、表１繰り返し消去を行う前の最適記録パワーを示す。

測定は、半径ｒ＝３０ｍｍの位置において記録層表２Ｓｉ３Ｎ”　　　　　　２．９波数Ｉ　ＭＨｚ、　　デユーティ比５０％の信号を記録
して行った。

これらの媒体について繰り返し消去を行った後に初期の
最適記録パワーで同じ周波数の信号を記録して、再生信
号のＣＮ比とジッター量を測定した。第２図は、各媒体
の繰り返し消去回数とＣＮ比の関係を示す。また、第３
図は、各媒体の繰り逐し消去回数とジッター量の関係を
示す。第２図から、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ
ｔの媒体についてはＣＮ比はほぼ一定であるが、ＳｉＯ
２とＳｉ３Ｎ４の媒体は繰り返し消去回数が増えるに従
い若干ＣＮ比が低下していることがわかる。また、第３
図から、ＳｉＯ２と５ｉ３Ｎａの媒体は繰り返し消去回
数が増えるに従い再生信号のジッター量がかなり増加し
ていることがわかる。一方、Ｃｕ、ＡＩ、Ｃｒ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔを熱伝導層とした媒体の再生信号のジッター
量はほぼ一定のままである。以上のことから、記録膜に
接して熱伝導率の値の大きなＣｕ、　　ＡＩ、　　Ｃｒ
、　　Ａｇ、　　Ａｕ。

ｐｔを形成することにより、膜の劣化の非常に少ない媒
体を得ることができる。

［実施例２コ案内溝付きの基板上に保護膜として５ｉａＮａを６０ｎ
ｍを形成し、その上に記録層としてＴｂ２＋Ｆｅａ５Ｃ
Ｃ）ｚを４０ｎｍ形成し、その上にＡ、１膜を膜厚を０
．１５，２０，５０，８０，１１００ｎと変えて形成し
、さらにＳｉ３Ｎ４を６０ｎｍ形成して６種類の光磁気
記録媒体を作成した。それぞれの媒体を９００ｒｐｍで
回転させて、同一トラックを連続して繰り返し消去した
後に信号を記録して再生信号のＣＮ比とジッター量を測
定した。

表３は、繰り返し消去を行う前の最適記録パワーを示す
。測定は、半径ｒ＝３０ｍｍの位置において記録周波数
ＩＭＨｚ、　　デユーティ比５０％の信号を記録して行
った。Ａ１膜厚が１１００ｎの媒体は最適記録パワーが
１０ｍＷを超えていた。

表３これらの媒体について繰り返し消去を行った後に初期の
最適記録パワーで同じ周波数の信号を記録して、再生信
号のＣＮ比とジッター量を測定した。

第４図は、各媒体の繰り返し消去回数とＣＮ比の関係を
示す。また、第５図は、各媒体の繰り返し消去回数とジ
ッター量の関係を示す。第４図から、Ａ１膜厚がＯｎｍ
の媒体は若干ＣＮ比が低下しているが、Ａｌ膜厚が１５
ｎｍ以上の媒体はＣＮ比の劣化がほとんどみられない。

また、第５図から、Ａ１膜厚が２０ｎｍ以上の媒体は、
１５ｎｍ以下のものに比べてジッター量の増加がかなり
少ない。

以上のことから、Ａ１の膜厚が２０ｎｍ以上の媒体は、
連続して繰り返し消去を行っても膜の劣化がほとんどな
いと考えられる。一方、Ａｌ膜厚が１１００ｎ以上の媒
体は最適記録パワーがかなり高くなるため、レーザーの
負荷が大きくなり好ましくない。

［実施例３］実施例２と膜構造が全く同じで記録層の組成が原子比で
Ｔｂ２ｓＦｅａｓＣ○１２の媒体を６種類作成した。媒
体へ光が入射する方向を＋、反対向きを−とすると、こ
れらの’ＵＫ　、ｆ；ｌの子方向に２０ＫＯｅ磁界を印
加することにより媒体の初期化を行った。

まず、回転数９００ｒｐｍ、記録周波数ＩＭＨ２、デユ
ーティ比５０％、ｒ＝３０ｍｍ、印加磁界子方向に１０
００ｅにおいて、記録パワーは表４に示すように各媒体
での最適記録パワーで信号を記録した。　（これを記録
発振と称する）表４表５は、記録を行った各媒体の再生信号のＣＮ比を示す
。測定は分解能帯域３０ｋＨｚにて行った。このように
記録した各媒体の領域に、印加磁界子方向に１０００ｅ
、回転数９００ｒｐｍ、繰り返し周波数５ＭＨｚ、パル
ス幅２０ｎｓｅｃ、表５レーザーパワーは各媒体の最適記録パワーより２ｍＷ高
いパワーを照射した。　（これを消去発振と称する。）
但し、Ａｌ膜厚１１００ｎの媒体に関しては記録パワー
のパルスを照射できず実験は行わなかった。次に各媒体
について再生信号を観測したところ、Ａｌ膜厚Ｏｎｍの
媒体１についてはレーザを照射した領域がすべて一方向
に磁化してしまいオーバーライドはできなかった。

また、Ａ１膜厚１５ｎｍの媒体の再生信号のＣＮ比は３
０ｄＢと低下したが完全に消去状態にはならなかった。

一１１＝一方、Ａｌ膜厚２０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下の媒体の記
録領域の磁化はすべて子方向を向いており、再生信号を
観測したところ消去状態になっていた。また、媒体を初
期化したときと同じスペクトルが観測された。これらの
媒体に、回転数９０Ｏｒｐｍ、記録周波数１．５ＭＨｚ
、デユーティ−比５０％、ｒ＝３０ｍｍ、印加磁場の向
き変えないで記録を行ったところ、再生信号のＣＮ比は
５３ｄＢ以上であった。

以上から記録膜の基板と反対側にＡ１１ｌｉを２０ｎｍ
以上８０ｎｍ以下の厚さ形成することにより、磁界の向
きを変えることなく容易にオーバーライドが可能であっ
た。

［実施例４］実施例３で用いたＡｌの代わりにＣｒを用いて実施例３
と同様の媒体を作成し、実施例３と同様に初期化した。

これらの媒体に実施例３と同様の記録発振を行った。但
し、記録周波数をＩＭＨｚから１．５ＭＨｚに変更した
。そのときの各媒体の最適記録パワーを表６に示す。

記録された各媒体の再生信号のＣＮ比はすべて５２ｄＢ
以上であった。これらの媒体の記録領域に第６図で示さ
れるようなパターンのパルス照射を行った。このときの
記録パワーは各媒体について最適記録パワーより２ｍＷ
高いパワーを用いた。

Ｃｒ膜厚Ｏｎｍの媒体１１については、レーザ表６オーバーライトはできなかった。

また、Ｃｒ膜厚１５ｎｍの媒体１２の再生信号のＣＮ比
は２８ｄＢと低下したが完全に消去状態にはならなかっ
た。

一方、Ｃｒ膜厚２０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下の媒体の記
録領域の磁化はすべて子方向を向いており、再生信号を
観測したところ消去状態になっていた。また、媒体を初
期化したときと同じスペクトルが観測された。

以上から記録膜の基板と反対側にＣｒ膜を２０ｎｍ以上
８０ｎｍ以下の厚さ形成することにより、磁界の向きを
変えることなく容易にオーバーライドが可能であった。

さらに熱伝導膜としてＣｕ、　　Ａｇ、　　Ａｕ、　　
Ｐｔの単体或はＡＩ、Ｃｕを含むこれらの元素の混合物
を用いても同様な結果が得られた。

［発明の効果］以上述べたように本発明によれば印加する磁界の向きを
変えることなく容易にオーバーライドが可能となり、さ
らに温度上昇による膜質の劣化が少なく、再生信号のジ
ッター量が小さいという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の概略図。第２図は、種々の熱伝導膜の媒体の繰り返し消去回数と
再生信号のＣＮ比の関係を示す図。第３図は、種々の熱伝導膜の媒体の繰り返し消去回数と
再生信号のジッター量の関係を示す図。第４図は、熱伝導膜の膜厚を変化させたときの繰り返し
消去回数と再生信号のＣＮ比の関係を示す図。第５図は、熱伝導膜の膜厚を変化させたときの繰り返し
消去回数と再生信号のジッター量の関係を示す図。第６図は、本実施例で用いたパルスのパターンを示す図
。以上出願人　セイコーエプソン株式会社代理人弁理士　上櫛　雅誉　他１名

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、希土類−遷移金属を主たる成分とする
記録膜及び保護膜を形成し、情報を光により記録・再生
・消去できる記録媒体において、記録膜の基板と反対側
に記録膜に接して熱伝導膜を形成し、前記熱伝導膜熱伝
導率が５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であり、尚且つ前記熱伝導膜
の膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあること
を特徴とする光磁気記録媒体。
（２）前記熱伝導膜としてＣｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔのうちの一種類あるいはこれらの混合物である
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の磁気記録媒
体。