JPH02201856A - 不純物注入装置 - Google Patents
不純物注入装置Info
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- JPH02201856A JPH02201856A JP1022141A JP2214189A JPH02201856A JP H02201856 A JPH02201856 A JP H02201856A JP 1022141 A JP1022141 A JP 1022141A JP 2214189 A JP2214189 A JP 2214189A JP H02201856 A JPH02201856 A JP H02201856A
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- particles
- neutralizer
- wafer
- ions
- separator
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- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は不純物注入装置に関する。
（従来の技術）
周知のように半導体ウェハーに拡散領域を形成するため
に、不純物を注入することが行なわれている。従来では
イオン源からのイオンを加速管によって加速してから、
ウェハーに注入するのを普通としている。
に、不純物を注入することが行なわれている。従来では
イオン源からのイオンを加速管によって加速してから、
ウェハーに注入するのを普通としている。
（発明が解決しようとする課題）
このような不純物注入装置によると、イオンビーム電流
が数１０μＡ程度の小電流である場合はあまり問題はな
いが、これが数１０ｍＡ程度といった大電流となると、
そのイオンビームがウェハーに注入されることによるチ
ャージアップにより、絶縁破壊を起すことがある。
が数１０μＡ程度の小電流である場合はあまり問題はな
いが、これが数１０ｍＡ程度といった大電流となると、
そのイオンビームがウェハーに注入されることによるチ
ャージアップにより、絶縁破壊を起すことがある。
この発明は、ウェハーへの不純物の注入にあたり、ウェ
ハーのチャージアップ現象の発生を回避することを目的
とする。
ハーのチャージアップ現象の発生を回避することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
この発明は、加速管とエンドステーションとの間に、イ
オンを中性化するための中性化器と、荷電粒子を分離す
る分離器を設置したことを特徴とする。
オンを中性化するための中性化器と、荷電粒子を分離す
る分離器を設置したことを特徴とする。
（作用）
加速管によって加速されたイオンビームは、中性化器に
よって中性化されて、荷電状態でなくなる。続いて分離
マグネットによって中性化されなかった荷電粒子を分離
除去する。これによって荷電状態でなくなったビームの
みが、エンドステーションに到達する。ここでウェハー
に注入されるが、この注入によってもウェハーのチャー
ジアップ現象は発生しないようになる。
よって中性化されて、荷電状態でなくなる。続いて分離
マグネットによって中性化されなかった荷電粒子を分離
除去する。これによって荷電状態でなくなったビームの
みが、エンドステーションに到達する。ここでウェハー
に注入されるが、この注入によってもウェハーのチャー
ジアップ現象は発生しないようになる。
（実施例）
この発明の実施例を図によって説明する。１はイオンソ
ースたとえば負のイオンを発生するソース、２は分析マ
グネット、３は加速管、４は静電または電磁現象を利用
する走査器、５はエンドステーション６に設置されてい
るウェハーである。
ースたとえば負のイオンを発生するソース、２は分析マ
グネット、３は加速管、４は静電または電磁現象を利用
する走査器、５はエンドステーション６に設置されてい
るウェハーである。
以上の構成は従来の構成と特に相違するものではなく、
イオンソース１からのイオンのうち１分析マグネット２
によって所望のイオンのみが分析される。そしてこれが
加速管３によって加速され。
イオンソース１からのイオンのうち１分析マグネット２
によって所望のイオンのみが分析される。そしてこれが
加速管３によって加速され。
走査器４によって走査されてウェハー５に注入される。
この場合注入されるイオンは荷電されているので、ビー
ム電流が大きくなると、ウェハー５がチャージアップさ
れることは、冒頭に述べたとおりである。
ム電流が大きくなると、ウェハー５がチャージアップさ
れることは、冒頭に述べたとおりである。
この発明にしたがい、走査器４の後に中性化器７を設置
する。中性化器７は加速されてきたイオン（荷電粒子）
を低圧力の気体（たとえばアルゴンガス）、もしくは薄
い金属箔中を通すことによって、そのイオンを中性化も
しくは荷電変換させるものである。
する。中性化器７は加速されてきたイオン（荷電粒子）
を低圧力の気体（たとえばアルゴンガス）、もしくは薄
い金属箔中を通すことによって、そのイオンを中性化も
しくは荷電変換させるものである。
この中性化器７によって、たとえば正イオンであれば電
子を放出し、負イオンであれば電子を取得することによ
って、電位的に中性である中性粒子に変換される。なお
イオンソース１は負のイオンソースとすると、中性粒子
を作る効率が高くなって都合が良い。
子を放出し、負イオンであれば電子を取得することによ
って、電位的に中性である中性粒子に変換される。なお
イオンソース１は負のイオンソースとすると、中性粒子
を作る効率が高くなって都合が良い。
中性化器７を通過した粒子は続いて分離器たとえば分離
マグネット８の磁界（磁界方向は紙面に。
マグネット８の磁界（磁界方向は紙面に。
直角の方向）中を通過する。そしてここで中性化器７で
中性化されなかった荷電粒子を分離する。
中性化されなかった荷電粒子を分離する。
分離された荷電粒子は、ダンパー９に吸収される。
分離器８は電界によって分離するものであってもよい。
分離器８を通過した粒子は、その殆どが中性粒子となる
。したがってこれをウェハー５に注入しても、ウェハー
５はチャージアップすることはない。そして目的どおり
に所要の不純物を注入することができるようになる。
。したがってこれをウェハー５に注入しても、ウェハー
５はチャージアップすることはない。そして目的どおり
に所要の不純物を注入することができるようになる。
なお中性粒子を磁界または電界で走査することはできな
いので、そのために図のように中性化器７の前段に走査
器４を設置する必要があるが、この走査器４に代えてエ
ンドステーション６において、ウェハー５を機械的に走
査するようにしてもよい。
いので、そのために図のように中性化器７の前段に走査
器４を設置する必要があるが、この走査器４に代えてエ
ンドステーション６において、ウェハー５を機械的に走
査するようにしてもよい。
また以上述べた構成では、イオンソースが高電位、エン
ドステーションが大地電位となるが、必要によっては中
性化器７と分離器８との間に課電ドリフトチューブを設
置して、イオンソースおよびエンドステーションを大地
電位とし、中性化器を高電位とするようにしてもよい。
ドステーションが大地電位となるが、必要によっては中
性化器７と分離器８との間に課電ドリフトチューブを設
置して、イオンソースおよびエンドステーションを大地
電位とし、中性化器を高電位とするようにしてもよい。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、ウェハーに不純
物を注入するにあたり、大電流ビームを注入する場合で
も、ウェハーのチャージアップ現象の発生を回避するこ
とができるといった効果を奏する。
物を注入するにあたり、大電流ビームを注入する場合で
も、ウェハーのチャージアップ現象の発生を回避するこ
とができるといった効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例を示す配置図である。
Claims (1)
- イオンソースからのイオンを加速する加速管と、前記加
速管によって加速されたイオンを中性化して中性粒子と
する中性化器と、前記中性化器を通過した粒子のうちか
ら荷電粒子を分離する分離器と、前記分離器を通過した
中性粒子が注入されるウェハーを設置するエンドステー
ションとを備えた不純物注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022141A JPH02201856A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 不純物注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022141A JPH02201856A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 不純物注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201856A true JPH02201856A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12074597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022141A Pending JPH02201856A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 不純物注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02201856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115968093A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-04-14 | 杭州富芯半导体有限公司 | 一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1022141A patent/JPH02201856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115968093A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-04-14 | 杭州富芯半导体有限公司 | 一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备 |
| CN115968093B (zh) * | 2022-12-31 | 2025-08-26 | 杭州富芯半导体有限公司 | 一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备 |
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