JPH02203261A - 物体内部検査方法 - Google Patents

物体内部検査方法

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JPH02203261A
JPH02203261A JP2289489A JP2289489A JPH02203261A JP H02203261 A JPH02203261 A JP H02203261A JP 2289489 A JP2289489 A JP 2289489A JP 2289489 A JP2289489 A JP 2289489A JP H02203261 A JPH02203261 A JP H02203261A
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JP
Japan
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rays
inspected
wire
irradiated
ray
Prior art date
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Pending
Application number
JP2289489A
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English (en)
Inventor
Koji Oka
浩司 岡
Moritoshi Ando
護俊 安藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 樹脂封止型半導体装置の如(X線を透過する樹脂で覆わ
れた物体内部を検査する物体内部検査方法に関し、 X線検査が不可能な材料よりなる内部所定部分のX線検
査を実施可能として生産性の向上を図ることを目的とし
、 X線透過材で覆われた物体内部のX線を′透過する材料
よりなる検査対象部分を、該X線を吸収する質量吸収係
数の大なる材料で被覆して形成し、該物体の外部から該
物体にX線を照射したときの上記検査対象部分からの透
過像で、該検査対象部分を検査して構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の如くX線を透過する樹
脂で覆われた物体の内部所定部分を検査する物体内部検
査方法に係り、特にX線検査が不可能な材料よりなる上
記所定部分のX線検査を実施可能として生産性の向上を
図った物体内部検査方法に関する。
〔従来の技術〕
第2図は従来の物体内部検査方法の例を模式的に示した
図であり、(A)は構成図、(B)は問題点を説明する
図である。
なお本図では、理解し易くするためにボンディング接続
部分について説明すると共に、使用するX線が波長0.
3人の場合について説明する。
図(A)で、断面で示す被検体1は樹脂封止型半導体装
置であり、中央部に位置する半導体チップ2上の周辺に
沿って配置された複数の電極と該半導体チップ2の周囲
で該半導体チップ2上の上記各電極に対応する位置にあ
る5270イ等よりなるリードフレーム3の各電極との
間が、金(Au)よりなるボンディングワイヤ4で接続
された状態でエポキシ系樹脂5によって封止され一体化
したものである。
また6は射出窓6aから例えば波長0.3人のX線を射
出するX線発生装置を、7は3g)(線発生装置6から
射出し上記被検体1を透過するX線を検知するX線検知
装置、8は該X線検知装置7からの信号によって動作す
るTVモニタであり該TVモニタ8の表示部8aには上
記X線の透過像8bが表示されるようになっている。
そこで、該被検体1の内部の例えばボンディングワイヤ
4による半導体チップ2とリードフレーム3の各対応電
極間の接続が確実に行われているか否かをチエツクする
場合には、完成した被検体1をプリント基板の如き外部
回路部に実装する前に、該被検体1にX線を図示りの如
く照射して上記接続部の透過像8bをTVモニタ8の表
示部8aに表示し該接続部をチエツクする等の方法を講
するようにしている。
特に、該被検体1が例えば宇宙通信機器の如く高信頼度
を必要とする装置に使用される場合には、かかる検査方
法は必要不可欠のものである。
しかし、被検体1内部の検査対象部分を構成している材
料のX線に対する質量吸収係数が小さい場合には、照射
するX線が該検査対象部分で吸収されることなく透過す
るためX線検知装置マで検知できずひいてはTVモニタ
8で検査することができない。
例えば上記接続の場合について説明すると、通常一般に
使用されているボンディングワイヤ4は径が30am程
度の金(Au)線であるが、金(Au)は波長0.3人
のX線に対する質量吸収係数が11.5と太き(照射さ
れるX線を吸収するため該ボンディングワイヤ4を含む
接続部分の透過像8bがTVモニタ8の表示部8aに現
出しそれによって該接続部分を検査することができる。
上記表示部8aに現出する透過像の例を示す図(B)の
(1)はこの状態を表わしたもので、半導体チップ2上
の複数の電極とこれら各電極に対応するリードフレーム
3の電極間を接続するボンディングワイヤ4が認識でき
ることからその接続状態がチエツクできる。
一方、最近ではコスト低減のためにボンディングワイヤ
としての金(Au)線の代わりにアルミニウム(^l)
線や銅(Cu)線の如く価格的に金(Au)より安い線
材を使用することが多い。
しかし例えばアルミニウム(八2)の場合では、波長0
.3人のX線に対する質量吸収係数が0.552であり
金(^U)の質量吸収係数(11,5)に比較して小さ
く、結果的にX線の吸収がなくそのまま透過するため図
(B)の(2)に示すように半導体チップ2とリードフ
レーム3の各電極間を接続するボンディングワイヤ4の
X線透過像が得られず接続状態を検査することができな
い。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の方法では、物体内部の検査対象部分の形成材料が
X線を透過する材料よりなっている場合にはX線による
内部検査方法が適用できないと言う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、X線透過材で覆われた物体内部のX線を
透過する材料よりなる検査対象部分を、該X線を吸収す
る質量吸収係数の大なる材料で被覆して形成し、 該物体の外部から該物体にX線を照射したときの上記検
査対象部分からの透過像で、該検査対象部分を検査する
物体内部検査方法によって解決される。
〔作 用〕
特定波長のX線が吸収されない材料すなわち該X線をそ
のまま透過する材料を該X線を吸収する質量吸収係数の
大きい材料で被覆すると、照射X線はその被覆部分で吸
収される。
本発明では、物体内部の少な(とも検査対象部分が照射
X線を吸収しない材料すなわち質量吸収係数の小さい材
料で形成されている場合には、該部分を上記X線を吸収
する質量吸収係数の大きい材料で被覆するようにしてい
る。
従って、物体内部の少なくとも検査対象部分を形成する
材料が如何なる材料であっても、その透過像をモニタ上
に現出させることが可能となり確実な物体内部検査を実
現させることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明になる物体内部検査方法の一例を説明す
る図であり、(a)はワイヤを説明する図。
(b)は該ワイヤを使用した場合の検査方法を示す図、
また(c)はこの場合の透過像の一例を示した図である
第1図(a)で、11は径が30μmの例えばアルミニ
ウム(A f ”)よりなるボンディングワイヤであり
、その周囲に厚さ数〜lOμ曽程度の錫(Sn)膜12
を通常の機械的押出し法による複合技術で被膜形成して
ワイヤ13を形成している。
この場合、錫(Sn)の波長0.3人のX線に対する質
量吸収係数は19.0であり金(Au)の質量吸収係数
11.5に比較して大きいため、波長0.3人のX線を
該ワイヤ13に照射すると該X線の吸収量が大きくなっ
て該ワイヤ13の透過像を得ることができる。
検査方法を示す図(b)は、図(a)で説明したワイヤ
13を使用して半導体チップ2とリードフレーム3の各
対応する電極間を接続して完成させた被検体10として
の樹脂封止型半導体装置を第2図同様のX線発生装置6
とX線検知装置7の間に配置したものである。
そこで、該X線発生装置6から図示2の如く射出する波
長0.3人のX線を被検体10としての該樹脂封止型半
導体装置に照射すると、上記X線検知装置7からの信号
で動作するTVモニタ8の表示部8aには、該ワイヤ1
3を含む接続部分の透過像8cが現出することは第2図
の場合と同様である。
図(c)はこの場合の透過像を例示したもので、半導体
チップ2とリードフレーム3の各対応する電極間を接続
するワイヤ13が第2図CB) (1)の場合と同様に
認識できることから、該接続部分の状態を確実に検査す
ることができる。
なお、例えばアルミニウム(A l )線の周囲に形成
する被膜の材料としては、上記銀(Sn)の他に波長0
.3人のX線に対する質量吸収係数が16.5の銀(A
g)や該係数が12.8の鉛(Pb)等が、該X線を透
過しないものとして使用可能である。
〔発明の効果〕
上述の如く本発明により、物体内部の少なくとも検査対
象部分を形成する材料が如何なる材料であっても、確実
に物体内部の該検査対象部分の検査が実現できる物体内
部検査方法を提供することができる。
なお本発明の説明に当たっては、物体内部の検査対象部
分をボンディングワイヤの接続部分とした場合について
行っているが、該物体内部の他の部分でも本発明になる
被膜を被覆形成することによって同等の効果を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる物体内部検査方法の一例を説明す
る図、 第2図は従来の物体内部検査方法の例を模式的に示した
図、 である。図において、 2は半導体チップ、  3はリードフレーム、6はX線
発生装置、 7はX線検知装置、8はTVモニタ、  
8aは表示部、 lOは被検体、  11はボンディングワイヤ、12は
錫膜、      13はワイヤ、多 圀 く粂め軸冷ト内卵孝艶灸5ジ&q有りE渭阪にりt;テ
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Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. X線透過材で覆われた物体内部のX線を透過する材料よ
    りなる検査対象部分を、該X線を吸収する質量吸収係数
    の大なる材料で被覆して形成し、該物体の外部から該物
    体にX線を照射したときの上記検査対象部分からの透過
    像で、該検査対象部分を検査することを特徴とした物体
    内部検査方法。
JP2289489A 1989-02-01 1989-02-01 物体内部検査方法 Pending JPH02203261A (ja)

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JP2289489A JPH02203261A (ja) 1989-02-01 1989-02-01 物体内部検査方法

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JPH02203261A true JPH02203261A (ja) 1990-08-13

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859516B2 (en) * 2000-02-14 2005-02-22 Leica Microsystem Lithography Gmbh Method for examining structures on a semiconductor substrate
JPWO2022130906A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2022130906A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 ローム株式会社 半導体装置

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