JPH02205085A - 半導体レーザ制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザプリンタ、光デイスク装置、光通信装置
等で光源として用いられる半導体レーザを制御する半導
体レーザ制御装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体レーザは極めて小型であって、かつ駆動電流によ
り高速に直接変調を行うことができるので、近年光デイ
スク装置、レーザプリンタ等の光源として広く使用され
ている。

しかしながら、半導体レーザの駆動電流・光出力特性は
温度により著しく変化し、これは半導体レーザの光強度
を所望の値に設定しようとする場合に問題となる。この
問題を解決して半導体レーザの利点を活かす為にさまざ
まなＡ　Ｐ　Ｃ（Ａ　ｕｔｏＩＩｌａｔｉｅ　Ｐｏｗｅ
ｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路が提案されている。

このＡＰＣ回路は次の３つの方式に分けられる。

（１）半導体レーザの光出力を受光素子によりモニター
し、この受光素子に発生する受光電流（半導体レーザの
光出力に比例する）に比例する信号と。

発光レベル指令信号とが等しくなるように常時半導体レ
ーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループを設
け、この光・電気負帰還ループにより半導体レーザの光
出力を所望の値に制御する方式。

（２）パワー設定期間には半導体レーザの光出力を受光
素子によりモニターしてこの受光素子に発生する受光電
流（半導体レーザの光出力に比例する）に比例する信号
と２発光レベル指令信号とが等しくなるように半導体レ
ーザの順方向電流を制御し、パワー設定期間外にはパワ
ー設定期間で設定した半導体レーザの順方向電流の値を
保持することによって半導体レーザの光出力を所望の値
に制御する。そしてパワー設定期間外にはパワー設定期
間で設定した半導体レーザの順方向電流の値を基準とし
て半導体レーザの順方向電流を情報で変調することによ
り半導体レーザの光出力に情報を載せる方式。

（３）半導体レーザの温度を測定し、その測定した温度
によって半導体レーザの順方向電流を制御したり、又は
半導体レーザの温度を一定になるように制御したりして
半導体レーザの光出力を所望の値に制御する方式。

〔発明が解決しようとする課題〕

半導体レーザの光出力を所望の値とするためには（１）
の方式が望ましいが、受光素子の動作速度。

光・電気負帰還ループを構成している増幅素子の動作速
度等の限界により制御速度に限界が生ずる。

例えばこの制御速度の目安として光・電気負帰還ループ
の開ループでの交叉周波数を考慮した場合この交叉周波
数をｆ。とじたとき半導体レーザの光出力のステップ応
答特性は次のように近似できる。

Ｐｏｕｔ＝Ｐｏ（１−ｅｘｐ（−２πｆ、ｔ））Ｐｏｕ
ｔ：半導体レーザの光出力 Ｐｏ：半導体レーザの設定された光強度ｔ：待時 間導体レーザの多くの使用目的では半導体レーザの光出
力を変化させた直後から、設定された時間τ。が経過す
るまでの全光量（光出力の積分値ｆＰｏｕｔ）が所定の
値となることが必要とされ、２πｆ、τ。）］） となる。仮に、τ。＝５０ｎｓ、誤差の許容範囲を０．
４％とした場合ｆ。）　８００ＭＨ２としなければから
す、これは極めて困難である。

また（２）の方式では（１）の方式の上記問題は発生せ
ず、半導体レーザを高速に変調することが可能であるの
で、多く使用されている。しかしながらこの（２）の方
式では半導体レーザの光出力を常時制御しているわけで
はないので、外乱等により容易に半導体レーザの光量変
動が生ずるす外乱としては例えば半導体レーザのドウル
ープ特性があり、半導体レーザの光量はこのｌ−″：リ
ループ特性により容易に数％程度の誤差が生じでしまう
。半導体レーザのドウループ特性を抑制する試みとして
、半導体レーザの熱時定数に半導体レーザ駆動電流の周
波数特性を合わせ補償する方法かどが提案されているが
、半導体レーザの熱時定数は各半導体レーザ毎に個別に
バラツキがあり、また半導体レーザの周囲環境により異
なる等の問題がある。

また光デイスク装置などにおいて問題とされる半導体レ
ーザめ戻り光の影響による光量変動などの問題がある。

本発明は上記欠点を改善し、高速、高精度、高分解能な
半導体レーザ制御装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、請求項１の発明は被駆動半導
体レーザの光出力を受光部により検知してこの受光部か
ら得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信
号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導
体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループ
と、前記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しく
なるように前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性
及び前記受光部と前記半導体レーザとの結合係数。

前記受光部の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光
レベル指令信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換
する変換手段とを有し、前記光・電気負帰還ループの制
御電流と前記変換手段により生成された電流との和また
は差の電流によって前記半導体レーザを制御するように
したものであり、請求項２の発明は請求項１の半導体レ
ーザ制御装置において、スイッチング信号によりオフセ
ット電流をオン・オフする回路を備え、前記和または差
の電流に前記オフセット電流を加算した電流によって前
記半導体レーザを制御するようにしたものであり、 請求項３の発明は請求項１の半導体レーザ制御装置にお
いて、前記光・電気負帰還ループの制御電流を検出する
ことにより前記変換手段の変換誤差を検出する検出手段
を備えるようにしたものであり、 請求項４の発明は請求項３の半導体レーザ制御装置にお
いて、スイッチング信号によりオフセット電流をオン・
オフする回路を備え、前記和または差の電流に前記オフ
セット電流を加算した電流によって前記半導体レーザを
制御するようにしたものである。

〔作　用〕

請求項１の発明では光・電気負帰還ループが半導体レー
ザの光出力を受光部により検知してこの受光部から得ら
れる半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように半導体レーザの順方
向電流を制御し、変換手段が前記受光信号と前記発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように半導体レーザの光出
力・順方向電流特性及び前記受光部と半導体レーザとの
結合係数、前記受光部の光入力・受光信号特性に基づい
て前記発光レベル指令信号を半導体レーザの順方向電流
に変換する。半導体レーザは光・電気負帰還ループの制
御電流と変換手段により生成された電流との和または差
の電流によって制御さ机る。

請求項２の発明では更に前記回路にてスイッチング信号
によりオフセット電流がオン・オフされ、前記和または
差の電流に前記オフセット電流を加算した電流によって
半導体レーザが制御される。

請求項３の発明では検出手段で光・電気負帰還ループの
制御電流が検出されることにより変換手段の変換誤差が
検出される。

請求項４の発明では前記回路にてスイッチング信号によ
りオフセット電流がオン・オフされ、前記和または差の
電流に前記オフセット電流を加算した電流によって半導
体レーザが制御される。

〔実施例〕

第１図は請求項１の発明の一実施例を示す。

発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体レ
ーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し、
比較増幅器１は受光素子４に誘起された光起電流（半導
体レーザ３の光出力に比例する）に比例する受光信号と
発光レベル指令信号とを比較してその結果により半導体
レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指令信号
とが等しくなるように制御する。また電流変換器２は前
記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように
発光レベル指令信号に従って予め設定された電流（半導
体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素子４と
半導体レーザ３との結合係数、受光素子３の光入力・受
光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出力する
。

この電流変換器２の出力電流と、比較増幅器１より出力
される制御電流との和の電流が半導体レーザ３の順方向
電流となる。

ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループでの交叉
周波数をｆ。とじ、ＤＣゲインを１００００とした場合
、半導体レーザ３の光出力Ｐｏｕｔのステップ応答特性
は次のように近似できる。

Ｐｏｕｔ＝　ＰＬ＋　（ＰＳ　−ＰＬ）ｅｘｐ（−２ｔ
ｔ　ｆ　ｏｔ　）ｐｔ、：ｔ＝ωにおける光出力 ＰＳ：電流変換器２により設定された光量光・電気負帰
還ループの開ループでのＤＣゲインを１００００として
いるので、設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場
合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考えられる。

したがって、仮に電流変換器２により設定された光量Ｐ
ＳがＰＬに等しければ、瞬時に半導体レーザ３の光出力
がＰＬに等しくなる。また、外乱等によりＰＳが５％変
動したとしてもｆ　０＝　４０ＭＨ２程度であれば、Ｉ
ｏｎｓ後には半導体レーザ３の光出力は設定値に対する
誤差が０．４％以下になる。

また半導体レーザ３の光出力を変化させた直後から設定
された時間τ。が経過するまでの全光量（光出力の積分
値ｆ　Ｐｏｕｔ）の誤差が０．４％以下になるための光
・電気負帰還ループの交叉周波数は、τ。＝　５０ｎｓ
とした場合４０ＭＨｚ以上であればよく、この程度の交
叉周波数ならば容易に実現できる。

さらに、この実施例では電流変換器２の出力電流を光・
電気負帰還ループの制御電流に加算する構成であるが、
半導体レーザ３と並列に電流変換器２を接続する構成と
すれば電流変換器２の出力電流と光・電気負帰還ループ
の制御電流との差の電流により半導体レーザ３を制御す
る構成が実現できる。

このように請求項１の発明の実施例によれば高速、高精
度、高分解能な半導体レーザ制御装置が実現できる。

第４図は請求項２の発明の一実施例を示す。

発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の売出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体レ
ーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し、
比較増幅器１は受光素子４に誘起された光起電流（半導
体レーザ３の光出力に比例する）に比例する受光信号と
発光レベル指令信号とを比較してその結果により半導体
レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指令信号
とが等しくなるように制御する。また電流変換器２は前
記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように
発光レベル指令信号に従って予め設定された電流（半導
体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素子４と
半導体レーザ３との結合係数、受光素子３の光入力・受
光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出力する
。

トランジスタ５，６、電流源７及びバイアス電源８はス
イッチング回路を構成し、半導体レーザ３を発光させる
タイミングでスイッチング信号がトランジスタ５のベー
スに入力される。このスイッチング信号が入力されてい
ないときにはバイアス電源８のバイアス電圧によりトラ
ンジスタ６がオンしてトランジスタ５がオフし、電流源
７からの電流（オフセット電流）が半導体レーザ３に供
給されなくて半導体レーザ３が発光しない。スイッチン
グ信号がトランジスタ５のベースに入力されると、トラ
ンジスタ５がオンしてトランジスタ６がオフし、電流源
７からの電流が半導体レーザ３に供給されなくて半導体
レーザ３が発光する。この場合半導体レーザ３はスイッ
チング回路による駆動電流と、電流変換器２の出力電流
と、光・電気負帰還ループの制御電流との和の電流によ
り制御される。

ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループでの交叉
周波数をｆ、とじ、ＤＣゲインを１ｏｏｏｏとした場合
、半導体レーザ３の光出力Ｐ　ｏｕｔのステップ応答特
性は次のように近似できる。

Ｐｏｕｔ＝　ＰＬ＋　（ＰＳ　−ＰＬ）ｅｘｐ（−２ｘ
　ｆ　、　ｔ　）ＰＬ：ｔ＝ωにおける光出力 ＰＳ：電流変換器２の出力電流とスイッチング回路の駆
動電流との和の電流により設定された光量 光・電気負帰還ループの開ループでのＤＣゲインを１０
０００としているので、設定誤差の許容範囲を０．１％
以下とした場合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考
えられる。

したがって、仮に電流変換器２により設定された光量Ｐ
ＳがＰＬに等しければ、半導体レーザ３の光出力が瞬時
にＰＬに等しくなり、スイッチング回路による駆動電流
値まではスイッチング回路の動作が高速で行われるため
に電流変換器２の立上り速度に依存しないで高速に立ち
上がる。さらに、−船釣に半導体レーザの光出力・電流
特性は第６図に示すようにしきい値電流までは半導体レ
ーザが発信しないので、オフセット電流による消光比の
劣化がほとんど発生しない。また、外乱等によりＰＳが
５％変動したとしてもｆ。＝　４０ＭＨ２程度であれば
、１０ｎｓ後には半導体レーザ３の光出力は設定値に対
する誤差が０．４％以下になる。

また半導体レーザ３の光出力を変化させた直後から設定
された時間τ。が経過するまでの全光量（光出力の積分
値Ｊ　Ｐｏｕｔ）の誤差が０．４％以下になるための光
・電気負帰還ループの交叉周波数は、τ。＝　５０ｎｓ
とした場合４０Ｍ）１２以上であればよく、この程度の
交叉周波数ならば容易に実現できる。

第２図は請求項３の発明の一実施例を示す。

発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体レ
ーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し、
トランジスタ９，１０、電流源１２及びバイアス電源１
３は差動増幅器１４を構成している。比較増幅器１は受
光素子４に誘起された光起電流（半導体レーザ３の光出
力に比例する）に比例する受光信号と発光レベル指令信
号とを比較してその結果により差動増幅器１４を介して
半導体レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指
令信号とが等しくなるように制御する。また電流変換器
２は前記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなる
ように発光レベル指令信号に従って予め設定された電流
（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素
子４と半導体レ−ザ３との結合係数、受光素子３の光入
力・受光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出
力する。こめ電流変換器２の出力電流と、差動増幅１１
！１４より出力される制御電流との和の電流が半導体レ
ーザ３の順方向電流となる。

ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループでの交叉
周波数をｆｏとし、ＤＣゲインを１００００とした場合
、半導体レーザ３の光出力Ｐ　ｏｕｔのステップ応答特
性は次のように近似できる。

Ｐｏｕｔ＝　’ＰＬ＋　（ＰＳ　−ＰＬ）ｅｘｐ（−２
ｔｃ　ｆ　ｏｔ　）ＰＬ：’ｔ＝ψにおける光出力 ＰＳ：電流変換器２により設定された光量光・電気負帰
還ループの開ループでのＤＣゲインを１００００として
いるので、設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場
合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考えられる。

したがって、仮に電流変換器２により設定された光量Ｐ
ＳがＰＬに等しければ、瞬時に半導体レーザ３の光出力
がＰＬに等しくなる。この場合にはＰｏＬ＋ｔ：ＰＬで
あるので、比較増幅器１の出力は変化しない。すなわち
、抵抗１１に流れる電流値は変化しないので、抵抗１１
の両端間電圧は変化しない。

しかしながら外乱等によりＰＳが変動した場合には、電
流変換器２による過不足の電流を比較増幅器１により半
導体レーザ３の順方向に流す。この電流値は、抵抗１１
を流れる電流を、電流源１２により設定された電流から
引いた値となる。したがって、抵抗１１は半導体レーザ
３の制御電流を検出することになり、抵抗１１の両端間
電圧を測定することにより、電流変換器２の変換誤差に
相当する電流値を検出することができる。

第３図は請求項３の発明の他の実施例を示す。

この実施例は第２図の実施例において、比較増幅器１の
出力電流を電流検出用抵抗１５を介して半導体レーザ３
に供給し、電流検出用抵抗１５の両端間電圧を差動増幅
器１６により取り出すようにしたものである。したがっ
て、光・電気負帰還ループの制御電流が電流検出用抵抗
１５により検出されて差動増幅器１６を介して取り出さ
れる。

第５図は請求項４の発明の一実施例を示す。

発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体レ
ーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し、
トランジスタ１７．１８、電流源２０及びバイアス電源
２１は差動増幅器２２を構成している。比較増幅器１は
受光素子４に誘起された光起電流（半導体レーザ３の光
出力に比例する）に比例する受光信号と発光レベル指令
信号とを比較してその結果により差動増幅器２２を介し
て半導体レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル
指令信号とが等しくなるように制御する。またトランジ
スタ２３．２４．電流源２５及びバイアス電源２６はス
イッチング回路を構成し、電流変換器２は前記受光信号
と発光レベル指令信号とが等しくなるように発光レベル
指令信号に従って予め設定された電流（半導体レーザ３
の光出力・順方向電流特性及び受光素子４と半導体レー
ザ３との結合係数、受光素子３の光入力・受光信号特性
に基づいて予め設定された電流）から、電流源２５によ
り設定された電流値（オフセット電流値）だけ少ない電
流を出力する。

トランジスタ２３のベースには半導体レーザ３を発光さ
せるタイミングでスイッチング信号が入力される９この
スイッチング信号が入力されていないときにはバイアス
電源２６のバイアス電圧によりトランジスタ２４がオン
してトランジスタ２３がオフし、電流源２５からの電流
が半導体レーザ３に供給されなくて半導体レーザ３が発
光しない。スイッチング信号がトランジスタ２３のベー
スに入力されると、トランジスタ２３がオンしてトラン
ジスタ２４がオフし、電流源２５からの電流が半導体レ
ーザ３に供給されなくて半導体レーザ３が発光する。こ
の場合半導体レーザ３はスイッチング回路による駆動電
流と、電流変換器２の出力電流と、光・電気負帰還ルー
プの制御電流との和の電流により制御される。

ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループでの交叉
周波数をｆｏとし、ＤＣゲインを１００００とした場合
、半導体レーザ３の光出力Ｐ　ｏｕｔのステツブ応答特
性は次のように近似できる。

Ｐｏｕｔ＝　ＰＬ＋（ＰＳ　−ＰＬ）ｅｘｐ（−２ｔｃ
　ｆ　、　ｔ　）ＰＬ：ｔ＝ωにおける光出力 ＰＳ：電流変換器２の出力電流とスイッチング回路の駆
動電流との和の電流により設定された光量 光・電気負帰還ループの開ループでのＤＣゲインを１ｏ
ｏｏｏとしているので、設定誤差の許容範囲を０．１％
以下とした場合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考
えられる。

したがって、仮に電流変換器２により設定された光量Ｐ
ＳがＰＬに等しければ、半導体レーザ３の光出力が瞬時
にＰＬに等しくなり、この場合にはＰｏｕｔ＝ＰＬであ
るので、比較増幅器１の出力は変化しない。すなわち、
抵抗１９に流れる電流値は変化しないので、抵抗１９の
両端間電圧は変化しない。

しかしながら外乱等によりＰＳが変動した場合には、電
流変換器２による過不足の電流を比較増幅器１により半
導体レーザ３の順方向に流す。この電流値は、抵抗１９
を流れる電流を、電流源２０により設定された電流から
引いた値となる。したがって、抵抗１９は半導体レーザ
３の制御電流を検出することになり、抵抗１９の両端間
電圧を測定することにより、電流変換器２の変換誤差に
相当する電流値を検出することができる。またスイッチ
ング回路による駆動電流値まではスイッチング回路動作
が高速に行われるので、電流変換器２の立上り速度に依
存しないで高速に立ち上がる。さらに、−船釣に半導体
レーザの光出力・電流特性は第６図に示すようにしきい
値電流までは半導体レーザが発振しないので、オフセッ
ト電流による消光比の劣化はほとんど発生しない。

〔発明の効果〕

以上のように請求項１の発明によれば被駆動半導体レー
ザの光出力を受光部により検知してこの受光部から得ら
れる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
ザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループと、前
記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよ
うに前起生導体レーザの光出力・順方向電流特性及び前
記受光部と前記半導体レーザとの結合係数、前記受光部
の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光レベル指令
信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換する変換手
段とを有し、前記光・電気負帰還ループの制御電流と前
記変換手段により生成された電流との和または差の電流
によって前記半導体レーザを制御するので、高速、高精
度、高分解能な半導体レーザ制御装置を＊現できる。

また請求項２の発明によれば請求項１記載の半導体レー
ザ制御装置において、スイッチング信号によりオフセッ
ト電流をオン・オフする回路を備え、前記和または差の
電流に前記オフセット電流を加算した電流によって半導
体レーザを制御するので、半導体レーザを発光していな
い状態から発光させる場合でも半導体レーザの光出力を
高速に所定光量とすることができる。

請求項３の発明によれば請求項１記載の半導体レーザ制
御装置において、前記光・電気負帰還ループの制御電流
を検出することにより前記変換手段の変換誤差を検出す
る検出手段を備えたので、変換手段が最適かどうかを知
ることができ、これにより変換手段を最適になるように
設定することができる。

さらに請求項３の発明によれば請求項３記載の半導体レ
ーザ制御装置において、スイッチング信号によりオフセ
ット電流をオン・オフする回路を備え、前記和または差
の電流に前記オフセット電流を加算した電流によって半
導体レーザを制御するので、変換手□段が最適かどうか
を知ることができて変換手段を最適になるように設定す
ることができ、かつ高速に半導゛体し−ザの光出力をオ
ン・オフさせることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は請求項１の発明の一実施例を示すブロック図、
第２図及び第３図は請求項３の発明の各実施例を示すブ
ロック図、第４図は請求項２の発明の一実施例を示すブ
ロック図、第５図は請求項４の発明の一実施例を示すブ
ロック図、第６図は半導体レーザの光出力・電流特性を
示す特性図である。 １・・・電流変換器、２・・・比較増幅器、３・・・半
導体レーザ、４・・・受光素子、５〜８・・・スイッチ
グ回路、１１・・・電流検出用抵抗、１４・・・差動増
幅器、１５・・・電流検出用抵抗、１６・・・差動増幅
器、１９・・・電流検出用抵抗、２２・・・差動増幅器
、２３〜２６・・・スイッチグ回路・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被駆動半導体レーザの光出力を受光部により検知し
   てこの受光部から得られる前記半導体レーザの光出力に
   比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなる
   ように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電
   気負帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令
   信号とが等しくなるように前記半導体レーザの光出力・
   順方向電流特性及び前記受光部と前記半導体レーザとの
   結合係数、前記受光部の光入力・受光信号特性に基づい
   て前記発光レベル指令信号を前記半導体レーザの順方向
   電流に変換する変換手段とを有し、前記光・電気負帰還
   ループの制御電流と前記変換手段により生成された電流
   との和または差の電流によって前記半導体レーザを制御
   することを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ２、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、ス
   イッチング信号によりオフセット電流をオン・オフする
   回路を備え、前記和または差の電流に前記オフセット電
   流を加算した電流によって前記半導体レーザを制御する
   ことを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ３、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、前
   記光・電気負帰還ループの制御電流を検出することによ
   り前記変換手段の変換誤差を検出する検出手段を備えた
   ことを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ４、請求項３記載の半導体レーザ制御装置において、ス
   イッチング信号によりオフセット電流をオン・オフする
   回路を備え、前記和または差の電流に前記オフセット電
   流を加算した電流によって前記半導体レーザを制御する
   ことを特徴とする半導体レーザ制御装置。