JPH02205802A - 偏光素子 - Google Patents
偏光素子Info
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- JPH02205802A JPH02205802A JP1025985A JP2598589A JPH02205802A JP H02205802 A JPH02205802 A JP H02205802A JP 1025985 A JP1025985 A JP 1025985A JP 2598589 A JP2598589 A JP 2598589A JP H02205802 A JPH02205802 A JP H02205802A
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光フアイバ通信や光デイスク用光ヘッドな
どのアイソレータや光サーキュレータを構成するために
偏光ビームスプリッタとして使われる偏光素子に関する
。
どのアイソレータや光サーキュレータを構成するために
偏光ビームスプリッタとして使われる偏光素子に関する
。
従来、光アイソレータや光サーキユレータ用の偏光ビー
ムスプリフタとしては、グラントムソンプリズムやロッ
ションプリズムが使われてきた。
ムスプリフタとしては、グラントムソンプリズムやロッ
ションプリズムが使われてきた。
これらのプリズムは、水晶や方解石などの複屈折性結晶
の結晶軸の異なる2つの三角プリズムをはり合わせたも
のである。これらのプリズムについては、吉原邦夫著「
物理光学」 (共立出版、昭和41年発行)の第213
〜216頁に詳細に説明されている。
の結晶軸の異なる2つの三角プリズムをはり合わせたも
のである。これらのプリズムについては、吉原邦夫著「
物理光学」 (共立出版、昭和41年発行)の第213
〜216頁に詳細に説明されている。
上述した従来の偏光素子では、複屈折性結晶を用いてい
るので材料が高価なうえ、このような偏光素子は、4面
を研磨して、さらに接着するという工程を必要とするの
で製作工数がかかり高価で量産向きでないという問題が
あった。さらに2つの三角プリズムをはり合わせた構造
のため大型になり、光アイソレータや光サーキュレータ
の小型化の障害になっていた。
るので材料が高価なうえ、このような偏光素子は、4面
を研磨して、さらに接着するという工程を必要とするの
で製作工数がかかり高価で量産向きでないという問題が
あった。さらに2つの三角プリズムをはり合わせた構造
のため大型になり、光アイソレータや光サーキュレータ
の小型化の障害になっていた。
本発明の目的は、上記問題点を解消して、小型。
薄型でかつ低価格で、量産性にすぐれた偏光素子を提供
することにある。
することにある。
本発明の偏光素子は、
基板上に、光の波長の172よりも小さいピッチを有す
る表面凹凸型の1次元周期構造を有する第1の領域と、
表面酸化層を有する第2の領域とを交互に格子状に配置
したことを特徴とする。
る表面凹凸型の1次元周期構造を有する第1の領域と、
表面酸化層を有する第2の領域とを交互に格子状に配置
したことを特徴とする。
本発明の作用原理は次の通りである。本発明では、回折
格子を用い、そのO次回折効率すなわち透過率が特定の
偏光に対して100%で、これに直交する偏光に対して
0%となるようにすることで、偏光ビームスプリッタ機
能の偏光素子を構成している。
格子を用い、そのO次回折効率すなわち透過率が特定の
偏光に対して100%で、これに直交する偏光に対して
0%となるようにすることで、偏光ビームスプリッタ機
能の偏光素子を構成している。
矩形断面の位相格子のO次回折光の回折効率は、ηo=
(1+cosr) (1)で
与えられる。ここにTは、格子部で光が受ける位相差で
あり、 γ=2πt・Δn/λ (2)で表
される。(2)式で、Lは格子の厚さ、Δnは位相格子
を構成している2つの媒質の屈折率の差、λは光の波長
である。
(1+cosr) (1)で
与えられる。ここにTは、格子部で光が受ける位相差で
あり、 γ=2πt・Δn/λ (2)で表
される。(2)式で、Lは格子の厚さ、Δnは位相格子
を構成している2つの媒質の屈折率の差、λは光の波長
である。
上述のような0次回折効率の変化を得るためには、格子
の位相差γが偏光によってTl1=o。
の位相差γが偏光によってTl1=o。
T□=π(ここでI+ 、 土は格子溝に平行および
垂直な偏光を各々表す。)の変化をする必要があり、(
2)式でΔnが偏光によって変化しなければならず、通
常は複屈折性の材料を必要とする。
垂直な偏光を各々表す。)の変化をする必要があり、(
2)式でΔnが偏光によって変化しなければならず、通
常は複屈折性の材料を必要とする。
本発明では、高価な複屈折性結晶を用いることなく、複
屈折性を得るために、稠密な周期構造を利用している。
屈折性を得るために、稠密な周期構造を利用している。
ピッチが光の波長の1/2より小さい位相格子では、回
折光を生じず複屈折性を示す。
折光を生じず複屈折性を示す。
表面凹凸格子の溝に平行な方向の実効屈折率をn、、溝
に垂直な方向の実効屈折率をnよとすると、 n、=(nt”q+nz”(1−q))”” (3
)”A −((1/ nl”) q + (1/nz”) (1q) )−”” (4)
となる、ここで、n、は溝部の屈折率、n2はランド部
の屈折率、qは格子ピッチに対する溝部の幅の比である
。この複屈折を利用して、偏光によって回折効率を変化
させる。
に垂直な方向の実効屈折率をnよとすると、 n、=(nt”q+nz”(1−q))”” (3
)”A −((1/ nl”) q + (1/nz”) (1q) )−”” (4)
となる、ここで、n、は溝部の屈折率、n2はランド部
の屈折率、qは格子ピッチに対する溝部の幅の比である
。この複屈折を利用して、偏光によって回折効率を変化
させる。
第2図は稠密格子を用いた格子型偏光素子を示す。稠密
格子を第1の領域1に用いて、平坦な表面を有する第2
の領域2と交互に配置した格子を基板3上に構成する。
格子を第1の領域1に用いて、平坦な表面を有する第2
の領域2と交互に配置した格子を基板3上に構成する。
光の進行方向を矢印4の方向とすると、基板屈折率はn
2であるから、格子溝に平行な方向の偏光に対する第1
の領域と第2の領域の屈折率差は、(Δfi ) 、
−fi、 −fill、格子溝に垂直な方向の偏光に対
しては(Δn)。
2であるから、格子溝に平行な方向の偏光に対する第1
の領域と第2の領域の屈折率差は、(Δfi ) 、
−fi、 −fill、格子溝に垂直な方向の偏光に対
しては(Δn)。
=nz、−n、となる。しかし、このΔnの変化だけで
は、格子厚さtを選んでも(2)式のTを両偏光に対し
てγm=0=rh”πの両方を満たせない。
は、格子厚さtを選んでも(2)式のTを両偏光に対し
てγm=0=rh”πの両方を満たせない。
そこで、本発明では第2図に示す格子の第2の領域の表
面屈折率を位相調整用に変えた第1図の構造をとってい
る。第1図において、第1の領域1の凹凸溝深さをLl
、第2の領域2の異なる屈折率n、を有する表面層の厚
さをt2とすると、各偏光に対する両頭域の位相差は、 ル +n3tz n、、j+ ) + ns t z n、t r>
(6)で与えられる。(5)、 (6)式で、γ、
=0.r、=πの両条件を満たすt+、Lxが存在する
。
面屈折率を位相調整用に変えた第1図の構造をとってい
る。第1図において、第1の領域1の凹凸溝深さをLl
、第2の領域2の異なる屈折率n、を有する表面層の厚
さをt2とすると、各偏光に対する両頭域の位相差は、 ル +n3tz n、、j+ ) + ns t z n、t r>
(6)で与えられる。(5)、 (6)式で、γ、
=0.r、=πの両条件を満たすt+、Lxが存在する
。
以上が本発明の原理である。溝深さt、および表面層厚
さt2を浅く、すなわち容易に製作するためには、n、
l−n、が大きいことが必要であり、そのためには屈折
率n2の大きい材料を用いることが得策である。
さt2を浅く、すなわち容易に製作するためには、n、
l−n、が大きいことが必要であり、そのためには屈折
率n2の大きい材料を用いることが得策である。
そこで、本発明では基板材料としてたとえばシリコン(
Si)を用い、表面層として酸化層、たとえばシリコン
を熱酸化したSin、を用いている。
Si)を用い、表面層として酸化層、たとえばシリコン
を熱酸化したSin、を用いている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の実施例の基本構成を示す部分斜視図で
ある。上述したように基板3の材料としては屈折率が大
きい方が好ましいので、光波長1.3μmの長波光通信
用にシリコン(Si)結晶を用いた。この波長ではシリ
コンは透明で、屈折率はn、=3.5である。稠密格子
のピッチに対する溝幅比q=0.5とすると、(3)、
(4)式からn1I=2.5739゜n =1.3
598となる。稠密格子のピッチとしては、λ/2より
小さければよいので0.6μmとした。
ある。上述したように基板3の材料としては屈折率が大
きい方が好ましいので、光波長1.3μmの長波光通信
用にシリコン(Si)結晶を用いた。この波長ではシリ
コンは透明で、屈折率はn、=3.5である。稠密格子
のピッチに対する溝幅比q=0.5とすると、(3)、
(4)式からn1I=2.5739゜n =1.3
598となる。稠密格子のピッチとしては、λ/2より
小さければよいので0.6μmとした。
また、第1の領域1と第2の領域2とからなる格子構造
の周期は、所望の0次回折光と他次回折光の分離がとれ
ることが設計条件となり、本実施例では50amとした
。
の周期は、所望の0次回折光と他次回折光の分離がとれ
ることが設計条件となり、本実施例では50amとした
。
上述のn z =3−5 、n 3 =1.446 +
I’l m ” 2.5739 。
I’l m ” 2.5739 。
n =1.3598を用いて(5)、 (6)式を解
くと、t、−〇、535μm、tz =0.241μm
となるので、各々t+ =0.54μm、tz =0.
21μmの格子を製作した。
くと、t、−〇、535μm、tz =0.241μm
となるので、各々t+ =0.54μm、tz =0.
21μmの格子を製作した。
まず、基板3の第1の領域1になる部分にマスキングし
て、第2の領域2を熱酸化して、厚さtz=0.21μ
mのSiO□層を形成した。次にマスキングを除去した
後、ホログラフィ−干渉で第1の領域のレジストをパタ
ーニングし、反応性イオンエツチングにより基板3へ0
.6μmの稠密格子を形成した。
て、第2の領域2を熱酸化して、厚さtz=0.21μ
mのSiO□層を形成した。次にマスキングを除去した
後、ホログラフィ−干渉で第1の領域のレジストをパタ
ーニングし、反応性イオンエツチングにより基板3へ0
.6μmの稠密格子を形成した。
本実施例の偏光素子によれば、格子溝に平行な偏光と直
交する偏光との間の消光比は20dBがとれた。
交する偏光との間の消光比は20dBがとれた。
なお、本実施例では格子型偏光素子の第1の領域と第2
の領域の境界面に対して、第1の領域内の稠密格子の周
期方向が垂直な場合を示したが、第1の領域内の稠密格
子の周期方向は第1の領域と第2の領域の境界面に対し
て任意の角度で良いことは上述の作用の項での説明から
明らかである。
の領域の境界面に対して、第1の領域内の稠密格子の周
期方向が垂直な場合を示したが、第1の領域内の稠密格
子の周期方向は第1の領域と第2の領域の境界面に対し
て任意の角度で良いことは上述の作用の項での説明から
明らかである。
本発明の偏光素子は複屈折性結晶を必要とせず、シリコ
ンなどの容易に、しかも安価に入手できる材料で構成さ
れているうえに、フォトリングラフィの手法で簡単に多
数個同時に製作でき、しかも組立てを必要としないので
極めて安価である。
ンなどの容易に、しかも安価に入手できる材料で構成さ
れているうえに、フォトリングラフィの手法で簡単に多
数個同時に製作でき、しかも組立てを必要としないので
極めて安価である。
また、本発明の偏光素子は、第1の領域、第2の領域と
もに表面層の屈折率が基板屈折率よりも小さくなってお
り、反射防止膜の作用をしているため、シリコンのよう
な高屈折率材料を用いているにもかかわらず、コーティ
ング無しでも反射損が小さいという効果もある。
もに表面層の屈折率が基板屈折率よりも小さくなってお
り、反射防止膜の作用をしているため、シリコンのよう
な高屈折率材料を用いているにもかかわらず、コーティ
ング無しでも反射損が小さいという効果もある。
また、本発明の偏光素子は、本質的に薄膜素子であり、
素子の強度を持たせるだけの基板厚さがあればよいので
、100μm程度と極めて薄く、軽量な素子を構成する
ことができる。
素子の強度を持たせるだけの基板厚さがあればよいので
、100μm程度と極めて薄く、軽量な素子を構成する
ことができる。
第1図は本発明の実施例の部分斜視図、第2図は本発明
の詳細な説明するための格子の部分斜視図である。 1・・・・・第1の領域 2・・・・・第2の領域 3・・・・・基板 4・・・・・光の進行方向を示す矢印 第1図 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第2図
の詳細な説明するための格子の部分斜視図である。 1・・・・・第1の領域 2・・・・・第2の領域 3・・・・・基板 4・・・・・光の進行方向を示す矢印 第1図 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第2図
Claims (1)
- (1)基板上に、光の波長の1/2よりも小さいピッチ
を有する表面凹凸型の1次元周期構造を有する第1の領
域と、表面酸化層を有する第2の領域とを交互に格子状
に配置したことを特徴とする偏光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025985A JPH02205802A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 偏光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025985A JPH02205802A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 偏光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205802A true JPH02205802A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12181009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025985A Pending JPH02205802A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 偏光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001042824A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Otm Technologies, Ltd. | Improved motion detector and components suitable for use therein |
| JP2006106726A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 偏光回折素子 |
| US7348650B2 (en) | 2002-03-25 | 2008-03-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element having microstructure and manufacturing method thereof |
| WO2011001641A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | ナルックス株式会社 | 光学素子 |
| US7969850B2 (en) | 2005-05-12 | 2011-06-28 | Enplas Corporation | Optical element, optical pickup device comprising the same, and unnecessary light elimination method |
| JP2011227991A (ja) * | 2011-08-03 | 2011-11-10 | Ricoh Co Ltd | 回折素子、光ピックアップおよび光情報処理装置 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025985A patent/JPH02205802A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001042824A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Otm Technologies, Ltd. | Improved motion detector and components suitable for use therein |
| US7348650B2 (en) | 2002-03-25 | 2008-03-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element having microstructure and manufacturing method thereof |
| JP2006106726A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 偏光回折素子 |
| US7969850B2 (en) | 2005-05-12 | 2011-06-28 | Enplas Corporation | Optical element, optical pickup device comprising the same, and unnecessary light elimination method |
| WO2011001641A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | ナルックス株式会社 | 光学素子 |
| JPWO2011001641A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2012-12-10 | ナルックス株式会社 | 光学素子 |
| JP2011227991A (ja) * | 2011-08-03 | 2011-11-10 | Ricoh Co Ltd | 回折素子、光ピックアップおよび光情報処理装置 |
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