JPH02205825A - 光通過面積可変式液晶光シャツター - Google Patents
光通過面積可変式液晶光シャツターInfo
- Publication number
- JPH02205825A JPH02205825A JP2542589A JP2542589A JPH02205825A JP H02205825 A JPH02205825 A JP H02205825A JP 2542589 A JP2542589 A JP 2542589A JP 2542589 A JP2542589 A JP 2542589A JP H02205825 A JPH02205825 A JP H02205825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrodes
- area
- optical shutter
- crystal optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明はTVやコンピューターなどの画像表示装置に
関する。
関する。
(ロ) 従来の技術
現在、小型TVやパソコンに使われているTFT+M
I Mを使ったアクティブタイプのTN型ドツトマトリ
クス液晶光シャッターは、光のねじれる角度を変えるこ
とにより一つの画素内で一様に光の通過量を変え111
m表示を行なっている。そのため液晶に視角依存性が出
て見る角度によりコントラストや明るさが変わったりし
て決して見やすいものではなかった、これまで表示画質
向上のために数多くの努力がなされてきたが今だに満足
のいく液晶表示装置は得られていない。
I Mを使ったアクティブタイプのTN型ドツトマトリ
クス液晶光シャッターは、光のねじれる角度を変えるこ
とにより一つの画素内で一様に光の通過量を変え111
m表示を行なっている。そのため液晶に視角依存性が出
て見る角度によりコントラストや明るさが変わったりし
て決して見やすいものではなかった、これまで表示画質
向上のために数多くの努力がなされてきたが今だに満足
のいく液晶表示装置は得られていない。
またTFTやMIMに一つでも欠陥があると商品になら
ないため9画素数を10倍にすると歩止まり1よ100
分の1に悪化するので、100万画素の液晶光シャッタ
ーの量産化などは利金実現不可能がった。
ないため9画素数を10倍にすると歩止まり1よ100
分の1に悪化するので、100万画素の液晶光シャッタ
ーの量産化などは利金実現不可能がった。
(ハ) 発明が解決しようとする課題
この発明は見やすさ、精細度などでブラウン管に匹適す
る画質の液晶による画像表示装置を得ることを目的とす
る。
る画質の液晶による画像表示装置を得ることを目的とす
る。
(ニ) 課題を解決するための手段
これまでのTN液晶のように電極間における液晶の相転
移の割合を変えることにより光の旋光角を変えることで
階調表示を行なうのでは無く、カメラのしぼりのように
、ひとつの画素内で光の通る面積を変えることにより階
調表示を行なうことにした。というのはTN液晶におい
ても光が最大限通過する状態においては視角効果が発生
しにくいからである。
移の割合を変えることにより光の旋光角を変えることで
階調表示を行なうのでは無く、カメラのしぼりのように
、ひとつの画素内で光の通る面積を変えることにより階
調表示を行なうことにした。というのはTN液晶におい
ても光が最大限通過する状態においては視角効果が発生
しにくいからである。
そのためには、ひとつの画素内で画素電極、あるいは共
通電極のどちらか一方あるいは両方の電極に山や谷を作
ることにより、電極間の距離に差をつけ同じ画素内にお
いても、場所により電界強度を変え、電極間にかかる有
効電圧の変化により液晶の相移転する面積を増減させ、
それにより光の通過する面積を変え階調表示することに
すればよい、液晶はしきい特性が急峻なものを使う。
通電極のどちらか一方あるいは両方の電極に山や谷を作
ることにより、電極間の距離に差をつけ同じ画素内にお
いても、場所により電界強度を変え、電極間にかかる有
効電圧の変化により液晶の相移転する面積を増減させ、
それにより光の通過する面積を変え階調表示することに
すればよい、液晶はしきい特性が急峻なものを使う。
電極に山や谷を作るためには、基板を型押や機械加工し
たり、透明電極を厚さに差がでるように塗る。厚めに塗
りエツチングするなどの方法が考えられる。
たり、透明電極を厚さに差がでるように塗る。厚めに塗
りエツチングするなどの方法が考えられる。
また、超多画素化することによる1’FTJ??MIM
の欠陥の発生率の増加に対しては、欠陥画素の位置の重
なり合わない2枚の面積可変式液晶を2枚重ね合わせて
使うことにより、素子の欠陥の補償を行なうことができ
る。
の欠陥の発生率の増加に対しては、欠陥画素の位置の重
なり合わない2枚の面積可変式液晶を2枚重ね合わせて
使うことにより、素子の欠陥の補償を行なうことができ
る。
(ホ) 作用
電極間に電圧を加えていくと、電極間の距離の近い場所
(電界強度の大きい所)からTNfi晶に相転移が起こ
り光の通過あるいは遮断が行なわれ光の通過する面積が
変わり階調表示ができる。
(電界強度の大きい所)からTNfi晶に相転移が起こ
り光の通過あるいは遮断が行なわれ光の通過する面積が
変わり階調表示ができる。
請求項2のような構造をとることにより、ちょうどカメ
ラのしぼりを2枚重ねたのと同様なことになり、2枚の
しぼりが動作しようと、TFTやMIMの欠陥によりど
ちらが1枚しか動作しなくてもほとんど同じ中間階調が
得られる。
ラのしぼりを2枚重ねたのと同様なことになり、2枚の
しぼりが動作しようと、TFTやMIMの欠陥によりど
ちらが1枚しか動作しなくてもほとんど同じ中間階調が
得られる。
(へ) 実施例
実施例1
第1図は、゛請求項1の実施例1を示す原理図である。
ここでは画素電極に透明の導電膜を数ミクロン程度に厚
く塗りそれをエツチングにより円錐型の山を作ったもの
の断面である。
く塗りそれをエツチングにより円錐型の山を作ったもの
の断面である。
半分はど光を通す程度の電圧を加えた状態を示している
。
。
第2図は、請求項2の実施例2を示す原理図である。ガ
ラス基板にtl![加工により深さ数ミクロンノV字型
の溝を作ったものである。
ラス基板にtl![加工により深さ数ミクロンノV字型
の溝を作ったものである。
ノーマリイホワイトの動作モードを持ち、tvfi間に
かかる電圧を増加させると端の方がら順に光を通さなく
なる。
かかる電圧を増加させると端の方がら順に光を通さなく
なる。
上は中程度の電圧をがけな場合で2枚の液晶とも動作し
た状態を示している。
た状態を示している。
下はそれと同じ電圧をがけな場合だが、1枚目の液龜は
動作せず、2枚目の液晶だけが動作しているが、2枚の
液晶が同時に動作したのとほぼ同じ光の遮断量を持つこ
とを表わしている。
動作せず、2枚目の液晶だけが動作しているが、2枚の
液晶が同時に動作したのとほぼ同じ光の遮断量を持つこ
とを表わしている。
これによって画素の欠陥の補償ができる。
重なり合った2つの液晶部分は画素の幅にくらべできる
だけ近ずけなほうがよい。
だけ近ずけなほうがよい。
図は理解しやすいように各部は分離して書いである。ま
た各部の大きさの比率は誇張してあり実際の通りではな
い、電極間の点線は液晶分子の配列方向を表わしている
。
た各部の大きさの比率は誇張してあり実際の通りではな
い、電極間の点線は液晶分子の配列方向を表わしている
。
(ト) 発明の効果
本発明ではこれまでのTN液晶光シャッターを利用した
画像表示装置と違い視角依存性が少ないためどの方角か
ら見ても鮮明に見える、また画素数を増加しても歩止ま
りの低下が少ないので大型で高精細の液晶画像表示装置
が実現できる。
画像表示装置と違い視角依存性が少ないためどの方角か
ら見ても鮮明に見える、また画素数を増加しても歩止ま
りの低下が少ないので大型で高精細の液晶画像表示装置
が実現できる。
以上のように、それほど工数を増加させることなく、こ
れまでの液晶表示装置の欠点を無くすことができるため
、液晶のFi[2と、ブラウン管の見やすさをあわせ持
った画像表示装置が実現することになり、ブラウン管に
とってかわることも不可能ではない。
れまでの液晶表示装置の欠点を無くすことができるため
、液晶のFi[2と、ブラウン管の見やすさをあわせ持
った画像表示装置が実現することになり、ブラウン管に
とってかわることも不可能ではない。
第1図、第2図は、それぞれこの考案の実施例1、実施
例2を示す原理図である。 A−光源 C−縦偏光板 E−画素電極 G−入射光 ニー遮光膜 B−ガラス基板 り一横偏光板 F−共通電極 H−通過光
例2を示す原理図である。 A−光源 C−縦偏光板 E−画素電極 G−入射光 ニー遮光膜 B−ガラス基板 り一横偏光板 F−共通電極 H−通過光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 請求項1 TFTやMIMを使ったアクティブタイプのTN型ドッ
トマトリクス液晶光シャッターにおいてひとつの画素内
で画素電極、あるいは共通電極のどちらか一方あるいは
両方の電極に山や谷、V字形や波形の溝を作ることによ
り、電極間の距離に差をつけ場所により電界強度を変え
、電極間にかかる有効電圧の変化により、液晶の相転移
する面積を増減させ(面積可変式液晶板)、それにより
光の通過する面積を変えることにより階調表示を行なう
液晶光シャッター。 請求項2 3枚の偏光フィルターを光の偏光方向が交互に直交する
ように重ね、その間に同じ電極パターンと相転移面積変
化特性をもつ2枚の請求項1において得られるTN型面
積可変式液晶板を位置合わせして1枚ずつはさんだ構造
をもつ液晶光シャッターにおいて、重ね合わさった画素
を駆動させるTFTやMIM素子のどちらか一方に欠陥
があっても一枚の無欠陥のドッツトマトリクス光シャッ
ターとして機能することを目的とする透過型液晶光シャ
ッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2542589A JPH02205825A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光通過面積可変式液晶光シャツター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2542589A JPH02205825A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光通過面積可変式液晶光シャツター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205825A true JPH02205825A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12165610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2542589A Pending JPH02205825A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光通過面積可変式液晶光シャツター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234132A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02310534A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
| JPH07199193A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 液晶表示装置と液晶表示装置用基板の製造方法 |
| KR100402506B1 (ko) * | 1999-08-20 | 2003-10-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP2542589A patent/JPH02205825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234132A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02310534A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
| JPH07199193A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 液晶表示装置と液晶表示装置用基板の製造方法 |
| KR100402506B1 (ko) * | 1999-08-20 | 2003-10-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 |
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