JPH02208274A - セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品 - Google Patents
セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品Info
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- JPH02208274A JPH02208274A JP1027296A JP2729689A JPH02208274A JP H02208274 A JPH02208274 A JP H02208274A JP 1027296 A JP1027296 A JP 1027296A JP 2729689 A JP2729689 A JP 2729689A JP H02208274 A JPH02208274 A JP H02208274A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素などの
セラミックスの表面を金属化(メタライズ)するための
新規な組成物と、それを用いたセラミックス表面の金属
化方法及びそれらを利用した表面金属化セラミックス製
品に関するものである。
セラミックスの表面を金属化(メタライズ)するための
新規な組成物と、それを用いたセラミックス表面の金属
化方法及びそれらを利用した表面金属化セラミックス製
品に関するものである。
従来、数%以上の8 ioy成分を含有する場合に限り
、MO,Mn およびフリット成分を混合して湿水素
中で1300〜1600℃の温度範囲で焼付けてセラミ
ックス表面を金属化する方法、即ちMo−Mn法が採用
されて来た。しかしながら、88%以上の純度のアル主
す、窒化アルミニウムあるいは屋上珪素などのガラス相
が結晶粒界に少い高純度のセラミックス焼成体に対応で
きる金属化組成物については現在も開発途上にあり改良
の余地が残されている。例えばアルミナ、窒化アルミニ
ウムに対応出来る一般的な金属化組成物としテ1.t
Ou−Ag−T i系の組成物があるが、これはTi含
量を低減して5%以下とすれば金属化するパターンに乱
れとか小孔などが生じ易くなり、又逆に多い場合には金
属化層が硬質になり、セラミックスとの熱膨張の差によ
り鼓壊し易くなる。さらに窒化アルミニウムに対応する
金属化組成物として特開昭83−80188号記載のP
a−Ta−Zr −Mn−Ni−Ou 系の組成物があ
るが、この成分中には貴金属のPdや高価なTaなどが
数10%以上含有されているため、経済的な問題があっ
た。
、MO,Mn およびフリット成分を混合して湿水素
中で1300〜1600℃の温度範囲で焼付けてセラミ
ックス表面を金属化する方法、即ちMo−Mn法が採用
されて来た。しかしながら、88%以上の純度のアル主
す、窒化アルミニウムあるいは屋上珪素などのガラス相
が結晶粒界に少い高純度のセラミックス焼成体に対応で
きる金属化組成物については現在も開発途上にあり改良
の余地が残されている。例えばアルミナ、窒化アルミニ
ウムに対応出来る一般的な金属化組成物としテ1.t
Ou−Ag−T i系の組成物があるが、これはTi含
量を低減して5%以下とすれば金属化するパターンに乱
れとか小孔などが生じ易くなり、又逆に多い場合には金
属化層が硬質になり、セラミックスとの熱膨張の差によ
り鼓壊し易くなる。さらに窒化アルミニウムに対応する
金属化組成物として特開昭83−80188号記載のP
a−Ta−Zr −Mn−Ni−Ou 系の組成物があ
るが、この成分中には貴金属のPdや高価なTaなどが
数10%以上含有されているため、経済的な問題があっ
た。
窒化珪素の金属化組成物としては特開昭61−0141
81号に記載のNb−G−Z r−C−8i −8i0
−Ni系の組成物があり、既にいろいろな用途に実用に
なっているが、高温の1200℃以上で金属化させるた
めy!o、などの焼結助剤の含有量の多い焼成体の場合
にはy、o5を含有する粒界が劣化し易く、問題が残存
していた。
81号に記載のNb−G−Z r−C−8i −8i0
−Ni系の組成物があり、既にいろいろな用途に実用に
なっているが、高温の1200℃以上で金属化させるた
めy!o、などの焼結助剤の含有量の多い焼成体の場合
にはy、o5を含有する粒界が劣化し易く、問題が残存
していた。
本発明は、高純度アルミナ、室上アルミニウム、窒化珪
素などのセラミックスと適度な反応性を有し、かつ、濡
れ性を有する金属化組成物の構成元素の種類と含有量や
、金属化するための加熱処理の方法に関して研究を重ね
て完成されたものであり、−段と強度の高い、信頼性の
あるセラミックス表面の金属化技術を提供することを目
的としている。
素などのセラミックスと適度な反応性を有し、かつ、濡
れ性を有する金属化組成物の構成元素の種類と含有量や
、金属化するための加熱処理の方法に関して研究を重ね
て完成されたものであり、−段と強度の高い、信頼性の
あるセラミックス表面の金属化技術を提供することを目
的としている。
本発明のセラミックス焼結体表面の金属化組成物は、M
nを10.0〜32.5重量%(以下重量%の重量を省
略)、Wを45〜67.5%かTiあるいはZrの何れ
か1種又は2種を5.0%以下とし、AgとNiを合計
15.0〜35.0%で、そのうちNi を6. O
N20.0%含み、残部実質的に不可避的不純物からな
ることを特徴としている。
nを10.0〜32.5重量%(以下重量%の重量を省
略)、Wを45〜67.5%かTiあるいはZrの何れ
か1種又は2種を5.0%以下とし、AgとNiを合計
15.0〜35.0%で、そのうちNi を6. O
N20.0%含み、残部実質的に不可避的不純物からな
ることを特徴としている。
又、本発明の金属化方法は、この金属化組成物の成分の
合金粉末あるいは一部か全部を混合してなる金属の粉末
をセラミックスの表面に付着接触させ、非酸化性の雰囲
気中で溶融あるいは半溶融させて、セラミックスの表面
を金属化させることを特徴とする方法である。
合金粉末あるいは一部か全部を混合してなる金属の粉末
をセラミックスの表面に付着接触させ、非酸化性の雰囲
気中で溶融あるいは半溶融させて、セラミックスの表面
を金属化させることを特徴とする方法である。
さらにもう一つの本発明の金属化方法は、上記の同じ金
属化組成物の成分を合金成分とする合金層、あるいは層
状の混合成分とする金属多層をセラミックス表面に気相
より、スパッター、イオンプレーティング、蒸着あるい
はケ疋カルペーパーディポジッションなどの手法によっ
て、析出生成させて、セラミックスの表面を金属化させ
ることを特徴とする方法である。
属化組成物の成分を合金成分とする合金層、あるいは層
状の混合成分とする金属多層をセラミックス表面に気相
より、スパッター、イオンプレーティング、蒸着あるい
はケ疋カルペーパーディポジッションなどの手法によっ
て、析出生成させて、セラミックスの表面を金属化させ
ることを特徴とする方法である。
本発明の金属化セラ更ツクス製品はこの同じ金属化組成
物を上記の2つの方法により表面に被覆処理したことを
特徴としている。
物を上記の2つの方法により表面に被覆処理したことを
特徴としている。
本発明のセラミックスとは、AIIN (窒化アルミ
ニウム)、AJl’N−BN 、 AlN−8i3N4
゜8iIN4(窒化珪素)、Si墨N4−BN、8ig
N+−8i0.サイアロン、A#20g (アルミナ)
。
ニウム)、AJl’N−BN 、 AlN−8i3N4
゜8iIN4(窒化珪素)、Si墨N4−BN、8ig
N+−8i0.サイアロン、A#20g (アルミナ)
。
Al!0B−ZrO!など、あるいは各種の焼結助剤を
含むAIN、8iIN+、Al2Oδなどが60体種%
以上を占めるセラミックス焼結体である。
含むAIN、8iIN+、Al2Oδなどが60体種%
以上を占めるセラミックス焼結体である。
これらのセラミックスに対して、Mnは弱い反応性を有
するので、金属化層の剥離強度を向上させたり、溶融あ
るいは半溶融させる場合にも濡れ性が良く、セラミック
ス表面上に目的とするパターンを正確に形成させ易い。
するので、金属化層の剥離強度を向上させたり、溶融あ
るいは半溶融させる場合にも濡れ性が良く、セラミック
ス表面上に目的とするパターンを正確に形成させ易い。
但しあまり多量に含有させると融点を上昇させて不利と
なったり、金属化層を硬くしたり、酸化され易くしたり
、パターン部以外のセラミックス表面素地を着色黒化さ
せたりするなどの数々の問題が生じるので10.0〜3
2.5%の範囲内で配合する必要がある。
なったり、金属化層を硬くしたり、酸化され易くしたり
、パターン部以外のセラミックス表面素地を着色黒化さ
せたりするなどの数々の問題が生じるので10.0〜3
2.5%の範囲内で配合する必要がある。
2とTiはどちらもMnに比較すると強い反応性を有す
る活性な元素であり、剥離強度の向上に有効である。但
し、活性過ぎるためにあまり多量に含有させると金属化
層を酸化させ易くし平滑な面の形成を妨げたり、ろう付
時のろうの流れ性を低下させたりするので、合計で5.
0%以下の配合範囲とし、全く含有させないことも出来
る。
る活性な元素であり、剥離強度の向上に有効である。但
し、活性過ぎるためにあまり多量に含有させると金属化
層を酸化させ易くし平滑な面の形成を妨げたり、ろう付
時のろうの流れ性を低下させたりするので、合計で5.
0%以下の配合範囲とし、全く含有させないことも出来
る。
Agは貴金属でありセラミックスに対する接着力は殆ん
ど無いが、KnやTf、あるいはZrと合金を形成して
、Mnや’I’i、Zrなどの酸化し易い元素の酸化を
抑制したり、金属化層を柔軟にしてセラミックス素地と
の熱膨張係数の差異によって生じる残留応力を緩和する
のに有効である。
ど無いが、KnやTf、あるいはZrと合金を形成して
、Mnや’I’i、Zrなどの酸化し易い元素の酸化を
抑制したり、金属化層を柔軟にしてセラミックス素地と
の熱膨張係数の差異によって生じる残留応力を緩和する
のに有効である。
しかしあまり過剰に配合すると金属化組成物のセラミッ
クスに対する濡れ性や接着力を低下させてしまい、金属
化層中に小孔や界面に欠陥を形成させ易くするので、N
iとの合計で15.0〜35%の範囲内で配合すること
が出来る。Ni も比較的酸化しに<<、セラミックス
に対して接着力が殆んど無い。しかしMnなどがセラミ
ックスと反応して窒化物、酸化物となり、逆に窒化アル
ミ、アルミナ、窒化珪素中のlや8iが金属化層に拡散
して移行してゆく際に、金属化層中にNiが存在する方
が、Al、siがNi 相中に取り込まれて、固溶体
や金属間化合物を形成し易く、これらが比較的酸素に対
して不活性になるため表面の平滑な酸化着色の少い金属
化層を形成し易い。Niが無(Agのみの場合には、A
l、8iが融点の低い共晶反応を生じるため、Al、S
iの富化された相が金属化層中に析出し易く酸化され易
いため、平滑な表面の強度の優れた金属化層を形成しに
くい。但し、NiをAgに対してあまり過剰に配合する
と金属化組成物の氾融温度を上げ過ぎてしまい、セラミ
ックスを過剰に反応させたり、金属化層を硬質にしてし
まったりするので必要最少限度の量としてAg+Ni
量に対しNiは6.0〜20.0%の範囲内で配合す
ることが出来る。Niは前記のAgの如くセラミックス
に対して直接反応性の殆んど無い元素であるので、Ag
とNi は合金化しないにもかかわらずAg、!=Ni
をまとめて考え、その範囲は前記の如く合計15.0〜
36.0%とすることが出来る。
クスに対する濡れ性や接着力を低下させてしまい、金属
化層中に小孔や界面に欠陥を形成させ易くするので、N
iとの合計で15.0〜35%の範囲内で配合すること
が出来る。Ni も比較的酸化しに<<、セラミックス
に対して接着力が殆んど無い。しかしMnなどがセラミ
ックスと反応して窒化物、酸化物となり、逆に窒化アル
ミ、アルミナ、窒化珪素中のlや8iが金属化層に拡散
して移行してゆく際に、金属化層中にNiが存在する方
が、Al、siがNi 相中に取り込まれて、固溶体
や金属間化合物を形成し易く、これらが比較的酸素に対
して不活性になるため表面の平滑な酸化着色の少い金属
化層を形成し易い。Niが無(Agのみの場合には、A
l、8iが融点の低い共晶反応を生じるため、Al、S
iの富化された相が金属化層中に析出し易く酸化され易
いため、平滑な表面の強度の優れた金属化層を形成しに
くい。但し、NiをAgに対してあまり過剰に配合する
と金属化組成物の氾融温度を上げ過ぎてしまい、セラミ
ックスを過剰に反応させたり、金属化層を硬質にしてし
まったりするので必要最少限度の量としてAg+Ni
量に対しNiは6.0〜20.0%の範囲内で配合す
ることが出来る。Niは前記のAgの如くセラミックス
に対して直接反応性の殆んど無い元素であるので、Ag
とNi は合金化しないにもかかわらずAg、!=Ni
をまとめて考え、その範囲は前記の如く合計15.0〜
36.0%とすることが出来る。
Wは融点が3653°にの高融点金属であり、融体とな
るAg、Ni、Kn などによって1000〜110
0℃程度の温度範囲では溶解しにくい。
るAg、Ni、Kn などによって1000〜110
0℃程度の温度範囲では溶解しにくい。
そのため殆んど合金化せず、単独の粉末粒子、あるいは
層として金属化層中に存在することが出来る。そのため
WはW本来の性質を金属化層に反映することが出来、高
融点である為に後のろう付工程における金属ろうによる
溶食現象を生じにくくしたり、熱膨張係数が低いので、
金属化層の熱膨張係数をも低下させることが出来たりす
る。
層として金属化層中に存在することが出来る。そのため
WはW本来の性質を金属化層に反映することが出来、高
融点である為に後のろう付工程における金属ろうによる
溶食現象を生じにくくしたり、熱膨張係数が低いので、
金属化層の熱膨張係数をも低下させることが出来たりす
る。
しかしあまり過剰に配合すると、金属化層のセラミック
スへの接着力を低下させるので45〜67.5%の範囲
内で配合することが出来る。
スへの接着力を低下させるので45〜67.5%の範囲
内で配合することが出来る。
本発明の金属化組成物でセラミックス表面を金属化させ
る本発明の方法の第1の方法は、前記組成の160メツ
シユ以下、好ましくは326メツシユからサブミクロン
の合金あるいはWなどの各元素の混合粉を充分に混合し
てから、適度な流動性とセラミックス表面への付着力と
を付与するために、粘結剤として、エチルセルロース系
、アクリル系などのビークルを混合してペースト状とし
、スクリーン印刷、刷毛、へら、などによる塗り方によ
って、セラミックスの所定の表面に塗布し、乾燥後、A
r、N2 、H!、真空などの非酸化性雰囲気中で、1
000〜1100℃の温度範囲で6〜30分間保持して
、溶融あるいは半溶融状態にして金属化層を形成させる
方法である。この際、粉末粒子をセラミックス表面に付
着接触させる別の方法として、あらかじめ、セラミック
ス表面上に前記粘結剤を塗布した後に粉末をふりかけて
表面を覆う方法を採用することも出来る。
る本発明の方法の第1の方法は、前記組成の160メツ
シユ以下、好ましくは326メツシユからサブミクロン
の合金あるいはWなどの各元素の混合粉を充分に混合し
てから、適度な流動性とセラミックス表面への付着力と
を付与するために、粘結剤として、エチルセルロース系
、アクリル系などのビークルを混合してペースト状とし
、スクリーン印刷、刷毛、へら、などによる塗り方によ
って、セラミックスの所定の表面に塗布し、乾燥後、A
r、N2 、H!、真空などの非酸化性雰囲気中で、1
000〜1100℃の温度範囲で6〜30分間保持して
、溶融あるいは半溶融状態にして金属化層を形成させる
方法である。この際、粉末粒子をセラミックス表面に付
着接触させる別の方法として、あらかじめ、セラミック
ス表面上に前記粘結剤を塗布した後に粉末をふりかけて
表面を覆う方法を採用することも出来る。
本発明の第2の方法は、本発明の金属化組成物の合金あ
るいは平均的組成がこの金属化組成物の成分となるよう
な層状の構成をとるような被膜を気相からセラミックス
の表面に直接析出させる方法であり、このような手段と
して、本発明の金属化組成物の合金あるいは一部か全部
が純金属のターゲツト材を用いてスパッター処理を施す
とか、蒸着処理、イオンプレーティング処理、O,V、
D。
るいは平均的組成がこの金属化組成物の成分となるよう
な層状の構成をとるような被膜を気相からセラミックス
の表面に直接析出させる方法であり、このような手段と
して、本発明の金属化組成物の合金あるいは一部か全部
が純金属のターゲツト材を用いてスパッター処理を施す
とか、蒸着処理、イオンプレーティング処理、O,V、
D。
処理を施すとかして、本発明組成物の皮膜をセラミック
ス上に被覆して金属化することが出来る。
ス上に被覆して金属化することが出来る。
多層状に被覆層を設ける場合には一番下側にMnやTi
、Zrなどの活性な元素を被覆すれば接着力が向上し、
さらに昇温することによって拡散が進行し、より強固な
接着が達成される。より極端には、このような気相被覆
層を溶融あるいは半溶融する温度の1000〜1100
℃の温度範囲まで昇温しで被膜を溶解しても液滴形状と
なることもなく、さらに強固にセラミックスと反応し、
後の鑞付工程において安定性を発揮することが出来る。
、Zrなどの活性な元素を被覆すれば接着力が向上し、
さらに昇温することによって拡散が進行し、より強固な
接着が達成される。より極端には、このような気相被覆
層を溶融あるいは半溶融する温度の1000〜1100
℃の温度範囲まで昇温しで被膜を溶解しても液滴形状と
なることもなく、さらに強固にセラミックスと反応し、
後の鑞付工程において安定性を発揮することが出来る。
本発明の前記金属化組成物を本発明の方法によって、表
面に被覆処理して製造されるセラミックス製品は、表面
金属化層とセラミックス表面との間で強固な結合が達成
されている為に後にセラミックスに金属部品や半導体を
取り付ける為に施こされるはんだ付、鑞付の処理にも充
分対応出来、高強度で気密性に富んだろう付、はんだ付
部品を作製することが出来る。この際金属化組成物中に
TiやZrを全く含有させないか、あるいは極く少量に
限定することも可能なので、NiメツキやC1】メツキ
、Agメツキ Auメツキなどを施こして鑞の流れ性の
良い製品とすることも出来、又、メツキ後、シンター処
理を800〜850℃程度で施こして、メツキ密着度を
向上させることも出来る。
面に被覆処理して製造されるセラミックス製品は、表面
金属化層とセラミックス表面との間で強固な結合が達成
されている為に後にセラミックスに金属部品や半導体を
取り付ける為に施こされるはんだ付、鑞付の処理にも充
分対応出来、高強度で気密性に富んだろう付、はんだ付
部品を作製することが出来る。この際金属化組成物中に
TiやZrを全く含有させないか、あるいは極く少量に
限定することも可能なので、NiメツキやC1】メツキ
、Agメツキ Auメツキなどを施こして鑞の流れ性の
良い製品とすることも出来、又、メツキ後、シンター処
理を800〜850℃程度で施こして、メツキ密着度を
向上させることも出来る。
本発明の方法によって処理されたセラミックス製品は、
例えば、高純度アルミニウムの気密部品とか、窒化アル
ミニウムの高熱伝導放熱胴貼り基板や各種電子部品のパ
ッケージとか、窒化珪素の工具チップ、耐摩耗タイルや
ライナー 自動車エンジン部品などの用途に利用するこ
とが出来るので、本発明の効果は大きい。
例えば、高純度アルミニウムの気密部品とか、窒化アル
ミニウムの高熱伝導放熱胴貼り基板や各種電子部品のパ
ッケージとか、窒化珪素の工具チップ、耐摩耗タイルや
ライナー 自動車エンジン部品などの用途に利用するこ
とが出来るので、本発明の効果は大きい。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例1
第1表に記載の如き本発明及び本発明舛の金属化組成物
を325メツシユ以下の微粉末の金属粉として混合配合
し、エチルセルロース系のビークルを混入してペースト
状とし、厚み0.64m、12.0mm角の常圧焼結A
INセラミックスの表面に、8.ON直径のパターンと
して印刷乾燥後、1050℃で20分間H2気流中で金
属化層を、溶着してセラミックスの表面上に形成させた
。その後、顕微鏡観察によって、外観や溶着状況を観察
し、小孔の存在等も確認後、鋭利な刃物で擦過テストを
実施して剥離し易いかどうかを調査して、接着の強度を
定性的に判定した。
を325メツシユ以下の微粉末の金属粉として混合配合
し、エチルセルロース系のビークルを混入してペースト
状とし、厚み0.64m、12.0mm角の常圧焼結A
INセラミックスの表面に、8.ON直径のパターンと
して印刷乾燥後、1050℃で20分間H2気流中で金
属化層を、溶着してセラミックスの表面上に形成させた
。その後、顕微鏡観察によって、外観や溶着状況を観察
し、小孔の存在等も確認後、鋭利な刃物で擦過テストを
実施して剥離し易いかどうかを調査して、接着の強度を
定性的に判定した。
その結果を第1図に示す。同図中、ム印は全く溶着しな
いもの、Δ印は擦過テストによって剥離するもの、X印
は微小孔が存在する組成の濡れ性の悪いもの、口印は未
溶解のKnの黒色残渣が表面に存在するものを示す。上
記の記号が2重に付されているものはこれらの問題が並
存することを示し、○印の組成のものだけが全く問題が
無く、剥離しにくいものを示す。
いもの、Δ印は擦過テストによって剥離するもの、X印
は微小孔が存在する組成の濡れ性の悪いもの、口印は未
溶解のKnの黒色残渣が表面に存在するものを示す。上
記の記号が2重に付されているものはこれらの問題が並
存することを示し、○印の組成のものだけが全く問題が
無く、剥離しにくいものを示す。
同図によって明らかな様に、本発明の金属化組成物はあ
る成分を中心とするある範囲の組成で優れた特性を発揮
する。しかしながら、その周辺の組成も、処理温度、時
間、雰囲気などの条件を最適となるように設定すること
により、充分実用に耐え得る組成物となり得ると考えら
れる。
る成分を中心とするある範囲の組成で優れた特性を発揮
する。しかしながら、その周辺の組成も、処理温度、時
間、雰囲気などの条件を最適となるように設定すること
により、充分実用に耐え得る組成物となり得ると考えら
れる。
[
第1表
実施例2
第1表記載のNn6.1VkI、9、さらに本発明のM
n13.5%、WB2.8%、 Ag+Niが29,7
%で、うちNiが12.8%、さらにTi を4.0%
添加した組成物及びTi 0代りにZrを4.0%添
加した組成物を実施例1と同様な方法で、A[N の表
面上に2Mn角パターンとして塗布焼成して、金属化層
を形成させた。Tf及びZrを添加配合したもので、表
面が若干凹凸が著しくなる以外は問題を生じずに良好な
結果を示した。次にこれらにNiメツキを施こし700
℃H!中でシンターリング後、0.8mm直径の銅線を
垂直に立ててはんだ付後、引張試験を実施した。4.3
〜5.3 kg/ rrrm’の高い強度を示し、充分
実用に耐えることが出来ることが判明した。
n13.5%、WB2.8%、 Ag+Niが29,7
%で、うちNiが12.8%、さらにTi を4.0%
添加した組成物及びTi 0代りにZrを4.0%添
加した組成物を実施例1と同様な方法で、A[N の表
面上に2Mn角パターンとして塗布焼成して、金属化層
を形成させた。Tf及びZrを添加配合したもので、表
面が若干凹凸が著しくなる以外は問題を生じずに良好な
結果を示した。次にこれらにNiメツキを施こし700
℃H!中でシンターリング後、0.8mm直径の銅線を
垂直に立ててはんだ付後、引張試験を実施した。4.3
〜5.3 kg/ rrrm’の高い強度を示し、充分
実用に耐えることが出来ることが判明した。
実施例3
第1表記載のNap、阻9、階15、隘16、の各組成
物を純度99,0%、厚さ3印、10II11角のアル
ミナ個片上に、岡16を同形状の85 HN 4個片上
に、実施例1と同様な方法によって溶着させて金属化層
を形成させた後、観察及び擦過テストを実施したところ
、A#zOiについては、何れも金属化層に欠陥は無<
、N119.11kL16が最も剥離困難であった。8
i jN4についても欠陥は無く階16が強固に結合し
ていることが判明した。
物を純度99,0%、厚さ3印、10II11角のアル
ミナ個片上に、岡16を同形状の85 HN 4個片上
に、実施例1と同様な方法によって溶着させて金属化層
を形成させた後、観察及び擦過テストを実施したところ
、A#zOiについては、何れも金属化層に欠陥は無<
、N119.11kL16が最も剥離困難であった。8
i jN4についても欠陥は無く階16が強固に結合し
ていることが判明した。
実施例4
第2表に記載の組成物を、前記のA[NとAlI3゜に
、N116を8 i HN4 に前実施例同様方法で
、それぞれ溶着させてからNiメツキを施した後、8.
0価直径の長さ10間のコバールを共 銀ろうでH!中
、800℃以上で銀ろう付した。これらのサンプルを剪
断テストにかけたところ、同表に記載の如き値を得た、
5iiN4については3.5kg/in’の値を得た。
、N116を8 i HN4 に前実施例同様方法で
、それぞれ溶着させてからNiメツキを施した後、8.
0価直径の長さ10間のコバールを共 銀ろうでH!中
、800℃以上で銀ろう付した。これらのサンプルを剪
断テストにかけたところ、同表に記載の如き値を得た、
5iiN4については3.5kg/in’の値を得た。
いずれも実用に耐え得る強度を示し、本発明が有効であ
ることを立証した。
ることを立証した。
第一図は実施例1に記載の金属化組性物の成分範囲を示
す図であり、本発明の成分範囲を太線の多角形の枠内の
範囲で示す。同図中○△口Xムの各記号は各組成物の実
施例に記載の如き特徴を示す。
す図であり、本発明の成分範囲を太線の多角形の枠内の
範囲で示す。同図中○△口Xムの各記号は各組成物の実
施例に記載の如き特徴を示す。
Claims (4)
- (1)Mnを10.0〜32.5重量%、Wを45.0
〜67.5重量%、TiあるいはZrの何れか1種又は
2種を5.0重量%以下とし、AgとNiを合計15.
0〜35.0重量%でそのうちNiを5.0〜20.0
重量%含み、残部実質的に不可避的不純物からなること
を特徴とするセラミックス表面の金属化組成物。 - (2)請求項1記載の金属化組成物の成分の合金粉末あ
るいは一部か全部を混合してなる金属の粉末をセラミッ
クスの表面に付着接触させ、非酸化性の雰囲気中で溶融
あるいは半溶融させて、セラミックスの表面を金属化さ
せることを特徴とするセラミックス表面の金属化方法。 - (3)請求項1記載の金属化組成物の成分を合金成分と
する合金層、あるいは層状の混合成分とする金属多層を
セラミックス表面に気相より、スパッター、イオンプレ
ーティング、蒸着あるいはケミカルベーパーディポジッ
ションなどの手法によって、析出生成させて、セラミッ
クスの表面を金属化させることを特徴とする金属化方法
。 - (4)請求項1記載の金属化組成物を同第2項あるいは
第3項に記載の方法により、表面に被覆処理したことを
特徴とする金属化セラミックス製品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027296A JPH02208274A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品 |
| US07/473,326 US5045400A (en) | 1989-02-06 | 1990-02-01 | Composition for and method of metallizing ceramic surface, and surface-metallized ceramic article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027296A JPH02208274A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208274A true JPH02208274A (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=12217126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1027296A Pending JPH02208274A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | セラミックス表面の金属化組成物、表面金属化方法及び表面金属化製品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5045400A (ja) |
| JP (1) | JPH02208274A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5288769A (en) * | 1991-03-27 | 1994-02-22 | Motorola, Inc. | Thermally conducting adhesive containing aluminum nitride |
| JPH07504150A (ja) * | 1991-09-12 | 1995-05-11 | ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー | 共焼上げ多層基材の製造方法 |
| JPH07111742B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1995-11-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 図形の変形方法及び装置 |
| WO1993023246A1 (en) * | 1992-05-12 | 1993-11-25 | The Carborundum Company | Thin film metallization and brazing of aluminum nitride |
| DE19514018C1 (de) * | 1995-04-13 | 1996-11-28 | Hoechst Ceram Tec Ag | Verfahren zur Herstellung eines metallbeschichteten, metallisierten Substrats aus Aluminiumnitridkeramik und damit erhaltenes metallbeschichtetes Substrat |
| JP3845925B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2006-11-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法 |
| CA2232517C (en) * | 1997-03-21 | 2004-02-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha .) | Functionally gradient material and method for producing the same |
| US6723279B1 (en) | 1999-03-15 | 2004-04-20 | Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation | Golf club and other structures, and novel methods for making such structures |
| US6315188B1 (en) * | 2000-06-28 | 2001-11-13 | Sandia Corporation | Surface preparation for high purity alumina ceramics enabling direct brazing in hydrogen atmospheres |
| JPWO2008081758A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-04-30 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウムメタライズド基板の製造方法 |
| DE102008011354B3 (de) * | 2008-02-27 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Verbinden zweier Komponenten zu einer Verbundstruktur durch "fusion bonding" sowie damit hergestellte Verbundstruktur, optisches Element, Haltevorrichtung, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage |
| WO2014085276A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Ceralink Inc. | Method of sintering ceramic articles by exothermic heating |
| CN111153713A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-15 | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 | 一种陶瓷金属化浆料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2600995A (en) * | 1945-10-30 | 1952-06-17 | Sylvania Electric Prod | Tungsten alloy |
| US3661595A (en) * | 1970-02-16 | 1972-05-09 | Coors Porcelain Co | Composition for metalizing ceramic |
| US4003715A (en) * | 1973-12-21 | 1977-01-18 | A. Johnson & Co. Inc. | Copper-manganese-zinc brazing alloy |
| DE3009650C2 (de) * | 1980-03-13 | 1982-11-04 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Goldfreie Legierungen zum Aufbrennen keramischer Massen |
| JPS606910B2 (ja) * | 1981-12-09 | 1985-02-21 | 日本碍子株式会社 | 金属セラミツクス接合体 |
| JPS5957973A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 金属・セラミツクス複合体 |
| JPS6114181A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-22 | 株式会社トクヤマ | セラミック多孔体の製造方法 |
| JPH0822793B2 (ja) * | 1986-08-30 | 1996-03-06 | 日本ハイブリッドテクノロジーズ株式会社 | 窒化アルミ系セラミツクス表面の金属化組成物、金属化方法 |
| US4717538A (en) * | 1986-11-28 | 1988-01-05 | Gte Products Corporation | Molybdenum-tungsten-titanium-zirconium-carbon alloy system |
| US4894273A (en) * | 1987-05-22 | 1990-01-16 | Ceramics Process Systems Corp. | Bonding additives for refractory metallization inks |
| JP2544398B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-10-16 | 富士通株式会社 | A1nセラミックスのメタライズ方法 |
| US4961781A (en) * | 1987-09-30 | 1990-10-09 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High corrosion-and wear resistant-powder sintered alloy and composite products |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP1027296A patent/JPH02208274A/ja active Pending
-
1990
- 1990-02-01 US US07/473,326 patent/US5045400A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5045400A (en) | 1991-09-03 |
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