JPH02208926A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02208926A JPH02208926A JP2890389A JP2890389A JPH02208926A JP H02208926 A JPH02208926 A JP H02208926A JP 2890389 A JP2890389 A JP 2890389A JP 2890389 A JP2890389 A JP 2890389A JP H02208926 A JPH02208926 A JP H02208926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- stage
- heating
- turned
- growing film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用する気相成長装置
に関するものである。
に関するものである。
従来、この種の気相成長装置は第３図に示すように構成
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものは半導体ウェハ２にウェハ処
理を施す処理室３およびこの処理室３の内外に開口する
排気口４を有する気密容器、５はこの気密容器１に前記
処理室３内にその一部が臨むように設けられヒータ６を
内蔵するウェハ加熱用のステージ、７はこのステージ５
の上方に設けられ半導体ウェハ２に対して反応ガスを噴
出する複数のガス吹出口８を有するガス噴出ヘッドであ
る。
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものは半導体ウェハ２にウェハ処
理を施す処理室３およびこの処理室３の内外に開口する
排気口４を有する気密容器、５はこの気密容器１に前記
処理室３内にその一部が臨むように設けられヒータ６を
内蔵するウェハ加熱用のステージ、７はこのステージ５
の上方に設けられ半導体ウェハ２に対して反応ガスを噴
出する複数のガス吹出口８を有するガス噴出ヘッドであ
る。
このように構成された気相成長装置を用いて半導体ウェ
ハ２に生成膜を形成するには、複数種の反応ガスを熱反
応させることにより行われる。すμわち、ヒータ６によ
って加熱されたステージ５上の半導体ウェハ２に対して
複数種の反応ガスを供給するのである。
ハ２に生成膜を形成するには、複数種の反応ガスを熱反
応させることにより行われる。すμわち、ヒータ６によ
って加熱されたステージ５上の半導体ウェハ２に対して
複数種の反応ガスを供給するのである。
ところで、この種の気相成長装置においては、半導体ウ
ェハ２の加熱温度や反応ガスの混合比。
ェハ２の加熱温度や反応ガスの混合比。
供給量を均一に設定する機能を備えておらず、このため
第４図に示すような生成膜９の形成が行われていた。こ
れは、排気口４が気密容器ｌの片側方に開目す蟇もので
ある場合にも、ガス吹出口８から吹き出す反応ガスが同
図に矢印で示すように流れる。この結果、生成膜９の形
成時に均一な膜厚を得ることができず、ウェハ処理上の
信頼性が低下するという問題があった。
第４図に示すような生成膜９の形成が行われていた。こ
れは、排気口４が気密容器ｌの片側方に開目す蟇もので
ある場合にも、ガス吹出口８から吹き出す反応ガスが同
図に矢印で示すように流れる。この結果、生成膜９の形
成時に均一な膜厚を得ることができず、ウェハ処理上の
信頼性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、生成
膜の形成時に均一な膜厚を得ることができ、もってウェ
ハ処理上の信頼性を向上させることができる気相成長装
置を提供するものである。
膜の形成時に均一な膜厚を得ることができ、もってウェ
ハ処理上の信頼性を向上させることができる気相成長装
置を提供するものである。
本発明に係る気相成長装置は、処理容器内の半導体ウェ
ハを保持する加熱ステージを、回転速度が可変可能な回
転体によって構成したものである。
ハを保持する加熱ステージを、回転速度が可変可能な回
転体によって構成したものである。
本発明においては、半導体ウェハに対する膜形成が加熱
ステージを回転させることにより行われる。
ステージを回転させることにより行われる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る気相成長装置を示す断面図で、同
図以下において第３図および第４図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細に説明は省略する。同図に
おいて、符号１１で示すものは半導体ウェハ２を加熱す
るヒータ１２を内蔵するウェハ加熱用のステージで、回
転速度９回転角度が可変可能な回転体からなり、中心部
がモータ１３の回転軸１３ａに接続されている。
図以下において第３図および第４図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細に説明は省略する。同図に
おいて、符号１１で示すものは半導体ウェハ２を加熱す
るヒータ１２を内蔵するウェハ加熱用のステージで、回
転速度９回転角度が可変可能な回転体からなり、中心部
がモータ１３の回転軸１３ａに接続されている。
このように構成された気相成長装置によって第２図に示
すように半導体ウェハ２に生成膜１４を形成するには、
モータ１３によってステージ１１を回転させることによ
り行われる。
すように半導体ウェハ２に生成膜１４を形成するには、
モータ１３によってステージ１１を回転させることによ
り行われる。
したがって、本実施例においては、ステージ１１が回転
すると、半導体ウェハ２の主面上で反応ガスが拡散し、
生成膜１４の形成時に均一な膜厚を得ることができる。
すると、半導体ウェハ２の主面上で反応ガスが拡散し、
生成膜１４の形成時に均一な膜厚を得ることができる。
すなわち、ステージ１１の回転によって半導体ウェハ２
の主面各部においては、反応ガスの供給量が路間−にな
る。
の主面各部においては、反応ガスの供給量が路間−にな
る。
なお、本実施例においては、ステージ１１の中心部にモ
ータ１３の回転軸１３ａを接続する例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、ステージ１１の中
心部から偏心した位置に回転軸１３ａを接続して偏心回
転させてもよい。この場合、ガス流れ方向の不均一性、
ガス噴出ヘッド７とステージ１１間の距離変更に対応さ
せ、ステージ１１に対する回転軸１３ａの偏心位置を変
更する。
ータ１３の回転軸１３ａを接続する例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、ステージ１１の中
心部から偏心した位置に回転軸１３ａを接続して偏心回
転させてもよい。この場合、ガス流れ方向の不均一性、
ガス噴出ヘッド７とステージ１１間の距離変更に対応さ
せ、ステージ１１に対する回転軸１３ａの偏心位置を変
更する。
また、本発明においては、生成膜の成長速度に応じてス
テージ１１の回転速度を変更することは自由である。
テージ１１の回転速度を変更することは自由である。
以上説明したように本発明によれば、処理容器内の半導
体ウェハを保持する加熱ステージを、回転速度が可変可
能な回転体によって構成したので、半導体ウェハに対す
る膜の形成が加熱ステージを回転させることにより行わ
れる。したがって、生成膜の形成時に半導体ウェハの主
面上で反応ガスが拡散して均一な膜厚を得ることができ
るがら、ウェハ処理上の信頼性を向上させることができ
る。
体ウェハを保持する加熱ステージを、回転速度が可変可
能な回転体によって構成したので、半導体ウェハに対す
る膜の形成が加熱ステージを回転させることにより行わ
れる。したがって、生成膜の形成時に半導体ウェハの主
面上で反応ガスが拡散して均一な膜厚を得ることができ
るがら、ウェハ処理上の信頼性を向上させることができ
る。
第１図は本発明に係る気相成長装置を示す断面図、第２
図は同じく気相成長装置によって形成される生成膜の分
布状態を示す断面図、第３図は従来の気相成長装置を示
す断面図、第４図はその気相成長装置によって形成され
る生成膜の分布状態を示す断面図である。 １・・・・気密容器、２・・・・半導体ウエノ＼、３・
・・・処理室、１１・・・・ステージ、１２・・・・ヒ
ータ。 代 理 人 大岩増雄
図は同じく気相成長装置によって形成される生成膜の分
布状態を示す断面図、第３図は従来の気相成長装置を示
す断面図、第４図はその気相成長装置によって形成され
る生成膜の分布状態を示す断面図である。 １・・・・気密容器、２・・・・半導体ウエノ＼、３・
・・・処理室、１１・・・・ステージ、１２・・・・ヒ
ータ。 代 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- 処理容器内の半導体ウェハを保持する加熱ステージを備
えた気相成長装置において、前記加熱ステージを回転速
度が可変可能な回転体によって構成したことを特徴とす
る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890389A JPH02208926A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890389A JPH02208926A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208926A true JPH02208926A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12261370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2890389A Pending JPH02208926A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02208926A (ja) |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP2890389A patent/JPH02208926A/ja active Pending
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