JPH02209748A - 基板劈開装置 - Google Patents
基板劈開装置Info
- Publication number
- JPH02209748A JPH02209748A JP1030605A JP3060589A JPH02209748A JP H02209748 A JPH02209748 A JP H02209748A JP 1030605 A JP1030605 A JP 1030605A JP 3060589 A JP3060589 A JP 3060589A JP H02209748 A JPH02209748 A JP H02209748A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- shock
- target point
- substrate
- axis direction
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコンウェハ等の基板を襞間する基板襞
間装置に関するものである。
間装置に関するものである。
第３図は従来の基板襞間方法を説明するための図である
。図において、１は基板としてのシリコンウェハ、２は
シリコンウェハ１の劈開目標点、１０はシリコンウェハ
ｌを襞間するためのダイヤモンドカッター １１はシリ
コンウェハ１の結晶軸方向をそれぞれ示す。
。図において、１は基板としてのシリコンウェハ、２は
シリコンウェハ１の劈開目標点、１０はシリコンウェハ
ｌを襞間するためのダイヤモンドカッター １１はシリ
コンウェハ１の結晶軸方向をそれぞれ示す。
次に従来の基板襞間方法について説明する。まず、シリ
コンウェハｌが襞間し易い結晶軸方向１１を顕微鏡など
により見つける。次に劈開目標点２を含む結晶軸方向線
１２を見つけ、その−点上にダイヤモンドカッター１０
をあてがって押圧し、結晶軸方向１１に対して移動させ
る。これによって、劈開目標点２におけるシリコンウェ
ハ１の襞間断面を作成することができる。
コンウェハｌが襞間し易い結晶軸方向１１を顕微鏡など
により見つける。次に劈開目標点２を含む結晶軸方向線
１２を見つけ、その−点上にダイヤモンドカッター１０
をあてがって押圧し、結晶軸方向１１に対して移動させ
る。これによって、劈開目標点２におけるシリコンウェ
ハ１の襞間断面を作成することができる。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、シリコンウェハｌの劈開目標点２が例えば直
径１μ程度である場合、従来の基板襞間方法では、シリ
コンウェハｌを襞間するのにダイヤモンドカッター１０
を用い、そのダイヤモンドカッター１０の先が０．５〜
１．０ｍｍ程度の直径を持つため、基板襞間の精度上に
問題があり、また、ダイヤモンドカッター１０に力を加
えるのが人間の手によるものであるため、力の方向及び
強度が不安定となり、シリコンウェハ１を正しい結晶軸
方向１１に対して襞間することができないという問題点
があった。
径１μ程度である場合、従来の基板襞間方法では、シリ
コンウェハｌを襞間するのにダイヤモンドカッター１０
を用い、そのダイヤモンドカッター１０の先が０．５〜
１．０ｍｍ程度の直径を持つため、基板襞間の精度上に
問題があり、また、ダイヤモンドカッター１０に力を加
えるのが人間の手によるものであるため、力の方向及び
強度が不安定となり、シリコンウェハ１を正しい結晶軸
方向１１に対して襞間することができないという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、基板の結晶軸方向を精度良く見付は出し、適
切な方向に対して精度良く一定強度で基板に対して力を
加え、劈開目標点において基板を精度良く襞間すること
ができる基板襞間装置を提供することを目的とする。
たもので、基板の結晶軸方向を精度良く見付は出し、適
切な方向に対して精度良く一定強度で基板に対して力を
加え、劈開目標点において基板を精度良く襞間すること
ができる基板襞間装置を提供することを目的とする。
この発明に係る基板壁間装置は、基板（シリコンウェハ
１）の結晶軸方向１１を検出するための結晶軸方向検出
手段（オリフラ検出器９及び顕微鏡７）と、その検出さ
れた結晶軸方向１１で基板（シリコンウェハｌ）の劈開
目標点２を含む結晶軸方向線１２に対して一定強度で特
定方向に衝撃を与えるための押圧端子４と、この押圧端
子４に衝撃を与える衝撃発信源５とを備えたことを特徴
とするものである。
１）の結晶軸方向１１を検出するための結晶軸方向検出
手段（オリフラ検出器９及び顕微鏡７）と、その検出さ
れた結晶軸方向１１で基板（シリコンウェハｌ）の劈開
目標点２を含む結晶軸方向線１２に対して一定強度で特
定方向に衝撃を与えるための押圧端子４と、この押圧端
子４に衝撃を与える衝撃発信源５とを備えたことを特徴
とするものである。
〔作用〕
基板（シリコンウェハ１）には、結晶軸方向検出手段（
オリフラ検出器９及び顕微鏡７）で検出された結晶軸方
向１１の劈開目標点２を含む結晶軸方向線１２に対して
衝撃発信源５からの衝撃が押圧端子４によって一定強度
で特定方向に与えられる。したがって、基板（シリコン
ウェハ１）は劈開目標点２を含む結晶軸方向線１２で襞
間される。
オリフラ検出器９及び顕微鏡７）で検出された結晶軸方
向１１の劈開目標点２を含む結晶軸方向線１２に対して
衝撃発信源５からの衝撃が押圧端子４によって一定強度
で特定方向に与えられる。したがって、基板（シリコン
ウェハ１）は劈開目標点２を含む結晶軸方向線１２で襞
間される。
第１図はこの発明の一実施例に係る基板襞間装置の構成
図である。また、第２図はこの実施例による基板襞間方
法を説明するための図である。図において、１は基板と
してのシリコンウェハ、２はシリコンウェハ１の劈開目
標点、３はシリコンウェハ１への衝撃を吸収する衝撃吸
収材、４は検出された結晶軸方向１１でシリコンウェハ
１の劈開目標点２を含む結晶軸方向１２に対して一定強
度で特定方向に衝撃を与えるための押圧端子、５は押圧
端子４に衝撃を与える衝撃発信源、６はシリコンウェハ
１がセツティングされるステージ、６ａはステージ６を
制御するステージ制御系、７はシリコンウェハ１の結晶
軸方向１１を検出するための結晶軸方向検出手段として
の顕微鏡、８は押圧端子４を制御する端子制御系、９は
上記結晶軸方向検出手段としてのオリフラ検出器である
。
図である。また、第２図はこの実施例による基板襞間方
法を説明するための図である。図において、１は基板と
してのシリコンウェハ、２はシリコンウェハ１の劈開目
標点、３はシリコンウェハ１への衝撃を吸収する衝撃吸
収材、４は検出された結晶軸方向１１でシリコンウェハ
１の劈開目標点２を含む結晶軸方向１２に対して一定強
度で特定方向に衝撃を与えるための押圧端子、５は押圧
端子４に衝撃を与える衝撃発信源、６はシリコンウェハ
１がセツティングされるステージ、６ａはステージ６を
制御するステージ制御系、７はシリコンウェハ１の結晶
軸方向１１を検出するための結晶軸方向検出手段として
の顕微鏡、８は押圧端子４を制御する端子制御系、９は
上記結晶軸方向検出手段としてのオリフラ検出器である
。
なお、第２図において破線で示した押圧端子４はシリコ
ンウェハｌの裏面に位置する。
ンウェハｌの裏面に位置する。
次にこの実施例の動作について説明する。まず、シリコ
ンウェハｌはステージ６にセツティングされ、その後、
オリフラ検出器９及び顕微鏡７によってシリコンウェハ
ｌの結晶軸方向１１を検出する。次にステージ制御系６
ａ及び端子制御系８を用いて劈開目標点２を含む結晶軸
方向線１２上に押圧端子４をつき立てる。この際、ステ
ージ６をステージ制御系６ａの制御により上下動させる
。
ンウェハｌはステージ６にセツティングされ、その後、
オリフラ検出器９及び顕微鏡７によってシリコンウェハ
ｌの結晶軸方向１１を検出する。次にステージ制御系６
ａ及び端子制御系８を用いて劈開目標点２を含む結晶軸
方向線１２上に押圧端子４をつき立てる。この際、ステ
ージ６をステージ制御系６ａの制御により上下動させる
。
次に衝撃発信源５を用いて押圧端子４に衝撃を伝え、押
圧端子４を通してシリコンウェハ１を押圧しながら結晶
軸方向１１に対して力を加え、シリコンウェハ１を劈開
目標点２において襞間させる。
圧端子４を通してシリコンウェハ１を押圧しながら結晶
軸方向１１に対して力を加え、シリコンウェハ１を劈開
目標点２において襞間させる。
その衝撃は衝撃吸収材３によって効率良（吸収され、余
分な衝撃によるシリコンウェハのぶれ及び飛散を防止す
る。
分な衝撃によるシリコンウェハのぶれ及び飛散を防止す
る。
以上のように本発明によれば、基板には、結晶軸方向検
出手段で検出された結晶軸方向の劈開目標点を含む結晶
軸方向線に対して衝撃発信源からの衝撃が押圧端子によ
って一定強度で特定方向に与えられるように構成したの
で、基板を劈開目標点において精度良く襞間することが
できるという効果が得られる。
出手段で検出された結晶軸方向の劈開目標点を含む結晶
軸方向線に対して衝撃発信源からの衝撃が押圧端子によ
って一定強度で特定方向に与えられるように構成したの
で、基板を劈開目標点において精度良く襞間することが
できるという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例に係る基板襞間装置の構成
図、第２図はこの実施例による基板襞間方法を説明する
ための図、第３図は従来の基板襞間方法を説明するため
の図である。 ■・・・シリコンウェハ（基板）、２・・・劈開目標点
、４・・・押圧端子、５・・・衝撃発信源、７・・・顕
微鏡（結晶方向検出手段）、９・・・オリフラ検出器（
結晶方向検出手段）。 代理人 大 岩 増 １ｊ１（ほか２名）第１
図 １．シリコンウェハ 、２；Ｗ開目淳ム４；押、モ捕）
４５：衝撃発侶厖 ７： Ｒｆｆｉｑ 、 ８；Ｑｉｌｌ＠ｆｆｉらａ
：ステージ”佑り挿服 ３：檀丁シトロ及Ｎ又ラドｒ ら；ステージ゛ ９：オリフラＲ土器 第２図 第３図 粍晶粕古明 １２４５晶粕方朗俣
図、第２図はこの実施例による基板襞間方法を説明する
ための図、第３図は従来の基板襞間方法を説明するため
の図である。 ■・・・シリコンウェハ（基板）、２・・・劈開目標点
、４・・・押圧端子、５・・・衝撃発信源、７・・・顕
微鏡（結晶方向検出手段）、９・・・オリフラ検出器（
結晶方向検出手段）。 代理人 大 岩 増 １ｊ１（ほか２名）第１
図 １．シリコンウェハ 、２；Ｗ開目淳ム４；押、モ捕）
４５：衝撃発侶厖 ７： Ｒｆｆｉｑ 、 ８；Ｑｉｌｌ＠ｆｆｉらａ
：ステージ”佑り挿服 ３：檀丁シトロ及Ｎ又ラドｒ ら；ステージ゛ ９：オリフラＲ土器 第２図 第３図 粍晶粕古明 １２４５晶粕方朗俣
Claims (1)
- 基板の結晶軸方向を検出するための結晶軸方向検出手段
と、その検出された結晶軸方向で上記基板の劈開目標点
を含む結晶軸方向線に対して一定強度で特定方向に衝撃
を与えるための押圧端子と、この押圧端子に衝撃を与え
る衝撃発信源とを備えたことを特徴とする基板劈開装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030605A JPH02209748A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 基板劈開装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030605A JPH02209748A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 基板劈開装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209748A true JPH02209748A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12308504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030605A Pending JPH02209748A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 基板劈開装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322079A (en) * | 1991-09-27 | 1994-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate holding apparatus of a simple structure for holding a rotating substrate, and a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030605A patent/JPH02209748A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322079A (en) * | 1991-09-27 | 1994-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate holding apparatus of a simple structure for holding a rotating substrate, and a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus |
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