JPH02209794A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH02209794A JPH02209794A JP1030664A JP3066489A JPH02209794A JP H02209794 A JPH02209794 A JP H02209794A JP 1030664 A JP1030664 A JP 1030664A JP 3066489 A JP3066489 A JP 3066489A JP H02209794 A JPH02209794 A JP H02209794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- metal plate
- solvent
- mask
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 73
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 18
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 claims description 3
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 3
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 claims description 3
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 2
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 claims description 2
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical class CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N TEPP Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OP(=O)(OCC)OCC IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電気的絶縁性を有するセラミックス板上に金属
板を接合してなる放熱性、耐熱性に優れた回路基板の製
造方法の改良に関する。
板を接合してなる放熱性、耐熱性に優れた回路基板の製
造方法の改良に関する。
〈従来の技術〉
パワースイッチ、パワーの制御回路、モータの制御回路
、高周波発振出力、広帯域電力増幅などに用いられるパ
ワー半導体モジュールは、近年、高密度集積化、大電流
制御化の傾向にあり、それらモジュールに用いられる基
板には素子から出る多量の熱を速やかに放出する放熱性
とモジュールの高密度集積化に対応する導体回路パター
ンの微細化・高精度化が求められている。
、高周波発振出力、広帯域電力増幅などに用いられるパ
ワー半導体モジュールは、近年、高密度集積化、大電流
制御化の傾向にあり、それらモジュールに用いられる基
板には素子から出る多量の熱を速やかに放出する放熱性
とモジュールの高密度集積化に対応する導体回路パター
ンの微細化・高精度化が求められている。
従来このような半導体モジュール基板として、第3図に
示すように、電気的絶縁性を有するセラミックス板1の
1つの面に回路パターンを有する金属板2を接合し、そ
の上に素子4を搭載し、発生した熱を金属板2からセラ
ミックス板1を伝導させ他方の側に接合した金属板3を
介して放熱板5へと放散させる機構が用いられており、
例えば、金属板としてあらかじめ所要のパターンに切り
ぬかれた銅板を、絶縁性を有するセラミックスとして、
AILzO*を用いて加熱によりCu−0共晶を発生さ
せるいわゆる共晶法で接合したものが商品化されている
。
示すように、電気的絶縁性を有するセラミックス板1の
1つの面に回路パターンを有する金属板2を接合し、そ
の上に素子4を搭載し、発生した熱を金属板2からセラ
ミックス板1を伝導させ他方の側に接合した金属板3を
介して放熱板5へと放散させる機構が用いられており、
例えば、金属板としてあらかじめ所要のパターンに切り
ぬかれた銅板を、絶縁性を有するセラミックスとして、
AILzO*を用いて加熱によりCu−0共晶を発生さ
せるいわゆる共晶法で接合したものが商品化されている
。
このような、半導体モジュール基板の放熱性を改良する
手段としては、セラミックスの熱伝導性を向上させる傾
向にあり、AJ22 o、に替ってBeO,AβNなど
熱伝導率のより高い材料の使用が試みられている。 こ
のような新材料の中にはパターン化した銅板を、共晶法
により接合する方法を直接応用することがむずかしいも
のもあり、たとえば、AnNは熱伝導率こそBeOに劣
るものの、BeOのような毒性を心配する必要もなく、
期待される材料であるが、共晶法を応用するためには、
基板を予じめ酸化処理して表面にAJ2203層を形成
することが必要である。 そのため、Aj2Nについて
は、活性金属を含有するろう材を用いて銅板と接合する
方法が試みられている。
手段としては、セラミックスの熱伝導性を向上させる傾
向にあり、AJ22 o、に替ってBeO,AβNなど
熱伝導率のより高い材料の使用が試みられている。 こ
のような新材料の中にはパターン化した銅板を、共晶法
により接合する方法を直接応用することがむずかしいも
のもあり、たとえば、AnNは熱伝導率こそBeOに劣
るものの、BeOのような毒性を心配する必要もなく、
期待される材料であるが、共晶法を応用するためには、
基板を予じめ酸化処理して表面にAJ2203層を形成
することが必要である。 そのため、Aj2Nについて
は、活性金属を含有するろう材を用いて銅板と接合する
方法が試みられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
一方、導体回路パターンの微細化・高精度化を達成する
手段としては、金属板を接合した後にフォトエツチング
によりパターンを形成する方法がある。 この場合にエ
ツチングは接合層メタル部分および金属板を完全に除去
することが要求され、エツチング深さとしては金属板の
厚さ(通常は0.1〜0.4mm)に接合層厚さを加え
て0.1〜0.5mmにもおよぶため、エツチングが完
了するまでに、長時間を要する上、マスクしである部分
のふちだれ(サイドエッチ)、マスクの損傷などの問題
が生ずる可能性があり、また、このような片面エツチン
グの深ざ/巾(=d/w)はd/w<0.5であること
から、エツチングの巾は、接合する金属板厚さにより制
限を受け、たとえば金属板厚さ0.2mm、接合層厚さ
0.05mmのときエツチング可能な間隙の最小値は0
.5mmとなる。
手段としては、金属板を接合した後にフォトエツチング
によりパターンを形成する方法がある。 この場合にエ
ツチングは接合層メタル部分および金属板を完全に除去
することが要求され、エツチング深さとしては金属板の
厚さ(通常は0.1〜0.4mm)に接合層厚さを加え
て0.1〜0.5mmにもおよぶため、エツチングが完
了するまでに、長時間を要する上、マスクしである部分
のふちだれ(サイドエッチ)、マスクの損傷などの問題
が生ずる可能性があり、また、このような片面エツチン
グの深ざ/巾(=d/w)はd/w<0.5であること
から、エツチングの巾は、接合する金属板厚さにより制
限を受け、たとえば金属板厚さ0.2mm、接合層厚さ
0.05mmのときエツチング可能な間隙の最小値は0
.5mmとなる。
さらに、金属板の接合方法として、上述の活性金属を含
有するろう材を用いて行った場合に、フォトエツチング
により金属板部分を除去しパターンを形成するこの従来
方法は金属板とろう材部分とで腐食用溶媒を変える必要
があり、工程が複雑になる、活性金属がセラミックスと
安定な化合物を生成しエツチングの負荷が大きくなるな
どの問題が発生する。
有するろう材を用いて行った場合に、フォトエツチング
により金属板部分を除去しパターンを形成するこの従来
方法は金属板とろう材部分とで腐食用溶媒を変える必要
があり、工程が複雑になる、活性金属がセラミックスと
安定な化合物を生成しエツチングの負荷が大きくなるな
どの問題が発生する。
たとえば、AjZNセラミックスに銅板を活性金属とし
てTiを含むAg−Cuろう材で接合してなる基板は、
銅板のエツチングに用いた塩化鉄系腐食用溶媒ではろう
材部分の完全な除去は行われず、硝酸系に液を改める必
要がある。 またこの時、AflNとろう材の界面には
導電性を有して、しかも安定な化合物(TiN)が形成
され、その完全な除去には硝ぶつ酸などかなり活性の高
い腐食用溶媒を使用しなければならない。
てTiを含むAg−Cuろう材で接合してなる基板は、
銅板のエツチングに用いた塩化鉄系腐食用溶媒ではろう
材部分の完全な除去は行われず、硝酸系に液を改める必
要がある。 またこの時、AflNとろう材の界面には
導電性を有して、しかも安定な化合物(TiN)が形成
され、その完全な除去には硝ぶつ酸などかなり活性の高
い腐食用溶媒を使用しなければならない。
本発明は、セラミックス板に接合された金属板を、エツ
チングして導体回路パターンを形成する場合に従来のフ
ォトエツチングプロセスで生じる上述した問題を解決し
ようとするものであり、セラミックス板と金属板との接
合を活性金属を含むろう材で行ったとしても、そしてそ
の厚みが厚くなってもエツチング操作が簡潔で、エツチ
ング精度を向上させることのできる特に大電力用の回路
基板の製造方法を提供することを目的とする。
チングして導体回路パターンを形成する場合に従来のフ
ォトエツチングプロセスで生じる上述した問題を解決し
ようとするものであり、セラミックス板と金属板との接
合を活性金属を含むろう材で行ったとしても、そしてそ
の厚みが厚くなってもエツチング操作が簡潔で、エツチ
ング精度を向上させることのできる特に大電力用の回路
基板の製造方法を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
以上のような問題点を解決するためには、■ 金属板お
よび接合部また活性金属を含有するろう材を用いた場合
のろう材および活性金属とセラミックスが反応してでき
た化合物の全てに対し有効であり、かつ常に活性な腐食
用溶媒を用いてエツチングすること、 ■ 加圧、揺動、電圧印加(電解)など、腐食を促進す
るような補助手段を用いてエツチングの速度を高めるこ
と、 ■ マスクの材質および装着方法を活性な腐食用溶媒と
腐食促進手段に耐えられるような構造にすることの3点
が必要である。
よび接合部また活性金属を含有するろう材を用いた場合
のろう材および活性金属とセラミックスが反応してでき
た化合物の全てに対し有効であり、かつ常に活性な腐食
用溶媒を用いてエツチングすること、 ■ 加圧、揺動、電圧印加(電解)など、腐食を促進す
るような補助手段を用いてエツチングの速度を高めるこ
と、 ■ マスクの材質および装着方法を活性な腐食用溶媒と
腐食促進手段に耐えられるような構造にすることの3点
が必要である。
本発明によれば、このような条件を満たすものとして、
電気的絶縁性を有するセラミックス板の少なくとも片側
に金属板を接合してなる積層体で構成され、該金属板上
に導体回路パターンを有する回路基板を製造するに際し
、前記金属板表面に電気的絶縁性を有し、腐食用溶媒と
反応しない物質で構成されかつ前記回路パターンに対応
するエツチングされるべき41 a付マスクを密接させ
、該金属板上に前記マスクの模様を介してペースト化し
た腐食用溶媒を塗布し、さらに前記腐食用溶媒の塗布面
に電極を設置したのち、前記電極と金属板との間に前記
腐食用溶媒を介して電流を通じて電解エツチングする工
程と次いで電解エツチングに供した腐食用溶媒を除去す
る工程とのサイクルを繰り返し行い、該金属板を前記マ
スクの模様に応じて蝕刻して前記絶縁性セラミックス板
上に導体回路パターンを形成することを特徴とする回路
基板の製造方法が提供され゛る。
電気的絶縁性を有するセラミックス板の少なくとも片側
に金属板を接合してなる積層体で構成され、該金属板上
に導体回路パターンを有する回路基板を製造するに際し
、前記金属板表面に電気的絶縁性を有し、腐食用溶媒と
反応しない物質で構成されかつ前記回路パターンに対応
するエツチングされるべき41 a付マスクを密接させ
、該金属板上に前記マスクの模様を介してペースト化し
た腐食用溶媒を塗布し、さらに前記腐食用溶媒の塗布面
に電極を設置したのち、前記電極と金属板との間に前記
腐食用溶媒を介して電流を通じて電解エツチングする工
程と次いで電解エツチングに供した腐食用溶媒を除去す
る工程とのサイクルを繰り返し行い、該金属板を前記マ
スクの模様に応じて蝕刻して前記絶縁性セラミックス板
上に導体回路パターンを形成することを特徴とする回路
基板の製造方法が提供され゛る。
そして、前記セラミックス板と前記金属板との接合は、
活性金属を含むろう材を用いて真空または不活性雰囲気
中で行うのがよい。
活性金属を含むろう材を用いて真空または不活性雰囲気
中で行うのがよい。
前記ペースト化腐食用溶媒が、硝酸、硫酸、塩酸および
ふつ酸から選ばれた少なくとも1種の酸、および/また
は、塩化第2鉄および塩化第2銅から選ばれた少なくと
も1種の塩類を単独または混合したものに、水あるいは
ポリアクリル酸ソーダ、アルギン酸ソーダ、ザンサンガ
ム、二酸化ケイ素、アルミナおよび水ガラスから選ばれ
た少なくとも1種のペースト化剤を加えてなるペースト
であるのが好ましい。
ふつ酸から選ばれた少なくとも1種の酸、および/また
は、塩化第2鉄および塩化第2銅から選ばれた少なくと
も1種の塩類を単独または混合したものに、水あるいは
ポリアクリル酸ソーダ、アルギン酸ソーダ、ザンサンガ
ム、二酸化ケイ素、アルミナおよび水ガラスから選ばれ
た少なくとも1種のペースト化剤を加えてなるペースト
であるのが好ましい。
また、前記電解エツチングは、直流または交番電流で行
なうことができる。
なうことができる。
以下に本発明を添付の図面を参照しながらさらに詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明による方法で、上記の絶縁性を有するセ
ラミックス板1に金属板2および3を接合してなる積層
体の金属板をエツチングして導体回路パターンを形成し
ているところを示す図である。 エツチングされる金属
板2の表面に、エツチングされるべきパターン(模様)
すなわち、腐食用溶媒透過部分11aおよび不透過部分
子ibを有するマスク11を密接させ、このマスクを介
して、ペースト化した腐食用溶媒7を塗布している。
6はマスクの固定枠である。
ラミックス板1に金属板2および3を接合してなる積層
体の金属板をエツチングして導体回路パターンを形成し
ているところを示す図である。 エツチングされる金属
板2の表面に、エツチングされるべきパターン(模様)
すなわち、腐食用溶媒透過部分11aおよび不透過部分
子ibを有するマスク11を密接させ、このマスクを介
して、ペースト化した腐食用溶媒7を塗布している。
6はマスクの固定枠である。
さらに、腐食用溶媒7の塗布面に通電可能なように電極
8が設置され、電極8および金属板2ともにそれぞれリ
ード線9を介して電解用電源10に接続され、この電極
8と金属板2との間に、マスク11の透過部分11aを
透過した腐食用溶媒7を介して電流を通じることにより
、金属板2の中でマスク11のエツチングすべき部分1
1aを介して、腐食用溶媒7・と接している部分のみが
電解エツチングされる。
8が設置され、電極8および金属板2ともにそれぞれリ
ード線9を介して電解用電源10に接続され、この電極
8と金属板2との間に、マスク11の透過部分11aを
透過した腐食用溶媒7を介して電流を通じることにより
、金属板2の中でマスク11のエツチングすべき部分1
1aを介して、腐食用溶媒7・と接している部分のみが
電解エツチングされる。
本発明において、この電流を通ずる工程と、電解エツチ
ングを行ったことによって、活性の小さくなった腐食用
溶媒を吸引などの方法により除去する工程、さらに電解
エツチングが必要な場合、再びマスクを介して腐食用溶
媒7を塗・布し電流を通ずる工程を繰り返し行う。
ングを行ったことによって、活性の小さくなった腐食用
溶媒を吸引などの方法により除去する工程、さらに電解
エツチングが必要な場合、再びマスクを介して腐食用溶
媒7を塗・布し電流を通ずる工程を繰り返し行う。
前記工程の繰り返しにより活性の小さ(なった溶媒を除
去し、常に新しい腐食用溶媒を用いることができるため
、サイドエッチ、腐食用溶媒の残渣によるマスク部への
浸出およびマスク透過部の目詰り等を防ぐことができる
。
去し、常に新しい腐食用溶媒を用いることができるため
、サイドエッチ、腐食用溶媒の残渣によるマスク部への
浸出およびマスク透過部の目詰り等を防ぐことができる
。
特にエツチングすべき深さが深いのに比してエツチング
の巾が細いとき、セラミックス板1と金属板2あるいは
3との接合面が厚いとき、あるいはペースト化した腐食
用溶媒7の粘度が大きい場合等には、活性の大きい腐食
用溶媒を用いることは必須であるため、この工程は特に
有効である。
の巾が細いとき、セラミックス板1と金属板2あるいは
3との接合面が厚いとき、あるいはペースト化した腐食
用溶媒7の粘度が大きい場合等には、活性の大きい腐食
用溶媒を用いることは必須であるため、この工程は特に
有効である。
この除去方法は、−成約な方法で行えばよく、例えば吸
引除去方法としてアスピレータ−真空ポンプなどを用い
てマスクの上からノズルより吸い込む方法等が良く、こ
の時ノズルはマスクを傷めないような形状、例えば、エ
ツチングすべき面およびマスクと平行に、エツチング而
全体を吸引できるような形状が好ましい。
引除去方法としてアスピレータ−真空ポンプなどを用い
てマスクの上からノズルより吸い込む方法等が良く、こ
の時ノズルはマスクを傷めないような形状、例えば、エ
ツチングすべき面およびマスクと平行に、エツチング而
全体を吸引できるような形状が好ましい。
また、腐食用溶媒は、マスクの種類に応じ、スクリーン
等のように、メツシュを介して腐食用溶媒ペーストがエ
ツチング面に接する場合は、メツシュの目詰まりを、ま
た、シールテープ等のように腐食用溶媒ペーストが直接
エツチング面に接する場合は、エツチング間隙に生成す
る固形物の有無を目安として、1〜2回/電解時間5分
で交換するのが良い。
等のように、メツシュを介して腐食用溶媒ペーストがエ
ツチング面に接する場合は、メツシュの目詰まりを、ま
た、シールテープ等のように腐食用溶媒ペーストが直接
エツチング面に接する場合は、エツチング間隙に生成す
る固形物の有無を目安として、1〜2回/電解時間5分
で交換するのが良い。
また、本発明において前記セラミックス板1と金属板2
.3との接合は、−aに用いられているAg−Cu系の
ろう材を用いてもよいが、Ti、Zr、Hfなどのセラ
ミックスとの結合を促進する活性金属を含むAg−Cu
系のろう材を用いてもよい。 本発明は特に活性金属を
含むろう材を用いて接合した積層体をエツチングするの
に好適である。
.3との接合は、−aに用いられているAg−Cu系の
ろう材を用いてもよいが、Ti、Zr、Hfなどのセラ
ミックスとの結合を促進する活性金属を含むAg−Cu
系のろう材を用いてもよい。 本発明は特に活性金属を
含むろう材を用いて接合した積層体をエツチングするの
に好適である。
セラミックス板と金属板との接合を行なうときには、酸
化を防止するためAr、He、N2などの不活性”JW
気を用いるのがよい。 また真空を用いてもよい。
化を防止するためAr、He、N2などの不活性”JW
気を用いるのがよい。 また真空を用いてもよい。
このエツチングされるべき模様を有するマスク11は電
気的絶縁性を有し腐食用溶媒と反応しない物質で構成さ
れていれば、スクリーン、ポジ型、ネガ型フォトマスク
、あるいはフィルム等でもよい。 さらに具体的には、
通常のスクリーン印刷に使用される様なナイロン、テト
ロン、ポリモスチル等のスクリーン上にレジストを印刷
したものでも、ナイロン、塩ビ、テフロン、ステンレス
等のシートを印刻したものでも良い。 ただし、ステン
レスのスクリーンを使用する場合、適当な防食コーティ
ングを施す必要がある。 このマスク11は適当な固定
枠6に固定され、たわみなく、マスク自体に適度な弾性
をもって、エツチングされる金属板表面に密着できるも
のであることが望ましい。
気的絶縁性を有し腐食用溶媒と反応しない物質で構成さ
れていれば、スクリーン、ポジ型、ネガ型フォトマスク
、あるいはフィルム等でもよい。 さらに具体的には、
通常のスクリーン印刷に使用される様なナイロン、テト
ロン、ポリモスチル等のスクリーン上にレジストを印刷
したものでも、ナイロン、塩ビ、テフロン、ステンレス
等のシートを印刻したものでも良い。 ただし、ステン
レスのスクリーンを使用する場合、適当な防食コーティ
ングを施す必要がある。 このマスク11は適当な固定
枠6に固定され、たわみなく、マスク自体に適度な弾性
をもって、エツチングされる金属板表面に密着できるも
のであることが望ましい。
また、このペースト化した腐食用溶媒としては、硝酸、
硫酸、塩酸、ぶつ酸等の酸および/または塩化第2鉄、
塩化第2銅の塩類を単独または混合したものに、水を加
えてペースト化されるものは勿論、さらにポリアクリル
酸ソーダ、ザンサンガム、あるいは二酸化ケイ素、アル
ミナ、水ガラス等のようなペースト化剤を加えて成るペ
ーストであればどのような方法で製造されたものでも用
いることがで包る。
硫酸、塩酸、ぶつ酸等の酸および/または塩化第2鉄、
塩化第2銅の塩類を単独または混合したものに、水を加
えてペースト化されるものは勿論、さらにポリアクリル
酸ソーダ、ザンサンガム、あるいは二酸化ケイ素、アル
ミナ、水ガラス等のようなペースト化剤を加えて成るペ
ーストであればどのような方法で製造されたものでも用
いることがで包る。
このように腐食用溶媒をペースト化することにより、そ
の流動性や反応性を適宜調整することができる。 かく
してエツチングに際して、従来技術のように特に、被g
Q理材の表面に密着したフォトレジスト層を設けなくと
も、蝕刻用模様付きマスクを密接させるという簡便な方
法によって、サイドエッチのない鮮明なエツチング模様
を得ることができる。
の流動性や反応性を適宜調整することができる。 かく
してエツチングに際して、従来技術のように特に、被g
Q理材の表面に密着したフォトレジスト層を設けなくと
も、蝕刻用模様付きマスクを密接させるという簡便な方
法によって、サイドエッチのない鮮明なエツチング模様
を得ることができる。
かかるペースト化による腐食用溶媒の反応性や流動性は
、被処理材の材質、使用するマスクの材質、模様の大き
さや要求される精度、マスクのメツシュ間隔、処理時間
、被処理方法(連続処理、バッチ処理等)等に応じて、
適宜選択することができる。
、被処理材の材質、使用するマスクの材質、模様の大き
さや要求される精度、マスクのメツシュ間隔、処理時間
、被処理方法(連続処理、バッチ処理等)等に応じて、
適宜選択することができる。
しかし、活性金属を含むろう材を用いて接合するときに
は、硝酸、硝ぶつ酸などを含むペースト状腐食用溶媒を
用いるのがよい。
は、硝酸、硝ぶつ酸などを含むペースト状腐食用溶媒を
用いるのがよい。
また、ペーストの粘度は5000〜50000cps程
度にしておくのがよい。
度にしておくのがよい。
なお、電極は固定式でも移動式でもよい。
第2図に本発明により製造された回路基板を示す。
電極には銅、ニッケル、ステンレス鋼、普通鋼、チタン
その他の金属のほかに、カーボン、導電性セラミックス
等を使用することができ、形状も被処理材の形状にあわ
せて任意に選択できる。
その他の金属のほかに、カーボン、導電性セラミックス
等を使用することができ、形状も被処理材の形状にあわ
せて任意に選択できる。
電源には、通常のメツキ電源、ポテンショスタット、ガ
ルバノスタット等を用いることができ、目的に応じて選
択できる。
ルバノスタット等を用いることができ、目的に応じて選
択できる。
その際極性、通電パターンは、金属板や腐食、溶媒によ
り適宜選択すればよいが、交番電流を印加するとサイド
エツチング防止に効果がある場合がある。 直流電解を
行う場合には、エツチングされる金属板を陽極、対極を
陰極とするのが良い。
り適宜選択すればよいが、交番電流を印加するとサイド
エツチング防止に効果がある場合がある。 直流電解を
行う場合には、エツチングされる金属板を陽極、対極を
陰極とするのが良い。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
(実施例1)
セラミックス板としてアルミナ(厚さ0.635mm、
直径20 mm)を用い、金属板として銅板(厚さ0.
3mm、直径20 mm)を用い、共晶法により107
0℃に加熱接合して積層体を得た。
直径20 mm)を用い、金属板として銅板(厚さ0.
3mm、直径20 mm)を用い、共晶法により107
0℃に加熱接合して積層体を得た。
この積層体を下記組成の従来のエツチングおよび本発明
におけるペーストを用いて長さ10mm、幅0.2mm
の十字形状にエツチングした。 なお、エツチング液は
、電解時間5分に対し、1回を基準に3回除去して新し
いエツチング液と交換した。 結果を表1に示す。
におけるペーストを用いて長さ10mm、幅0.2mm
の十字形状にエツチングした。 なお、エツチング液は
、電解時間5分に対し、1回を基準に3回除去して新し
いエツチング液と交換した。 結果を表1に示す。
(1)従来のエツチング液の組成
20重量%塩化第2鉄水溶液
(2)本発明におけるペーストの組成
20重量%塩化第2鉄水溶液
+3重量ポリアクリル酸ソーダ水溶液
ベーストを用いたときの電解条件
電 流 200mA
電 圧 4v
電解時間 15分
エツチング液の交換回数
3回(1回15分)
(比較例1)
従来のエツチング液で浸漬によりエツチングを行った。
結果を表1に示す。
表 1
(実施例2)
セラミックス板として窒化アルミニウム(Aj!N)(
厚さ0.835 m m 、直径20 mm)を用い、
金属板として銅板(厚さ0.2mm、直径20 mm)
を用い、ろう材として活性金属Tiを1重量%を含むA
g−Cuろう材を用いて接合し、積層体を得た。 接合
の条件は以下の通りである。
厚さ0.835 m m 、直径20 mm)を用い、
金属板として銅板(厚さ0.2mm、直径20 mm)
を用い、ろう材として活性金属Tiを1重量%を含むA
g−Cuろう材を用いて接合し、積層体を得た。 接合
の条件は以下の通りである。
真空炉にて 800℃ 1分
この積層体を下記組成の従来のエツチング液および本発
明におけるペーストを用いて長さ20mm、幅0.2m
mの十字形状をエツチングした。 結果を表2に示す。
明におけるペーストを用いて長さ20mm、幅0.2m
mの十字形状をエツチングした。 結果を表2に示す。
(1)従来のエツチング液の組成
15重量%HNO! +2重量%)IF(2)本発明に
おけるペーストの組成 15重1%HNO,+2重量%HF +10重量%アエロジル ペーストを用いたときの電解条件 電 流 200mA 電 圧 4■ 電解時間 15分 エツチング交換回数 3回(1回15分) (比較例2) 従来のエツチング液でエツチングを行った。 結果を表
2に示す。
おけるペーストの組成 15重1%HNO,+2重量%HF +10重量%アエロジル ペーストを用いたときの電解条件 電 流 200mA 電 圧 4■ 電解時間 15分 エツチング交換回数 3回(1回15分) (比較例2) 従来のエツチング液でエツチングを行った。 結果を表
2に示す。
表 2
〈発明の効果〉
本発明においては、エツチング剤としてペーストを用い
るので従来のような腐食用溶媒におけるような操作性の
悪さが解決され、工程が簡潔になる。
るので従来のような腐食用溶媒におけるような操作性の
悪さが解決され、工程が簡潔になる。
また、常に活性の大きいエツチング液を用いることでサ
イドエッチ、マスク部内への浸出およびマスク透過部の
目詰り等を防ぐことができる。
イドエッチ、マスク部内への浸出およびマスク透過部の
目詰り等を防ぐことができる。
さらに、セラミックス板と金属材との接合強度が大とな
る活性金属を含むろう材を用いたために、エツチングの
負荷が増大しても、エツチング精度およびエツチング操
作性を損なわずにすむ。
る活性金属を含むろう材を用いたために、エツチングの
負荷が増大しても、エツチング精度およびエツチング操
作性を損なわずにすむ。
第1図は本発明による方法で、セラミックス板に接合さ
れた金属板にエツチングする方法の一例を示す説明図で
ある。 第2図は本発明による方法で製造された回路基板を示す
断面図である。 第3図は従来使用されていた半導体モジュール基板を示
す断面図である。 符号の説明 1・・・絶縁性を有するセラミックス板、2・・・回路
パターンを有する金属板、3・・・金属板、 4・・・素子、 5・・・放熱板、 6・・・マスク固定枠、 7・・・ペースト化した腐食用溶媒、 8・・・電極、 9・・・リード線、 10・・・電源、 11・・・マスク、 11a・・・腐食用溶媒透過部分、 11b・・・腐食用溶媒不透過部分 FIG FIG。
れた金属板にエツチングする方法の一例を示す説明図で
ある。 第2図は本発明による方法で製造された回路基板を示す
断面図である。 第3図は従来使用されていた半導体モジュール基板を示
す断面図である。 符号の説明 1・・・絶縁性を有するセラミックス板、2・・・回路
パターンを有する金属板、3・・・金属板、 4・・・素子、 5・・・放熱板、 6・・・マスク固定枠、 7・・・ペースト化した腐食用溶媒、 8・・・電極、 9・・・リード線、 10・・・電源、 11・・・マスク、 11a・・・腐食用溶媒透過部分、 11b・・・腐食用溶媒不透過部分 FIG FIG。
Claims (4)
- (1)電気的絶縁性を有するセラミックス板の少なくと
も片側に金属板を接合してなる積層体で構成され、該金
属板上に導体回路パターンを有する回路基板を製造する
に際し、前記金属板表面に電気的絶縁性を有し、腐食用
溶媒と反応しない物質で構成されかつ前記回路パターン
に対応するエッチングされるべき模様付マスクを密接さ
せ、該金属板上に前記マスクの模様を介してペースト化
した腐食用溶媒を塗布し、さらに前記腐食用溶媒の塗布
面に電極を設置したのち、前記電極と金属板との間に前
記腐食用溶媒を介して電流を通じて電解エッチングする
工程と次いで電解エッチングに供した腐食用溶媒を除去
する工程とのサイクルを繰り返し行い、該金属板を前記
マスクの模様に応じて蝕刻して前記絶縁性セラミックス
板上に導体回路パターンを形成することを特徴とする回
路基板の製造方法。 - (2)前記セラミックス板と前記金属板との接合は、活
性金属を含むろう材を用いて真空または不活性雰囲気中
で行う請求項1に記載の回路基板の製造方法。 - (3)前記ペースト化腐食用溶媒が、硝酸、硫酸、塩酸
およびふっ酸から選ばれた少なくとも1種の酸、および
/または、塩化第2鉄および塩化第2銅から選ばれた少
なくとも1種の塩類を単独または混合したものに、水あ
るいはポリアクリル酸ソーダ、アルギン酸ソーダ、ザン
サンガム、二酸化ケイ素、アルミナおよび水ガラスから
選ばれた少なくとも1種のペースト化剤を加えてなるペ
ーストである請求項1または2に記載の回路基板の製造
方法。 - (4)前記電解エッチングは、直流または交番電流で行
なう請求項1〜3のいずれかに記載の回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030664A JPH02209794A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030664A JPH02209794A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209794A true JPH02209794A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12310009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030664A Pending JPH02209794A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209794A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628775Y2 (ja) * | 1978-07-27 | 1987-02-28 | ||
| JPS6270861U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-06 | ||
| JPS633816U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-12 | ||
| JPS63147462A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 岡田 礼一 | 床擦れ防止用マツト |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030664A patent/JPH02209794A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628775Y2 (ja) * | 1978-07-27 | 1987-02-28 | ||
| JPS6270861U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-06 | ||
| JPS633816U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-12 | ||
| JPS63147462A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 岡田 礼一 | 床擦れ防止用マツト |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3211856B2 (ja) | 回路基板 | |
| CN108541149B (zh) | 金属/陶瓷电路板的制造方法 | |
| JP4811756B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
| JPS644668B2 (ja) | ||
| CN106328543A (zh) | 金属‑陶瓷复合衬底的制造方法及其制造的复合衬底 | |
| CN108040435B (zh) | 一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法 | |
| JP5741971B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
| JP2003060111A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP3449458B2 (ja) | 回路基板 | |
| WO2019054291A1 (ja) | 活性金属ろう材用エッチング液およびそれを用いたセラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP2004172182A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JP4703377B2 (ja) | 段差回路基板、その製造方法およびそれを用いた電力制御部品。 | |
| JPH02209794A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH02209795A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH02209792A (ja) | セラミックス基板上の導体回路形成方法 | |
| JPH02209789A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH02209756A (ja) | セラミックス基板上の導体回路形成方法 | |
| JPH02209790A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2024081801A (ja) | 金属セラミック基板のパターニング方法及びパターニングされた金属セラミック基板 | |
| JPH02209791A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH10251878A (ja) | 塩化銀除去剤 | |
| JPH02209793A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2011211217A (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
| JPH04322491A (ja) | セラミックス回路基板の製造法 | |
| JPH11322455A (ja) | セラミックス/金属接合体およびその製造方法 |