JPH02210614A

JPH02210614A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH02210614A
Application number: JP3079089A
Authority: JP
Inventors: Michihide Ozawa; 道秀小沢; Masami Yamashita; 正己山下; Akira Nitta; 新田　彰
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 1989-02-09
Filing date: 1989-02-09
Publication date: 1990-08-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープなどの
磁気記録媒体に関する。

（従来の技術）最近、磁気記録媒体器ごおける記録密度の高密度化の要
望に応じるために垂直磁気異方性を有する磁気薄膜に垂
直磁気記録を行なう方法が検討され、高い記録密度が得
られている。

垂直磁気異方性を有する磁気薄膜としてはスパンタリン
グ法または真空蒸着法によるコバルト・クロム合金、コ
バルト・クロム・白金合金（特開昭５９−１１６０５号
公報）等の合金磁気薄膜が知られている。

本発明者らは、先にこれらの合金磁気薄膜のうち、垂直
抗磁力をとくに向上させ、また磁気特性のバラツキのな
い合金磁気薄膜として主成分がコバルト８６原子％以下
、クロムが８〜２４原子％および白金が６〜２５原子％
からなる磁気薄膜を備え、さらに該磁気薄膜の下地膜と
してクロムを主成分とする膜を設けた磁気記録媒体を発
明し特許出願した（特願昭６３−１８５４９３号明細書
）。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、このように主成分としてコバルト、クロ
ム、および白金を磁気薄膜とした磁気記録媒体は、再生
出力およびＣ／Ｎ比が必ずしも十分ではない。再生出力
が大きく、Ｃ／Ｎ比が高い程、磁気記録システムの設計
が容易となり、質の高い磁気記録再生が可能となる。

本発明は、前記発明を改良し、より大きな再生出力とよ
り高いＣ／Ｎ比が得られる磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明者らは、前記目的を達成させるために、種々検討
した結果、コバルト、クロムおよび白金を主成分とする
磁気薄膜を形成する際に、磁気薄膜層を所定の厚さに形
成し、その上に適度の厚みの非磁性体薄膜を設け、これ
らを交互に積層させて各磁気薄膜層の膜厚の和が所望す
る厚みとなるように磁気薄膜を形成させると、均質で緻
密な粒子形状を持つ磁気薄膜が得られた。この磁気薄膜
は、垂直配向性がやや悪化しているが、それにもかかわ
らず、記録密度を下げることなく、再生出力が大きくな
り、高いＣ／Ｎ比を存することがわかった。

すなわち、本発明は基体上にコバルト、クロムおよび白
金を主成分とする磁気薄膜層を２層以上積層させて多層
構造とし、各磁気薄膜層間に非磁性体薄膜層を設けたこ
とを特徴とする磁気記録媒体である。

以下本発明について図面により詳細に説明する。

本発明の基体１は、アルミニウム板、ガラス板、合成樹
脂などの硬質成形体または、ポリエステルフィルムなど
軟質フィルムである。基体表面は、うねりがないように
、また、表面粗さを充分小さくしておく必要がある。な
お必要により前記基体の表面に硬質膜２としてニッケル
・リン合金などを被覆して硬質化したり、あるいは、高
透磁率薄膜を設けても良い。

また、必要により前記基体の表面、硬質膜、あるいは、
高透磁率薄膜の表面にクロムを主成分とした下地膜３を
形成しても良い。このように下地膜としてクロムを主成
分とした膜を形成することにより、垂直抗磁力が大きく
なり、再生出力も大きくなる。クロムを主成分とする下
地膜の厚さは１００〜１００００人が好ましい。１００
人未満では垂直抗磁力の高さが不充分であり、１０００
０人を越えても垂直抗磁力がとくに向上することはない
、クロムを主成分とする下地膜はスパッタ法、真空蒸着
法のどちらの方法で設けてもよい。

前記基体、硬質膜、高透磁率膜あるいはクロムを主成分
とする下地膜の上にコバルト、クロムおよび白金を主成
分とする第１磁気薄膜層４を設ける。

その組成比はＣｏが８６原子％以下、Ｃｒが８〜２４原
子％、ｐｔが６〜２５原子％の範囲が好ましい。

Ｃｒが８原子％未満では良好な垂直配向が得られず、ｐ
ｔが６原子％未満では高い抗磁力を持った磁気記録媒体
が得られない。Ｃｒが２４原子％を越えるか、ｐｔが２
５原子％を越えるかまたはＣｏが８６原子％未満では抗
磁力がとくに上昇することがないばかりか、残留磁束が
低下したり、垂直磁気異方性が小さ（なる。

磁気薄膜層はスパッタ法、真空蒸着法のどちら磁気薄膜
層４．６の厚さの和が記録再生特性上重要となるので、
その和が所望する長さとなるように各磁気薄膜層の厚さ
を調整することが好ましい。

一般には各磁気薄膜層の厚さの和は５００〜５０００人
が適当である。

各磁気薄膜層の間には、非磁性体薄膜層５を設ける。非
磁性体薄膜層は、炭素質あるいは、クロム、モリブデン
、タングステン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、
ニオブ、タンタル、マグネシウム、アルミニウム、ゲル
マニウム、ビスマスなどの金属やこれら合金、非磁性の
コバルト−クロム合金Ａｉ’、Ｏ，、ＳｉＱ□などの中
から選ばれる。これらのうちでも炭素質またはクロムが
好ましい。

炭素質の場合には、保護膜に炭素質を用いることにより
炭素質のターゲットが共用でき、またクロムの場合には
下地膜にクロムを用いることによりクロムのターゲット
が共用できるので、スパッタ装置または蒸着装置が簡単
になる。非磁性体薄膜層は、スパッタ法・真空蒸着法な
どで形成させることができるが特に限定されるものでは
ない。非磁性体薄膜の厚さは５０人〜４００人が好まし
い。　。

５０Å以上で再生出力の向上が認められ、Ｃ／Ｎ比も増
加する。５０人未満では十分な効果が得られない、一方
、膜厚が４００人を越えて形成させてもそれ以上の特性
の向上は認められない。

最上部の磁気薄膜層の上に保護膜７を形成させることが
好ましい。

保護膜は炭素質がとくに好ましい。炭素質保護膜は適度
な潤滑性と適度な硬度を有するために磁気ヘッドが損傷
することなく長期間信顛性が確保される。

炭素質からなる保護膜は塗布法、蒸着法、スパッタリン
グ法等により磁気薄膜の表面に被着させる。被着法によ
りグラファイトなどのように結晶性になったり、また、
グラソシーカーボンなどのように非晶質になるが、保護
膜としての効果はいずれも同じである。しかしながら、
保護膜は上記の膜に限定されるものではなく　、０３％
　ＲＬＩなどの金属、Ｃｒｔ（ｈ　、５ｉ（ｈなどの酸
化物、Ｓｉ３Ｎ４などの窒化物、ＳｒＣ％　ＴｔＣなど
の炭化物などの他、ホウ素、ホウ素と炭素の合金、ポリ
珪酸など従来から保護膜として用いられている各種のも
のが採用し得る。

更にこの保護膜の上に各種の有機物質から成る潤滑剤を
塗布してもよい。

（実施例）以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明
する。

実施例１〜４基体として外径９０１ｍ、内径２５酊、厚さ１．２鶴の
アルミニウム円盤からなる基体を準備した。

基体表面をラッピングしたのち無電解メツキ法でニッケ
ル・リンからなる厚さ３０μｌの硬質層を設けた。硬質
層を鏡面ポリッシュしたのち基体をマグネトロンスパッ
タ装置の試料台に固定した。

真空度を２　Ｘ　１０　”７Ｔｏｒｒの圧力にしたのち
、アルゴンガスを導入してアルゴンガス圧Ｉ　Ｘ　１０
−２Ｔｏｒｒ　％スパッタパワー４Ｗ／ｃｊ、、ＤＣス
パッタの条件で金属クロムをターゲットとしてクロム膜
を１０００人の厚さに付着させて下地層とした。

次にアルゴンガス圧１　×１０−”Ｔｏｒｒｓスパッタ
パワー３Ｗ／ｃｄ、、ＤＣスパッタの条件で、コバルト
７２原子％、クロム１４原子％、白金１４原子％の合金
をターゲットとしてコバルト、クロム、白金合金の第１
磁気薄膜層を５００人の厚さに形成させた。

その次に、アルゴンガス圧５・Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ、
スパッタパワー３Ｗ／ｃｄ、ＤＣスパッタの条件で、黒
鉛をターゲットとして炭素質からなる非磁性体薄膜層を
形成させた。

さらに、第１磁気薄膜層と同じ条件でコバルト、クロム
および白金からなる第２磁気薄膜層を５００人形成させ
、炭素質からなる非磁性体薄膜層と同じ条件で保護膜を
厚さ２００人設は磁気ディスクとした。

上記磁気ディスクの製作を繰り返し行い、その場合、非
磁性体薄膜層のスパッタ時間を段階的に変更することに
より、非磁性体薄膜層の厚さが５０人〜４００人までの
種々の厚みを有する４枚の磁気ディスクを製造した。

これらの磁気ディスクについて再生出力およびノイズレ
ベルを測定した。これらのテストは、磁気ディスクを磁
気ディスクドライブ装置にセントし、磁気ヘッドを磁気
ディスクの一定のトラックのみに固定し、７　ＭＨｚ正
弦波を記録再生した時の出力を再生出力として測定した
。ノイズ特性は７ＭＨｚの信号を記録再生し、スペクト
ルアナライザで周波数分析を行い、周波数３　ＭＨｚで
の値をノイズレベル（ＮｄＢ）とし７　ＭＨｚの信号レ
ベル（ＣｄＢ）との差をとってＣ／Ｎ比を求めた。

磁気ヘッドは、アモルファスメタルヘッド（リング型）
を用い、磁気ディスクとの相対速度１０．４１１Ｉ／ｓ
ｅｃ、トラック幅２０μｍの条件で行った。

垂直配向度は、Ｃｕ−にαのターゲットを用い、Ｘ線回
折スペクトルのロッキング曲線の半値幅Δθ５゜により
比較した。

これらの結果は、“表に示す゛とおりである。

実施例５非磁性薄膜層として、アルゴンガス圧ｌＸｌ０−２丁ｏ
ｒｒｚスパッタパワー４Ｗ／ｃ＋Ｊ、ＤＣスパッタの条
件で金属クロムをターゲットとしてクロム膜を２００人
形成させた。その外は実施例１〜４と同一方法、同一条
件で磁気ディスクを製造し、特性を測定した。結果は表
に示すとおりである。

比較例磁気薄膜層を多層構造とすることなしに、基体上のクロ
ム膜の上に１層のみの磁気薄膜層を１０００人の厚さで
形成した。その外は、実施例１〜４と同一方法、同一条
件で磁気ディスクを製造し、特性を測定した。結果は、
表に示すとおりである。

この表から、磁気薄膜層と非磁性体薄膜層とを交互に積
層させることにより、再生出力が増加し、Ｃ／Ｎ比が大
きくなることがわかる。非磁性体薄膜としては、炭素質
膜の他に、クロムを主成分とした膜でも効果がみられた
。また、その膜厚は、５０人でも効果がみられ、２００
Å以上では、はとんど特性の差が見られなかった。

（発明の効果）以上説明したように、本発明による、コバルト、゛クロ
ムおよび白金を主成分とした磁気薄膜層を２層以上積層
させて多層構造とし、各磁気薄膜層間に非磁性体薄膜層
を設けた磁気記録媒体は、再生出力が増加し、Ｃ／Ｎ比
が大きくなるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の断面図である。符号　１・・・基体、２・・・硬質膜、３・・・下地膜
、４・・・第１磁気薄膜層、５・・・非磁性体薄膜層、
６・・・第２磁気薄膜層、７・・・保護膜。特許出願人　　電気化学工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体上にコバルト、クロムおよび白金を主成分と
する磁気薄膜層を２層以上積層させて多層構造とし、各
磁気薄膜層間に非磁性体薄膜層を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体。