JPH02210713A - 絶縁電線の製造方法 - Google Patents
絶縁電線の製造方法Info
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- JPH02210713A JPH02210713A JP1268079A JP26807989A JPH02210713A JP H02210713 A JPH02210713 A JP H02210713A JP 1268079 A JP1268079 A JP 1268079A JP 26807989 A JP26807989 A JP 26807989A JP H02210713 A JPH02210713 A JP H02210713A
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- Japan
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- polyimide
- insulated wire
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特定のポリイミドを絶縁体とした絶縁電線及
び該絶縁電線の製造方法に関する。
び該絶縁電線の製造方法に関する。
近年、電気、・電子工業分野の発展は目覚ましく、特に
装置の小型化、軽量化の流れは部品や絶縁素材に対して
更なる耐熱性を要求している。
装置の小型化、軽量化の流れは部品や絶縁素材に対して
更なる耐熱性を要求している。
このような素材として、芳香族ポリイミドは有機ポリマ
ーの中で最高級の耐熱性に加え、優れた機械的性質を有
しており、例えば、ビス（４−アミノフェニル）エーテ
ルとピロメリット酸二無水物とからなるポリイミド（Ｄ
ｕｐｏｎｔ社製、商標名ＫＡＰＴＯＮ、Ｖ［！５ＰＥＬ
） 、ビス（４−７ミ／ ７ エニ／Ｌ／） ：Ｌ−
チルと３．３’、４．４°−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物とからなるポリイミド（宇部興産社製、商標
ユーピレックス）等がある。これらのポリイミドは加
熱溶融が困難であるため、溶融押出成形法により絶縁電
線を得ることが困難である。
ーの中で最高級の耐熱性に加え、優れた機械的性質を有
しており、例えば、ビス（４−アミノフェニル）エーテ
ルとピロメリット酸二無水物とからなるポリイミド（Ｄ
ｕｐｏｎｔ社製、商標名ＫＡＰＴＯＮ、Ｖ［！５ＰＥＬ
） 、ビス（４−７ミ／ ７ エニ／Ｌ／） ：Ｌ−
チルと３．３’、４．４°−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物とからなるポリイミド（宇部興産社製、商標
ユーピレックス）等がある。これらのポリイミドは加
熱溶融が困難であるため、溶融押出成形法により絶縁電
線を得ることが困難である。
本発明の課題は、特定ポリイミドの溶融押出成形により
被覆された、耐熱性に優れた絶縁電線を提供することに
ある。
被覆された、耐熱性に優れた絶縁電線を提供することに
ある。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討した
。その結果、特定の繰返し構造単位からなるポリイミド
を用い、溶融押出成形が可能で、かつ耐熱性に優れたポ
リイミド被覆絶縁電線が得られることを見出し、本発明
に至った。
。その結果、特定の繰返し構造単位からなるポリイミド
を用い、溶融押出成形が可能で、かつ耐熱性に優れたポ
リイミド被覆絶縁電線が得られることを見出し、本発明
に至った。
即ち、本発明は導体と該導体を被覆する絶縁体からなる
絶縁電線において、 該絶縁体が、一般式（１）、 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰返し構造単位を有するポリ
イミドからなることを特徴とする絶縁電線およびその製
造方法である。
絶縁電線において、 該絶縁体が、一般式（１）、 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰返し構造単位を有するポリ
イミドからなることを特徴とする絶縁電線およびその製
造方法である。
一般式（１）において、Ｒ４事、好ましくはの４価の基
である。
である。
以下、本発明の構成について詳細に説明する。
本発明におけるポリイミドは、特定の芳香族テトラカル
ボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応によ
って得ることができる。
ボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応によ
って得ることができる。
このポリイミドを得るために用いる芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物は、ピロメリット酸二酸無水物、エタンテ
トラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無
水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１．
２，３．４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，
３．６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１
，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１．２．５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、２．３，６．７−アントラセンテトラカルボン酸二
無水物、１，２．７．８−フェナントレンテトラカルボ
ン酸二無水物等、３．３’、４．４−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２．２’、３．３°−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３，３°、４．４“−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２°、３．
３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２．
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二
無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテルニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エーテルニ無水物、ビス（３Ｉ４−ジカルボ
キシフェニル）スルホンニ無水物、ビス（２．３−ジカ
ルボキシフェニル）スルホンニ無水物、２，２−ビス（
３，４−ジカルボキシフェニル）１，１．１，３．３．
３−ヘキサフロロブロバンニ無水物、２．２−ビス（３
，４−ジカルボキシフェニルＨ，１，１，３，３，３−
ヘキサクロロプロパンニ無水物、１，１−ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビス（２，
３−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、ビス（３
゜４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、４．４
’（ｐ−フェニレンジオキシ）シフタル酸二無水物、４
．４°−軸−フェニレンジオキシ）シフタル酸二無水物
等の化合物が挙げらる。 好ましくは、例えば、ピロメ
リット酸二無水物、３．３°、 ４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３．３“、４．４°−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’ 、４
．４゛−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
、ｐ−フェニレンジオキシジ（４−フタル酸）二無水物
である。
ン酸二無水物は、ピロメリット酸二酸無水物、エタンテ
トラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無
水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１．
２，３．４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，
３．６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１
，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１．２．５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、２．３，６．７−アントラセンテトラカルボン酸二
無水物、１，２．７．８−フェナントレンテトラカルボ
ン酸二無水物等、３．３’、４．４−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２．２’、３．３°−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３，３°、４．４“−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２°、３．
３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２．
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二
無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテルニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エーテルニ無水物、ビス（３Ｉ４−ジカルボ
キシフェニル）スルホンニ無水物、ビス（２．３−ジカ
ルボキシフェニル）スルホンニ無水物、２，２−ビス（
３，４−ジカルボキシフェニル）１，１．１，３．３．
３−ヘキサフロロブロバンニ無水物、２．２−ビス（３
，４−ジカルボキシフェニルＨ，１，１，３，３，３−
ヘキサクロロプロパンニ無水物、１，１−ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビス（２，
３−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、ビス（３
゜４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、４．４
’（ｐ−フェニレンジオキシ）シフタル酸二無水物、４
．４°−軸−フェニレンジオキシ）シフタル酸二無水物
等の化合物が挙げらる。 好ましくは、例えば、ピロメ
リット酸二無水物、３．３°、 ４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３．３“、４．４°−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’ 、４
．４゛−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
、ｐ−フェニレンジオキシジ（４−フタル酸）二無水物
である。
これらの化合物は単独、または２種以上を混合して用い
ても差し支えない。
ても差し支えない。
また、ポリイミドを得るために用いる芳香族ジアミンは
、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニルｌスル
フィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
ｌスルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル１ケトン、４．４’ −ビス（３−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、２．２−ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニルｌプロパンまたは２，２−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３
，３，３−ヘキサフルオロプロパンであり、これらの中
から選ばれる化合物を単独で、または２種以上を混合し
て使用できる。
、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニルｌスル
フィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
ｌスルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル１ケトン、４．４’ −ビス（３−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、２．２−ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニルｌプロパンまたは２，２−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３
，３，３−ヘキサフルオロプロパンであり、これらの中
から選ばれる化合物を単独で、または２種以上を混合し
て使用できる。
本発明における芳香族ジアミンは、上記ジアミンの一部
をその他の芳香族ジアミンで代替して使用することがで
きる。
をその他の芳香族ジアミンで代替して使用することがで
きる。
代替して使用するその他の芳香族ジアミンは、全ジアミ
ン中、２０モル％未満が望ましい。
ン中、２０モル％未満が望ましい。
他の芳香族ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレン
ジアミン、−フェニレンジアミン、ドアミノベンジルア
ミン、ｐ−アミノベンジルアミン、４．４゛−ジアミノ
ビフェニル、３．３’−ジアミノビフェニル、４．４’
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３゛−ジアミノジ
フェニルエーテル、 ４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、３．３’−ジアミノジフェニルメタン、１．１
−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１．１−ビス（
３−アミノフェニル）エタン、２．２−ビス（４−アミ
ノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（４−アミノフェニル）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２．２−ビス−（３−アミノフェニル）−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、３．３’−ジア
ミノジフェニルスルフィド、４．４’−ジアミノジフェ
ニルスルフィド、３．３’〜ジアミノジフエニルスルホ
ン、３．３’−ジアミノベンゾフェノン、４’４’−ジ
アミノベンゾフェノン、などが挙げられる。
ジアミン、−フェニレンジアミン、ドアミノベンジルア
ミン、ｐ−アミノベンジルアミン、４．４゛−ジアミノ
ビフェニル、３．３’−ジアミノビフェニル、４．４’
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３゛−ジアミノジ
フェニルエーテル、 ４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、３．３’−ジアミノジフェニルメタン、１．１
−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１．１−ビス（
３−アミノフェニル）エタン、２．２−ビス（４−アミ
ノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（４−アミノフェニル）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２．２−ビス−（３−アミノフェニル）−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、３．３’−ジア
ミノジフェニルスルフィド、４．４’−ジアミノジフェ
ニルスルフィド、３．３’〜ジアミノジフエニルスルホ
ン、３．３’−ジアミノベンゾフェノン、４’４’−ジ
アミノベンゾフェノン、などが挙げられる。
本発明にかかわるポリイミドは、これらの芳香族テトラ
カルボン酸二無水物々芳香族ジアミンとを、通常の公知
の方法、例えば、モノマー同志または七ツマ−を有機溶
媒中に懸濁または溶解させた後、加熱または化学的に脱
水し、生成物を分離、精製することによりポリイミドを
得ることが出来る。
カルボン酸二無水物々芳香族ジアミンとを、通常の公知
の方法、例えば、モノマー同志または七ツマ−を有機溶
媒中に懸濁または溶解させた後、加熱または化学的に脱
水し、生成物を分離、精製することによりポリイミドを
得ることが出来る。
得られたポリイミドは粉状または予め粒状に成型加工し
て使用される。
て使用される。
本発明の被覆電線を製造するために使用される導体とし
ては、比抵抗が２０Ｘ１０−”ΩＩ以下の金属元素単体
、あるいは合金が使用される。
ては、比抵抗が２０Ｘ１０−”ΩＩ以下の金属元素単体
、あるいは合金が使用される。
金属元素単体としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、
金、銀、銅、鉄、ニッケル、ニオブ等があり、アルミニ
ウム、銅が特に好ましく用いられる。また合金として、
例えば、銀、クロム、ジルコニウム、錫、鉛、テルル、
カドミウム、ベリリウム等の金属元素の１種または２種
以上を２重置％以下を２％以下含有する銅合金、あるい
は、マグネシウム、珪素、鉄、ジルコニウム等の金属元
素の１種または２種以上を２重量％以下含有するアルミ
ニウム合金、あるいはチタン、ジルコニウム、タンタル
、錫、ゲルマニウム等の金属元素を含むニオブ系合金が
用いられる。
金、銀、銅、鉄、ニッケル、ニオブ等があり、アルミニ
ウム、銅が特に好ましく用いられる。また合金として、
例えば、銀、クロム、ジルコニウム、錫、鉛、テルル、
カドミウム、ベリリウム等の金属元素の１種または２種
以上を２重置％以下を２％以下含有する銅合金、あるい
は、マグネシウム、珪素、鉄、ジルコニウム等の金属元
素の１種または２種以上を２重量％以下含有するアルミ
ニウム合金、あるいはチタン、ジルコニウム、タンタル
、錫、ゲルマニウム等の金属元素を含むニオブ系合金が
用いられる。
さらに本発明で使用する導体は、前記金属導体の酸化・
劣化等による比抵抗の増大、導体の発熱、電圧低下等を
防止するため、その表面を被覆したものであっても良い
。被覆するために使用する材料としては錫、亜鉛、ニッ
ケル、銀、アルミニウム、ハンダ、銅等であり、特にニ
ッケル、銀等が好ましい。
劣化等による比抵抗の増大、導体の発熱、電圧低下等を
防止するため、その表面を被覆したものであっても良い
。被覆するために使用する材料としては錫、亜鉛、ニッ
ケル、銀、アルミニウム、ハンダ、銅等であり、特にニ
ッケル、銀等が好ましい。
導体の太さは、その断面積がｏ、ｏｏｔ〜２０００ｓ＋
ｍ”の範囲のものが好ましい、断面積が０．００１ｉｎ
”未満では製造時、取扱時に破断し易いので好ましくな
い、また、断面積が２００ｈｍ”を越えると導体の剛性
が著しく取扱が難しい。
ｍ”の範囲のものが好ましい、断面積が０．００１ｉｎ
”未満では製造時、取扱時に破断し易いので好ましくな
い、また、断面積が２００ｈｍ”を越えると導体の剛性
が著しく取扱が難しい。
本発明の絶縁電線は、本発明に用いるポリイミドを、周
知の技術である溶融押出成形装置により加熱溶融し、ク
ロスへラドダイに代表される導体被覆ダイを用いて、導
体を被覆し、冷却して得ることができる。
知の技術である溶融押出成形装置により加熱溶融し、ク
ロスへラドダイに代表される導体被覆ダイを用いて、導
体を被覆し、冷却して得ることができる。
本発明に使用するポリイミドは、溶融押出に使用する前
に乾燥することが好ましく、ポリイミド中の水分含有率
を２００ｐｐｍ以下にするのが特に好ましい０通常、ポ
リイミドは粉状またはベレット状態で保存されているが
、通常の保存状態では水分含有率は約０．５〜約１χに
なっている。このような水分含有率のものでも、通常の
射出成形等により成形体を製造する場合には問題がない
とされるが、本発明の絶縁電線を溶融押出により製造す
る場合は、この被覆体の特性に水分が微妙に影響を及ぼ
す、すなわち、水分含を率が０．５〜１χでは製造され
る絶縁電線の外観および電気絶縁性（耐水中耐電圧）が
特に問題となるが、この水分含有率を２００ｐｐ−以下
に制御することにより安定的に優れた特性を有する絶縁
電線を得ることができる。
に乾燥することが好ましく、ポリイミド中の水分含有率
を２００ｐｐｍ以下にするのが特に好ましい０通常、ポ
リイミドは粉状またはベレット状態で保存されているが
、通常の保存状態では水分含有率は約０．５〜約１χに
なっている。このような水分含有率のものでも、通常の
射出成形等により成形体を製造する場合には問題がない
とされるが、本発明の絶縁電線を溶融押出により製造す
る場合は、この被覆体の特性に水分が微妙に影響を及ぼ
す、すなわち、水分含を率が０．５〜１χでは製造され
る絶縁電線の外観および電気絶縁性（耐水中耐電圧）が
特に問題となるが、この水分含有率を２００ｐｐ−以下
に制御することにより安定的に優れた特性を有する絶縁
電線を得ることができる。
ポリイミドの水分含有率は２００ｐｐ−以下にするには
いかなる方法でもよいが、−船釣には１００°Ｃ以上の
温度でポリイミドが溶融しない温度、通常、２５０℃以
下の温度で３〜２４時間保持する。さらにその雰囲気を
空気、窒素等で置換することも効果的であり、更に減圧
下で処理してもよい。
いかなる方法でもよいが、−船釣には１００°Ｃ以上の
温度でポリイミドが溶融しない温度、通常、２５０℃以
下の温度で３〜２４時間保持する。さらにその雰囲気を
空気、窒素等で置換することも効果的であり、更に減圧
下で処理してもよい。
本発明における溶融押出温度はポリマー構造により異な
るが、通常、３００〜４５０°Ｃの範囲である、好まし
くは３５０〜４３０℃の範囲である。３００℃未満では
樹脂が熔融せず、押出が不可能となる。
るが、通常、３００〜４５０°Ｃの範囲である、好まし
くは３５０〜４３０℃の範囲である。３００℃未満では
樹脂が熔融せず、押出が不可能となる。
また、４５０℃を越えると樹脂の分解が進行し、気泡、
分解粕等により絶縁体としての機能を損なうので好まし
くない。
分解粕等により絶縁体としての機能を損なうので好まし
くない。
本発明において、絶縁体の被覆厚さは、０．０１〜５ｍ
園が好ましい、絶縁体の被覆厚さが０．０１ｍｍ未満で
は被覆厚さのバラツキが著しく、ピンホール等の電気的
欠陥を引き起こすので好ましくない、また、絶縁体の被
覆厚さが５１１１１を越えると電線の曲げ加工等の取扱
に難点がある。
園が好ましい、絶縁体の被覆厚さが０．０１ｍｍ未満で
は被覆厚さのバラツキが著しく、ピンホール等の電気的
欠陥を引き起こすので好ましくない、また、絶縁体の被
覆厚さが５１１１１を越えると電線の曲げ加工等の取扱
に難点がある。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
尚、実施例において記述したポリイミドの特性値の測定
法は以下に示す通りである。
法は以下に示す通りである。
（１）ガラス転移温度、融点
ガラス転移温度（Ｔｇ）、融点（Ｔ−）はＤＳＣ法によ
り測定した。 Ｔｍは融解曲線のピーク温度をもって定
義した。
り測定した。 Ｔｍは融解曲線のピーク温度をもって定
義した。
（２）溶融粘度
高化式フローテスターを用いて測定し、２００ｓｅｃ−
’の見掛は剪断速度、４００°Ｃでの見掛は粘度（単位
ｐｏｉｓｅ）を算出した。
’の見掛は剪断速度、４００°Ｃでの見掛は粘度（単位
ｐｏｉｓｅ）を算出した。
（３）水中耐電圧
ＪＩＳ Ｃ３００５に準じ、２０°Ｃの水中、６０Ｈ２
の交流電源を用いて、１００ＯＶ／ｓｉｎの昇圧速度で
試験を行った。
の交流電源を用いて、１００ＯＶ／ｓｉｎの昇圧速度で
試験を行った。
ポリイミドｌ
かきまぜ機、還流冷却器および窒素導入管を備えた反応
容器に、４．４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル３６８．４ｇ （１モル）と、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド２３４４ｇ を装入し、窒素雰囲気下に
、ピロメリッ゛ト酸二無水物２１８．１ｇ （１モル）
を溶液温度の上昇に注意しながら分割して加え、室温で
約２０時間かきまぜた。か（して得られたポリアミド酸
の対数粘度は３．２１ａ／ｇであった。かくして得られ
たポリアミド酸溶液に３０．３ｇ （０，３モル）のト
リエチルアミンおよび３０．６ｇ （０，３モル）の無
水酢酸を約３０分かけて添加し、その後約３０分かきま
ぜた。この溶液に２０００ｇのメタノールを装入し、３
０°Ｃにおいてポリイミド粉をろ別した。得られたポリ
イミド粉をメタノールおよびアセトンで洗浄した後、窒
素雰囲気下に、３００℃で８時間乾燥して５１７ｇ（収
率９４％）のポリイミドの粉を得た。得られたポリイミ
ドはガラス転移温度が２７１℃、融点３８９℃の結晶性
樹脂であり、溶融粘度は５５００ボイズであった。
容器に、４．４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル３６８．４ｇ （１モル）と、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド２３４４ｇ を装入し、窒素雰囲気下に
、ピロメリッ゛ト酸二無水物２１８．１ｇ （１モル）
を溶液温度の上昇に注意しながら分割して加え、室温で
約２０時間かきまぜた。か（して得られたポリアミド酸
の対数粘度は３．２１ａ／ｇであった。かくして得られ
たポリアミド酸溶液に３０．３ｇ （０，３モル）のト
リエチルアミンおよび３０．６ｇ （０，３モル）の無
水酢酸を約３０分かけて添加し、その後約３０分かきま
ぜた。この溶液に２０００ｇのメタノールを装入し、３
０°Ｃにおいてポリイミド粉をろ別した。得られたポリ
イミド粉をメタノールおよびアセトンで洗浄した後、窒
素雰囲気下に、３００℃で８時間乾燥して５１７ｇ（収
率９４％）のポリイミドの粉を得た。得られたポリイミ
ドはガラス転移温度が２７１℃、融点３８９℃の結晶性
樹脂であり、溶融粘度は５５００ボイズであった。
ポリイミド２
ポリイミドｌの合成と同様の反応容器で、４，４°−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニルｌ−１゜１
．１，３，３．３〜へキサフルオロプロパンとピロメリ
ット酸二無水物とをポリイミド１の合成に準じた方法で
反応させてポリイミドの粉を得た。
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニルｌ−１゜１
．１，３，３．３〜へキサフルオロプロパンとピロメリ
ット酸二無水物とをポリイミド１の合成に準じた方法で
反応させてポリイミドの粉を得た。
得られたポリイミドは、ガラス転移温度が２４７°Ｃ１
融点３８５℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は４８００
ボイズであった。
融点３８５℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は４８００
ボイズであった。
ポリイミド３〜１５
表−１に示す種々の芳香族テトラカルボン酸二無水物と
芳香族ジアミンとの組み合わせで、ポリイミドｌの合成
に準じた方法でポリイミド粉を得た。得られたポリイミ
ド粉のガラス転移温度、融点、溶融粘度を表−１に示す
。
芳香族ジアミンとの組み合わせで、ポリイミドｌの合成
に準じた方法でポリイミド粉を得た。得られたポリイミ
ド粉のガラス転移温度、融点、溶融粘度を表−１に示す
。
実施例１
ポリイミド１の粉末を１５０℃で２４時間乾燥した、こ
の時の水分含有量は１８０ｐｐｓ＋であった。これをス
クリューコンパクタ−によりφ１５−−押出機（Ｌ／Ｄ
＝２２）に供給し、押出温度４２０℃で加熱溶融し、２
００℃に加熱した２０ＡＷＧの銀メツキ銅線をクロスへ
ラドダイに供給し、絶縁層の厚さが約０．２＋ｗ−とな
るように銅線の引き取り速度を調整した。この時の引き
取り速度は、１ｍ／ｇａｉｎであった。被覆線かグイか
ら出た。後は自然放冷した。押出条件および得られた絶
縁電線の物性は表−２に示すとおりであり、耐熱性に優
れた電線であった。
の時の水分含有量は１８０ｐｐｓ＋であった。これをス
クリューコンパクタ−によりφ１５−−押出機（Ｌ／Ｄ
＝２２）に供給し、押出温度４２０℃で加熱溶融し、２
００℃に加熱した２０ＡＷＧの銀メツキ銅線をクロスへ
ラドダイに供給し、絶縁層の厚さが約０．２＋ｗ−とな
るように銅線の引き取り速度を調整した。この時の引き
取り速度は、１ｍ／ｇａｉｎであった。被覆線かグイか
ら出た。後は自然放冷した。押出条件および得られた絶
縁電線の物性は表−２に示すとおりであり、耐熱性に優
れた電線であった。
実施例２
ポリイミド２の粉末を１５０’Ｃで２４時間乾燥した、
この時の水分含有量は２００ｐｐ−であった、これをス
クリューコンパクターによりφ１５ｍ＊押出機（Ｌ／Ｅ
ｌ・２２）に供給し、４００°Ｃの温度で加熱溶融し、
内径２−一のノズルから押出しく押出量１８．６ｇ／醜
ｉｎ、）、自然放冷し、カットし、長さ約３ｍ−のペレ
ットを得た。このペレットを実施例１と同様な方法によ
り押出成形し、絶縁電線を得た。外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
この時の水分含有量は２００ｐｐ−であった、これをス
クリューコンパクターによりφ１５ｍ＊押出機（Ｌ／Ｅ
ｌ・２２）に供給し、４００°Ｃの温度で加熱溶融し、
内径２−一のノズルから押出しく押出量１８．６ｇ／醜
ｉｎ、）、自然放冷し、カットし、長さ約３ｍ−のペレ
ットを得た。このペレットを実施例１と同様な方法によ
り押出成形し、絶縁電線を得た。外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
実施例３〜１５
ポリイミド３〜１５の粉末を実施例１と同様な方法によ
り、溶融押出し、絶縁電線を得た。押出条件、電線の物
性は表−２に示すとおりであり、外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
り、溶融押出し、絶縁電線を得た。押出条件、電線の物
性は表−２に示すとおりであり、外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
比較例１
実施例１で使用したポリイミド１の粉末を実施例１と同
様に溶融押出を行った。但し、押出温度は４６０’Ｃで
行った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し、外観
不良であった。
様に溶融押出を行った。但し、押出温度は４６０’Ｃで
行った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し、外観
不良であった。
比較例２
ポリイミドｌの粉末を乾燥条件を９０℃で５時間行い、
この時の水分含有量は３００ｐｐｍであった。これを用
い実施例１と同様な溶融押出を行った０発泡が認められ
、外観が著しく悪かった。
この時の水分含有量は３００ｐｐｍであった。これを用
い実施例１と同様な溶融押出を行った０発泡が認められ
、外観が著しく悪かった。
比較例３
実施例２で使用したポリイミド２の粉末を使用し実施例
２と同様に溶融押出を行った。但し、押出温度は４７０
°Ｃで行った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し
、外観が著しく悪かった。
２と同様に溶融押出を行った。但し、押出温度は４７０
°Ｃで行った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し
、外観が著しく悪かった。
比較例４
実施例７で使用したポリイミド７の粉末を使用し、押出
温度を２９０°Ｃとし、実施例１と同様に押出を行った
が押出不可能であった。
温度を２９０°Ｃとし、実施例１と同様に押出を行った
が押出不可能であった。
本発明では成形温度３００°Ｃ以上４５０°Ｃ以下、水
分含有率２００ｐｐｍ以下に制御した特定のポリイミド
を用いることにより、押出成形性、電線被覆層の外観に
すぐれ、さらに水中耐電圧にも優れたものである０以上
のように、本発明の絶縁電線は、絶縁体が溶融押出成形
が可能でかつ耐熱性に優れた新規なポリイミドからなり
、耐熱性、電気絶縁性に優れた電線である。
分含有率２００ｐｐｍ以下に制御した特定のポリイミド
を用いることにより、押出成形性、電線被覆層の外観に
すぐれ、さらに水中耐電圧にも優れたものである０以上
のように、本発明の絶縁電線は、絶縁体が溶融押出成形
が可能でかつ耐熱性に優れた新規なポリイミドからなり
、耐熱性、電気絶縁性に優れた電線である。
特許出願人（３１２） 三井東圧化学株式会社代理
人（７５２４） 最上正太部
人（７５２４） 最上正太部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導体と該導体を被覆する絶縁体からなる絶縁電線に
おいて、該絶縁体が一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰り返し構造単位を有するポ
リイミドからなることを特徴とする絶縁電線。 ２）請求項１記載の一般式〔Ｉ〕で表される繰返し構造
単位を有するポリイミドが、一般式〔Ｉ〕において、Ｒ
が ▲数式、化学式、表等があります▼，▲数式、化学式、
表等があります▼，▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ または ▲数式、
化学式、表等があります▼ の４価の基である請求項１記載の絶縁電線。 ３）請求項１または２記載のポリイミドが溶融押出法に
よって成形されたものであることを特徴とする絶縁電線
。 ４）請求項１または２記載のポリイミドを押出機により
３００℃以上４５０℃以下の温度範囲で加熱溶融して導
体を被覆し、冷却固化して成形することを特徴とする請
求項３記載の絶縁電線の製造方法。 ５）請求項１または２記載のポリイミドの水分含有量が
押出機に供給される直前において２００ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする請求項４記載の絶縁電線の製造方法
。 ６）絶縁体の被覆体の厚さが０．０１〜５ｍｍである請
求項１または２記載の絶縁電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268079A JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271188 | 1988-10-20 | ||
| JP63-262711 | 1988-10-20 | ||
| JP1268079A JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210713A true JPH02210713A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2549179B2 JP2549179B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=26545666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268079A Expired - Lifetime JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549179B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4776048B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2011-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 多層絶縁電線及びそれを用いた変圧器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5176977A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Hitachi Ltd | Handotaisoshinohyomenanteikashorihoho |
| JPS5929303A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-16 | 東洋紡績株式会社 | 電気絶縁材料 |
| JPH01124904A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Fujikura Ltd | 耐熱性電線及びケーブル |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1268079A patent/JP2549179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5176977A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Hitachi Ltd | Handotaisoshinohyomenanteikashorihoho |
| JPS5929303A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-16 | 東洋紡績株式会社 | 電気絶縁材料 |
| JPH01124904A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Fujikura Ltd | 耐熱性電線及びケーブル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4776048B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2011-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 多層絶縁電線及びそれを用いた変圧器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2549179B2 (ja) | 1996-10-30 |
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