JPH02210894A - 内部に導体、抵抗体を配線したＡｌＮ多層基板の製造方法 - Google Patents
内部に導体、抵抗体を配線したＡｌＮ多層基板の製造方法Info
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- JPH02210894A JPH02210894A JP1031912A JP3191289A JPH02210894A JP H02210894 A JPH02210894 A JP H02210894A JP 1031912 A JP1031912 A JP 1031912A JP 3191289 A JP3191289 A JP 3191289A JP H02210894 A JPH02210894 A JP H02210894A
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- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
- H10W70/692—Ceramics or glasses
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンピューターやその周辺機器。
民生用電子機器等に用いられる多層配線基板・に関する
ものである。
ものである。
従来から、アルミナのグリーンシート上にタングステン
もしくはモリブデンを印刷し、それらを重ね合せて焼成
することにより、印刷されたタングステンもしくはモリ
ブデンの焼成と同時にアルミナのグリーンシート、を焼
成一体化し、アルミナセラミックス多層基板を製造する
方法が知られている。
もしくはモリブデンを印刷し、それらを重ね合せて焼成
することにより、印刷されたタングステンもしくはモリ
ブデンの焼成と同時にアルミナのグリーンシート、を焼
成一体化し、アルミナセラミックス多層基板を製造する
方法が知られている。
しかし、上記アルミナセラミックス多層基板の焼成温度
は１５００〜１６００℃と高温であるために１層内に同
時に実用的な受動素子を形成することができず、また配
線部分として融点の高いりングステンまたはモリブデン
を用いなければならないために抵抗が増すという問題点
があった。
は１５００〜１６００℃と高温であるために１層内に同
時に実用的な受動素子を形成することができず、また配
線部分として融点の高いりングステンまたはモリブデン
を用いなければならないために抵抗が増すという問題点
があった。
これらの問題点を解決するために、最近、上記アルミナ
セラミックスに代えて、ガラスとアルミナの複合アルミ
ナセラミックス（以下、複合セラミックスという）を用
いて多層基板が形成されるようになってきた。
セラミックスに代えて、ガラスとアルミナの複合アルミ
ナセラミックス（以下、複合セラミックスという）を用
いて多層基板が形成されるようになってきた。
この複合セラミックスを用いる多層基板の製造方法は、
複合セラミックスの焼成温度が９００℃〜１０００℃と
いう低温であるために、複合セラミックスのグリーンシ
ート上にＡｇやＣｕなどの導体やＲｕ Ｏｚ系の抵抗体
を印刷し、それらを重ね合せて上記焼成温度で焼成し、
多層基板を形成する方法でめり、現在さかんに開発研究
されている方法である。この方法で得られた多層基板は
、第３図に示されているように１Ｍ、２０．粉末とホウ
ケイ酸ガラス粉末との混合粉末に有機バインダーを混合
してドクターブレード法によりグリーンシートラを作製
し、このグリーンシートラの表面に導電に一スト２およ
び抵抗体ペースト３全印刷して印刷グリーンシート旦を
作製し、これら印刷グリーンシート旦をそのまま重ね合
せて焼成し、第４図に示されるよう複合セラミックス９
内部に導体２′および抵抗体３′ヲ有する複合セラミッ
クス多層基板が形成されるものである。
複合セラミックスの焼成温度が９００℃〜１０００℃と
いう低温であるために、複合セラミックスのグリーンシ
ート上にＡｇやＣｕなどの導体やＲｕ Ｏｚ系の抵抗体
を印刷し、それらを重ね合せて上記焼成温度で焼成し、
多層基板を形成する方法でめり、現在さかんに開発研究
されている方法である。この方法で得られた多層基板は
、第３図に示されているように１Ｍ、２０．粉末とホウ
ケイ酸ガラス粉末との混合粉末に有機バインダーを混合
してドクターブレード法によりグリーンシートラを作製
し、このグリーンシートラの表面に導電に一スト２およ
び抵抗体ペースト３全印刷して印刷グリーンシート旦を
作製し、これら印刷グリーンシート旦をそのまま重ね合
せて焼成し、第４図に示されるよう複合セラミックス９
内部に導体２′および抵抗体３′ヲ有する複合セラミッ
クス多層基板が形成されるものである。
ところが、近年、ＩＣ−？ＬＳＩの高集積化および高機
械化に伴って、そこに接続される多層基板の配線も高密
度化および高強度化が要求されるようになってきた。し
かし、上記複合セラミックス多層基板では、複合セラミ
ックス自体の熱伝導率が上記アルミナセラミックスの熱
伝導率の１１５〜１／１０と低いために、配線の微細化
、多層化および高密度化に限界が、あり、さらに基板の
強度についても上記複合セラミックス基板は上記アルミ
ナセラミックス基板の約１／２程度であり、過酷な条件
での使用には信頼性が薄いという問題点があった。
械化に伴って、そこに接続される多層基板の配線も高密
度化および高強度化が要求されるようになってきた。し
かし、上記複合セラミックス多層基板では、複合セラミ
ックス自体の熱伝導率が上記アルミナセラミックスの熱
伝導率の１１５〜１／１０と低いために、配線の微細化
、多層化および高密度化に限界が、あり、さらに基板の
強度についても上記複合セラミックス基板は上記アルミ
ナセラミックス基板の約１／２程度であり、過酷な条件
での使用には信頼性が薄いという問題点があった。
また、この複合セラミックス多層基板は裏造工程におい
てグリーンシート表面に導体ペーストや抵抗体ペースト
を直接印刷するために欠陥印刷されることがあり、ＩＩ
：８ｗされて得られる導体や抵抗体に欠陥が発生しやす
く製品の信頼りも低いという問題点もあった。
てグリーンシート表面に導体ペーストや抵抗体ペースト
を直接印刷するために欠陥印刷されることがあり、ＩＩ
：８ｗされて得られる導体や抵抗体に欠陥が発生しやす
く製品の信頼りも低いという問題点もあった。
そこで２本発明者等は、内部にＡｇやＣｕなどの良導体
や十分に制御された抵抗体を高い信頼性のもとて高密度
に配線し、上記配線され九抵抗体が発生する熱を効率よ
く放出できる熱伝導性の優れた多層基板を開発すべく研
究を行った結果。
や十分に制御された抵抗体を高い信頼性のもとて高密度
に配線し、上記配線され九抵抗体が発生する熱を効率よ
く放出できる熱伝導性の優れた多層基板を開発すべく研
究を行った結果。
アルミナよりも熱伝導性および強度のすぐれた焼成され
たＡＩＩＮセラミックスシートに導体ペーストおよび抵
抗体ペーストなどを印刷したＡｌＮセラミックスシート
（以下、これＱＭＮ印刷シートという）を作製し、との
ＡｆｉＮ印刷シートを３次元的に積み重ね、バインダー
で接合することにより得られた多層基板は、従来の多層
基板よりも一層すぐれたものであるという知見を得たの
である。
たＡＩＩＮセラミックスシートに導体ペーストおよび抵
抗体ペーストなどを印刷したＡｌＮセラミックスシート
（以下、これＱＭＮ印刷シートという）を作製し、との
ＡｆｉＮ印刷シートを３次元的に積み重ね、バインダー
で接合することにより得られた多層基板は、従来の多層
基板よりも一層すぐれたものであるという知見を得たの
である。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って。
って。
上記ＡｌＮ印刷シートを積み重ね、それらを複合酸化物
ソルダーで接合することを特徴とする多層基板の製造方
法に特徴を有するものである。
ソルダーで接合することを特徴とする多層基板の製造方
法に特徴を有するものである。
上記ＡｌＮ印刷シートは、 ｌＪ、Ｎシートの表面を
表面処理して表面処理層を形成したのちその表面に印刷
配線してＡｌＮ印刷シートを作製する方が好ましい。
表面処理して表面処理層を形成したのちその表面に印刷
配線してＡｌＮ印刷シートを作製する方が好ましい。
アルミナよりも熱伝導性および強度のすぐれた基板材料
として上記ＡＩＮの外にベリリヤがあるが。
として上記ＡＩＮの外にベリリヤがあるが。
ベリリヤは毒性が強いことから実用上績も熱を効率よく
放散し、高密度実装が実現できる多層基板用セラミック
スシートとしてはＯＮが最も好ましく、さらにＡｉＮは
シリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことから大型チップ
塔載も可能である。
放散し、高密度実装が実現できる多層基板用セラミック
スシートとしてはＯＮが最も好ましく、さらにＡｉＮは
シリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことから大型チップ
塔載も可能である。
つぎに、内部に配線されたＡｊｌＮ多層基板の製造方法
を図面にもとづいて具体的に説明する。
を図面にもとづいて具体的に説明する。
第１図は、 Ａ１．Ｎ印刷シートの断面図である。焼成
して得られたＡ（Ｎ基板上の表面に酸化物層５を形成し
、その酸化物層５の表向にさらに８１０２層６を形成し
て表面処理したのち、その底面処理した表面に導体ペー
スト２および抵抗体イースト３を印刷し、ＵＮ印刷シー
トを作製する。このＡｌＮ印刷シートの導体は−スト２
および抵抗体イースト３以外の部分にガラスイースト番
を塗布して得られたＡｌＮ印刷シートを複数枚積み重ね
て焼成すると第２図に示されるようなガラス４′に囲ま
れて内部に配線された導体２′および抵抗体３′を有す
るＡｌＮ多層基板が得られるのである。
して得られたＡ（Ｎ基板上の表面に酸化物層５を形成し
、その酸化物層５の表向にさらに８１０２層６を形成し
て表面処理したのち、その底面処理した表面に導体ペー
スト２および抵抗体イースト３を印刷し、ＵＮ印刷シー
トを作製する。このＡｌＮ印刷シートの導体は−スト２
および抵抗体イースト３以外の部分にガラスイースト番
を塗布して得られたＡｌＮ印刷シートを複数枚積み重ね
て焼成すると第２図に示されるようなガラス４′に囲ま
れて内部に配線された導体２′および抵抗体３′を有す
るＡｌＮ多層基板が得られるのである。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
まず、原料粉末としてそれぞれ平均粒径：３μｍのＵＮ
粉末およびＹ２Ｏ５粉末を用意し、上記Ｙ２０．粉末：
２重量％金上記ＡｌＮ粉末に配合し、混合し。
粉末およびＹ２Ｏ５粉末を用意し、上記Ｙ２０．粉末：
２重量％金上記ＡｌＮ粉末に配合し、混合し。
さらに有機バインダーと混合し、ドクターブレード法に
よりＡＩＮグリーンシートに成形後、１８００℃で２時
間窒素雰囲気中で焼結し、厚さ：０．３Ｉ！ｌ。
よりＡＩＮグリーンシートに成形後、１８００℃で２時
間窒素雰囲気中で焼結し、厚さ：０．３Ｉ！ｌ。
幅：５０．８朋、長さ：５０．８鵡の寸法を有するＡＩ
Ｎ基板を得た。
Ｎ基板を得た。
つぎに、この基板を、酸素分圧：２ＸｌＯａｔｍ。
水蒸気分圧：１ＸＩＯａｔｍの雰囲気で３時間保持の表
面処理を施して、基板表面に厚さ：マμ講の酸化物層を
形成したのち、ゾルゲル法により厚さ２０．５２票の８
１０２層を形成した。
面処理を施して、基板表面に厚さ：マμ講の酸化物層を
形成したのち、ゾルゲル法により厚さ２０．５２票の８
１０２層を形成した。
この表面処理したＡ１．Ｎ基板に６通常のＡｇ −Ｐｄ
系導体イーストおよびＲｕＯ２系抵抗体イーストを印刷
し、そのＡｇ−Ｐｄ系イーストおよびＲｕ Ｏｚ系抵抗
体イースト以外の部分にガラスペーストとしてホウケイ
酸ガラス（コーニング社製、）７２０．軟化点二フ５５
℃）ペーストを印刷し、第１因に示される構造のＡｌＮ
印刷シートを１０枚作製した。
系導体イーストおよびＲｕＯ２系抵抗体イーストを印刷
し、そのＡｇ−Ｐｄ系イーストおよびＲｕ Ｏｚ系抵抗
体イースト以外の部分にガラスペーストとしてホウケイ
酸ガラス（コーニング社製、）７２０．軟化点二フ５５
℃）ペーストを印刷し、第１因に示される構造のＡｌＮ
印刷シートを１０枚作製した。
上記ＵＮ印刷シ〒ト１０枚ｔ−３次元的に恵ね合せ、大
気雰囲気中、温度二り５０℃、１０分間保持の条件で焼
成してＡｌＮ多層基板を作製し、そのＡＩＮ多１多基一
基板伝導度および曲げ強度を測定してその結果ｔ−ｆｉ
１表に示した。
気雰囲気中、温度二り５０℃、１０分間保持の条件で焼
成してＡｌＮ多層基板を作製し、そのＡＩＮ多１多基一
基板伝導度および曲げ強度を測定してその結果ｔ−ｆｉ
１表に示した。
一方、比較のために、平均粒径二３μ戊のＡｌ２Ｏ３粉
末と上記ホウケイ酸ガラス（コーニング社製）１２０．
軟化点：１５５℃）粉末を１重量比で５０：５０となる
ように混合し、さらに有機バインダーを混合してドクタ
ーブレード法により厚さ：０．３１ｍのグリーンシート
を１０枚作製した。そのグリーンシート表面にそれぞれ
通常のＡｇ−Ｐｄ系導体ペーストおよびＲｕ Ｏ２系低
抵抗ペーストヲ印刷して印刷グリーンシートとし、これ
ら印刷グリーンシートを１０枚重ね合せて大気雰囲気中
、温度＝８５０℃、６０分間保持の条件で焼成し、現在
開発されつつある複合セラミックス多層基板を作製し、
この基板の熱伝導度および曲げ強度を測定して比較例と
して第１表に示した。
末と上記ホウケイ酸ガラス（コーニング社製）１２０．
軟化点：１５５℃）粉末を１重量比で５０：５０となる
ように混合し、さらに有機バインダーを混合してドクタ
ーブレード法により厚さ：０．３１ｍのグリーンシート
を１０枚作製した。そのグリーンシート表面にそれぞれ
通常のＡｇ−Ｐｄ系導体ペーストおよびＲｕ Ｏ２系低
抵抗ペーストヲ印刷して印刷グリーンシートとし、これ
ら印刷グリーンシートを１０枚重ね合せて大気雰囲気中
、温度＝８５０℃、６０分間保持の条件で焼成し、現在
開発されつつある複合セラミックス多層基板を作製し、
この基板の熱伝導度および曲げ強度を測定して比較例と
して第１表に示した。
は４倍も昼いことがわかる。
この発明のＡｌＮ多層基板は、焼成されたしつかりした
ＩＮシー）Ｋ導体ペーストおよび抵抗体ペーストを印刷
するために、印刷ミスがなく、シたがって導体１．＋は
抵抗体の断線等による不良品発生も少なく、また、この
発明の製造方法で得られた多層基板は、熱伝導度が極め
て高いので導体および抵抗体から発生する熱を効率よく
放散させる仁とができ、したがって導体および抵抗体を
多層基板内部に高密度で配線することができ、さらに強
度も極めて優れているので過酷な条件でも十分に耐える
ことができる等のすぐれ九効果を奏するものである。
ＩＮシー）Ｋ導体ペーストおよび抵抗体ペーストを印刷
するために、印刷ミスがなく、シたがって導体１．＋は
抵抗体の断線等による不良品発生も少なく、また、この
発明の製造方法で得られた多層基板は、熱伝導度が極め
て高いので導体および抵抗体から発生する熱を効率よく
放散させる仁とができ、したがって導体および抵抗体を
多層基板内部に高密度で配線することができ、さらに強
度も極めて優れているので過酷な条件でも十分に耐える
ことができる等のすぐれ九効果を奏するものである。
第１表
第１表の結果から、この発明によシ得られた基板は、現
在開発されつつある複合セラミックス多層基板よりも熱
伝導度は１４倍も高く１曲は強度
在開発されつつある複合セラミックス多層基板よりも熱
伝導度は１４倍も高く１曲は強度
第１図は、この発明のＡｌＮ多層基板を作製するための
１枚のＡｌＮ印刷シートの断面図。 第２図は、この発明のＡｌＮ多層基板の断面図。 第３図は、従来の複合セラミックス多層基板を炸裂する
ための１枚の印刷グリーンシートの断面図。 第４図は、従来の複合セラミックス多層基板の断面図で
ある。 １・・・＾ＩＮ基板、 ２・・・導体は−スト。 ３・・・抵抗体イースト、 ４・・・ガラスは−スト。 ５・・・酸化物層、 ６・・・８１０２層。 ２′・・・導体、３′・・・抵抗体。 Ｃ・・・ガラス。
１枚のＡｌＮ印刷シートの断面図。 第２図は、この発明のＡｌＮ多層基板の断面図。 第３図は、従来の複合セラミックス多層基板を炸裂する
ための１枚の印刷グリーンシートの断面図。 第４図は、従来の複合セラミックス多層基板の断面図で
ある。 １・・・＾ＩＮ基板、 ２・・・導体は−スト。 ３・・・抵抗体イースト、 ４・・・ガラスは−スト。 ５・・・酸化物層、 ６・・・８１０２層。 ２′・・・導体、３′・・・抵抗体。 Ｃ・・・ガラス。
Claims (3)
- （１）表面に導体および抵抗体を配線した複数枚の焼成
Ａｌシートの積層体であつて、上記積層体は互いに無機
バインダーで接合されていることを特徴とする内部に導
体および抵抗体を配線したＡｌＮ多層基板。 - （２）焼成したＡｌＮシートの表面に導体ペースト，抵
抗体ペーストおよび無機バインダーペーストを印刷また
は塗布して配線し、ついで３次元的に積み重ねて焼成す
ることを特徴とする内部に導体および抵抗体を配線した
ＭＮ多層基板の製造方法。 - （３）上記焼成したＡｌシートの表面は表面処理されて
いることを特徴とする請求項２記載の内部に導体および
抵抗体を配線したＡｌＮ多層基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031912A JP2615970B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 内部に導体、抵抗体を配線したＡ▲ｌ▼Ｎ多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031912A JP2615970B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 内部に導体、抵抗体を配線したＡ▲ｌ▼Ｎ多層基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210894A true JPH02210894A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2615970B2 JP2615970B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=12344191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031912A Expired - Lifetime JP2615970B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 内部に導体、抵抗体を配線したＡ▲ｌ▼Ｎ多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615970B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062522A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック多層回路基板及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61119094A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板の製造方法 |
| JPS63181399A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性厚膜多層配線基板 |
| JPS63220598A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | 三菱鉱業セメント株式会社 | セラミック多層配線基板の製法 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031912A patent/JP2615970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61119094A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板の製造方法 |
| JPS63181399A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性厚膜多層配線基板 |
| JPS63220598A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | 三菱鉱業セメント株式会社 | セラミック多層配線基板の製法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062522A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック多層回路基板及びその製造方法 |
| US8106306B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic multi-layer circuit substrate and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2615970B2 (ja) | 1997-06-04 |
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