JPH022110A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH022110A JPH022110A JP63145836A JP14583688A JPH022110A JP H022110 A JPH022110 A JP H022110A JP 63145836 A JP63145836 A JP 63145836A JP 14583688 A JP14583688 A JP 14583688A JP H022110 A JPH022110 A JP H022110A
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- Japan
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- pattern
- group
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の概要〕
電子ビーム露光方法、より詳しくは電子ビーム露光装置
における近接効果補正処理に関し、繰り返しパターン群
を有するパターンデータに対して、データ量の増大、計
算機処理時間の大幅な増加をすることなしに、近接効果
補正処理をすることを可能とする方法を提供することを
目的とし、 複数のパターンデータ群からなるパターンデータを電子
ビーム、露光する場合、設計データから電子ビーム露光
用データフォーマントにデータ変換時に、境界部分を有
する２つのパターンデータ群に対し、あるパターンデー
タ群の境界部分のパタ−ンデータを他のパターンデータ
群に取り込んで、データ変換処理をする電子ビーム露光
方法および既にデータ変換処理済みの複数のパターンデ
ータ群（Ａ＋Ａｚ・・・・Ａｎ）を配置して新規のパタ
ーンデータ（Ｃ）を作成するときに、該データ変換処理
済みのパターンデータ群間を接続するパターンデータ群
（Ｂ）の中に、該データ変換処理済みパターンデータ群
（Ａ１Ａ２・・・・Ａｎ）の前記接続パターンデータ群
（Ｂ）との境界部分のデータを取り込み、データ変換処
理をする電子ビーム露光方法を含み構成する。
における近接効果補正処理に関し、繰り返しパターン群
を有するパターンデータに対して、データ量の増大、計
算機処理時間の大幅な増加をすることなしに、近接効果
補正処理をすることを可能とする方法を提供することを
目的とし、 複数のパターンデータ群からなるパターンデータを電子
ビーム、露光する場合、設計データから電子ビーム露光
用データフォーマントにデータ変換時に、境界部分を有
する２つのパターンデータ群に対し、あるパターンデー
タ群の境界部分のパタ−ンデータを他のパターンデータ
群に取り込んで、データ変換処理をする電子ビーム露光
方法および既にデータ変換処理済みの複数のパターンデ
ータ群（Ａ＋Ａｚ・・・・Ａｎ）を配置して新規のパタ
ーンデータ（Ｃ）を作成するときに、該データ変換処理
済みのパターンデータ群間を接続するパターンデータ群
（Ｂ）の中に、該データ変換処理済みパターンデータ群
（Ａ１Ａ２・・・・Ａｎ）の前記接続パターンデータ群
（Ｂ）との境界部分のデータを取り込み、データ変換処
理をする電子ビーム露光方法を含み構成する。
本発明は電子ビーム露光方法、より詳しくは電子ビーム
露光装置における近接効果補正処理に関する。
露光装置における近接効果補正処理に関する。
近年、ターンアラウンドタイム（ＴＡＴ）の短縮、ＩＣ
チップの高集積化、微細化に伴ない、電子ビーム露光装
置によるウェハ直接露光が用いられるようになってきた
。電子ビームを試料基板に照射した場合、第６図に示す
ように試料基板からの反射電子の影響が大きく、パター
ンが近接している場合は、間隙が解像しないという問題
がある。なお第６図（ａ）は電子ビーム１１の位置を示
す平面図、その（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う
断面図で、電子ビーム強度を示し、横軸に位置を、縦軸
に電子ビーム強度をとる。第６図に砂地を付した部分が
干渉部分１２であり、この部分で間隙（同図（ａ）にＧ
で示す） が解像されない。
チップの高集積化、微細化に伴ない、電子ビーム露光装
置によるウェハ直接露光が用いられるようになってきた
。電子ビームを試料基板に照射した場合、第６図に示す
ように試料基板からの反射電子の影響が大きく、パター
ンが近接している場合は、間隙が解像しないという問題
がある。なお第６図（ａ）は電子ビーム１１の位置を示
す平面図、その（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う
断面図で、電子ビーム強度を示し、横軸に位置を、縦軸
に電子ビーム強度をとる。第６図に砂地を付した部分が
干渉部分１２であり、この部分で間隙（同図（ａ）にＧ
で示す） が解像されない。
そこで、微細、高集積パターンを電子ビーム露光する場
合、近接効果補正をすることが必須のこととなっている
。
合、近接効果補正をすることが必須のこととなっている
。
こ＼で第４図を参照すると、シリコンウェハ２１上には
ＥＢレジスト２２（例えばＰＭＭＡなる商品名のレジス
ト）が１μｍの厚さに塗布されている。このウェハ２１
に対して同図（ｂ）に実線で示す単一電子ビームを照射
するとき、入射電子、総照射量の強度は同図（ａ）の断
面図に示されるようにそれぞれ線２３．２４で示すプロ
ファイルを示し、レジストは線２４で示される範囲（こ
の範囲は同図（ｂ）に破線で示す。）まで露光される。
ＥＢレジスト２２（例えばＰＭＭＡなる商品名のレジス
ト）が１μｍの厚さに塗布されている。このウェハ２１
に対して同図（ｂ）に実線で示す単一電子ビームを照射
するとき、入射電子、総照射量の強度は同図（ａ）の断
面図に示されるようにそれぞれ線２３．２４で示すプロ
ファイルを示し、レジストは線２４で示される範囲（こ
の範囲は同図（ｂ）に破線で示す。）まで露光される。
なお同図（ａ）において、線２５は散乱（反射）電子の
効果の及ぶ範囲を示す。
効果の及ぶ範囲を示す。
第５図は第４図のビームを繰り返し照射したときの状態
を示す図で、入射電子２３の繰り返しによって総照射量
２４（同図（ｂ）に破線で示す。）が得られる状態を示
す。なお、第５図（ａ）に示されるプロファイルは第６
図（ｂ）のそれぞれのプロファイルに相当し、それらの
干渉部分が前記したように問題となるのである。
を示す図で、入射電子２３の繰り返しによって総照射量
２４（同図（ｂ）に破線で示す。）が得られる状態を示
す。なお、第５図（ａ）に示されるプロファイルは第６
図（ｂ）のそれぞれのプロファイルに相当し、それらの
干渉部分が前記したように問題となるのである。
従来、電子ビーム露光装置において、近接効果の補正方
法には、何種類かの方法があり、そのうち次の二つの方
法が多用されている。
法には、何種類かの方法があり、そのうち次の二つの方
法が多用されている。
■ 電子ビームの加速電圧を上げて、試料基板からの反
射電子の量を小さくする。基板への入射エネルギーが高
いために電子ビームは試料基板内にほとんどすべてが侵
入し、試料基板分子と衝突して反射される電子の量が少
ない。
射電子の量を小さくする。基板への入射エネルギーが高
いために電子ビームは試料基板内にほとんどすべてが侵
入し、試料基板分子と衝突して反射される電子の量が少
ない。
■ 計算機により、各パターンのサンプル点（第７図に
ａで示す。）における周囲のパターンより影響を受ける
照射量をシミュレートし、そのサンプル点が適正照射量
になるように、パターン寸法シフトしく例えば小さくシ
）、照射量補正を行なう。
ａで示す。）における周囲のパターンより影響を受ける
照射量をシミュレートし、そのサンプル点が適正照射量
になるように、パターン寸法シフトしく例えば小さくシ
）、照射量補正を行なう。
なお、第７図はサンプル点と近接効果の及ぶ範囲を示す
図で、パターン１のサンプル点ａの近接効果の及ぶ範囲
は破線Ａで示す範囲に達し、パターンで、２′、２″、
２′″が近接効果の影響を受けることを示す。
図で、パターン１のサンプル点ａの近接効果の及ぶ範囲
は破線Ａで示す範囲に達し、パターンで、２′、２″、
２′″が近接効果の影響を受けることを示す。
■の方法は、加速電圧を上げるのには、限界がある（現
在、約５０ＫｅＶが限界である）。さらに、加速電圧を
上げると電子はレジストを通り抜けてしまうので、レジ
ストを十分に露光するには照射量を多く与えなければな
らない。さらには、電子光学系の設計が難しく、偏向電
圧（又は電流）が高く（多く）なり、高電圧（又は大電
流）動作アンプが必要になる。
在、約５０ＫｅＶが限界である）。さらに、加速電圧を
上げると電子はレジストを通り抜けてしまうので、レジ
ストを十分に露光するには照射量を多く与えなければな
らない。さらには、電子光学系の設計が難しく、偏向電
圧（又は電流）が高く（多く）なり、高電圧（又は大電
流）動作アンプが必要になる。
■の方法では計算機処理時間が膨大なものとなるが、微
細、高精度パターンが描画可能である。
細、高精度パターンが描画可能である。
（発明が解決しようとする課題）
メモリセルなどの繰り返しの多いパターンを電子ビーム
露光する場合、繰り返しとなるパターンデータ（基本デ
ータ）と、繰り返しのピッチ、繰り返し回数（繰り返し
情報）を持ち、パターン露光時に展開する方法（マトリ
クス露光法・特公昭６０−６５３８号公報）が、有効で
ある。
露光する場合、繰り返しとなるパターンデータ（基本デ
ータ）と、繰り返しのピッチ、繰り返し回数（繰り返し
情報）を持ち、パターン露光時に展開する方法（マトリ
クス露光法・特公昭６０−６５３８号公報）が、有効で
ある。
繰り返しのあるパターンデータに近接効果補正処理をす
る場合、近接効果の量が、その性質上、周囲のパターン
の状況により変化するので、繰り返しパターン群を展開
しないとわからない。パターンを展開すると、データ量
も増え、近接効果補正に要する計算機時間は、非常に膨
大なものとなり、現実的ではない。
る場合、近接効果の量が、その性質上、周囲のパターン
の状況により変化するので、繰り返しパターン群を展開
しないとわからない。パターンを展開すると、データ量
も増え、近接効果補正に要する計算機時間は、非常に膨
大なものとなり、現実的ではない。
そこで本発明は、繰り返しパターン群を有するパターン
データに対して、データ量の増大、計算機処理時間の大
幅な増加をすることなしに、近接効果補正処理をするこ
とを可能とする方法を提供することを目的とする。
データに対して、データ量の増大、計算機処理時間の大
幅な増加をすることなしに、近接効果補正処理をするこ
とを可能とする方法を提供することを目的とする。
上記課題は、複数のパターンデータ群からなるパターン
データを電子ビーム露光する場合、設計データから電子
ビーム露光用データフォーマットにデータ変換時に、境
界部分を有する２つのパターンデータ群に対し、あるパ
ターンデータ群の境界部分のパターンデータを他のパタ
ーンデータ群に取り込んで、データ変換処理をする電子
ビーム露光方法および既にデータ変換処理済みの複数の
パターンデータ群（＾１＾２・・・・Ａｎ）を配置して
新規のパターンデータ（Ｃ）を作成するときに、該デー
タ変換処理済みのパターンデータ群間を接続するパター
ンデータ群（Ｂ）の中に、該データ変換処理済みパター
ンデータ群（八１へ２・・・・＾ｎ）の前記接続パター
ンデータ群（Ｂ）との境界部分のデータを取り込み、デ
ータ変換処理をする電子ビーム露光方法によって解決さ
れる。
データを電子ビーム露光する場合、設計データから電子
ビーム露光用データフォーマットにデータ変換時に、境
界部分を有する２つのパターンデータ群に対し、あるパ
ターンデータ群の境界部分のパターンデータを他のパタ
ーンデータ群に取り込んで、データ変換処理をする電子
ビーム露光方法および既にデータ変換処理済みの複数の
パターンデータ群（＾１＾２・・・・Ａｎ）を配置して
新規のパターンデータ（Ｃ）を作成するときに、該デー
タ変換処理済みのパターンデータ群間を接続するパター
ンデータ群（Ｂ）の中に、該データ変換処理済みパター
ンデータ群（八１へ２・・・・＾ｎ）の前記接続パター
ンデータ群（Ｂ）との境界部分のデータを取り込み、デ
ータ変換処理をする電子ビーム露光方法によって解決さ
れる。
〔作用］
上記した問題点は、繰り返しのあるパターンデータ群と
、繰り返しのないパターンデータ群を個別に近接効果補
正処理をして、その後、両者を加算すると良い。しかし
、繰り返しパターン群と繰り返しのないパターン群の接
続部は、周囲のパターンの状況が異なるので、繰り返し
パターンと同一の近接効果補正値では、スムーズにつな
がらない。そこで、繰り返しパターン群より２行（２列
）分のパターンデータを展開して繰り返しのないパター
ン群へ編入し、通常の近接効果補正処理を行なう。内側
の１行（１列）分のデータは、捨て去り、最外周の１行
（１列）分の繰り返しパターン群（接続部）のみを繰り
返しのないパターン群へ取込むことにより、繰り返しパ
ターン群と、繰り返しのないパターン群の接続部がスム
ーズにつながる。
、繰り返しのないパターンデータ群を個別に近接効果補
正処理をして、その後、両者を加算すると良い。しかし
、繰り返しパターン群と繰り返しのないパターン群の接
続部は、周囲のパターンの状況が異なるので、繰り返し
パターンと同一の近接効果補正値では、スムーズにつな
がらない。そこで、繰り返しパターン群より２行（２列
）分のパターンデータを展開して繰り返しのないパター
ン群へ編入し、通常の近接効果補正処理を行なう。内側
の１行（１列）分のデータは、捨て去り、最外周の１行
（１列）分の繰り返しパターン群（接続部）のみを繰り
返しのないパターン群へ取込むことにより、繰り返しパ
ターン群と、繰り返しのないパターン群の接続部がスム
ーズにつながる。
本発明では、第３図（ａ）に示すように、繰り返しパタ
ーン群３１の外周の２行く２列）のパターンを展開して
、繰り返しのないパターン群３２へ取込む。
ーン群３１の外周の２行く２列）のパターンを展開して
、繰り返しのないパターン群３２へ取込む。
次いで、近接効果補正処理を最外周の１行（１列）迄実
施する。〔２行（２列）目のデータは、最外周１行（１
列）目の近接効果補正処理をするためにのみ使う。］ 繰り返しパターン群の最外周１行（１列）を繰り返しの
ないパターン群に取込んだものと、繰り返しパターン群
とを個別に近接効果補正処理を行なった後に、加算する
。
施する。〔２行（２列）目のデータは、最外周１行（１
列）目の近接効果補正処理をするためにのみ使う。］ 繰り返しパターン群の最外周１行（１列）を繰り返しの
ないパターン群に取込んだものと、繰り返しパターン群
とを個別に近接効果補正処理を行なった後に、加算する
。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第２図は、繰り返しパターン群を含むデータを示し、３
１は繰り返しパターン群、３２は繰り返しのないパター
ン群を示す。
１は繰り返しパターン群、３２は繰り返しのないパター
ン群を示す。
操り返しパターン群３１は、第３図（ｂ）を参照すると
、最外周の１行（１列）を除いたパターンに対して近接
効果補正処理をする。この時は、Ｘ＝３、Ｙ＝３の９個
の繰り返し基本パターンを展開して真中の基本パターン
３３に関して近接効果補正処理をする（繰り返し数ｍ−
１、ｎ−１）。繰り返しのないパターンは、繰り返しパ
ターン群より最外周の２行（２列）分のデータを取込み
展開し、通常の近接効果補正を最外周の１行（１列）分
宿実施する〔内側の２行（２列）目のデータ３２ｂは、
最外周１行（１列）目のデータ３１ａの補正処理をする
ためにのみ使う〕。本実施例により、操り返しパターン
群３１の最外周（繰り返しパターン群と繰り返しのない
パターンの接続部）のパターン３１ａが繰り返し部３１
と別処理となるので、スムーズにつながるのである。
、最外周の１行（１列）を除いたパターンに対して近接
効果補正処理をする。この時は、Ｘ＝３、Ｙ＝３の９個
の繰り返し基本パターンを展開して真中の基本パターン
３３に関して近接効果補正処理をする（繰り返し数ｍ−
１、ｎ−１）。繰り返しのないパターンは、繰り返しパ
ターン群より最外周の２行（２列）分のデータを取込み
展開し、通常の近接効果補正を最外周の１行（１列）分
宿実施する〔内側の２行（２列）目のデータ３２ｂは、
最外周１行（１列）目のデータ３１ａの補正処理をする
ためにのみ使う〕。本実施例により、操り返しパターン
群３１の最外周（繰り返しパターン群と繰り返しのない
パターンの接続部）のパターン３１ａが繰り返し部３１
と別処理となるので、スムーズにつながるのである。
メモリ、ロジックあるいはＣＰＵ等あらかしめ既設計の
機能ブロックを組合わせて、新規なチップを作成する複
合チップの場合、各機能ブロックのデータは既に決まっ
ているので、新たにデータを作成する必要もなく、単に
チップ上に配置するだけでよい。第８図は複合チップの
例の図で、図中、八３、Ａ２、Ａ３は既設計の機能ブロ
ックデータ、Ｂはデータ変換処理済みのパターンデータ
群（ＡＩ、 Ａ２・・、・Ａｎ）間を接続するパターン
データ群を示し、複合チップＣ＝（ＡＩ＋＾２＋・・・
・Ａｎ） ＋ Ｂからなるもので、機能ブロックデータ
の破線から外の部分が近接効果補正処理がなされる接続
部（境界部分）である。近接効果補正処理も機能ブロッ
ク内のデータは、既設計済みなので、各機能ブロックと
の接続部だけ新規に近接効果補正処理を実施すればよい
。この場合は、各機能ブロックの最外周の近接効果補正
前のデータを用いて、近接効果補正処理を実施すればよ
い。
機能ブロックを組合わせて、新規なチップを作成する複
合チップの場合、各機能ブロックのデータは既に決まっ
ているので、新たにデータを作成する必要もなく、単に
チップ上に配置するだけでよい。第８図は複合チップの
例の図で、図中、八３、Ａ２、Ａ３は既設計の機能ブロ
ックデータ、Ｂはデータ変換処理済みのパターンデータ
群（ＡＩ、 Ａ２・・、・Ａｎ）間を接続するパターン
データ群を示し、複合チップＣ＝（ＡＩ＋＾２＋・・・
・Ａｎ） ＋ Ｂからなるもので、機能ブロックデータ
の破線から外の部分が近接効果補正処理がなされる接続
部（境界部分）である。近接効果補正処理も機能ブロッ
ク内のデータは、既設計済みなので、各機能ブロックと
の接続部だけ新規に近接効果補正処理を実施すればよい
。この場合は、各機能ブロックの最外周の近接効果補正
前のデータを用いて、近接効果補正処理を実施すればよ
い。
第１図は本発明の実施例のフローチャートで、当該方法
の実施においては、先ず操り返しの有無をみて、Ｎｏで
あれば近接効果補正を行なって終る。
の実施においては、先ず操り返しの有無をみて、Ｎｏで
あれば近接効果補正を行なって終る。
操り返しありの場合に、繰り返し部？でＹｅｓの繰り返
しパターン群については、繰り返し数（Ｘ：ｎ−Ｌ Ｙ
ｅｎ−１）をみて、パターンデータ展開をなしくＸ−３
、Ｙ＝３）、しかる後に近接効果補正をなす。
しパターン群については、繰り返し数（Ｘ：ｎ−Ｌ Ｙ
ｅｎ−１）をみて、パターンデータ展開をなしくＸ−３
、Ｙ＝３）、しかる後に近接効果補正をなす。
操り返し部でＮｏの繰り返しのないパターンについては
、繰り返しパターン２行（２列）を取り込み、繰り返し
のないパターンに繰り返しパターン１行（１列）を加え
た上で近接効果補正をなし、この補正と前述した近接効
果補正とを加算し、本発明の方法の実行は終了する。
、繰り返しパターン２行（２列）を取り込み、繰り返し
のないパターンに繰り返しパターン１行（１列）を加え
た上で近接効果補正をなし、この補正と前述した近接効
果補正とを加算し、本発明の方法の実行は終了する。
以上のように本発明によれば、繰り返しパターン群は、
そのまま繰り返しパターン群として残り、かつ、繰り返
しパターン群と繰り返しのないパターンとの接続部がス
ムーズにつながるので、計算機処理時間、パターンデー
タ数が大幅に増大することなしに、近接効果補正処理が
可能となり、高精度パターンが描画可能となる。
そのまま繰り返しパターン群として残り、かつ、繰り返
しパターン群と繰り返しのないパターンとの接続部がス
ムーズにつながるので、計算機処理時間、パターンデー
タ数が大幅に増大することなしに、近接効果補正処理が
可能となり、高精度パターンが描画可能となる。
第１図は本発明の実施例のフローチャート第２図は繰り
返しパターン群と繰り返しのないパターン群の説明図、 第３図は、近接効果補正範囲を示す図で、その（ａ）は
繰り返しのないパターン群の図、（ｂ）は繰り返しパタ
ーン群の図、 第４図は単一ビームのプロファイルの図で、その（ａ）
は断面図、（ｂ）は平面図、 第５図は複数ビームプロファイルの図で、その（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図、 第６図は近接効果を説明する図で、その（ａ）は平面図
、（ト））は同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第７図は
サンプル点と近接効果の及ぶ範囲の説明図、 第８図は複合チップの例の図である。 図中、 ■、２′、２“、２＃、３′、３“、３″はパターン、
１１は電子ビーム、 １２は干渉部分、 ２１はシリコンウェハ、 ２２はレジスト、 ２３は入射電子、 ２４は総照射量、 ３１は繰り返しパターン群、 ３１ａは繰り返しパターン群の最外周のパターン、３１
ｂは繰り返しパターンの内側２行（２列）目のパターン
、 ３２は繰り返しのないパターン群 を示す。
返しパターン群と繰り返しのないパターン群の説明図、 第３図は、近接効果補正範囲を示す図で、その（ａ）は
繰り返しのないパターン群の図、（ｂ）は繰り返しパタ
ーン群の図、 第４図は単一ビームのプロファイルの図で、その（ａ）
は断面図、（ｂ）は平面図、 第５図は複数ビームプロファイルの図で、その（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図、 第６図は近接効果を説明する図で、その（ａ）は平面図
、（ト））は同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第７図は
サンプル点と近接効果の及ぶ範囲の説明図、 第８図は複合チップの例の図である。 図中、 ■、２′、２“、２＃、３′、３“、３″はパターン、
１１は電子ビーム、 １２は干渉部分、 ２１はシリコンウェハ、 ２２はレジスト、 ２３は入射電子、 ２４は総照射量、 ３１は繰り返しパターン群、 ３１ａは繰り返しパターン群の最外周のパターン、３１
ｂは繰り返しパターンの内側２行（２列）目のパターン
、 ３２は繰り返しのないパターン群 を示す。
Claims (3)
- （１）複数のパターンデータ群からなるパターンデータ
を電子ビーム露光する場合、設計データから電子ビーム
露光用データフォーマットにデータ変換時に、境界部分
を有する２つのパターンデータ群に対し、あるパターン
データ群の境界部分のパターンデータを他のパターンデ
ータ群に取り込んで、データ変換処理をする電子ビーム
露光方法。 - （２）境界部分を有する２つのパターンデータ群の一つ
が、基本データ群を複数個繰り返すことにより構成され
る請求項１記載の電子ビーム露光方法。 - （３）既にデータ変換処理済みの複数のパターンデータ
群（Ａ＿１Ａ＿２・・・・Ａｎ）を配置して新規のパタ
ーンデータ（Ｃ）を作成するときに、該データ変換処理
済みのパターンデータ群間を接続するパターンデータ群
（Ｂ）の中に、該データ変換処理済みパターンデータ群
（Ａ＿１Ａ＿２・・・・Ａｎ）の前記接続パターンデー
タ群（Ｂ）との境界部分のデータを取り込み、データ変
換処理をする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145836A JPH022110A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145836A JPH022110A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022110A true JPH022110A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15394232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145836A Pending JPH022110A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247825A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
| JPH03206638A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム描画の補正方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373760A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テレコントロ−ルシステム |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63145836A patent/JPH022110A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373760A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テレコントロ−ルシステム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247825A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
| JPH03206638A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム描画の補正方法 |
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