JPH0221165B2 - - Google Patents
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- JPH0221165B2 JPH0221165B2 JP55074544A JP7454480A JPH0221165B2 JP H0221165 B2 JPH0221165 B2 JP H0221165B2 JP 55074544 A JP55074544 A JP 55074544A JP 7454480 A JP7454480 A JP 7454480A JP H0221165 B2 JPH0221165 B2 JP H0221165B2
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- wave
- plane
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q19/00—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
- H01Q19/10—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces
- H01Q19/12—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces wherein the surfaces are concave
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- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロ波やミリ波帯で使用される
開口面アンテナにおいて広角放射特性が優れたア
ンテナ装置に関するものである。
開口面アンテナにおいて広角放射特性が優れたア
ンテナ装置に関するものである。
従来の開口面アンテナの一例としてカセグレン
アンテナの構成を第１図に示す。第１図におい
て、１は主反射鏡、２は副反射鏡、３は一次放射
器、４は副反射鏡を支える支柱である。このよう
な構成の開口面アンテナにおいて、一次放射器３
から放射された球面波は副反射鏡２および主反射
鏡１で反射された後平面波となり外部へ放射され
る。このとき主反射鏡１で反射された平面波５は
副反射鏡２を支える支柱４に当たりこの支柱によ
つて散乱される。この場合散乱波６は幾何光学的
にスネルの法則を満足する方向へ進行する反射波
とその反射波の進行方向において電界強度が強
く、離れるにつれて徐々に弱くなる回折波から構
成される。
アンテナの構成を第１図に示す。第１図におい
て、１は主反射鏡、２は副反射鏡、３は一次放射
器、４は副反射鏡を支える支柱である。このよう
な構成の開口面アンテナにおいて、一次放射器３
から放射された球面波は副反射鏡２および主反射
鏡１で反射された後平面波となり外部へ放射され
る。このとき主反射鏡１で反射された平面波５は
副反射鏡２を支える支柱４に当たりこの支柱によ
つて散乱される。この場合散乱波６は幾何光学的
にスネルの法則を満足する方向へ進行する反射波
とその反射波の進行方向において電界強度が強
く、離れるにつれて徐々に弱くなる回折波から構
成される。
そこで、先ず支柱４と反射波の進行方向との関
係について説明する。従来の支柱４は主反射鏡側
の形状が平面で構成されたもの、あるいは曲面で
構成されたものがあつた。
係について説明する。従来の支柱４は主反射鏡側
の形状が平面で構成されたもの、あるいは曲面で
構成されたものがあつた。
このため、支柱４が平面で構成されている場合
について説明する。
について説明する。
先ず、第２図に示すように直交座標系XYZ及
び平面Q1，Q2で構成される支柱４を設定する。
直交座標系においてXYZの各軸に沿つた単位ベ
クトルをそれぞれｉ，ｊ，ｋとする。支柱４を構
成する平面Q1と平面Q2の交線がＺ−Ｘ内に存在
し、上記交線とＺ軸のなす角がθで与えられ、平
面Q1とＺ−Ｘ面のなす角がで与えられるとす
る。ここで、支柱の面が平面で構成されているも
のとし、平面Q1内に存在するベクトルで、支柱
の長手方向に平行な単位ベクトルａ及びこれと直
行する単位ベクトルｂは次式で表わされる。
び平面Q1，Q2で構成される支柱４を設定する。
直交座標系においてXYZの各軸に沿つた単位ベ
クトルをそれぞれｉ，ｊ，ｋとする。支柱４を構
成する平面Q1と平面Q2の交線がＺ−Ｘ内に存在
し、上記交線とＺ軸のなす角がθで与えられ、平
面Q1とＺ−Ｘ面のなす角がで与えられるとす
る。ここで、支柱の面が平面で構成されているも
のとし、平面Q1内に存在するベクトルで、支柱
の長手方向に平行な単位ベクトルａ及びこれと直
行する単位ベクトルｂは次式で表わされる。
ａ＝sinθi＋cosθk
ｂ＝−cos cosθi＋sini
＋cos sinθk …(1)
次に観測点Ｐが第３図ａで示すように極座標系
Θ，Φで与えられ、平面波がＺ軸方向に進行する
とした場合、平面Q1で反射する反射波の進行方
向erは次式で与えられる。
Θ，Φで与えられ、平面波がＺ軸方向に進行する
とした場合、平面Q1で反射する反射波の進行方
向erは次式で与えられる。
er＝ｋ−２（ｎ・ｋ）ｎ
ｎ＝ａ×ｂ …(2)
一方、erを極座標成分で表わすと
er＝sinΘ cosΦi＋sinΘ sinΦj
＋cosΘk …(3)
となるので(1)式と(2)式より求めたerと(3)式のerの
関係よりΘ，Φとθ，の関係は次式で表わされ
る。
関係よりΘ，Φとθ，の関係は次式で表わされ
る。
観測点Ｐは反射波の進行方向に関係なく存在
し、その点Ｐの極座標はΘ，Φで与えられる。そ
して、反射波の進行方向は、(4)式を満足する値で
与えられる。第４図は支柱４の形状を表わすパラ
メータθ，と反射波の進行方向Θ，Φの関係を
示したもので、支柱４の形状を表わすθとの値
が与えられた場合、第３図に示す反射波の進行方
向を表わすΘ，Φをパラメータとした極座標
（Θ，Φ）において支柱４による反射波の放射さ
れる方向を示したもので、ΘとΦの読みを第３図
ｂに与える。
し、その点Ｐの極座標はΘ，Φで与えられる。そ
して、反射波の進行方向は、(4)式を満足する値で
与えられる。第４図は支柱４の形状を表わすパラ
メータθ，と反射波の進行方向Θ，Φの関係を
示したもので、支柱４の形状を表わすθとの値
が与えられた場合、第３図に示す反射波の進行方
向を表わすΘ，Φをパラメータとした極座標
（Θ，Φ）において支柱４による反射波の放射さ
れる方向を示したもので、ΘとΦの読みを第３図
ｂに与える。
また、支柱４が曲面で構成されている場合につ
いて第５図を用いて説明する。支柱４の断面の形
状が曲面で与えられる場合、この支柱４による反
射波の進行方向は、概略的には、曲面を局部的に
平面で置換え、平面からの反射波の集まりとして
考えることができる。すなわち、第５図に示すよ
うに、点A1に入射した平面波の反射方向は、点
A1における接平面P1を仮定し、この接平面P1に
平面波が入射した場合の反射方向で表わすことが
できる。この場合、第１図と同様に支柱４がＺ軸
に対してθ傾けて設けられているとして反射方向
は、支柱４の傾き角であるθと、接平面P1及び
平面波の進行方向を含む面のなす1とで与えら
れる。点A2に入射した場合も同様に接平面P2及
び平面波の進行方向を含む面のなす角2とで与
えられる。
いて第５図を用いて説明する。支柱４の断面の形
状が曲面で与えられる場合、この支柱４による反
射波の進行方向は、概略的には、曲面を局部的に
平面で置換え、平面からの反射波の集まりとして
考えることができる。すなわち、第５図に示すよ
うに、点A1に入射した平面波の反射方向は、点
A1における接平面P1を仮定し、この接平面P1に
平面波が入射した場合の反射方向で表わすことが
できる。この場合、第１図と同様に支柱４がＺ軸
に対してθ傾けて設けられているとして反射方向
は、支柱４の傾き角であるθと、接平面P1及び
平面波の進行方向を含む面のなす1とで与えら
れる。点A2に入射した場合も同様に接平面P2及
び平面波の進行方向を含む面のなす角2とで与
えられる。
このように、支柱が曲面の場合、曲面を多面体
に置き換えると、各平面に対応した反射波が存在
し、また各平面の接続部からは回折波が存在し、
反射波の放射方向の間を回折波がつなぐように放
射される。次にこの多面体の平面の数を限りなく
多くすると曲面となる。この場合、反射波と回折
波を明確に区別することは難しく、従つて、ここ
では曲面からの反射波は、各接平面からの反射波
の集合で表わすものとする。
に置き換えると、各平面に対応した反射波が存在
し、また各平面の接続部からは回折波が存在し、
反射波の放射方向の間を回折波がつなぐように放
射される。次にこの多面体の平面の数を限りなく
多くすると曲面となる。この場合、反射波と回折
波を明確に区別することは難しく、従つて、ここ
では曲面からの反射波は、各接平面からの反射波
の集合で表わすものとする。
次に、支柱４の形状と回折波の進行方向の関係
について第６図を用いて説明する。第６図に示す
ように、矢印で示す平面波の進行方向と支柱４の
形状が与えられた場合、支柱４を構成する平面
Q1，Q2の交線７（以下、エツジと称する。）と平
面波の進行方向であるＺ軸とのなす角をθとする
と、回折波の進行方向はエツジＥを中心軸とし、
半頂角がθで与えられる円錐の母線Ｂに沿つた方
向で与えられる。この半頂角θは第６図に示すよ
うに平面波の進行方向に対するエツジ７の傾きに
等しい。したがつて、第７図に示すような従来の
支柱４では、第５図におけるの値が90゜となる
反射面８による反射波とエツジ７，７による回折
波が存在し、支柱４の形状はθと（＝90゜）で表
わされるので、(4)式より反射波の進行方向はΘ＝
2θ，Φ＝0゜で与えられる方向へ放射される。さら
に回折波は第８図に示すように、θが一定でを
連続的に変化させた方向に放射される。ここで、
Θ，Φの読みは第３図ｂに示すとおりであり、第
４図の場合と同様である。
について第６図を用いて説明する。第６図に示す
ように、矢印で示す平面波の進行方向と支柱４の
形状が与えられた場合、支柱４を構成する平面
Q1，Q2の交線７（以下、エツジと称する。）と平
面波の進行方向であるＺ軸とのなす角をθとする
と、回折波の進行方向はエツジＥを中心軸とし、
半頂角がθで与えられる円錐の母線Ｂに沿つた方
向で与えられる。この半頂角θは第６図に示すよ
うに平面波の進行方向に対するエツジ７の傾きに
等しい。したがつて、第７図に示すような従来の
支柱４では、第５図におけるの値が90゜となる
反射面８による反射波とエツジ７，７による回折
波が存在し、支柱４の形状はθと（＝90゜）で表
わされるので、(4)式より反射波の進行方向はΘ＝
2θ，Φ＝0゜で与えられる方向へ放射される。さら
に回折波は第８図に示すように、θが一定でを
連続的に変化させた方向に放射される。ここで、
Θ，Φの読みは第３図ｂに示すとおりであり、第
４図の場合と同様である。
第５図に示す支柱の場合、反射波は特定の方向
へ集中することはないが、回折波は前述のように
多面体とした場合には反射波の放射方向の間をつ
なぐようにθが一定でが連続的に変化する方向
へほぼ一様に放射される。しかし、この多面体の
数を限りなく多くすると前述のように反射波の集
まりとして表わすことができ、回折の寄与がなく
なる。また、Θが零の方向では直接波が存在する
ので放射レベルが強くなる。第７図に示す支柱の
場合、反射波はΘ＝2θ，Φ＝0゜の方向へ集中し、
回折波はθが一定でが連続的に変化する方向へ
放射される。また、第７図に示す支柱の場合は第
５図に示す支柱の場合と同様にΘが零の方向では
直接波が存在するので、放射レベルが強くなる。
へ集中することはないが、回折波は前述のように
多面体とした場合には反射波の放射方向の間をつ
なぐようにθが一定でが連続的に変化する方向
へほぼ一様に放射される。しかし、この多面体の
数を限りなく多くすると前述のように反射波の集
まりとして表わすことができ、回折の寄与がなく
なる。また、Θが零の方向では直接波が存在する
ので放射レベルが強くなる。第７図に示す支柱の
場合、反射波はΘ＝2θ，Φ＝0゜の方向へ集中し、
回折波はθが一定でが連続的に変化する方向へ
放射される。また、第７図に示す支柱の場合は第
５図に示す支柱の場合と同様にΘが零の方向では
直接波が存在するので、放射レベルが強くなる。
これら第５図及び第７図に示した支柱による放
射パターンをそれぞれ第９図ａ，ｂに示す。この
第９図ａに示す第５図の支柱の放射レベルに対
し、第９図ｂに示す第７図の支柱の放射レベル
は、Θ＝2θ，Φ＝0゜の方向では反射波が存在する
ので高くなるが、それ以外のθが一定でが連続
的に変化する方向では、回折波だけが存在するの
で、低くなる。この第９図ａ，ｂにおいて線の密
度高い程放射レベルが高いとする。このように従
来における第５図、第７図に示すような形状の支
柱を用いると、第９図ａ，ｂに示すように放射レ
ベルは円錐状に全体に高くΘの値が大きい領域で
も放射レベルは小さくならず広角放射特性を劣化
させる原因となつている。従つてこのようなアン
テナを用いた場合、他の無線回線との干渉を生じ
るという欠点があつた。
射パターンをそれぞれ第９図ａ，ｂに示す。この
第９図ａに示す第５図の支柱の放射レベルに対
し、第９図ｂに示す第７図の支柱の放射レベル
は、Θ＝2θ，Φ＝0゜の方向では反射波が存在する
ので高くなるが、それ以外のθが一定でが連続
的に変化する方向では、回折波だけが存在するの
で、低くなる。この第９図ａ，ｂにおいて線の密
度高い程放射レベルが高いとする。このように従
来における第５図、第７図に示すような形状の支
柱を用いると、第９図ａ，ｂに示すように放射レ
ベルは円錐状に全体に高くΘの値が大きい領域で
も放射レベルは小さくならず広角放射特性を劣化
させる原因となつている。従つてこのようなアン
テナを用いた場合、他の無線回線との干渉を生じ
るという欠点があつた。
これらの欠点を除去するために、従来支柱の表
面に電波吸収体を取りつける方法、例えば第１０
図に示すように支柱４に一定の周期を有する金属
板９を配列する方法、あるいは波長より小さく、
かつ不規則な凹凸を有する金属体を配置する方法
があるが、第１の方法では電波吸収体で散乱波を
完全に除去することは困難であり、更に耐候性の
良い材料が得にくいという欠点があつた。第２の
方法では一定の周期に配列した金属板の周期に応
じてグレーテイングロブがでるという欠点があつ
た。また第３の方法では、反射波を散乱させるこ
とはできるが、回折波を散乱させることは難しい
という欠点があつた。
面に電波吸収体を取りつける方法、例えば第１０
図に示すように支柱４に一定の周期を有する金属
板９を配列する方法、あるいは波長より小さく、
かつ不規則な凹凸を有する金属体を配置する方法
があるが、第１の方法では電波吸収体で散乱波を
完全に除去することは困難であり、更に耐候性の
良い材料が得にくいという欠点があつた。第２の
方法では一定の周期に配列した金属板の周期に応
じてグレーテイングロブがでるという欠点があつ
た。また第３の方法では、反射波を散乱させるこ
とはできるが、回折波を散乱させることは難しい
という欠点があつた。
この発明はこれらの欠点を除去するために、支
柱の主反射鏡側あるいは反射鏡側の表面に支柱の
長手方向に沿つた底辺の長さあるいは高さが異な
る複数種類の四角錐を複数個不規則に配列したも
ので、その目的は広角放射特性の優れたアンテナ
を実現することにある。以下図面について詳細に
説明する。
柱の主反射鏡側あるいは反射鏡側の表面に支柱の
長手方向に沿つた底辺の長さあるいは高さが異な
る複数種類の四角錐を複数個不規則に配列したも
ので、その目的は広角放射特性の優れたアンテナ
を実現することにある。以下図面について詳細に
説明する。
第１１図はこの発明の一実施例を示すもので、
図において４は支柱、５は通過する平面波、７は
支柱と四角錐の接続部であるエツジ、１０は四角
錐である。ここで四角錐１０は、支柱の長手方向
に沿つた底辺の長さおよび高さが波長に比べて大
きく、かつ底面の他の辺の長さが支柱の幅に等し
くしてある。そして、カセグレンアンテナでは支
柱の主反射鏡側の表面に、パラボラアンテナでは
支柱の反射鏡側の表面に、支柱の長手方向に沿つ
た辺の長さあるいは高さが異なる複数種類の上記
四角錐を、複数個不規則に配列してある。このよ
うな構成にすることによつて、平面波５の四角錐
１０による散乱波は四角錐を構成する面８ａ，８
ｂからの反射波、面８ａと面８ｂの接続部のエツ
ジによる回折波、および四角錐１０と支柱４の接
続部のエツジ７による回折波の合成で表わされ
る。こなかでエツジ７を含む面８ａによる反射波
は、平面波５の進行方向とエツジ７のなす角θ、
および向い合う２つの面８ｂのなす角の半値に
よつて定まる方向へ放射される。したがつて、上
記複数個の四角錐において、面８ａによる反射波
は平面波の進行方向に対する面８ａの傾き角に応
じてスネルの法則に従つて反射される。また四角
錐１０を構成する他の二つの面８ｂによる反射波
はの値が90度の場合なので、Φ＝０のΘ軸上へ
放射される。したがつて、上記複数個の四角錐に
おいて、面８ｂとＺ軸のなす角が各々異なるの
で、面８ｂによる反射波はΘ軸上へ散乱される。
また、エツジ７による回折波は支柱４を中心軸と
し半頂角がθで与えられる円錐状に放射され、そ
の他面８ａと面８ｂの接続部のエツジによる回折
波はそれらエツジとＺ軸のなす角がそれぞれ異な
るので、広い領域に散乱される。さらにこれらの
四角錐を不規則に配列しているので、グレーテイ
ングロブを生じない。以上よりこれら複数個の四
角錐による散乱波の放射パターンは第１２図に示
すようになり、図中において、反射点１１ａは面
８ａによる反射波、反射点１１ｂは面８ｂによる
反射波の方向を示す。このように支柱に入射して
くる平面波を広い領域に散乱させることができる
ので、散乱波の放射レベルを小さくすることがで
きる。
図において４は支柱、５は通過する平面波、７は
支柱と四角錐の接続部であるエツジ、１０は四角
錐である。ここで四角錐１０は、支柱の長手方向
に沿つた底辺の長さおよび高さが波長に比べて大
きく、かつ底面の他の辺の長さが支柱の幅に等し
くしてある。そして、カセグレンアンテナでは支
柱の主反射鏡側の表面に、パラボラアンテナでは
支柱の反射鏡側の表面に、支柱の長手方向に沿つ
た辺の長さあるいは高さが異なる複数種類の上記
四角錐を、複数個不規則に配列してある。このよ
うな構成にすることによつて、平面波５の四角錐
１０による散乱波は四角錐を構成する面８ａ，８
ｂからの反射波、面８ａと面８ｂの接続部のエツ
ジによる回折波、および四角錐１０と支柱４の接
続部のエツジ７による回折波の合成で表わされ
る。こなかでエツジ７を含む面８ａによる反射波
は、平面波５の進行方向とエツジ７のなす角θ、
および向い合う２つの面８ｂのなす角の半値に
よつて定まる方向へ放射される。したがつて、上
記複数個の四角錐において、面８ａによる反射波
は平面波の進行方向に対する面８ａの傾き角に応
じてスネルの法則に従つて反射される。また四角
錐１０を構成する他の二つの面８ｂによる反射波
はの値が90度の場合なので、Φ＝０のΘ軸上へ
放射される。したがつて、上記複数個の四角錐に
おいて、面８ｂとＺ軸のなす角が各々異なるの
で、面８ｂによる反射波はΘ軸上へ散乱される。
また、エツジ７による回折波は支柱４を中心軸と
し半頂角がθで与えられる円錐状に放射され、そ
の他面８ａと面８ｂの接続部のエツジによる回折
波はそれらエツジとＺ軸のなす角がそれぞれ異な
るので、広い領域に散乱される。さらにこれらの
四角錐を不規則に配列しているので、グレーテイ
ングロブを生じない。以上よりこれら複数個の四
角錐による散乱波の放射パターンは第１２図に示
すようになり、図中において、反射点１１ａは面
８ａによる反射波、反射点１１ｂは面８ｂによる
反射波の方向を示す。このように支柱に入射して
くる平面波を広い領域に散乱させることができる
ので、散乱波の放射レベルを小さくすることがで
きる。
第１３図はこの発明の他の実施例を示すもので
あり、先に説明した四角錐を、支柱の長手方向お
よび電波の進行方向の両者を含む面に直交する複
数の平面からなる支柱の表面に取りつけたもので
ある。このような構成にすることによつて、複数
個の四角錐の面による反射波およびエツジによる
回折波の散乱方向をより広い領域に散乱させるこ
とができ、さらに各々四角錐の面による反射波あ
るいはエツジによる回折波の位相を変えることが
できるので、散乱波の放射レベルをより効果的に
小さすることができる。
あり、先に説明した四角錐を、支柱の長手方向お
よび電波の進行方向の両者を含む面に直交する複
数の平面からなる支柱の表面に取りつけたもので
ある。このような構成にすることによつて、複数
個の四角錐の面による反射波およびエツジによる
回折波の散乱方向をより広い領域に散乱させるこ
とができ、さらに各々四角錐の面による反射波あ
るいはエツジによる回折波の位相を変えることが
できるので、散乱波の放射レベルをより効果的に
小さすることができる。
ここで、四角錐の底辺の長さ、エツジの長さは
波長に比べて十分長いものとする。
波長に比べて十分長いものとする。
これは、幾何光学的回折理論に基づくものであ
り、この理論は物体の寸法が波長に比べて十分大
きい場合に適用できる高周波近似解法である。
り、この理論は物体の寸法が波長に比べて十分大
きい場合に適用できる高周波近似解法である。
このため、エツジ７の寸法は波長に比べて小さ
い場合、この「エツジ」の効果は小さく、小さい
「エツジ」を無視した全体の傾きで定まる方向へ
回折波は進行する。
い場合、この「エツジ」の効果は小さく、小さい
「エツジ」を無視した全体の傾きで定まる方向へ
回折波は進行する。
しかし、エツジ７の寸法を波長に比べて長くす
ることにより、実際上回折波は第６図に示すよう
な円錐の母線に沿つた方向に放射されるようにな
り、エツジ７の傾きで定まる所望の方向へ回折波
を放射させることができる。
ることにより、実際上回折波は第６図に示すよう
な円錐の母線に沿つた方向に放射されるようにな
り、エツジ７の傾きで定まる所望の方向へ回折波
を放射させることができる。
以上は四角錐の底面の支柱の長手方向に直交す
る辺の長さが支柱の幅と等しい場合について説明
したが、上記辺の長さを支柱の幅よりも小さくし
た場合にも同様の効果を得ることができる。
る辺の長さが支柱の幅と等しい場合について説明
したが、上記辺の長さを支柱の幅よりも小さくし
た場合にも同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、マイクロ波帯ミリ波帯で
用いられる開口面アンテナで、その開口面内に電
波の通過を妨げる一次放射器あるいは副反射鏡等
の支柱の表面の一部あるいは全部に、上記支柱の
長手方向に沿つた底辺の長さおよび高さが波長に
比べて同等あるいは大きく、かつ底面の他の辺の
長さが支柱の幅に等しいかあるいは小さく、かつ
支柱の長手方向に沿つた底辺の長さあるいは高さ
が異なる複数種類の四角錐を複数個不規則に配列
することによつて、上記支柱による散乱波を広い
領域に散乱させることができるので、上記散乱波
の放射レベルを小さくすることができ、広角放射
特性が良好なアンテナを実現することができる。
用いられる開口面アンテナで、その開口面内に電
波の通過を妨げる一次放射器あるいは副反射鏡等
の支柱の表面の一部あるいは全部に、上記支柱の
長手方向に沿つた底辺の長さおよび高さが波長に
比べて同等あるいは大きく、かつ底面の他の辺の
長さが支柱の幅に等しいかあるいは小さく、かつ
支柱の長手方向に沿つた底辺の長さあるいは高さ
が異なる複数種類の四角錐を複数個不規則に配列
することによつて、上記支柱による散乱波を広い
領域に散乱させることができるので、上記散乱波
の放射レベルを小さくすることができ、広角放射
特性が良好なアンテナを実現することができる。
第１図は従来のアンテナ装置の構成図、第２図
は直交座標系XYZと支柱との配置関係図、第３
図は観測点を示す極座標系図、第４図は支柱の形
状を表わすパラメータθ，と反射波の進行方向
Θ，Φの関係図、第５図は曲面からなる支柱から
の散乱波の進行方向を説明する説明図、第６図は
回折波の進行方向を示す説明図、第７図は平面か
らなる支柱による散乱波を説明する説明図、第８
図は反射波と回折波の放射方向を示す説明図、第
９図ａ，ｂは従来の支柱による散乱波の放射パタ
ーン図、第１０図は従来の支柱の構成図、第１１
図はこの発明の一実施例を示す構成図、第１２図
は第１１図の構成による散乱波の放射パターン
図、第１３図はこの発明の他の実施例を示す構成
図である。 図中、１は主反射鏡、２は副反射鏡、３は一次
放射器、４は支柱、５は平面波、６は散乱波、７
はエツジ、８は反射面、９は金属板、１０は反射
波、１１は反射点、Ｐは観測点である。なお、図
中同一あるいは相当部分には同一符号を付してあ
る。
は直交座標系XYZと支柱との配置関係図、第３
図は観測点を示す極座標系図、第４図は支柱の形
状を表わすパラメータθ，と反射波の進行方向
Θ，Φの関係図、第５図は曲面からなる支柱から
の散乱波の進行方向を説明する説明図、第６図は
回折波の進行方向を示す説明図、第７図は平面か
らなる支柱による散乱波を説明する説明図、第８
図は反射波と回折波の放射方向を示す説明図、第
９図ａ，ｂは従来の支柱による散乱波の放射パタ
ーン図、第１０図は従来の支柱の構成図、第１１
図はこの発明の一実施例を示す構成図、第１２図
は第１１図の構成による散乱波の放射パターン
図、第１３図はこの発明の他の実施例を示す構成
図である。 図中、１は主反射鏡、２は副反射鏡、３は一次
放射器、４は支柱、５は平面波、６は散乱波、７
はエツジ、８は反射面、９は金属板、１０は反射
波、１１は反射点、Ｐは観測点である。なお、図
中同一あるいは相当部分には同一符号を付してあ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波帯あるいはミリ波帯で用いられる
開口面アンテナであつて、その開口面内に電波の
通過を妨げる一次放射器あるいは副反射鏡等の支
柱を有するアンテナ装置において、上記支柱の開
口面アンテナにおける主反射鏡側あるいは反射鏡
側の表面に上記支柱の長手方向に沿つた底辺の長
さおよび高さが波長に比べて大きく、かつ底面の
他の辺の長さが支柱の幅に等しいかあるいは小さ
く、かつ支柱の長手方向に沿つた底辺の長さある
いは高さが互に異なる複数種類の四角錐を、複数
個不規則に配列したことを特徴とするアンテナ装
置。 ２ 四角錐を取りつける支柱の表面の形状が、支
柱の長手方向および電波の進行方向の両者を含む
面に直交する単一あるいは複数の平面からなつて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のアンテナ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7454480A JPS56169902A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Antenna device |
| CA000378683A CA1172354A (en) | 1980-06-03 | 1981-05-29 | Microwave antenna having improved wide angle radiation characteristics |
| GB8116783A GB2081023B (en) | 1980-06-03 | 1981-06-02 | Reflector antenna |
| US06/269,216 US4369448A (en) | 1980-06-03 | 1981-06-02 | Microwave antenna with radiation scattering support member elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7454480A JPS56169902A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Antenna device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56169902A JPS56169902A (en) | 1981-12-26 |
| JPH0221165B2 true JPH0221165B2 (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=13550300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7454480A Granted JPS56169902A (en) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Antenna device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56169902A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105434A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Nippon Kayaku Co Ltd | Separation of dichlorobenzene isomers |
| JPS53105343A (en) * | 1977-02-26 | 1978-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Antenna unit |
| JPS54134959A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Radio-wave shielding board |
-
1980
- 1980-06-03 JP JP7454480A patent/JPS56169902A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56169902A (en) | 1981-12-26 |
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