JPH02211788A - 逆磁場発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、送磁ｓ発生装置に係り、外部磁界雰囲気に実
装される磁場利用手段に好適な逆磁場発生装置に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来、磁場利用手段を外部磁界雰囲気に実装する場合、
例えば１日経エレクトロニクス、Ａ４１２、（１９８７
，１，１２）に論じられているように、外部磁界を遮へ
いして磁場利用手段への外部磁界の影響を軽減している
。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、遮へい材料としてケイ素鋼板やパーマ
ロイなど比認磁率の高い特殊な材料を使用している。こ
れらの材料は加工性が悪く、任意の形状の遮へい板を容
易に得ることができない。

また、ｌａ磁場利用手段例えば、ＣＲＴデイスプレィ等
では、表示面を磁気遮へいする二とができず、全体的な
磁気遮へいが困難な場合がある。

本発明の目的は、磁気遮へい材によらず外部磁界が磁場
利用手段に及ぼす影響を容易に軽減できる逆磁場発生！
に厘を提供することにある。

〔問題点を解決するだめの課農〕 上記目的は、逆ｌｌｉ場発生装置を、外部磁界中にある
磁場利用手段への前記外部磁界による影響を打ち消し可
能な磁界をり生ずる手段を具備したものとすることにこ
り、達成される。

〔作　　　用〕

上記逆磁場は、例えば、磁界を発生する逆磁場コイルと
、逆磁場コイルにエネルギーを供給するコイル電源と、
外部磁界の発生を知らしめる外部磁界発生信号を受けて
コイルに供給するエネルギーを制御する逆磁場発生制御
回路を備えた逆磁場発生装置により発生させられる。つ
まり、外部磁界発生手段により外部磁界を発生したとき
、同時に外部磁界発生信号を逆磁場発生制御回路に与え
、逆値Ｓ発生制御回路は外部磁界発生信号に比例してコ
イル電源の供給エネルギーを制御し、逆磁場コイルによ
り発生した逆磁場が外部磁界の影響を打ち消す。これに
より、磁場利用手段への外部磁界の影響を軽減すること
ができる。

〔実　施　例〕

以下、磁場利用手段としてＣＲＴデイスプレィ（以下Ｃ
ＲＴと略す。）を用いた場合を例にとり、本発明の一実
施例を第１図〜第、４図により説明する。

第１図は逆値ｍ発生装置の構成図を示す。ｆＪ１図で、
外部Ｉａｓコイル電源１には外部磁場コイル２が接続さ
れ、外部磁場コイル２に電流１．を流すことにより外部
磁界が発生する。このとき、ＣＲＴｌｏには外部磁界の
影響として磁束密度ＢＯが生じる。

また、外部磁場コイル［源ｌは、外部磁場コイル電流Ｉ
ｏに比例した外部磁場発生信号（資）を出力する。

逆磁場発生装置美は、ＣＲＴ　１０に逆磁場を発生する
ことのできる位置に実装された逆磁場コイル電と、逆磁
場コイル幻に＠流を流す逆磁場コイル電１Ａ２２と、逆
磁場光生制御回９２１とから成る。

逆磁場発生制御回路２目よ、外部磁場発生信号加を入力
し、逆６１１１ｊＩＩコイル電流工１を設定する逆磁場
コイル電流設定信号必を出力する。このとき、逆磁場発
生制御回路４は外部磁界による磁束密度ＢＯと向きが逆
方向で、かつ、磁束密度の大きさが等しい、逆＆１場に
よる磁束密度ＢｔがＣＲＴ　１０に加わるようにコイル
電流設定信号冴を出力する。この結果、Ｂｏ　＋　８１
　”：ＨＯとなり、ＣＲＴ　１０における外部磁界の彩
りを軽減することができる。

外部磁場コイル電流ＩＯと外部磁界による磁束密度Ｂｏ
ｏおよび、逆磁場コイル電流１．と逆磁場による磁束密
度Ｂ１の関係はＣＲＴ　１０または各コイルの近傍にあ
る磁性材料の影響により非線形となる。

従うて、Ｂｏ　＋　Ｂｌ　’４０となる外部磁場コイル
電流１、と逆磁場コイル電流１１の関係を折れ線近似で
求め（第２■参照）、この関係が成立するように逆磁場
発生制御回路乙には折れ線近似回路が設けられている。

以下、第３図のコイル実装例により説明する。

ＣＲＴ　ｔｏの中心から約１０００Ｎｘ（ＬＨ）離れた
位置に外部磁場コイル２．この反対方向に約２５０ｊＬ
Ｉ（Ｌ２）離れた位置に逆磁場コイル電を実装する。

外部磁場コイル中心の磁束密度０．１Ｔのとき、ＣＲＴ
ｌｏへの影響はＩ　Ｂｏ　Ｉ＝０．００１Ｔであった。

このとき、逆磁場コイル電流工１を０λとすると、ＣＲ
Ｔ　１０の表示は色ずれを生じ、また、位置ずれが各辺
約５１１１生じた。その後、逆磁場コイル電流１１を流
すことにより、Ｂｏ　＋　８１”；Ｍ　Ｏとなり、色す
れが全丸見られず、かつ、位置ずれを０．５１１以下に
抑えることができた。

以上、外部磁界が変化する場合について説明したが、外
部磁場コイル電流１．がほぼ一定値の場合においては、
第４図に示すように、外部磁場コイル電ｆｊＡｌのオン
オフに連動する接点６を設け、逆磁場コイル電流１．を
オンオフ制御とする逆値ｍ発生装置２０でもよい。

以上の各実施例によれば、特殊な磁気遮へい板を用いる
ことなく、−数的なコイルと電源を用いてＣＲＴへの外
部磁界の影響を容易に軽減することができる。また、Ｃ
ＲＴを全体的に覆う必要がなくなるため、ＣＲＴ＋７）
実装位置に対する制約を小さくすることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気遮へい材によらず外部磁界が磁湯
利用手段に及ぼす影響を容易に軽減できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の逆磁場発生！ｊｋＷの構成
図、第２図は第１図の装置での外Ｓ磁場コイル電流−逆
磁場コイル電流特性図、第３図は第１図のコイル実施例
構成図、第４図は本発明の第２の実施例の逆磁場発生装
置の構成図である。 １・・・・・・外部磁場コイル電源、２・・・・・・外
部磁場コイル、１０・・・・・・ＣＲＴ、２０・・・・
・・逆値Ｓ発生装置、乙・・・・・・逆磁場発生制御回
路、ｎ・・・・・・逆磁場コイル電源、る・・・・・・
逆磁場コイル 代理人　弁理士　　小　川　勝　男。 第３　図 イ４　目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、外部磁界中にある磁場利用手段への前記外部磁界に
   よる影響を打ち消し可能な磁界を発生する手段を具備し
   たことを特徴とする逆磁場発生装置。 ２、前記外部磁界の発生を知らしめる外部磁界発生信号
   に連動して前記逆磁場発生手段で生じる磁界を制御する
   回路と、逆磁場を発生する逆磁場コイルと、前記制御回
   路の制御出力により前記逆磁場コイルに通電するコイル
   電源とを前記逆磁場発生手段が備えた第１請求項に記載
   の逆磁場発生装置。 ３、前記逆磁場発生制御回路が、前記外部磁界を発生す
   る手段から外部磁界の発生の有無を知らしめるオン・オ
   フ信号を受け取り該オン・オフ信号に連動して前記逆磁
   場を発生する制御回路を備えた第２請求項に記載の逆磁
   場発生装置。 ４、前記逆磁場発生制御回路が、外部からのエネルギ供
   給により前記外部磁界を発生する手段から前記供給エネ
   ルギに比例したアナログ信号を受け取り該アナログ信号
   に比例して前記逆磁場を発生する制御回路を備えた第２
   請求項に記載の逆磁場発生装置。 ５、前記逆磁場発生制御回路が、前記供給エネルギと前
   記磁場利用手段に影響を及ぼす磁界の強さとの関係を求
   め、前記供給エネルギに比例した前記アナログ信号を受
   け取り該アナログ信号と前記関係から前記磁場利用手段
   に影響を及ぼす磁界の強さを求め、該結果より前記逆磁
   場の強さを制御する第４請求項に記載の逆磁場発生装置
   。