JPH02214174A - 積層型薄膜熱電対 - Google Patents

積層型薄膜熱電対

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Publication number
JPH02214174A
JPH02214174A JP1034475A JP3447589A JPH02214174A JP H02214174 A JPH02214174 A JP H02214174A JP 1034475 A JP1034475 A JP 1034475A JP 3447589 A JP3447589 A JP 3447589A JP H02214174 A JPH02214174 A JP H02214174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
thermocouple
substrate
edge
types
Prior art date
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Pending
Application number
JP1034475A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Yanagihara
浩 柳原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、測温用の積層型薄膜熱電対に関するものであ
る。
(従来技術とその問題点) 従来の薄膜熱電対1は、第2図に示す如くガラス、セラ
ミックス、プラスチックス等の基板2の同一平面上に、
2種類の熱電対構成材料の線状薄膜3 a s 3 b
が相対して形成され、且つ一端同志が重合されて接合部
4が形成され、各線状薄膜3a、3bの他端に導電薄膜
が重合されて端子部5a、5bが形成されて成るもので
、2種類の熱電対構成材料の線状薄膜3a、3bを形成
するためにマスキングして行う必要があり、熱電対構成
材料の使用歩留りが低く、多量にしかも安価に製造でき
ない欠点と熱電対の形状から必要とする巾があり、巾の
狭いものの限界があった。
(発明の目的) 本発明は、上記欠点を解決すべくなされたもので、ガラ
ス、セラミックス、プラスチックス等の基板などを測温
する際、接合部を基板に密着させることのできる巾の狭
い積層型薄膜熱電対を提供することを目的とするもので
ある。
(問題点を解決するための手段) 上記欠点を解決するための本発明の積層型薄膜熱電対は
、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上に
、2種類の熱電対構成材料のいずれか一方の線状薄膜が
形成され、その薄膜上にもう一方の熱電対構成材料の線
状薄膜がガラス、セラミックス、プラスチックス等の電
気絶縁材料を介して形成され、且つこれら2種類の線状
薄膜の一端同志が重合されて接合部が形成され、他端が
端子部として形成されて成るものである。
(作用) 本発明の積層型薄膜熱電対は上記の如く構成されている
ので、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板
などを測温する際、接合部を基板に密着させることもで
き、従って従来の薄膜熱電対と同等に熱伝導性も良く、
測温の応答性も早いもので、従来の薄膜熱電対は、ガラ
ス、セラミックス、プラスチックス等の基板の同一平面
上に、2種類の熱電対構成材料の線状薄膜が相対して形
成されていたのに対し、本発明では積層型薄膜熱電対で
あるため製造時に繁雑な方法をとる必要が少なく、熱電
対構成材料の使用歩留りが向上し、熱電対の巾を該熱電
対の一方の線状薄膜の巾にまで狭くすることができるも
のである。
(実施例1) 第1図aに示す如く、100mmX 100mmX I
IIIlltのシリカ(SiOa)の基板7上に第1図
すに示す如くスパッタリング法でアルメルの2ミクロン
の薄膜8aを形成し、次いで、第1図Cに示す如く先端
と後端をそれぞれ5市レジスト9にてマスキングし、第
1図dに示す如くシリカの2ミクロンの薄膜10を形成
し、次いで、第1図eに示す如くレジスト9とその上の
シリカ薄膜10をとり除き、第1図fに示す如く該シリ
カ薄膜10の後端を5 mmレジスト9にてマスキング
して、第1図gに示す如くクロメルの2ミクロンの薄膜
8bを形成し、第1図りに示す如くレジスト9とその上
のクロメル薄膜8bを除いたのち、第1図1に示す如く
縦方向に5mm巾で切断して積層型薄膜熱電対11を得
た。
(従来例) 第2図に示す如< 100+nmX 25+nmX 1
mmtのシリカ(SiO2)の基板2上にスパッタリン
グ法によりアルメルとクロメルの熱電対構成材料の厚み
2ミクロン、巾5mm、長さ100mmで、それぞれ一
端部が対向するように長さ5 m+++屈曲した線状薄
膜3a、3bが形成され、且つ一端同志が重合されて5
市角厚さ4ミクロンの熱起電力を得るだめの接合部4が
形成され、各線状薄膜3a、3bの他端に5ma+角厚
さ2ミクロンの銅の薄膜が重合されて端子部5a、5b
が形成されている薄膜熱電対1を得た。
上記実施例と従来例で得た熱電対11及び1を白金薄膜
電極の石英ガラス基板を測温するために、その石英ガラ
ス基板上に重ねたところ、密着させることができ、測温
の応答の早さは変わりなかった。
なお、上記実施例では、熱電対構成材料としてアルメル
とクロメルを用いたが、本発明はこれに限るものではな
く、白金・白金−ロジウム、銅・コンスタンタンなどい
かなる熱電対材料から成るものでもよいものである。
また、上記実施例では基板上に熱電対構成材料の薄膜を
スパッタリング法によって形成したが本発明はこれに限
るものではなく、印刷法、蒸着法等によってもよいもの
である。
さらに必要に応じて熱電対構成材料から成る薄膜をアル
ミナ、ジルコニア等からなる°保護膜でコーティングし
てもよいものである。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明の積層型薄膜熱電対は、
ガラス塞板、セラミックス基板等を測温する際、接合部
を基板に密着できるので、熱伝導が良く、測温の応答性
が早く、また、本発明の積層型薄膜熱電対は、そのまま
基板に搭載することが可能であり、熱電対を線巾まで狭
くすることが可能で、熱電対そのものを軽量、小型化す
ることも可能である。
さらに、本発明の実施例中において薄膜形成をしたのち
、縦方向に切断する際、途中までで止めておくと、多数
の端子を持つ一体型の熱電対ができるものであり、コネ
クタ等により、多芯フラットケーブル等につなぐと応用
範囲を広げることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図a乃至iは本発明の積層型薄膜熱電対の一実施を
示す斜視図、第2図は従来の薄膜熱電対を示す斜視図で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上
    に、2種類の熱電対構成材料のいずれか一方の線状薄膜
    が形成され、その薄膜上にもう一方の熱電対構成材料の
    線状薄膜がガラス、セラミックス、プラスチックス等の
    電気絶縁材料を介して形成され、且つこれら2種類の線
    状薄膜の一端同志が重合されて接合部が形成され、他端
    が端子部として形成されて成る積層型薄膜熱電対。
JP1034475A 1989-02-14 1989-02-14 積層型薄膜熱電対 Pending JPH02214174A (ja)

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JP1034475A JPH02214174A (ja) 1989-02-14 1989-02-14 積層型薄膜熱電対

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017063141A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 Tdk株式会社 薄膜熱電素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6186622A (ja) * 1984-10-04 1986-05-02 Sharp Corp 熱電効果型パワ−センサ

Patent Citations (1)

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