JPH02214828A - 集積化光導波路デバイス - Google Patents
集積化光導波路デバイスInfo
- Publication number
- JPH02214828A JPH02214828A JP3696189A JP3696189A JPH02214828A JP H02214828 A JPH02214828 A JP H02214828A JP 3696189 A JP3696189 A JP 3696189A JP 3696189 A JP3696189 A JP 3696189A JP H02214828 A JPH02214828 A JP H02214828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- elastic wave
- substrate
- optical waveguide
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
複数の光制御素子を存する集積化光導波路デバイスに関
し、 光制御電極に印加された制御用電圧によって基板に励振
された弾性波に起因する、相隣接する光制御電極間の電
気的クロストークを除去することを目的とし、 平面に加工した電気光学効果を有する基板と、前記基板
の上に形成された複数の光制御導波路部を有する光導波
路と、前記複数の光制御導波路部の上に設けられた複数
の光制御電極と、前記複数の光制御電極の中の、相隣接
する光制御電極の間の前記基板上に設けられた、弾性波
伝播阻止手段とを少なくとも備えるように集積化光導波
路デバイスを構成する。
し、 光制御電極に印加された制御用電圧によって基板に励振
された弾性波に起因する、相隣接する光制御電極間の電
気的クロストークを除去することを目的とし、 平面に加工した電気光学効果を有する基板と、前記基板
の上に形成された複数の光制御導波路部を有する光導波
路と、前記複数の光制御導波路部の上に設けられた複数
の光制御電極と、前記複数の光制御電極の中の、相隣接
する光制御電極の間の前記基板上に設けられた、弾性波
伝播阻止手段とを少なくとも備えるように集積化光導波
路デバイスを構成する。
本発明は、１枚の基板上に複数の光制御素子を有する集
積化光導波路デバイスの構成に関する。
積化光導波路デバイスの構成に関する。
近年、光ファイバやレーザ光源の進歩・発達に伴い、光
通信をはじめ光波術を応用した各種のシステム、デバイ
スが実用化され広く利用されるようになる一方、ますま
す、その高度技術開発への要請が強まってきた。
通信をはじめ光波術を応用した各種のシステム、デバイ
スが実用化され広く利用されるようになる一方、ますま
す、その高度技術開発への要請が強まってきた。
とくに、最近の光通信システムの高速化の要求から、光
信号を送受信する光送受信器においても、高速で光を変
調するための光変調器や、多数の時分割多重光入力信号
を順次切り換えて多数本の出力に接続するための高速の
光スイツチアレイなど集積型の光制御デバイスが必要に
なってきた。
信号を送受信する光送受信器においても、高速で光を変
調するための光変調器や、多数の時分割多重光入力信号
を順次切り換えて多数本の出力に接続するための高速の
光スイツチアレイなど集積型の光制御デバイスが必要に
なってきた。
これらの光制御デバイスは、電気光学効果を有する１枚
の基板の上に、平面的に導波路を形成して、その上に進
行波型電極を組み合わせることによって、多数の高速光
制御素子を集積した、いわゆる光集積回路であり、光信
号処理デバイスの小形化と高速化を図るための本命の技
術として期待されている。
の基板の上に、平面的に導波路を形成して、その上に進
行波型電極を組み合わせることによって、多数の高速光
制御素子を集積した、いわゆる光集積回路であり、光信
号処理デバイスの小形化と高速化を図るための本命の技
術として期待されている。
しかし、この技術は未だ開発途上にあるものが多く、解
決すべき課題を抱えており、今後ますます大容量・長距
離通信の要求が強まってくる状況から、より高速、かつ
安定で信頼性の高い集積化光導波路デバイスの開発が求
められている。
決すべき課題を抱えており、今後ますます大容量・長距
離通信の要求が強まってくる状況から、より高速、かつ
安定で信頼性の高い集積化光導波路デバイスの開発が求
められている。
高速光制御デバイスとしては、半導体レーザ光を外部で
変調する外部変調器や、光導波路型光スイッチが知られ
ている。
変調する外部変調器や、光導波路型光スイッチが知られ
ている。
何れの場合も、電気光学効果を有する基板上に光導波路
を設け、進行波型光制御電極を用いて駆動する方式が最
も有力視されており、集積度の向上に伴って１枚の基板
上に形成される光制御電極数も増加しそれらの間隔も狭
くなってきた。
を設け、進行波型光制御電極を用いて駆動する方式が最
も有力視されており、集積度の向上に伴って１枚の基板
上に形成される光制御電極数も増加しそれらの間隔も狭
くなってきた。
第５図は従来の方向性結合器型光スイッチを説明する図
で、同図（イ）は平面図、同図（ロ）は断面図〔同図（
イ）のｘ −ｙ断面〕である。
で、同図（イ）は平面図、同図（ロ）は断面図〔同図（
イ）のｘ −ｙ断面〕である。
図中、１は電気光学効果を有する基板、たとえば、Ｌｉ
ＮｂＯ３のＺ板、２は光導波路で中間に３つの方向性結
合器型平行光導波路２Ａ、２Ｂが形成され、この２つの
平行光導波路で光制御導波路部２が構成されている。こ
の光導波路は通常ＬｉＮｂＯ３基板の表面にＴｉなどの
金属を、光導波路部分だけに選択的に拡散させ、その部
分の屈折率を回りの部分よりも少し大きくなるようにし
である。
ＮｂＯ３のＺ板、２は光導波路で中間に３つの方向性結
合器型平行光導波路２Ａ、２Ｂが形成され、この２つの
平行光導波路で光制御導波路部２が構成されている。こ
の光導波路は通常ＬｉＮｂＯ３基板の表面にＴｉなどの
金属を、光導波路部分だけに選択的に拡散させ、その部
分の屈折率を回りの部分よりも少し大きくなるようにし
である。
なお、平行光導波路２ａ、２ｍの間隔と長さはたとえば
、数ＧＨｚ帯の光スィッチにおいては、それぞれ６μｍ
および１５ｍｍと言った程度の、伝播光のモード結合が
行われるような数値に設計されている。
、数ＧＨｚ帯の光スィッチにおいては、それぞれ６μｍ
および１５ｍｍと言った程度の、伝播光のモード結合が
行われるような数値に設計されている。
４は光制御電極で進行波型の制御用電極（４Ａ）と、接
地電極（４Ｂ）とから構成されており、それぞれ平行光
導波路２ａ、２Ｉｌ上に、バッファ層３を介してＡｕな
どの金属を蒸着あるいはめっきによって形成している。
地電極（４Ｂ）とから構成されており、それぞれ平行光
導波路２ａ、２Ｉｌ上に、バッファ層３を介してＡｕな
どの金属を蒸着あるいはめっきによって形成している。
バッファ層３は光導波路上の金属電極層への光の吸収を
小さくするために設けたもので、通常、ＳｉＯ２などの
薄膜が用いられている。
小さくするために設けたもので、通常、ＳｉＯ２などの
薄膜が用いられている。
ＳＷＩ、ＳＷ２および舖３は、それぞれ方向性結合器型
光スイッチを示し、光制御電極４により駆動制御される
。
光スイッチを示し、光制御電極４により駆動制御される
。
■は光の入力端、■、■、■および■は光の出力端で、
したがって、この例は、いわゆる、■×４の光スイツチ
アレイの場合を示している。光ファイバとの接続はルビ
ービーズを用いたり、凸構造のファイバアレイを用いて
行われている。
したがって、この例は、いわゆる、■×４の光スイツチ
アレイの場合を示している。光ファイバとの接続はルビ
ービーズを用いたり、凸構造のファイバアレイを用いて
行われている。
いま、たとえば時分割多重信号光が左側の入力端■から
光導波路２に入り、ＳＷＩの平行光導波路２Ａに達する
と、それと平行に所要の間隔で所要の長さで配置された
平行光導波路２８との間のモード結合により、光の進行
に伴って対称・非対称両モードの位相差がπになる位置
で、光は全て平行光導波路２Ｂに移行する（電子情報通
信学会績二電子情報通信ハンドブック、 ｐ１０５１．
１９８８年発行参照〕。
光導波路２に入り、ＳＷＩの平行光導波路２Ａに達する
と、それと平行に所要の間隔で所要の長さで配置された
平行光導波路２８との間のモード結合により、光の進行
に伴って対称・非対称両モードの位相差がπになる位置
で、光は全て平行光導波路２Ｂに移行する（電子情報通
信学会績二電子情報通信ハンドブック、 ｐ１０５１．
１９８８年発行参照〕。
しかし、もし、この時Ｓｋｉの光制御電極４に高周波パ
ルス電圧を印加すると、電気光学効果を有する基板１上
に設けられた前記平行光導波路２Ａ２１１における電気
光学効果によって、屈折率の変化が生じ対称・非対称両
モードの位相差もπがらずれてくる。この従来例の場合
では、印加電圧を４〜５ｖに選ぶことによって、平行導
波路２Ａから２Ｂへの光の移行を完全に阻止することが
できる。すなわち、光制御電極４への高周波パルス電圧
の印加の有無によって、光を高速でスイッチングさせる
ことができる構成になっている。
ルス電圧を印加すると、電気光学効果を有する基板１上
に設けられた前記平行光導波路２Ａ２１１における電気
光学効果によって、屈折率の変化が生じ対称・非対称両
モードの位相差もπがらずれてくる。この従来例の場合
では、印加電圧を４〜５ｖに選ぶことによって、平行導
波路２Ａから２Ｂへの光の移行を完全に阻止することが
できる。すなわち、光制御電極４への高周波パルス電圧
の印加の有無によって、光を高速でスイッチングさせる
ことができる構成になっている。
ＳＷ２およびＳＷ３においても、全（同様に機能させ、
全体として、ＩＸ４の高速光スイッチアレイを構成して
いる。
全体として、ＩＸ４の高速光スイッチアレイを構成して
いる。
さらに、集積度を上げスイッチ素子数を増加して、高速
光マトリクススイッチを構成し、高速・多重光通信シス
テムに使用しようという試みがなされている。
光マトリクススイッチを構成し、高速・多重光通信シス
テムに使用しようという試みがなされている。
しかし、このような構成の光スイツチアレイにおいて、
集積度を上げていくと、第５図かられかるように、たと
えば、ＳＷ２とＳＷ３との間隔が狭くなっていくことに
なる。一方、電気光学効果を有する基板１は、必ず圧電
性を示すためＳＷ２と針３との間には、なにがしかの弾
性表面波、あるいは擬似弾性表面波が励振される場合が
多い。
集積度を上げていくと、第５図かられかるように、たと
えば、ＳＷ２とＳＷ３との間隔が狭くなっていくことに
なる。一方、電気光学効果を有する基板１は、必ず圧電
性を示すためＳＷ２と針３との間には、なにがしかの弾
性表面波、あるいは擬似弾性表面波が励振される場合が
多い。
第４図は従来の方向性結合器型光スイッチのクロストー
ク・伝送損失特性図で、前記従来例の構成において舖２
とＳＷ３との間隔が３００μｍの時のＳＷ２の伝送損失
特性と、ＳＷ２から針３への電気的クロストークを示し
たものである。
ク・伝送損失特性図で、前記従来例の構成において舖２
とＳＷ３との間隔が３００μｍの時のＳＷ２の伝送損失
特性と、ＳＷ２から針３への電気的クロストークを示し
たものである。
伝送損失の測定はＳＷ２の制御用電極４Ａと接地電極４
．の入力端にネットワーク・アナライザから出力される
高周波掃引された正弦波電圧を印加し、他端はネットワ
ーク・アナライザの検出器側に接続して行った。クロス
トークの測定は同様にＳＷ３の制御用電極４Ａと接地電
極４Ｂの出力端にネットワーク、アナライザを接続して
行った。
．の入力端にネットワーク・アナライザから出力される
高周波掃引された正弦波電圧を印加し、他端はネットワ
ーク・アナライザの検出器側に接続して行った。クロス
トークの測定は同様にＳＷ３の制御用電極４Ａと接地電
極４Ｂの出力端にネットワーク、アナライザを接続して
行った。
図かられかるように、１．２．２．８．および４．６
ＧＨｚにおいて、ＳＷ２の伝送特性にデイツプが見られ
、それらに対応する周波数において、ＳＷ２からＳＷ３
への大きなりロストークが生じている。
ＧＨｚにおいて、ＳＷ２の伝送特性にデイツプが見られ
、それらに対応する周波数において、ＳＷ２からＳＷ３
への大きなりロストークが生じている。
このようなりロストークが大きくなると、信号光のＳ／
Ｎを低下させ、信号のエラーレートを増加させるという
問題があり、その解決が必要であった。
Ｎを低下させ、信号のエラーレートを増加させるという
問題があり、その解決が必要であった。
上記の課題は、平面に加工した電気光学効果を有する基
板１と、前記基板１の上に形成された複数の光制御導波
路部２゛を有する光導波路２と、前記複数の光制御導波
路部２゛の上に設けられた複数の光制御電極４と、前記
複数の光制御電極４の中の、相隣接する光制御電極４の
間の前記基板１上に設けられた、弾性波伝播阻止手段５
とを少なくとも備えた集積化光導波路デバイスにより解
決することができる。
板１と、前記基板１の上に形成された複数の光制御導波
路部２゛を有する光導波路２と、前記複数の光制御導波
路部２゛の上に設けられた複数の光制御電極４と、前記
複数の光制御電極４の中の、相隣接する光制御電極４の
間の前記基板１上に設けられた、弾性波伝播阻止手段５
とを少なくとも備えた集積化光導波路デバイスにより解
決することができる。
本発明の構成によれば、相隣接する光スィッチ例えば、
舖２と舖３の間の基板１の上に弾性波伝播阻止手段５を
設けであるので、主として基板表面近傍を伝播する弾性
波を介して発生する、ＳＷ２からＳＷ３への電気的クロ
ストークを除去することができるのである。
舖２と舖３の間の基板１の上に弾性波伝播阻止手段５を
設けであるので、主として基板表面近傍を伝播する弾性
波を介して発生する、ＳＷ２からＳＷ３への電気的クロ
ストークを除去することができるのである。
第１図は本発明による方向性結合器型光スイッチの平面
図で、従来例の構成と異なるところは相隣接する光スィ
ッチ、たとえば、ＳＷ２とＳＷ３の間の基板１に弾性波
伝播阻止手段５を設けである点である。
図で、従来例の構成と異なるところは相隣接する光スィ
ッチ、たとえば、ＳＷ２とＳＷ３の間の基板１に弾性波
伝播阻止手段５を設けである点である。
基板１は大きさ６０ｍｍＸ８ ｍｍ、厚さ１ｍｍのＬｉ
ＮｂＯ３のＺ板の表面を鏡面研磨して使用した。
ＮｂＯ３のＺ板の表面を鏡面研磨して使用した。
この基板の上にＴｉを約７０ｎｍの厚さに真空蒸着し、
３つの光制御導波路部２”、すなわち、３対の平行光導
波路２Ａおよび２Ｉｌを含む光導波路２に相当する部分
にＴｉが残るように通常のホトエツチング法で処理した
後、約１０３５°Ｃで８ｈ酸素中で加熱し、ＴｉをＬｉ
ＮｂＯ３中に熱拡散して全光導波路２を形成した。
３つの光制御導波路部２”、すなわち、３対の平行光導
波路２Ａおよび２Ｉｌを含む光導波路２に相当する部分
にＴｉが残るように通常のホトエツチング法で処理した
後、約１０３５°Ｃで８ｈ酸素中で加熱し、ＴｉをＬｉ
ＮｂＯ３中に熱拡散して全光導波路２を形成した。
平行光導波路２．と２Ｂの間隔は６．４μｍ、長さは１
５ｍｍ、光導波路の幅は全て７μｍになるように形成し
た。出力端における導波路間隔は１８０μｍとした。
５ｍｍ、光導波路の幅は全て７μｍになるように形成し
た。出力端における導波路間隔は１８０μｍとした。
次いで、バッファ層３として５ｉｎ２を３５０ｎｍの厚
さにＣＶＤ法で形成した。
さにＣＶＤ法で形成した。
光制御用電極４はバッファ層３の上にＴ ｉ −Ａ ｕ
合金膜を蒸着したのち、光導波路２の上に幅１０μｍの
電極形状にパターンエツチングし、さらに、その上に厚
さ３μｍの＾Ｕをめっきにより付着形成した。３対の平
行光導波路２Ａおよび２Ｂ上の制御用電極４Ａと接地電
極４Ｂとの間隔は５μｍである。
合金膜を蒸着したのち、光導波路２の上に幅１０μｍの
電極形状にパターンエツチングし、さらに、その上に厚
さ３μｍの＾Ｕをめっきにより付着形成した。３対の平
行光導波路２Ａおよび２Ｂ上の制御用電極４Ａと接地電
極４Ｂとの間隔は５μｍである。
光スィッチＳＷ２ とＳＷ３の間隔は３６０ μｍ、
ＳＷＩとＳＷ３との間隔は２０ｍｍである。
ＳＷＩとＳＷ３との間隔は２０ｍｍである。
弾性波伝播阻止手段５としては、ＳＷ２とＳＷ３との中
間に幅１００μｍ、深さ２００μｍ、長さ２０ｍｍの溝
をカッティングブレードにより形成した。
間に幅１００μｍ、深さ２００μｍ、長さ２０ｍｍの溝
をカッティングブレードにより形成した。
第２図は本発明による方向性結合器型光スイッチの断面
図で、同図（イ）に弾性波伝播阻止手段としての溝５１
を示した。
図で、同図（イ）に弾性波伝播阻止手段としての溝５１
を示した。
第３図は本発明による方向性結合器型光スイッチのクロ
ストーク・伝送損失特性図で、測定方法などは前記従来
例の場合の測定と同様である。
ストーク・伝送損失特性図で、測定方法などは前記従来
例の場合の測定と同様である。
図かられかるように、ＳＷ２の伝送損失特性にデイツプ
がほとんど見られず、ＳＷ２からＳＷ３へのクロストー
クも第４図に示した従来例のそれに比較して著しく改善
された。
がほとんど見られず、ＳＷ２からＳＷ３へのクロストー
クも第４図に示した従来例のそれに比較して著しく改善
された。
なお、上記実施例では弾性波伝播阻止手段として溝５１
を使用したが、第２図（ロ）に示したように弾性波吸収
材５２．たとえば、重金属粉末を混和したシリコーン樹
脂などを塗布、またはスクリーン印刷してもよいし、さ
らに、同図（ハ）に示した如く溝５１の中に弾性波吸収
材５２を埋めて、より効果を高めることもできる。
を使用したが、第２図（ロ）に示したように弾性波吸収
材５２．たとえば、重金属粉末を混和したシリコーン樹
脂などを塗布、またはスクリーン印刷してもよいし、さ
らに、同図（ハ）に示した如く溝５１の中に弾性波吸収
材５２を埋めて、より効果を高めることもできる。
本実施例ではＳＷＩとＳＷ２ 、あるいはＳＷＩ とＳ
Ｗ３との間は約２０ｍｍと広く、クロストークは殆ど問
題とならなかったので、とくに弾性波伝播阻止手段は設
けなかったが、必要に応じそれを設けてもよいことは勿
論である。
Ｗ３との間は約２０ｍｍと広く、クロストークは殆ど問
題とならなかったので、とくに弾性波伝播阻止手段は設
けなかったが、必要に応じそれを設けてもよいことは勿
論である。
また、本実施例では光スィッチの数は３つであったが、
４つ以上の多数の場合は勿論、光制御素子が方向性結合
器型光スイッチでな（、分岐干渉型光変調素子や光位相
変調素子の場合、あるいはそれらが混在している場合で
も、本発明方法が適用できることは言うまでもない。
４つ以上の多数の場合は勿論、光制御素子が方向性結合
器型光スイッチでな（、分岐干渉型光変調素子や光位相
変調素子の場合、あるいはそれらが混在している場合で
も、本発明方法が適用できることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば複数の光制御電極
を同一基板の上に隣接して集積しても、相隣接する光制
御電極間の電気的クロストークを除去できるので、集積
化光導波路デバイスの性能向上に寄与するところが極め
て大きい。
を同一基板の上に隣接して集積しても、相隣接する光制
御電極間の電気的クロストークを除去できるので、集積
化光導波路デバイスの性能向上に寄与するところが極め
て大きい。
第１図は本発明による方向性結合器型光スイッチの平面
図、 第２図は本発明による方向性結合器型光スイッチの断面
図（ｘ−ｙ断面）、 第３図は本発明による方向性結合器型光スイッチのクロ
ストーク・伝送損失特性図、 第４図は従来の方向性結合器型光スイッチのクロストー
ク・伝送損失特性図、 第５図は従来の方向性結合器型光スイッチを説明する図
である。 図において、 １は基板、 は光導波路、 ”は光制御導波路部、 はバッファ層、 は光制御電極、 は弾性波伝播阻止手段、 １は溝、 ２は弾性波吸収材である。
図、 第２図は本発明による方向性結合器型光スイッチの断面
図（ｘ−ｙ断面）、 第３図は本発明による方向性結合器型光スイッチのクロ
ストーク・伝送損失特性図、 第４図は従来の方向性結合器型光スイッチのクロストー
ク・伝送損失特性図、 第５図は従来の方向性結合器型光スイッチを説明する図
である。 図において、 １は基板、 は光導波路、 ”は光制御導波路部、 はバッファ層、 は光制御電極、 は弾性波伝播阻止手段、 １は溝、 ２は弾性波吸収材である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平面に加工した電気光学効果を有する基板（１）と、 前記基板（１）の上に形成された複数の光制御導波路部
（２′）を有する光導波路（２）と、前記複数の光制御
導波路部（２′）の上に設けられた複数の光制御電極（
４）と、 前記複数の光制御電極（４）の中の、相隣接する光制御
電極（４）の間の前記基板（１）上に設けられた、弾性
波伝播阻止手段（５）とを少なくとも備えたことを特徴
とする集積化光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036961A JP2717980B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 集積化光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036961A JP2717980B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 集積化光導波路デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214828A true JPH02214828A (ja) | 1990-08-27 |
| JP2717980B2 JP2717980B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=12484338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036961A Expired - Fee Related JP2717980B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 集積化光導波路デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717980B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006178225A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Advantest Corp | 光スイッチ及び光試験装置 |
| JP2009053444A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2012068679A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-04-05 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2012098744A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-05-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| EP2136240A4 (en) * | 2007-03-29 | 2013-08-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT AND METHOD OF SUPPRESSING THE TEMPERATURE CROSSTALK OF AN OPTICAL WAVEEL ELEMENT |
| JP2017156400A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光変調器を用いた光送信装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217845A (en) * | 1975-04-22 | 1977-02-10 | Hagiwara Denki Kk | Photomodulator |
| JPS58147710A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Nec Corp | 導波形光制御デバイス |
| JPS61109022A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Nec Corp | 超音波光変調器 |
| JPH027604U (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-18 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036961A patent/JP2717980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217845A (en) * | 1975-04-22 | 1977-02-10 | Hagiwara Denki Kk | Photomodulator |
| JPS58147710A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Nec Corp | 導波形光制御デバイス |
| JPS61109022A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Nec Corp | 超音波光変調器 |
| JPH027604U (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-18 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006178225A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Advantest Corp | 光スイッチ及び光試験装置 |
| EP2136240A4 (en) * | 2007-03-29 | 2013-08-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT AND METHOD OF SUPPRESSING THE TEMPERATURE CROSSTALK OF AN OPTICAL WAVEEL ELEMENT |
| JP2009053444A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2012068679A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-04-05 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2012098744A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-05-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2017156400A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光変調器を用いた光送信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2717980B2 (ja) | 1998-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3929814B2 (ja) | マッハ−ツェンダ電子−光学変調器 | |
| US5471545A (en) | Optical external modulator for optical telecommunications | |
| JPWO2004068221A1 (ja) | 光変調器 | |
| AU709321B2 (en) | An acousto-optical waveguide device, tunable, with a polarisation independent response, and a method for the acousto-optical processing of optical signals | |
| SK47496A3 (en) | Acoustic-optical waveguide for division acording to the wave lenght | |
| JP2825056B2 (ja) | 光制御デバイス | |
| US6700691B2 (en) | Electro-optic modulator having high bandwidth and low drive voltage | |
| JP2014197054A (ja) | 光変調器 | |
| JP7796777B2 (ja) | 導波管線電極構造体および電気光学変調器 | |
| JP3200629B2 (ja) | フォトニックバンドギャップ構造を用いた光変調器及び光変調方法 | |
| JPH09166795A (ja) | 波長選択型の音響−光学導波路装置 | |
| RU2043002C1 (ru) | Интегрально-оптическое отражательное приемопередающее устройство | |
| JPH02214828A (ja) | 集積化光導波路デバイス | |
| US6337931B1 (en) | Effective optical path length compensable optical device | |
| US8606053B2 (en) | Optical modulator | |
| US7171083B2 (en) | One-by-N optical switch | |
| JP2919132B2 (ja) | 光変調器 | |
| US6968105B2 (en) | Waveguide-type optical device and optical switch | |
| EP0859264B1 (en) | Acousto-optic modulator comprising an optical waveguide | |
| US6778726B2 (en) | Optical switch | |
| JPH05303022A (ja) | 単一モード光学装置 | |
| KR20040017535A (ko) | 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기 | |
| JPH10213784A (ja) | 集積型光変調器 | |
| JP2551980B2 (ja) | 導波形光周波数フィルタ | |
| JP4701428B2 (ja) | 進行波型電極用の駆動回路、それを用いた光変調システム、光情報通信システム及び進行波型電極用の駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |