JPH02215172A - ＬｉＴａＯ↓３単結晶の単分域化法及び単分域化判定法 - Google Patents
ＬｉＴａＯ↓３単結晶の単分域化法及び単分域化判定法Info
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- JPH02215172A JPH02215172A JP1036666A JP3666689A JPH02215172A JP H02215172 A JPH02215172 A JP H02215172A JP 1036666 A JP1036666 A JP 1036666A JP 3666689 A JP3666689 A JP 3666689A JP H02215172 A JPH02215172 A JP H02215172A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＬｉＴａＯ３単結晶の単分域化法及び単分域化
判定法に関する。
判定法に関する。
（従来の技術）
ＳＡＷ素子等には単分域化したＬ ｉ ＴａＯ３単結晶
が用いられるが、通常単結晶引上げ後の状態では単分域
化していないので、結晶のＺ軸方向に電極をセットし、
キューリー温度以上の温度において電極間に電圧を印加
することによって結晶の単分域化をすることが行なわれ
ている。
が用いられるが、通常単結晶引上げ後の状態では単分域
化していないので、結晶のＺ軸方向に電極をセットし、
キューリー温度以上の温度において電極間に電圧を印加
することによって結晶の単分域化をすることが行なわれ
ている。
従来、Ｘ軸方位で引上げられたＬ ｉ ＴａＯ３単結晶
を単分域化するには、結晶の２面を切り出す所謂Ｚカッ
トを行なった後、その切り出した２面に二つの対向する
電極をセットして電極間に電圧を印加して単分域化する
方法（例えば、特開昭５３−６５６８４号公報）、また
は、Ｚカット工程を省略して、プールに直接電極をとり
つけて単分域化する方法（例えば、特公昭５７−４１１
６１号公報、特公昭５９−３２４３８号公報）などが提
案されている。しかしてこれら従来の方法においては通
常上記の方位へき開（以下オリフラという）加工は単分
域化処理後に行なわれていた。
を単分域化するには、結晶の２面を切り出す所謂Ｚカッ
トを行なった後、その切り出した２面に二つの対向する
電極をセットして電極間に電圧を印加して単分域化する
方法（例えば、特開昭５３−６５６８４号公報）、また
は、Ｚカット工程を省略して、プールに直接電極をとり
つけて単分域化する方法（例えば、特公昭５７−４１１
６１号公報、特公昭５９−３２４３８号公報）などが提
案されている。しかしてこれら従来の方法においては通
常上記の方位へき開（以下オリフラという）加工は単分
域化処理後に行なわれていた。
しかしながら、このような方法を採るときは、単分域化
されたプールの極性が外観から識別出来ないなめに、オ
リフラ加工に際し軸方向のプラス・マイナスを誤って加
工して了うことがあり、このようにオリフラ加工方位を
誤って加工した場合にはＳＡＷ素子としての所望の特性
を発揮し得ないという問題を生ずる。また一方で単分域
化の成否の判定はプールからその７面をウェハー状に切
り出してこれを弗硝酸でエツチングし、エツチング面の
観察を行ない、マイナス２面に均一なピットが全体的に
現われているときは単分域化されていると判断される。
されたプールの極性が外観から識別出来ないなめに、オ
リフラ加工に際し軸方向のプラス・マイナスを誤って加
工して了うことがあり、このようにオリフラ加工方位を
誤って加工した場合にはＳＡＷ素子としての所望の特性
を発揮し得ないという問題を生ずる。また一方で単分域
化の成否の判定はプールからその７面をウェハー状に切
り出してこれを弗硝酸でエツチングし、エツチング面の
観察を行ない、マイナス２面に均一なピットが全体的に
現われているときは単分域化されていると判断される。
しかしこの方法では、７面の切削を行なうなめに単分域
化の判定を行なったプールからは製品となるウェハーを
切り出せない不都合があった。従って単分域化の判定は
抜き収りによる判定を行なうのみで、製造されたプール
の全てに対して単分域化の判定を行なうことができない
ので製造効率上問題であった。
化の判定を行なったプールからは製品となるウェハーを
切り出せない不都合があった。従って単分域化の判定は
抜き収りによる判定を行なうのみで、製造されたプール
の全てに対して単分域化の判定を行なうことができない
ので製造効率上問題であった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明はＸ軸方位で引上げられたＬ ｉ ｒａｏ３単結
晶２０２” ＲＹ及び２９２” ＲＹ力方向第１、第２
オリフラ面の切出し加工をする場合単分域化後の極性を
誤ってオリフラ方位がずれ、所望の特性が得られないと
いう上記したような問題点を未然に防止することが出来
るような単分域化方法及び製品を損なうことなく簡便に
単分域化の成否判断を行ない得るような判定方法を提供
することを目的とするものである。
晶２０２” ＲＹ及び２９２” ＲＹ力方向第１、第２
オリフラ面の切出し加工をする場合単分域化後の極性を
誤ってオリフラ方位がずれ、所望の特性が得られないと
いう上記したような問題点を未然に防止することが出来
るような単分域化方法及び製品を損なうことなく簡便に
単分域化の成否判断を行ない得るような判定方法を提供
することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の課題を解決すべく鋭意検討の結果完成し
たものであって、第１の発明はＸ軸方位で引上げられた
Ｌ ｉ ＴａＯ３単結晶を単分域化するに際し、予めプ
ールを円筒状に研削して第１オリフラ面を２０２゜ＲＹ
、第２オリフラ面を２９２゜ＲＹの方位にオリフラ加工
し、しかる後に第２オリフラ面に平板電極を、またその
対向部に中心角９０”〜１４０°の範囲で円筒状の帯状
電極をセットし、両極間に電圧を印加することによって
、Ｌ ｉ ｒａｏ３単結晶の単分域化を行なうものであ
り、また第２の発明は上記の如くして、ＬｉＴａＯ３単
結晶の単分域化を行なった後、第２オリフラ面を鏡面に
研磨し、次いで研磨面にエツチング処理を施し、このエ
ツチング面を観察することによって、単分域化の成否を
判定しようとするものである。
たものであって、第１の発明はＸ軸方位で引上げられた
Ｌ ｉ ＴａＯ３単結晶を単分域化するに際し、予めプ
ールを円筒状に研削して第１オリフラ面を２０２゜ＲＹ
、第２オリフラ面を２９２゜ＲＹの方位にオリフラ加工
し、しかる後に第２オリフラ面に平板電極を、またその
対向部に中心角９０”〜１４０°の範囲で円筒状の帯状
電極をセットし、両極間に電圧を印加することによって
、Ｌ ｉ ｒａｏ３単結晶の単分域化を行なうものであ
り、また第２の発明は上記の如くして、ＬｉＴａＯ３単
結晶の単分域化を行なった後、第２オリフラ面を鏡面に
研磨し、次いで研磨面にエツチング処理を施し、このエ
ツチング面を観察することによって、単分域化の成否を
判定しようとするものである。
（作用）
Ｘ軸方位で引上げなＬｉＴａＯ３単結晶にオリフラ加工
を施すためには、先ず円筒研削を行なって、次に第１オ
リフラ面の加工を行なう。この際第１オリフラ面はＳＡ
−伝播面がＸ面素子として使う場合には、通常プラスＹ
面から２０２゜ＲＹ方向に傾くように形成される。（第
２図参照） また、ウェハー面のプラス・マイナスが識別できるよう
に第２オリフラ面を第１オリフラ面よりプラス９０＠Ｒ
Ｙ傾いた２９２″’ ＲＹ方位になるように形成する。
を施すためには、先ず円筒研削を行なって、次に第１オ
リフラ面の加工を行なう。この際第１オリフラ面はＳＡ
−伝播面がＸ面素子として使う場合には、通常プラスＹ
面から２０２゜ＲＹ方向に傾くように形成される。（第
２図参照） また、ウェハー面のプラス・マイナスが識別できるよう
に第２オリフラ面を第１オリフラ面よりプラス９０＠Ｒ
Ｙ傾いた２９２″’ ＲＹ方位になるように形成する。
この時、切出した第２オリフラ面はＺ軸に対し２２°傾
いているが、このフラットなオリフラ面を利用して、こ
の部分に平板状電極を、またその対向する曲面に円筒状
の帯状電極をセットし、キューリー温度で電界を与える
ことによってプールは単分域化する。（第１図参照） この場合において、Ｘ軸のプラス・マイナスは単結晶の
引上げ時に既に定まっているので、単分域化後に電極を
印加する電界の方向によって、Ｚ軸のプラス・マイナス
の方向が定まり、これにより一義的にＹ方向のプラス・
マイナスも定まる。
いているが、このフラットなオリフラ面を利用して、こ
の部分に平板状電極を、またその対向する曲面に円筒状
の帯状電極をセットし、キューリー温度で電界を与える
ことによってプールは単分域化する。（第１図参照） この場合において、Ｘ軸のプラス・マイナスは単結晶の
引上げ時に既に定まっているので、単分域化後に電極を
印加する電界の方向によって、Ｚ軸のプラス・マイナス
の方向が定まり、これにより一義的にＹ方向のプラス・
マイナスも定まる。
第１オリフラ面は中心角３０°、第２オリフラ面は中心
角２０’に形成するので単分域化時に電圧の印加方向を
誤らなければ、単分域化後の極性ミスによるオリフラ方
位のずれを防止することが出来る。第２オリフラ面と対
向する電極は中心角αを９０゜〜１４０°程度に形成す
る。中心角αがこれより大きすぎると、電極の端部で電
界応力によって、結晶が割れ易くなるので好ましくない
。逆に中心角αが９０°より小さすぎると単分域化が行
なわれなくなる。
角２０’に形成するので単分域化時に電圧の印加方向を
誤らなければ、単分域化後の極性ミスによるオリフラ方
位のずれを防止することが出来る。第２オリフラ面と対
向する電極は中心角αを９０゜〜１４０°程度に形成す
る。中心角αがこれより大きすぎると、電極の端部で電
界応力によって、結晶が割れ易くなるので好ましくない
。逆に中心角αが９０°より小さすぎると単分域化が行
なわれなくなる。
［汀ａｏ３単結晶の単分域化成否の判定は、マイナス７
面からプラス２２” ＲＹずれた第２オリフラ面を使い
、上記第１の発明による単分域化法で処理しな後弗硝酸
溶液でエツチングした時にこの第２オリフラ面にピッＩ
・が出来るか否かによって容易に判定することが出来る
。
面からプラス２２” ＲＹずれた第２オリフラ面を使い
、上記第１の発明による単分域化法で処理しな後弗硝酸
溶液でエツチングした時にこの第２オリフラ面にピッＩ
・が出来るか否かによって容易に判定することが出来る
。
（実施例）
（１）単分域化処理実験
先ず水弟１の発明によるＬ ｉ ＴａＯ３単結晶の単分
域化処理法について実験を行なった。
域化処理法について実験を行なった。
第１図は本発明の実施説明図であり、第２図はＬ ｉ
ＴａＯ３単結晶のオリフラ方位を示すものであって、図
において、１は第１オリフラ面、２は第２オリフラ面を
示す。３はＬ ｉ ＴａＯ３単結晶プールである。
ＴａＯ３単結晶のオリフラ方位を示すものであって、図
において、１は第１オリフラ面、２は第２オリフラ面を
示す。３はＬ ｉ ＴａＯ３単結晶プールである。
まな５．７はそれぞれ単分域化のためにプールの所定対
向箇所に取り付けた電極、４．６はこれらの電極のプー
ルへの電気的接触を円滑にするための適宜の導電剤であ
り、８は電極間に電界を印加するための電源である。
向箇所に取り付けた電極、４．６はこれらの電極のプー
ルへの電気的接触を円滑にするための適宜の導電剤であ
り、８は電極間に電界を印加するための電源である。
実験には、チョクラルスキー法によりマイナスＸ軸方向
に引上げた直径２インチ、長さ４０ｍｍのＬ ｒ Ｔａ
Ｏ３単結晶を使用し、その両端面を切り落したのち円筒
研削を行ない、次に、この単結晶試料におけるＹ軸のプ
ラス方向を仮定しておいて、カット面検査装置にて第１
及び第２オリフラ面を索定したのちオリフラ面を切り出
しな。
に引上げた直径２インチ、長さ４０ｍｍのＬ ｒ Ｔａ
Ｏ３単結晶を使用し、その両端面を切り落したのち円筒
研削を行ない、次に、この単結晶試料におけるＹ軸のプ
ラス方向を仮定しておいて、カット面検査装置にて第１
及び第２オリフラ面を索定したのちオリフラ面を切り出
しな。
この場合第１オリフラ面１は中心角３０’に、また第２
オリフラ面２は中心角２０°となるように形成した。ま
た単分域化処理に使用する電極材料には白金を用い、第
２オリフラ面２に幅８ＩＩＷＩＩ×長さ４０ｍｍの平板
状白金電極５を、その対向曲面には中心角１００°にな
るように円筒状に加工した帯状白金電極７を、それぞれ
導電剤４．６を介して取付けた。またさらに電極と結晶
との接合性を良くするために両極の上から、石英テープ
を巻いて固定した。
オリフラ面２は中心角２０°となるように形成した。ま
た単分域化処理に使用する電極材料には白金を用い、第
２オリフラ面２に幅８ＩＩＷＩＩ×長さ４０ｍｍの平板
状白金電極５を、その対向曲面には中心角１００°にな
るように円筒状に加工した帯状白金電極７を、それぞれ
導電剤４．６を介して取付けた。またさらに電極と結晶
との接合性を良くするために両極の上から、石英テープ
を巻いて固定した。
単分域化処理は次の手順で行なった。即ち先ずプールを
約３時間でキューリー温度（６５０℃）まで上昇させ、
約１時間この温度に保持した。
約３時間でキューリー温度（６５０℃）まで上昇させ、
約１時間この温度に保持した。
この際プール内の温度は６５０±５℃に保つようにした
。単分域化処理温度が６５０±１℃で安定化した後、第
２オリフラ面の電極５が対極７に対しして正になる電圧
を２５Ｖ印加しな。この状態を３０分間保持した後、約
３０時間で室温まで冷却し単分域化処理を終了しな。印
加電圧はこれ以上大きくすると結晶が破壊したり、導電
剤が結晶内部に溶は込んだりするので好ましくない。ま
たこれ以下の電圧では単分域化が行なわれない。
。単分域化処理温度が６５０±１℃で安定化した後、第
２オリフラ面の電極５が対極７に対しして正になる電圧
を２５Ｖ印加しな。この状態を３０分間保持した後、約
３０時間で室温まで冷却し単分域化処理を終了しな。印
加電圧はこれ以上大きくすると結晶が破壊したり、導電
剤が結晶内部に溶は込んだりするので好ましくない。ま
たこれ以下の電圧では単分域化が行なわれない。
（２）単分域化判定実験
次に本発明による単分域化処理を行なった結晶の単分域
化の成否判定を行なうために、先ず従来から行なわれて
いる２面を切り出す判定法を行なった。即ちプール側面
から２面を厚さ約３１１ｔＩ１１のウェハー状に切り出
し、弗硝酸液に約１時間浸漬してエツチングしたところ
マイナスＺ面全体に均一なピットが観察され、本発明の
処理法によって完全に単分域化が行なわれたことが立証
された。
化の成否判定を行なうために、先ず従来から行なわれて
いる２面を切り出す判定法を行なった。即ちプール側面
から２面を厚さ約３１１ｔＩ１１のウェハー状に切り出
し、弗硝酸液に約１時間浸漬してエツチングしたところ
マイナスＺ面全体に均一なピットが観察され、本発明の
処理法によって完全に単分域化が行なわれたことが立証
された。
そこで、水弟２の発明による単分域化判定法についての
実験を行なうために、上記と同一試料についてその第２
オリフラ面を鏡面状に研磨し、この面を上記と同様な方
法でエツチングし、そのエツチング面を観察したところ
、全面に均一なピットが現われているのが観察された。
実験を行なうために、上記と同一試料についてその第２
オリフラ面を鏡面状に研磨し、この面を上記と同様な方
法でエツチングし、そのエツチング面を観察したところ
、全面に均一なピットが現われているのが観察された。
同様にして幾つかの試料について従来の判定法との比較
試験を行なったところ何れも同様な結果が得られ、従来
の如く２面の切り出しによる試験を行なうことなく、第
２オリフラ面を鏡面研磨することによって簡便に単分域
化の判定を行ない得ることが確認された。
試験を行なったところ何れも同様な結果が得られ、従来
の如く２面の切り出しによる試験を行なうことなく、第
２オリフラ面を鏡面研磨することによって簡便に単分域
化の判定を行ない得ることが確認された。
以上の二つの実験結果より、水弟１の発明の処理法はＬ
ｉ ＴａＯ３単結晶の単分域化に有効であり、また水
弟２の発明についても単分域化の簡便判定として十分に
使用できるものであることが立証された。
ｉ ＴａＯ３単結晶の単分域化に有効であり、また水
弟２の発明についても単分域化の簡便判定として十分に
使用できるものであることが立証された。
（発明の効果）
以上説明したように本第１発明のＬ ｉ ＴａＯ３単結
晶の単分域化処理法によるときは単分域化処理前に予め
オリフラ加工を施すので、極性の誤認の恐れがなく、従
って、オリフラ方位を誤って加工することが無いので特
性の優れたＳＡ−素子を再現性よく得ることが出来る。
晶の単分域化処理法によるときは単分域化処理前に予め
オリフラ加工を施すので、極性の誤認の恐れがなく、従
って、オリフラ方位を誤って加工することが無いので特
性の優れたＳＡ−素子を再現性よく得ることが出来る。
また水弟２の発明によれば、従来の単分域化判定法の如
く抜き取り検査に基づきプールからの判定用試料を切り
出すのではなく、プールの第２オリフラ面を鏡面研磨す
るのみで、この研磨面によって判定するものであるから
、製造された全てのプールについて単分域化の判定が可
能となり、プールを無駄にすることなく、全プールを有
効に活用することが出来るので生産効率を著しく高める
ことが出来る。
く抜き取り検査に基づきプールからの判定用試料を切り
出すのではなく、プールの第２オリフラ面を鏡面研磨す
るのみで、この研磨面によって判定するものであるから
、製造された全てのプールについて単分域化の判定が可
能となり、プールを無駄にすることなく、全プールを有
効に活用することが出来るので生産効率を著しく高める
ことが出来る。
第１図は第１発明の単分域化処理法についての実施説明
図、第２図はＬ ｉ ＴａＯ３単結晶のオリフラ方位を
示す断面図である。
図、第２図はＬ ｉ ＴａＯ３単結晶のオリフラ方位を
示す断面図である。
Claims (2)
- （１）Ｘ軸引上げＬｉＴａＯ＿３単結晶を単分域化する
に際し、引上げた結晶を予め円筒研削し、第１オリフラ
面を２０２゜ＲＹ、第２オリフラ面を２９２゜ＲＹの方
位にオリフラ加工し、しかる後に第２オリフラ面に平板
状電極を、その対向部に中心角９０゜〜１４０゜の範囲
で円筒状の帯状電極をセットして、その間に電圧を印加
することを特徴とするＬｉＴａＯ＿３単結晶の単分域化
法。 - （２）請求項１記載の単分域化法による処理を行なった
後のＬｉＴａＯ＿３単結晶における第２オリフラ面を鏡
面研磨後エッチング処理を施し、該エッチング面を観察
することによって単分域化の成否の判断を行なうことを
特徴とするＬｉＴａＯ＿３単結晶の単分域化判定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036666A JPH02215172A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ＬｉＴａＯ↓３単結晶の単分域化法及び単分域化判定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036666A JPH02215172A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ＬｉＴａＯ↓３単結晶の単分域化法及び単分域化判定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215172A true JPH02215172A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12476185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036666A Pending JPH02215172A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ＬｉＴａＯ↓３単結晶の単分域化法及び単分域化判定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020061974A1 (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 盐城市振弘电子材料厂 | 一种钽酸锂单晶棒 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036666A patent/JPH02215172A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020061974A1 (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 盐城市振弘电子材料厂 | 一种钽酸锂单晶棒 |
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