JPH0221539A - マグネトロン用陰極構体 - Google Patents
マグネトロン用陰極構体Info
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- JPH0221539A JPH0221539A JP17214988A JP17214988A JPH0221539A JP H0221539 A JPH0221539 A JP H0221539A JP 17214988 A JP17214988 A JP 17214988A JP 17214988 A JP17214988 A JP 17214988A JP H0221539 A JPH0221539 A JP H0221539A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 101100450138 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) hat-2 gene Proteins 0.000 description 1
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- WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N thorium tungsten Chemical compound [W].[Th] WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子レンジ等のマイクロ波加熱機器に用いら
れるマグネトロンの陰極構体に関するものである。
れるマグネトロンの陰極構体に関するものである。
従来の技術
一般に、電子レンジ等のマイクロ波加熱機器に用いられ
るマグネトロンは、第15図に示すような陰極構体を有
している。この陰極構体は、トリウムタングステンから
なる螺旋状の陰極本体1と、その両端部に設けられた一
対の金属製エンドハツト2,3と、各エンドハツト2,
3から延び出た一対のリード線4,5と、このリード線
4,5とともにステムを形成する絶縁体6と、絶縁体6
に一方の開口端面をろう付けした鳩目状の金属管体7と
を備える。なお、金属管体7の他方の開口端面のフラン
ジ部7aは、その上に設けられた磁極片8を覆う関係に
陽極筒体9と気密に封着される。
るマグネトロンは、第15図に示すような陰極構体を有
している。この陰極構体は、トリウムタングステンから
なる螺旋状の陰極本体1と、その両端部に設けられた一
対の金属製エンドハツト2,3と、各エンドハツト2,
3から延び出た一対のリード線4,5と、このリード線
4,5とともにステムを形成する絶縁体6と、絶縁体6
に一方の開口端面をろう付けした鳩目状の金属管体7と
を備える。なお、金属管体7の他方の開口端面のフラン
ジ部7aは、その上に設けられた磁極片8を覆う関係に
陽極筒体9と気密に封着される。
一方、絶縁体6の外端面上に付設されている一対の陰極
端子10のそれぞれには、チョークコイル11の一端が
接続され、各チョークコイル11の他端は高耐電圧の貫
通型コンデンサ12のセンター電極13に接続されてい
る。そして、コンデンサ12を側壁に固着した金属製シ
ールドケース14が、絶縁体6およびチョークコイル1
1を覆っている。15は外部磁気回路を構成する継鉄を
示す。
端子10のそれぞれには、チョークコイル11の一端が
接続され、各チョークコイル11の他端は高耐電圧の貫
通型コンデンサ12のセンター電極13に接続されてい
る。そして、コンデンサ12を側壁に固着した金属製シ
ールドケース14が、絶縁体6およびチョークコイル1
1を覆っている。15は外部磁気回路を構成する継鉄を
示す。
このように構成されたマグネトロンにおいては、チョー
クコイル11とコンデンサ12とによって構成されるL
Cフィルタ回路およびシールドケース14が、リード線
4.5を通じて漏洩したマイクロ波成分の装置外漏出を
阻止するので、漏洩マイクロ波による通信妨害を防止す
ることができる。
クコイル11とコンデンサ12とによって構成されるL
Cフィルタ回路およびシールドケース14が、リード線
4.5を通じて漏洩したマイクロ波成分の装置外漏出を
阻止するので、漏洩マイクロ波による通信妨害を防止す
ることができる。
発明が解決しようとする課題
しかし、漏洩マイクロ波には発掘マイクロ波の基本波成
分のみなす、数次の高調波成分が含まれているので、こ
れらの装置外漏出を確実かつ効率よく阻止するのは至難
である。また、LCフィルタ回路は陰極電位に保持され
、シールドケースは陽極電位(接地)に保持されるので
、とくに長大なチョークコイルを用いる場合、両者間に
スパークが発生しないように比較的大きいシールドケー
スが必要となり、これらが装置の小型化およびコストの
低減を阻む要因となっていた。
分のみなす、数次の高調波成分が含まれているので、こ
れらの装置外漏出を確実かつ効率よく阻止するのは至難
である。また、LCフィルタ回路は陰極電位に保持され
、シールドケースは陽極電位(接地)に保持されるので
、とくに長大なチョークコイルを用いる場合、両者間に
スパークが発生しないように比較的大きいシールドケー
スが必要となり、これらが装置の小型化およびコストの
低減を阻む要因となっていた。
課題を解決するための手段
本発明にかかる陰極構体は、螺旋状の陰極本体と、同陰
極本体の両端部に設けられた一対のエンドハツトと、各
エンドハツトから延び出た一対のリード線と、同リード
線とともにステムを形成する絶縁体と、同絶縁体に一方
の開口端面を気密に封着して陽極筒体に封着されるべき
フランジ部を他方の開口端面に有する金属管体と、前記
リード線に少なくとも高周波的に結合された共振素子と
を備えてなる。そして、前記共振素子は前記金属管内に
位置して前記リード線を挿通させたリング状の高誘電率
体と、この高誘電率体の両端面または内外周面に付設さ
れて少なくとも一対の導電膜とからなる。
極本体の両端部に設けられた一対のエンドハツトと、各
エンドハツトから延び出た一対のリード線と、同リード
線とともにステムを形成する絶縁体と、同絶縁体に一方
の開口端面を気密に封着して陽極筒体に封着されるべき
フランジ部を他方の開口端面に有する金属管体と、前記
リード線に少なくとも高周波的に結合された共振素子と
を備えてなる。そして、前記共振素子は前記金属管内に
位置して前記リード線を挿通させたリング状の高誘電率
体と、この高誘電率体の両端面または内外周面に付設さ
れて少なくとも一対の導電膜とからなる。
作 用
このように構成された陰極構体においては、リード線を
通じてステム側へ漏洩しようとするマイクロ波の特定成
分が、前記共振素子で共振して減衰するので、すなわち
、前記共振素子が前記特定成分に対して高インピーダン
スの共振型フィルタとして作用するので、ステムを通じ
て装置外へ漏出するマイクロ波成分を減少せしめること
ができる。また、前記共振素子の静電容量を利用するこ
とによって、LCフィルタ回路の貫通型コンデンサを小
型化または廃止できるのみならず、シールドケースを小
型化することも可能となる。
通じてステム側へ漏洩しようとするマイクロ波の特定成
分が、前記共振素子で共振して減衰するので、すなわち
、前記共振素子が前記特定成分に対して高インピーダン
スの共振型フィルタとして作用するので、ステムを通じ
て装置外へ漏出するマイクロ波成分を減少せしめること
ができる。また、前記共振素子の静電容量を利用するこ
とによって、LCフィルタ回路の貫通型コンデンサを小
型化または廃止できるのみならず、シールドケースを小
型化することも可能となる。
実施例
つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに説明する
。
。
第1図に示す陰極構体が第15図に示した従来の陰極構
体と異なるところは、一対のリード線4.5の各中腹部
に核部を包囲する共振素子16が設けられている点であ
る。共振素子16は第2図に示すようにリング状の高誘
電率体17と、その内周面に付設された内側導電膜18
と、外周面に付設された外側導電膜19とからなり、外
側導電膜19の一部分が金属管体7にろう付けされてい
る。高誘電率体17は誘電率εが30〜90のセラミッ
クスからなり、一対の導電膜18.19はメタライズ層
上にめっき層を設けた二層構造体からなる。また、内側
導電膜18は当該共振素子に挿通されたリード線に接触
せず離隔しているが、高周波的には同リード線に結合し
ている。
体と異なるところは、一対のリード線4.5の各中腹部
に核部を包囲する共振素子16が設けられている点であ
る。共振素子16は第2図に示すようにリング状の高誘
電率体17と、その内周面に付設された内側導電膜18
と、外周面に付設された外側導電膜19とからなり、外
側導電膜19の一部分が金属管体7にろう付けされてい
る。高誘電率体17は誘電率εが30〜90のセラミッ
クスからなり、一対の導電膜18.19はメタライズ層
上にめっき層を設けた二層構造体からなる。また、内側
導電膜18は当該共振素子に挿通されたリード線に接触
せず離隔しているが、高周波的には同リード線に結合し
ている。
第3図に示す実施例のものでは、共振素子16の内側導
電膜が、当該共振素子に挿通されたリード線とろう付け
されており、外側導電膜は金属管体7と離隔している。
電膜が、当該共振素子に挿通されたリード線とろう付け
されており、外側導電膜は金属管体7と離隔している。
また、第4図に示す実施例のものでは、共振素子16の
内側導電膜が、当該共振素子に挿通されたリード線と離
隔しており、外側導電膜は金属片20を介して金属管体
7に接続されている。さらに、第5図に示す実施例では
、共振素子16の内側導電膜が、当該共振素子に挿通さ
れたリード線に金属管21を介して接続されており、外
側導電膜は金属管体7と離隔している。
内側導電膜が、当該共振素子に挿通されたリード線と離
隔しており、外側導電膜は金属片20を介して金属管体
7に接続されている。さらに、第5図に示す実施例では
、共振素子16の内側導電膜が、当該共振素子に挿通さ
れたリード線に金属管21を介して接続されており、外
側導電膜は金属管体7と離隔している。
いずれの構成にしても、陽極筒体内の共振空洞からリー
ド線4.5を伝送路としてステム絶縁体6側へ漏洩して
きたマイクロ波の特定成分は、共振素子16で共振して
トラップされ、減衰することになる。ただし、漏洩マイ
クロ波は前述のように基本波成分および数次の高調波成
分を含んでいるので、減衰させたい成分の波長に応じた
特性(大きさ)の共振素子を使用するのは勿論である。
ド線4.5を伝送路としてステム絶縁体6側へ漏洩して
きたマイクロ波の特定成分は、共振素子16で共振して
トラップされ、減衰することになる。ただし、漏洩マイ
クロ波は前述のように基本波成分および数次の高調波成
分を含んでいるので、減衰させたい成分の波長に応じた
特性(大きさ)の共振素子を使用するのは勿論である。
第6図に示す実施例では、第7図に示すように形成され
た共振素子22が組み込まれている。共振素子22はリ
ング状の高誘電率体23と、その一方の端面および他方
の端面に付設された導電膜24.25とからなり、上面
の導電膜24は金属片26を介して当該リード線に接続
され、下面の導電膜25は金属板27を介して金属管体
7に接続されている。
た共振素子22が組み込まれている。共振素子22はリ
ング状の高誘電率体23と、その一方の端面および他方
の端面に付設された導電膜24.25とからなり、上面
の導電膜24は金属片26を介して当該リード線に接続
され、下面の導電膜25は金属板27を介して金属管体
7に接続されている。
この場合の共振素子22は、リード線と金属管体とに直
流的に接続されているので、漏洩マイクロ波に対して前
述と同様の減衰作用を与えるとともに、その静電容量が
コンデンサの役割を果たすので、従来の貫通型コンデン
サを小型化または廃止することができる。
流的に接続されているので、漏洩マイクロ波に対して前
述と同様の減衰作用を与えるとともに、その静電容量が
コンデンサの役割を果たすので、従来の貫通型コンデン
サを小型化または廃止することができる。
第8図に示す実施例のものでは、ステム絶縁体2の内面
上に設けられた共振素子22が当該リード線に高周波的
に結合されている。第9図に示す実施例では、共振素子
22の上面の導電膜が鳩目状金属片28を介して当該リ
ード線に気密にろう付けされており、下面の導電膜は金
属管体7に接続された金属板29を介してステム絶縁体
6に気密にろう付けされている。この場合、リード線引
き出し部の気密封止がステム絶縁体6の内面側で得られ
るので、前述のような効果に加えて、陰極本体の耐震的
支持強度を高めることができる。
上に設けられた共振素子22が当該リード線に高周波的
に結合されている。第9図に示す実施例では、共振素子
22の上面の導電膜が鳩目状金属片28を介して当該リ
ード線に気密にろう付けされており、下面の導電膜は金
属管体7に接続された金属板29を介してステム絶縁体
6に気密にろう付けされている。この場合、リード線引
き出し部の気密封止がステム絶縁体6の内面側で得られ
るので、前述のような効果に加えて、陰極本体の耐震的
支持強度を高めることができる。
第10図に示す実施例では、漏洩マイクロ波の減衰率を
高めるために、3段に積み重ねられた3個の共振素子2
2を各リード線の周囲に配し、最上段の共振素子の上面
の導電膜を当該リード線に金属片30を介して接続し、
最下段の共振素子の下面の導電膜を金属管体7に金属板
31を介して接続している。また、第11図に示す実施
例では、外径および板厚の異なる3個の共振素子22a
、22b、22cを3段に積み重ねて使用しているので
、漏洩マイクロ波の種々の成分をトラップして減衰させ
ることができる。
高めるために、3段に積み重ねられた3個の共振素子2
2を各リード線の周囲に配し、最上段の共振素子の上面
の導電膜を当該リード線に金属片30を介して接続し、
最下段の共振素子の下面の導電膜を金属管体7に金属板
31を介して接続している。また、第11図に示す実施
例では、外径および板厚の異なる3個の共振素子22a
、22b、22cを3段に積み重ねて使用しているので
、漏洩マイクロ波の種々の成分をトラップして減衰させ
ることができる。
第12図に示す実施例では、2段に積み重ねられた2個
の共振素子22の相互間に導電体32を介在させ、この
導電体32を当該リード線に接せしめる一方、下段の共
振素子の下面の導電膜を金属管体7に金属板31を介し
て接続せしめている。
の共振素子22の相互間に導電体32を介在させ、この
導電体32を当該リード線に接せしめる一方、下段の共
振素子の下面の導電膜を金属管体7に金属板31を介し
て接続せしめている。
第13図に示す実施例での共振素子33は、2つの通孔
34a、34bを有する高誘電率体35と、その両端面
に付設された導電膜36.37とからなり、一方の通孔
34aにリード線4が、そして、他方の通孔34bにリ
ード!s5がそれぞれ挿通ずる構成となされている。
34a、34bを有する高誘電率体35と、その両端面
に付設された導電膜36.37とからなり、一方の通孔
34aにリード線4が、そして、他方の通孔34bにリ
ード!s5がそれぞれ挿通ずる構成となされている。
第14図に示す実施例での共振素子38は、リング状の
高誘電率体39と、その両端面に付設された導電膜40
.41とからなり、中央孔42内に一対のリード線4,
5が挿通される構成となっている。
高誘電率体39と、その両端面に付設された導電膜40
.41とからなり、中央孔42内に一対のリード線4,
5が挿通される構成となっている。
発明の効果
本発明は前述のように構成されるので、リング状の共振
素子が高インピーダンスの共振型フィルタとして作用し
、漏洩マイクロ波のうち特定の高周波数成分を選択的に
トラップして減衰させることができる。また、共振素子
の静電容量を利用することによって、LCフィルタ回路
の貫通型コンデンサを小型化または廃止することができ
るのみならず、フィルタ回路の簡素化に伴いシールドケ
ースを小型化することも可能となる。
素子が高インピーダンスの共振型フィルタとして作用し
、漏洩マイクロ波のうち特定の高周波数成分を選択的に
トラップして減衰させることができる。また、共振素子
の静電容量を利用することによって、LCフィルタ回路
の貫通型コンデンサを小型化または廃止することができ
るのみならず、フィルタ回路の簡素化に伴いシールドケ
ースを小型化することも可能となる。
第1図は本発明を実施した陰極構体の側断面図、第2図
は同陰極構体に組み込まれる共振素子の一部破断斜視図
、第3図ないし第6図はそれぞれ本発明の他の実施例の
要部の側断面図、第7図は共振素子の他の形状を示す一
部破断斜視図、第8図ないし第12図はそれぞれ本発明
の他の実施例の要部の側断面図、第13図および第14
図はそれぞれ本発明の他の実施例の要部の斜視図、第1
5図は従来の陰極構体およびその付属回路部材を示す側
断面図である。 1・・・・・・陰極本体、 2.3・・・・・・エンドハツト、 4゜ 5・・・・・・リード線、 6・・・・・・ステム陽極絶縁体、 7・・・ 々 図 区 区 寸 Qつ 派 し−11号不fネ 2.3−−一エンyハソY 完 図 第 図 @IQ図 第 図 第14 図
は同陰極構体に組み込まれる共振素子の一部破断斜視図
、第3図ないし第6図はそれぞれ本発明の他の実施例の
要部の側断面図、第7図は共振素子の他の形状を示す一
部破断斜視図、第8図ないし第12図はそれぞれ本発明
の他の実施例の要部の側断面図、第13図および第14
図はそれぞれ本発明の他の実施例の要部の斜視図、第1
5図は従来の陰極構体およびその付属回路部材を示す側
断面図である。 1・・・・・・陰極本体、 2.3・・・・・・エンドハツト、 4゜ 5・・・・・・リード線、 6・・・・・・ステム陽極絶縁体、 7・・・ 々 図 区 区 寸 Qつ 派 し−11号不fネ 2.3−−一エンyハソY 完 図 第 図 @IQ図 第 図 第14 図
Claims (1)
- 螺旋状の陰極本体と、同陰極本体の両端部に設けられた
一対のエンドハットと、各エンドハットから延び出た一
対のリード線と、同リード線とともにステムを形成する
絶縁体と、同絶縁体に一方の開口端面を気密に封着して
陽極筒体に封着されるべきフランジ部を他方の開口端面
に有する金属管体と、前記リード線に少なくとも高周波
的に結合された共振素子とを備えてなり、前記共振素子
は前記金属管体内に位置して前記リード線を挿通させた
リング状の高誘電率体と、この高誘電率体の両端面また
は内外周面に付設されて少なくとも一対の導電膜とから
なることを特徴とするマグネトロン用陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214988A JPH0221539A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | マグネトロン用陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214988A JPH0221539A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | マグネトロン用陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221539A true JPH0221539A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15936474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17214988A Pending JPH0221539A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | マグネトロン用陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221539A (ja) |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP17214988A patent/JPH0221539A/ja active Pending
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