JPH0221547B2 - - Google Patents

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JPH0221547B2
JPH0221547B2 JP57025998A JP2599882A JPH0221547B2 JP H0221547 B2 JPH0221547 B2 JP H0221547B2 JP 57025998 A JP57025998 A JP 57025998A JP 2599882 A JP2599882 A JP 2599882A JP H0221547 B2 JPH0221547 B2 JP H0221547B2
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JP
Japan
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hot metal
gas
partial pressure
amount
collected
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57025998A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58143266A (ja
Inventor
Kenzo Yamada
Katsuhiro Iwasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
Nippon Kokan Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Kokan Ltd filed Critical Nippon Kokan Ltd
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Publication of JPS58143266A publication Critical patent/JPS58143266A/ja
Publication of JPH0221547B2 publication Critical patent/JPH0221547B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/20Metals
    • G01N33/202Constituents thereof
    • G01N33/2022Non-metallic constituents
    • G01N33/2025Gaseous constituents

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
この発明は、高炉から出銑された溶銑中のSi量
を連続的にかつ迅速に分析する溶銑中のSi量の連
続分析法に関するものである。 溶銑中のSi量は、高炉の操作過程において、約
0.3%から約0.6%まで変動する。このような溶銑
中のSi量を迅速に分析し、その変動を把握するこ
とは、例えば溶銑の事前脱Si処理その他溶銑の精
錬を行なう上において極めて重要なことである。 従来、溶融金属の成分を迅速に分析する手段と
しては、例えばスパーク法、プラズマジエツト
法、GPレーザー法等が知られている。しかるに、
これらの方法は、何れも発光分光分析によるもの
であるため、発光に高エネルギーの出力を必要と
し、例えばGPレーザー法の場合には、出力が
50MWの高エネルギーを要するため、極めて経済
的でなく、実用には供されていない。 本発明者等は上述のような観点から、経済的に
溶銑中のSi量を連続的にかつ迅速に分析する溶銑
中のSi量の連続分析法を開発すべく鋭意研究を重
ねた。 溶銑中にはCが飽和濃度まで含有されていて、
その酸素分圧Po2は、10-16〜10-14atmと低く、酸
素分圧がこの範囲の溶銑中には、SiOガスが存在
する。このSiOガスのガス分圧Psioは、Po2やSi
の濃度にもよるが、10-2〜10-8と考えられる。 本発明者等は、上述したことから、溶銑中に
Po2を制御した不活性ガスを吹込み、この不活性
ガスによつて溶銑中から排出されたSiOガスにつ
き、溶銑中のSiとPsioとの相関関係を調べたとこ
ろ、両者間には強い相関があることを知見した。 この発明は、上記知見に基づいてなされたもの
で、高炉から出銑し、溶銑樋を流れる溶銑中に、
予め脱酸して酸素分が制御された不活性ガスをプ
ローブを介して吹き込み、前記不活性ガスにより
溶銑中から排出されたガス中のSiOガスを分析し
てそのガス分圧または光反射強度から、溶銑中の
Si量を連続的に検知することに特徴を有するもの
である。 次に、この発明を実施例により図面と共に説明
する。 第1図には、この発明方法を実施するための試
験装置の一例が示されている。図面において1は
溶銑樋、2は溶銑樋1中を流れる溶銑である。3
はアルゴンガスが収容された容器、4は電気炉、
5はその開口5aが溶銑樋1中を流れる溶銑2中
に浸漬された黒鉛製のガス吹込みプローブであ
る。 容器3内のアルゴンガスは、電気炉4内の導管
4A中に導かれ約600℃に加熱されると共に、導
管4A中の銅片6により脱酸してPo2が制御され
た上、ガス吹込みプローブ5によつて、その開口
5aから溶銑樋1を流れる溶銑2中に吹込まれ
る。 この結果、溶銑2中から排出されたArとSiOと
の混合ガスは、ガス吹込みプローブ5のガス排出
口5bから排出され、この排出ガスは切換弁7を
経て導管8により質量分析計9へ送られ、そのガ
ス分圧Psioが分析される。 また、前記排出ガスは切換弁7の切替えにより
導管10から分光器11に送られて分光器11内
のSiO2微粒子12と反応させ、発光受光素子1
3、検出器14、mVメータ15により、光反射
強度出力Poが検出される。16は分光器11に
O2ガスを供給するO2ガス容器、17は分光器1
1に設けられたO2ガスエジエクターである。 第2図には上述した試験装置により、下記第1
表に示す成分組成および温度(何れも平均値)の
溶銑のSi量を分析した結果が示されている。
【表】 第2図は上記により質量分析計9で実測した
SiOガスのガス分圧Psioと、同じく分光器11で
実測したSiOガスの光反射強度出力Poの、Si量と
の関係を示したもので、典線AはSsio、また典線
BはPoである。 図面からわかるように、ガス分圧Psioもまた光
反射強度出力Poも、Si量とは強い相関があり、
従つて、前記PsioまたはPoから、適確に溶銑中
のSi量を検出することができる。 以上述べたように、この発明によれば、溶銑中
に不活性ガスを導入し、前記不活性ガスにより溶
銑中から排出されたガス中のSiOガスを分析し
て、そのガス分圧または光反射強度を検出するこ
とにより、溶銑中のSi量を迅速かつ連続的に、し
かも経済的に適確に分析することができる工業上
優れた効果が示される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明方法を実施するための試験装
置の一例を示す説明図、第2図はこの発明方法で
得られたPsioとPoの溶銑中Si量との関係を示す
図である。図面において、 1…溶銑樋、2…溶銑、3…アルゴンガス容
器、4…電気炉、5…ガス吹込みプローブ、5a
…開口、5b…ガス排出口、6…銅片、7…切換
弁、8,10…導管、9…質量分析計、11…分
光器、12…SiO2微粒子、13…発光受光素子、
14…検出器、15…mVメータ、16…O2ガス
容器、17…O2ガスエジエクター。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 高炉から出銑し、溶銑樋を流れる溶銑中に、
    予め脱酸して酸素分圧が制御された不活性ガスを
    プローブを介して吹き込み、前記吹き込まれた不
    活性ガスにより溶銑中から排出されたガスを、前
    記プローブを介して捕集し、捕集したガスを質量
    分析計に送つてそのガス分圧を分析し、または、
    前記捕集したガスを分光器に送り、SiO2微粒子
    と反応させて光反射強度を検出し、このようなガ
    ス分圧または光反射強度から、溶銑樋を流れる溶
    銑中のSi量を連続的に検知することを特徴とする
    溶銑中Si量の連続分析法。
JP57025998A 1982-02-22 1982-02-22 溶銑中Si量の連続分析法 Granted JPS58143266A (ja)

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JP57025998A JPS58143266A (ja) 1982-02-22 1982-02-22 溶銑中Si量の連続分析法

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JPS58143266A JPS58143266A (ja) 1983-08-25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61292055A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Nippon Kokan Kk <Nkk> 溶鋼の迅速分析方法
JPH0613492Y2 (ja) * 1985-10-11 1994-04-06 住友軽金属工業株式会社 金属溶湯中の水素濃度測定用プロ−ブ
JP2535896Y2 (ja) * 1991-01-16 1997-05-14 コスモ工機株式会社 切粉回収装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1510957A (en) * 1975-05-07 1978-05-17 National research development corp investigation of the gas content of molten metals

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JPS58143266A (ja) 1983-08-25

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