JPH0221672A - 発光ダイオード素子 - Google Patents
発光ダイオード素子Info
- Publication number
- JPH0221672A JPH0221672A JP62331185A JP33118587A JPH0221672A JP H0221672 A JPH0221672 A JP H0221672A JP 62331185 A JP62331185 A JP 62331185A JP 33118587 A JP33118587 A JP 33118587A JP H0221672 A JPH0221672 A JP H0221672A
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- Japan
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- light
- light emitting
- resin
- photoleading
- electrode
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 27
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は特に微小な発光部分をもつモノリシック型の発
光ダイオード素子に係り信頼性が高く光取出効率のより
発光ダイオード素子に関する。
光ダイオード素子に係り信頼性が高く光取出効率のより
発光ダイオード素子に関する。
（ロ）従来の技術
従来より発光ダイオード素子を透明樹脂で覆う事により
素子から放出された光の屈折率を改善させて光取出効率
を向上ｃ’＆る事が行なわれてきたが、第１図に示すよ
うに単一の化合物半導体（２０）に複数の発光部（２３
）（２３）・・・を有するいわゆるモノリシック型の発
光ダイオード素子（例えば実開昭５１−１０３３５５号
公報に記載）においては金属細線（２５）（２５）・・
・等で配線を施こした後発光ダイオード全体を透明樹脂
（２４）で覆うことになる。これはモノリシック型では
数字表示をするものが多く、透明樹脂（２４）の内部で
起こるハレーションが画素のつなぎ目を覆ってくれる事
と表示自体が２ｍ＋以上と比較的大きく金゛属細１１Ａ
（２５）（２５）・・・等の配線密度が低くそれに対す
る透明樹脂（２４）の厚さが充分薄いので樹脂硬化等に
おいで特に問題はないからである。
素子から放出された光の屈折率を改善させて光取出効率
を向上ｃ’＆る事が行なわれてきたが、第１図に示すよ
うに単一の化合物半導体（２０）に複数の発光部（２３
）（２３）・・・を有するいわゆるモノリシック型の発
光ダイオード素子（例えば実開昭５１−１０３３５５号
公報に記載）においては金属細線（２５）（２５）・・
・等で配線を施こした後発光ダイオード全体を透明樹脂
（２４）で覆うことになる。これはモノリシック型では
数字表示をするものが多く、透明樹脂（２４）の内部で
起こるハレーションが画素のつなぎ目を覆ってくれる事
と表示自体が２ｍ＋以上と比較的大きく金゛属細１１Ａ
（２５）（２５）・・・等の配線密度が低くそれに対す
る透明樹脂（２４）の厚さが充分薄いので樹脂硬化等に
おいで特に問題はないからである。
しかし光プリンタ等に用いるモノリシック型発光ダイオ
ード素子においては発光部分が小さく密集しているので
、全体を透明樹脂で覆うと金属細線に光が反射してみか
け上の光源が増加又は拡大したり、金属細線の密度が高
いので金属細線にストレスが加わり、剥離、隣接配線と
の接触等の不良が生じやすい。
ード素子においては発光部分が小さく密集しているので
、全体を透明樹脂で覆うと金属細線に光が反射してみか
け上の光源が増加又は拡大したり、金属細線の密度が高
いので金属細線にストレスが加わり、剥離、隣接配線と
の接触等の不良が生じやすい。
一方このような小さい発光部分に対して光点を拡大する
手法が特開昭４９−１０７６８３号公報に開示され、そ
の場合にＸ極を含む発光領域全体を覆うように樹脂を設
けることが示されている。しかし乍らこの公報に示され
るように樹脂が中央部になる程厚くなると凸レンズ効果
が生じ、光点はさらに拡大浮れて光導出部の形状が正し
く投影されない（上述同様光源が不所望に拡大きれる）
という欠点を有する。
手法が特開昭４９−１０７６８３号公報に開示され、そ
の場合にＸ極を含む発光領域全体を覆うように樹脂を設
けることが示されている。しかし乍らこの公報に示され
るように樹脂が中央部になる程厚くなると凸レンズ効果
が生じ、光点はさらに拡大浮れて光導出部の形状が正し
く投影されない（上述同様光源が不所望に拡大きれる）
という欠点を有する。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の欠点を改めるためにな啓れたもので、発
光部分が密集していても光が効率良く形よく取り出せる
発光ダイオード素子を提供するものである。
光部分が密集していても光が効率良く形よく取り出せる
発光ダイオード素子を提供するものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述したモノリシック素子のｔ極配線領域を露
出させて光導出部に透明薄膜を設けるものである。
出させて光導出部に透明薄膜を設けるものである。
（ホ） 作用
これにより不所望の光の拡大反射などなく光取出率が向
上し、配線不良等も生じない。
上し、配線不良等も生じない。
（へ）実施例
第２図は本発明実施例を示す発光ダイオード素子の製造
工程を示す工程図で、まず第２図（ａ）に示すように表
層部に選択的に発光領域を形成することで部分的にＰＮ
接合（１）を有し、Ｍ、極（２）によっ−Ｃ略正方形の
光導出部（３）を形成したＧａＡｓＰ等の化合物半導体
を準備する。これは図示している様な素子として扱って
もよいし、ウェハとして扱っておいてあとでダイシング
素子としてもよい、このような化合物半導体の表面に同
図（ｂ）に示すように光硬化性の透明樹脂（４′）を被
着させ光導出部（３）を中心にスポット光を照射し℃樹
脂を硬化させ（同図（ｃ）参照）、樹脂除去剤を用いて
未硬化樹脂を除去して同図（ｄ）に示すように光導出部
（３）を覆う透光性の樹脂からなる被膜（４）を形成す
る。そして第２図（ｅ）に示すようにこのような発光ダ
・ｆオード素子の電極（２）のうち透光性被膜（４）に
覆われていない、露出した電極部分にワイヤボンド法等
で金属細線（５）を配線接続する。
工程を示す工程図で、まず第２図（ａ）に示すように表
層部に選択的に発光領域を形成することで部分的にＰＮ
接合（１）を有し、Ｍ、極（２）によっ−Ｃ略正方形の
光導出部（３）を形成したＧａＡｓＰ等の化合物半導体
を準備する。これは図示している様な素子として扱って
もよいし、ウェハとして扱っておいてあとでダイシング
素子としてもよい、このような化合物半導体の表面に同
図（ｂ）に示すように光硬化性の透明樹脂（４′）を被
着させ光導出部（３）を中心にスポット光を照射し℃樹
脂を硬化させ（同図（ｃ）参照）、樹脂除去剤を用いて
未硬化樹脂を除去して同図（ｄ）に示すように光導出部
（３）を覆う透光性の樹脂からなる被膜（４）を形成す
る。そして第２図（ｅ）に示すようにこのような発光ダ
・ｆオード素子の電極（２）のうち透光性被膜（４）に
覆われていない、露出した電極部分にワイヤボンド法等
で金属細線（５）を配線接続する。
第３図は発光ダイオードアレイに本発明を適用した時の
斜視図で、整列した光導出部（１３）（１３）・・・を
覆う透明な樹脂被膜（工４）・・・を−直線状に設け、
電極（１２）（１２）・・・を樹脂被膜（１４）と略直
交させる事でそのほとんどの部分を露出させ、露出した
電極部分に金属線ａ（１５）（１５）・・・ワイヤボン
ドする。このような透光性の被膜（１４）は例えばスク
リーン印刷のメツシュに用いる線条にシリコン樹脂を含
浸させ、シリコン樹脂の粘度を下げて発光ダイオードに
線条を当接させる事等で薄膜状に得る事ができる。
斜視図で、整列した光導出部（１３）（１３）・・・を
覆う透明な樹脂被膜（工４）・・・を−直線状に設け、
電極（１２）（１２）・・・を樹脂被膜（１４）と略直
交させる事でそのほとんどの部分を露出させ、露出した
電極部分に金属線ａ（１５）（１５）・・・ワイヤボン
ドする。このような透光性の被膜（１４）は例えばスク
リーン印刷のメツシュに用いる線条にシリコン樹脂を含
浸させ、シリコン樹脂の粘度を下げて発光ダイオードに
線条を当接させる事等で薄膜状に得る事ができる。
（ト）発明の効果
以上の如く本発明は、部分的に発光接合を有する化合物
半導体と該化合物半導体の表面の少なくとも光導出部を
除く部分に設けられた電極と、少なくとも電極の１部を
露出させ光導出部を覆う樹脂被膜とを具備し、露出した
電極部分を配線を施こすための領域とした発光ダイオー
ドであるから発光領域からの光取出率は樹脂被膜により
屈折率調整されているので高効率であり凸レンズ効果が
ないので拡大・光点増加といった投光歪もなく、配線領
域は樹脂被膜がない為ワイヤボンド工程と樹脂被着工程
は前後してもよいから製造工程にゆとりが持て、しかも
金属細線は樹脂に優れないから光の反射や樹脂による短
絡事故は生じない。
半導体と該化合物半導体の表面の少なくとも光導出部を
除く部分に設けられた電極と、少なくとも電極の１部を
露出させ光導出部を覆う樹脂被膜とを具備し、露出した
電極部分を配線を施こすための領域とした発光ダイオー
ドであるから発光領域からの光取出率は樹脂被膜により
屈折率調整されているので高効率であり凸レンズ効果が
ないので拡大・光点増加といった投光歪もなく、配線領
域は樹脂被膜がない為ワイヤボンド工程と樹脂被着工程
は前後してもよいから製造工程にゆとりが持て、しかも
金属細線は樹脂に優れないから光の反射や樹脂による短
絡事故は生じない。
第１図は従来の発光ダイオード素子の斜視図、第２図（
ａ）〜（ｅ）は本発明実施例の発光ダイオード素子の製
造工程を示し同図（ａ）〜（ｄ）は断面図、同図（ｅ）
は斜視図、第３図は本発明の他の実施例を示す発光ダイ
オード素子の斜視図である。 （１）・・・ＰＮ接合、（２）（１２）（１２）・・・
電極、（３）（１３）（１３）・・・光導出部、（４）
（１４）・・・樹脂被膜、（４′）・・・（硬化前の）
透明樹脂、（Ｓ ）（１５）（１５）・・・金属細線。 出願人 三洋電機株式会社 外１名
ａ）〜（ｅ）は本発明実施例の発光ダイオード素子の製
造工程を示し同図（ａ）〜（ｄ）は断面図、同図（ｅ）
は斜視図、第３図は本発明の他の実施例を示す発光ダイ
オード素子の斜視図である。 （１）・・・ＰＮ接合、（２）（１２）（１２）・・・
電極、（３）（１３）（１３）・・・光導出部、（４）
（１４）・・・樹脂被膜、（４′）・・・（硬化前の）
透明樹脂、（Ｓ ）（１５）（１５）・・・金属細線。 出願人 三洋電機株式会社 外１名
Claims (1)
- （１）部分的に発光接合を有する化合物半導体と、該化
合物半導体の表面の少なくとも光導出部を除く部分に設
けられた電極と、前記光導出部を覆い少なくとも電極の
一部を露出するように化合物半導体表面に設けられた透
光性の被膜とを具備し、その露出した電極部分を配線を
施こすための領域とした事を特徴とする発光ダイオード
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331185A JPH0221672A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 発光ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331185A JPH0221672A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 発光ダイオード素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221672A true JPH0221672A (ja) | 1990-01-24 |
| JPH054827B2 JPH054827B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=18240840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331185A Granted JPH0221672A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 発光ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221672A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107683A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 | ||
| JPS51103355U (ja) * | 1975-02-14 | 1976-08-19 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62331185A patent/JPH0221672A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107683A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 | ||
| JPS51103355U (ja) * | 1975-02-14 | 1976-08-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054827B2 (ja) | 1993-01-20 |
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