JPH02217467A - 対向ターゲット型スパッタリング装置 - Google Patents

対向ターゲット型スパッタリング装置

Info

Publication number
JPH02217467A
JPH02217467A JP1037741A JP3774189A JPH02217467A JP H02217467 A JPH02217467 A JP H02217467A JP 1037741 A JP1037741 A JP 1037741A JP 3774189 A JP3774189 A JP 3774189A JP H02217467 A JPH02217467 A JP H02217467A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
targets
power
power supply
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1037741A
Other languages
English (en)
Inventor
Takamasa Yoshikawa
高正 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP1037741A priority Critical patent/JPH02217467A/ja
Priority to US07/405,818 priority patent/US5000834A/en
Priority to GB8920847A priority patent/GB2228268B/en
Priority to DE3931212A priority patent/DE3931212A1/de
Publication of JPH02217467A publication Critical patent/JPH02217467A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、スパッタリング法により薄膜を形成する対向
ターゲット型スパッタリング装置に関する。
背景技術 薄膜の形成技術としては、真空蒸着法、スパッタリング
法等が知られている。特にスパッタリング法は、基板と
薄膜との密着が良い故に薄膜形成に広く用いられている
。例えば、スパッタリング法により希土類−遷移金属の
非晶質合金薄膜が得られ、これは消去可能な光磁気記録
媒体として応用されている。
スパッタリング法は、加速されたスパッタガス粒子、例
えばＡｒ等がターゲット表面に衝突したとき、運動量の
交換によりターゲットから空間へ放出される原子（スパ
ッタリング原子）を所定の基板上に堆積させる方法であ
る。
かかるスパッタリング法を実行する装置として、第３図
に概略を示す如き対向ターゲット型スパッタリング装置
が開発されている。図に示すように、真空容器１の再閉
塞端部に２枚のターゲット５がい を；向かい合いターゲットホルダ６上に配置されている
。ターゲットホルダ６は、真空容器１から絶縁され、永
久磁石８がターゲットの面に垂直な磁界をターゲット５
間に生じるように永久磁石８を収容する。基板１１はタ
ーゲット間のプラズマ保持領域２０の周囲に配置されて
いる。真空容器１及びターゲット５間にグロー放電を生
じるようにターゲット５に電源１０が接続され、容器１
は接地される。永久磁石８と真空容器の外側の磁界コイ
ル２２とを使って磁界の強さと分布を調整している。
電圧の印加によりターゲット５から放出された電子は、
両ターゲット５間に閉じこめられプラズマ保持領域２０
を形成しスパッタガスのイオン化を促進する。スパッタ
ガス又はそのイオンの粒子はターゲットに激しく衝突し
てターゲットの構成原子を放出せしめる。基板１１がプ
ラズマ保持領域２０の周囲に配置されているため、電子
や負イオン等の高エネルギー粒子の基板１１の膜面への
衝撃が抑制される。
このように、対向ターゲット型スパッタリング装置によ
れば、組成ずれ、基板の温度上昇や基板、膜面の損傷な
どの問題が生じ難い状況で放出ターゲット構成原子を基
板上に成膜できる。
かかる従来の対向ターゲット型スパッタリング装置にお
いては、合金薄膜の組成を変化させる場合には、異なる
金属のターゲットを交換したり、異なる金属領域面を有
するターゲットを用いて行われている。
しかしながら、そのターゲット交換作業が煩雑で、また
異なる金属領域面を有するターゲットの作成が難しかっ
た。
発明の概要 本発明の目的は、成膜される合金薄膜の組成を容易に変
化させることのできる対向ターゲット型スパッタリング
装置を提供することである。
本発明の対向ターゲット型スパッタリング装置は、スパ
ッタガスを吸入及び排気自在な真空容器と、前記容器の
対向する再閉塞端部の内側に距離を隔てて平行に対向し
てプラズマ保持領域を形成するように固定された一対の
ターゲットと、磁界を前記ターゲットを介して前記プラ
ズマ保持領域に形成するように異極を対向させて前記タ
ーゲット近傍に配置された一対の磁石と、薄膜を形成す
べき基板を前記プラズマ保持領域に向かうように配置さ
せる基板ホルダとを含む対向ターゲット型スパッタリン
グ装置であって、前記ターゲットの一方に第１電力を供
給する第１１１力可変供給手段と、前記第１電力とは独
立して変化する第２電力を前記ターゲットの他方に供給
する第２電力可変供給手段とを有することを特徴とする
。
実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は、本実施例の対向ターゲット型スパッタリング
装置の概略断面図である。かかる装置は、磁界コイル（
図示せず）を有した円筒状容器１からなり、容器１の両
端を閉塞して内部に空間を保持している。かかる容器の
側面には、内部にＡｒ等の不活性ガスを供給するスパッ
タガス通路２と、内部を負圧にするための真空ポンプ及
び拡散ポンプに通ずる排気通路３が設けられている。
容器１の対向する再閉塞端部には、スパッタ源４が絶縁
部材１ａを介して配置されている。スパッタ源の各々は
ターゲット５をその端部に載置した筒状部材６からなり
、内部空間に冷却水が流通するように冷却通路７が設け
られている。一対のスパッタ源４は、ターゲット５が距
離りを隔てて平行となるように容器１に固定されている
。ターゲット近傍の筒状部材６の内周側壁には、内周側
壁に沿った筒状の永久磁石８が設けられている。
かかる一対の永久磁石８は、対向するターゲット５を介
して磁界を形成するように異なる極が向かい合っている
。
基板を保持する基板ホルダ１２は、対向するターゲット
５の中心軸線（−点鎖線）を隔てて基板１１が該軸線に
平行にかつターゲット５に挾まれる空間（プラズマ保持
領域）に向かうように配置されている。また、基板ホル
ダ１２には基板冷却用流体を流通させる冷却通路１３が
設けられている。
スパッタ源４の筒状部材６の周囲には、筒状部材６及び
ターゲット５から絶縁された筒状陽極９が設けられ容器
１を介して接地されている。スパッタ源４の一方におい
て筒状部材６及びターゲット５は、第１電力可変供給手
段として電圧を可変できる第１直流電圧電源１０ａによ
り負の電位が印加されるようになっている。また、他方
のスパッタ源４の筒状部材６及びターゲット５は、第１
直流電圧電源１０ａとは独立しかつ電圧を可変できる第
２電力可変供給手段としての第２直流電圧電源１０ａに
より負の電位が印加されるようになっている。基板ホル
ダ１２は、円筒状容器１及びスパッタ源４から絶縁され
ている。
上記した対向ターゲット型スパッタリング装置において
は、第１及び第２直流電圧電源１０ａ１１０ｂによりタ
ーゲットの各々に電力を印加してターゲット５及び円筒
状容器１間にグロー放電を生ぜしめＡｒのプラズマを形
成する。次に、永久磁石８の磁力を十分大とすることに
よって、対向ターゲット５間のプラズマ保持領域に生ず
るプラズマを収束させ、プラズマが基板１１に達しない
ように：Ａ節する。このようにして、本装置は、ターゲ
ット５から放出されたスパッタ原子だけが基板１１の表
面に堆積して薄膜を成長するようになされている。
かかる対向ターゲット型スパッタリング装置によってＴ
ｂＦｅＣｏ合金の薄膜を形成した。
まず、第１直流電圧電Ｒ１０ａに接続されたターゲット
５の一方としてＴｂターゲットを取り付け、第２直流電
圧電源１０ｂに接続されたターゲット５の他方としてＦ
ｅＣｏターゲットを取り付けた。
次に、真空容器１内を排気して、Ａｒガスを３ｍＴｏｒ
ｒの圧力まで供給し維持した。
次に、第１及び第２直流電圧電源１０ａ、１０ｂの出力
電力を同時に所定値まで上げ、グロー放電を開始した。
その後、第２直流電圧電源１０ｂに接続されたＦｅＣｏ
ターゲットへの電力供給量を３Ｋｗに一定に維持しつつ
、第１直流電圧電源１０ａに接続されたＴｂターゲット
の電力供給量を１〜５Ｋｗの範囲で可変させ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金中のＴｂ組成が異なる種々の薄膜を基板の上に
成膜した。
この方法で得られたＴｂＦｅＣｏ合金薄膜中のＴｂ組成
とＴｂターゲットへの供給電力量との関係を第２図に示
す。Ｔｂターゲットの電力供給量とＴｂ組成とは、はぼ
比例関係にあることが分かる。このように実施例装置で
は、ＴｂＦｅＣｏ組成に対しＴｂ組成を１０〜４０％の
範囲で制御できる。
上記実施例では、第１及び第２電力可変供給手段として
は共に独立して電圧を可変できる２つの直流電圧電源１
０ａ、１０ｂを用いているが、電源を１つとして共用し
、独立した２つの供給経路において可変抵抗器等の電力
可変手段を介して一対のターゲットへ別個に電力を供給
してもよい。
また、第１及び第２電力可変供給手段は各々直流電力及
び交流電力のいずれかを供給できる電源であればよい。
すなわち、第１電源を直流電圧電源とし第２電源を高周
波電圧電源としてもよく、また逆に、第１牢源を高周波
電圧電源とし第２電源を直流電圧電源としてもよい。更
に、第１及び第２電源ともに高周波電圧電源としてもよ
い。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、対向ターゲット型スパ
ッタリング装置において、ターゲットの一方に第１電力
を供給する第１電力可変供給手段と、第１電力とは独立
して変化する第２電力をターゲットの他方に供給する第
２電力可変供給手段とを設けているので、各電力供給経
路からの電力供給量をターゲット毎に変化させ得ること
ができる。よって、各成膜工程における回分ごとに、合
金薄膜の組成を容易に制御できる。更に、成膜中におい
ても合金薄膜の厚さ方向においてその組成を連続して変
化させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による対向ターゲット型スパッタリング
装置の概略断面図、第２図は本発明による対向ターゲッ
ト型スパッタリング装置によって得られるＴｂＦｅＣｏ
合金薄膜中のＴｂ組成とＴｂターゲットへの供給電力量
との関係を示すグラフ、第３図は従来の対向ターゲット
型スパッタリング装置の概略断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・円筒状容器 ２・・・・・・スバヅタガス通路 ３・・・・・・排気通路 ４・・・・・・スパッタ源 ５・・・・・・ターゲット ６・・・・・・筒状部材 ７．１３・・・・・・冷却通路 ８・・・・・・永久磁石 ９・・・・・・筒状陽極 Ｏ・・・・・・電源 Ｏａ・・・・・・第１直流電圧電源 Ｏｂ・・・・・・第２直流電圧電源 １・・・・・・基板 ２・・・・・・基板ホルダ ０・・・・・・プラズマ保持領域 ２・・・・・・磁界コイル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）スパッタガスを吸入及び排気自在な真空容器と、
    前記容器の対向する両閉塞端部の内側に距離を隔てて平
    行に対向してプラズマ保持領域を形成するように固定さ
    れた一対のターゲットと、磁界を前記ターゲットを介し
    て前記プラズマ保持領域に形成するように異極を対向さ
    せて前記ターゲット近傍に配置された一対の磁石と、薄
    膜を形成すべき基板を前記プラズマ保持領域に向かうよ
    うに配置させる基板ホルダとを含む対向ターゲット型ス
    パッタリング装置であって、前記ターゲットの一方に第
    １電力を供給する第１電力可変供給手段と、前記第１電
    力とは独立して変化する第２電力を前記ターゲットの他
    方に供給する第２電力可変供給手段とを有することを特
    徴とする対向ターゲット型スパッタリング装置。
  2. （２）前記第１及び第２電力可変供給手段は各々直流電
    力及び交流電力のいずれかを供給することを特徴とする
    請求項１記載の対向ターゲット型スパッタリング装置。
JP1037741A 1989-02-17 1989-02-17 対向ターゲット型スパッタリング装置 Pending JPH02217467A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1037741A JPH02217467A (ja) 1989-02-17 1989-02-17 対向ターゲット型スパッタリング装置
US07/405,818 US5000834A (en) 1989-02-17 1989-09-08 Facing targets sputtering device
GB8920847A GB2228268B (en) 1989-02-17 1989-09-14 Facing targets sputtering device
DE3931212A DE3931212A1 (de) 1989-02-17 1989-09-19 Zerstaeubungsvorrichtung mit einander zugewandt angeordneten targets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1037741A JPH02217467A (ja) 1989-02-17 1989-02-17 対向ターゲット型スパッタリング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02217467A true JPH02217467A (ja) 1990-08-30

Family

ID=12505911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1037741A Pending JPH02217467A (ja) 1989-02-17 1989-02-17 対向ターゲット型スパッタリング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5000834A (ja)
JP (1) JPH02217467A (ja)
DE (1) DE3931212A1 (ja)
GB (1) GB2228268B (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4038497C1 (ja) * 1990-12-03 1992-02-20 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
AU652039B2 (en) * 1991-04-12 1994-08-11 Kuraray Co., Ltd. Process for forming metal film, and aluminum film coated matter
US5328583A (en) * 1991-11-05 1994-07-12 Canon Kabushiki Kaisha Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus
JP2911687B2 (ja) * 1992-09-25 1999-06-23 キヤノン株式会社 磁気ヘッドの製造方法
EP0691419A1 (en) * 1994-07-05 1996-01-10 General Electric Company A process and apparatus for forming multi-layer optical films
US6033277A (en) * 1995-02-13 2000-03-07 Nec Corporation Method for forming a field emission cold cathode
DE19617155B4 (de) * 1995-06-28 2007-07-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Sputterbeschichtungsstation, Verfahren zur Herstellung sputterbeschichteter Werkstücke und Verwendung der Station oder des Verfahrens zur Beschichtung scheibenförmiger Substrate
GB9514773D0 (en) * 1995-07-19 1995-09-20 Teer Coatings Ltd Methods for improving the sputter deposition of metal-sulphur coatings e.g.molybdenum disulphide(MoS2) coatings
US6423419B1 (en) 1995-07-19 2002-07-23 Teer Coatings Limited Molybdenum-sulphur coatings
JP2904263B2 (ja) * 1995-12-04 1999-06-14 日本電気株式会社 スパッタ装置
JPH10255987A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
ES2184265T3 (es) * 1997-04-14 2003-04-01 Cemecon Ag Procedimiento y dispositivo de revestimiento por pvd.
JP3886209B2 (ja) * 1997-06-02 2007-02-28 貞夫 門倉 対向ターゲット式スパッタ装置
JP3505459B2 (ja) * 2000-02-10 2004-03-08 豊明 平田 ミラートロンスパッタ装置
US7023128B2 (en) * 2001-04-20 2006-04-04 Applied Process Technologies, Inc. Dipole ion source
US7294283B2 (en) * 2001-04-20 2007-11-13 Applied Process Technologies, Inc. Penning discharge plasma source
WO2002086932A1 (en) 2001-04-20 2002-10-31 Applied Process Technologies Magnetic mirror plasma source
EP1424735B1 (en) * 2001-07-06 2010-07-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method for forming light-absorbing layer
WO2005028697A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-31 Applied Process Technologies, Inc. Magnetic mirror plasma source and method using same
US6962648B2 (en) * 2003-09-15 2005-11-08 Global Silicon Net Corp. Back-biased face target sputtering
US20050056535A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Makoto Nagashima Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
US20060249370A1 (en) * 2003-09-15 2006-11-09 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device
CA2489501A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Ed A. Kutryk Drill pipe screen
WO2005091329A2 (en) * 2004-03-22 2005-09-29 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Sputtering device for manufacturing thin films
US7425504B2 (en) * 2004-10-15 2008-09-16 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for plasma etching
US20060081466A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Makoto Nagashima High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source
US20060081467A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Makoto Nagashima Systems and methods for magnetron deposition
US7160122B2 (en) * 2004-10-27 2007-01-09 Winchester Electronics Corporation Power connectors and contacts
WO2006097994A1 (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Thin-Film Process Inc. スパッタリング装置
US20070084717A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage
US20070084716A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile data storage
US20070131538A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Makoto Nagashima Systems and methods for back-biased face target sputtering
US20070205096A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
US8395199B2 (en) * 2006-03-25 2013-03-12 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US7932548B2 (en) * 2006-07-14 2011-04-26 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US8454810B2 (en) * 2006-07-14 2013-06-04 4D-S Pty Ltd. Dual hexagonal shaped plasma source
US20080011603A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Makoto Nagashima Ultra high vacuum deposition of PCMO material
US8308915B2 (en) * 2006-09-14 2012-11-13 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for magnetron deposition
US8821701B2 (en) 2010-06-02 2014-09-02 Clifton Higdon Ion beam sputter target and method of manufacture

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3400066A (en) * 1965-11-15 1968-09-03 Ibm Sputtering processes for depositing thin films of controlled thickness
JPS57100627A (en) * 1980-12-12 1982-06-22 Teijin Ltd Manufacture of vertical magnetic recording medium
DE3107914A1 (de) * 1981-03-02 1982-09-16 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum beschichten von formteilen durch katodenzerstaeubung
JPS61272374A (ja) * 1985-05-28 1986-12-02 Nec Corp スパツタ装置
US4828668A (en) * 1986-03-10 1989-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering system for deposition on parallel substrates
JPH0778275B2 (ja) * 1986-12-03 1995-08-23 住友電気工業株式会社 スパツタリング装置
JPS63270461A (ja) * 1986-12-26 1988-11-08 Teijin Ltd 対向ターゲット式スパッタ装置
US4963524A (en) * 1987-09-24 1990-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering device for manufacturing superconducting oxide material and method therefor
JP2673807B2 (ja) * 1987-10-30 1997-11-05 パイオニア株式会社 光磁気記録媒体の製造方法
JP2761893B2 (ja) * 1988-08-12 1998-06-04 キヤノン株式会社 スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2228268A (en) 1990-08-22
GB8920847D0 (en) 1989-11-01
DE3931212C2 (ja) 1990-11-15
GB2228268B (en) 1993-04-21
DE3931212A1 (de) 1990-08-23
US5000834A (en) 1991-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5000834A (en) Facing targets sputtering device
EP0275021B1 (en) Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
WO2005028699A1 (en) Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
US6962648B2 (en) Back-biased face target sputtering
JP3080945B1 (ja) 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置
JP2907620B2 (ja) マグネトロン電極
JPH09176840A (ja) 真空被覆装置
KR100274713B1 (ko) 기판상에 코팅을 하기 위한 스퍼터링 장치 및 방법과 스퍼터건
JPH0578831A (ja) 薄膜形成方法およびその装置
US6878241B2 (en) Method of forming deposited film
US20060081466A1 (en) High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source
JPS63223173A (ja) 基板処理方法およびその装置
JPH1136063A (ja) アーク式蒸発源
JPH03260067A (ja) スパッタリング装置
JP2000144417A (ja) 高周波スパッタリング装置
JP2595009B2 (ja) プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置
JPH0625845A (ja) スパッタリング装置
KR930008340B1 (ko) 스패터링장치
CN211897094U (zh) 一种物理溅射的硬件配置及系统
JP2602267B2 (ja) プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置
JP2576719Y2 (ja) 電磁コイル付被膜物理蒸着装置
US20060231384A1 (en) Back-biased face target sputtering
JPS6249974B2 (ja)
JPH0428867A (ja) バイアススパッタリング方法および装置
JPH0470392B2 (ja)