JPH02218126A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH02218126A JPH02218126A JP1038772A JP3877289A JPH02218126A JP H02218126 A JPH02218126 A JP H02218126A JP 1038772 A JP1038772 A JP 1038772A JP 3877289 A JP3877289 A JP 3877289A JP H02218126 A JPH02218126 A JP H02218126A
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- JP
- Japan
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- reaction product
- reaction
- reaction chamber
- gas
- trap
- Prior art date
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- Pending
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
反応性ガス又はイオンを用いて行うドライエツチング装
置に関し。
置に関し。
エツチング時に生ずる反応生成物の被エツチング物への
付着を抑制し、欠陥の少ないＸ線マスクを製造できるよ
うにすることを目的とし。
付着を抑制し、欠陥の少ないＸ線マスクを製造できるよ
うにすることを目的とし。
内部に被エツチング物を載置する反応室と、該反応室を
排気系に接続する排気口と、該反応室の内壁を反応生成
物の沸点以上の温度に保持できる加熱装置と、該排気口
と該被エツチング物間の位置に該沸点以下の温度に保持
できる反応生成物のトラップとを有するように構成する
。
排気系に接続する排気口と、該反応室の内壁を反応生成
物の沸点以上の温度に保持できる加熱装置と、該排気口
と該被エツチング物間の位置に該沸点以下の温度に保持
できる反応生成物のトラップとを有するように構成する
。
本発明は反応性ガス又はイオンを用いて行うドライエツ
チング装置に関する。
チング装置に関する。
本発明は例えば１次期微細加工技術として期待されてい
るＸ線リソグラフィにおいて、パターンを転写するため
のＸ線マスクの形成に用いることができる。
るＸ線リソグラフィにおいて、パターンを転写するため
のＸ線マスクの形成に用いることができる。
本発明ではＸ線マスクの吸収体パターンの加工を例にと
り説明する。
り説明する。
近年、パターンの微細化にともない、Ｘ線マスクの吸収
体パターンの加工において塵埃発生の少ない加工方法が
要求されている。
体パターンの加工において塵埃発生の少ない加工方法が
要求されている。
従来のＸ線吸収体膜の加工においては９例えば基板に被
着したＴａ、 Ｗ、 Ａｕ等の重金属からなるＸ線吸収
体膜を塩素系或いは弗素系のガスを用いてエツチングを
行っている。
着したＴａ、 Ｗ、 Ａｕ等の重金属からなるＸ線吸収
体膜を塩素系或いは弗素系のガスを用いてエツチングを
行っている。
このとき１例えばＴａの塩化物は蒸気圧が低（。
エツチング中に加工途中のＴａ膜の表面に付着する。
この付着物の大きさは数１０μｍの大きさにも達し、Ｘ
線リソグラフィにおいて要求されるマスク／ウェハ間ギ
ャップ数μｍを達成できない。
線リソグラフィにおいて要求されるマスク／ウェハ間ギ
ャップ数μｍを達成できない。
又、 Ｔａ塩化物がパターン間に付着することによりマ
スクに欠陥を生ずる。このため２本来パターンがあるべ
きところにパターンがなかったり、あるいはその逆の障
害が生ずる。
スクに欠陥を生ずる。このため２本来パターンがあるべ
きところにパターンがなかったり、あるいはその逆の障
害が生ずる。
これは１反応室の内壁温度が低く、ここに反応生成物が
凝縮付着し、この凝縮物が粉塵となって反応室内に浮遊
することが原因である。
凝縮付着し、この凝縮物が粉塵となって反応室内に浮遊
することが原因である。
本発明はエツチング時に生ずる反応生成物の被エツチン
グ物への付着を抑制し、欠陥の少ないＸ線マスクを製造
できるようにすることを目的とする。
グ物への付着を抑制し、欠陥の少ないＸ線マスクを製造
できるようにすることを目的とする。
上記課題の解決は、内部に被エツチング物を載置する反
応室と、該反応室を排気系に接続する排気口と、該反応
室の内壁を反応生成物の沸点以上の温度に保持できる加
熱装置と、該排気口と該被エツチング物間の位置に該沸
点以下の温度に保持できる反応生成物のトラップとを有
することを特徴とするエツチング装置により達成される
。
応室と、該反応室を排気系に接続する排気口と、該反応
室の内壁を反応生成物の沸点以上の温度に保持できる加
熱装置と、該排気口と該被エツチング物間の位置に該沸
点以下の温度に保持できる反応生成物のトラップとを有
することを特徴とするエツチング装置により達成される
。
本発明はＸ線吸収体膜を９反応性イオンエ・ンチング１
反応性イオンビームエツチング、 ＥＣＲ（ｉｉｔ子サ
イクロトロン共鳴）エツチング等の加工法等によってバ
ターニングする際に２反応室の内壁を反応生成物の沸点
以上に保ち、ここに反応生成物が付着しないようにし、
又１反応室内の排気系の近傍に反応生成物のトラップを
設けることにより、Ｘ線吸収体パターン上に塵埃の付着
を防止するようにしたものである。
反応性イオンビームエツチング、 ＥＣＲ（ｉｉｔ子サ
イクロトロン共鳴）エツチング等の加工法等によってバ
ターニングする際に２反応室の内壁を反応生成物の沸点
以上に保ち、ここに反応生成物が付着しないようにし、
又１反応室内の排気系の近傍に反応生成物のトラップを
設けることにより、Ｘ線吸収体パターン上に塵埃の付着
を防止するようにしたものである。
Ｘ線吸収体膜の近傍では反応生成物は気相状態であり、
排気系によって生ずる気流によって反応部位から遠ざけ
られ、下流のトラップは反応生成物の沸点以下に保たれ
ているため１反応生成物はトラップ上に固相状態で堆積
される。
排気系によって生ずる気流によって反応部位から遠ざけ
られ、下流のトラップは反応生成物の沸点以下に保たれ
ているため１反応生成物はトラップ上に固相状態で堆積
される。
第１図は本発明の一実施例を説明するエツチング装置の
模式断面口である。
模式断面口である。
この例は反応性イオンエツチングの例を示す。
図において２反応室４内に電極６と対向電極７が平行に
配置され、電極６は高周波電源８を経て接地電位に、対
向電極７は接地電位に接続される。
配置され、電極６は高周波電源８を経て接地電位に、対
向電極７は接地電位に接続される。
特に図示しないが周知のように、電極６は高周波電源８
との間に静電容量を入れて負電位に自己バイアスされる
ようにする。
との間に静電容量を入れて負電位に自己バイアスされる
ようにする。
反応室４内にはガス導入口４Ａより反応ガスが導入され
、排気口４Ｂより排気系により排気され９反応室４内の
反応ガスが所定の圧に保たれる。
、排気口４Ｂより排気系により排気され９反応室４内の
反応ガスが所定の圧に保たれる。
反応室４の内壁は加熱装置として用いたヒータ３により
加熱され９反応生成物の沸点以上に保たれる。
加熱され９反応生成物の沸点以上に保たれる。
又１反応室４内には、排気気流の下流に反応生成物のト
ラップ５が設けられ、トラップは反応生成物の沸点以下
に保たれる。
ラップ５が設けられ、トラップは反応生成物の沸点以下
に保たれる。
トラップ５の材質はトラップの目的からは限定されるも
のではないが、真空中及びガスの導入等の影響を考えて
石英、アルミナ、炭化珪素等を用いる。
のではないが、真空中及びガスの導入等の影響を考えて
石英、アルミナ、炭化珪素等を用いる。
又、トラップ５の低温保持手段は図示しないが。
通常の水冷或いは熱電効果を利用した装置を用いればよ
い。
い。
マスク支持基板ＩＡ上にＸ線吸収体膜ＩＢを被着したＸ
線マスク１を炭化珪素からなる台９を介して電極６上に
置く。
線マスク１を炭化珪素からなる台９を介して電極６上に
置く。
いま、χｖＡ吸収体膜ＩＢにＴａを１反応ガスとして塩
素（ｃｈ）及び四塩化炭素（ＣＣ１，）を用いた場合。
素（ｃｈ）及び四塩化炭素（ＣＣ１，）を用いた場合。
反応生成物２として塩化タンタル（ＴａＣ１ｓ）が生ず
る。
る。
この塩化タンタルは、エツチング時のガス圧ＩＴｏｒｒ
以下のガス圧では沸点は４０°Ｃであり、従って。
以下のガス圧では沸点は４０°Ｃであり、従って。
Ｘ線マスクｌ、電極６２反応室４の内壁は５０°Ｃ以上
の温度に設定する。又、トラップ５は３０°Ｃ以下に設
定する。
の温度に設定する。又、トラップ５は３０°Ｃ以下に設
定する。
エツチング部位では気相状態の反応生成物２ａが存在し
、これが排気口方向に流れ、トラップ上に固相状態の反
応生成物２ｂが堆積する。
、これが排気口方向に流れ、トラップ上に固相状態の反
応生成物２ｂが堆積する。
第２図は本発明の他の実施例を説明するエツチング装置
の模式断面図である。
の模式断面図である。
この例は反応性イオンビームエツチングの例を示す。
図において１反応室４内に、マスク支持基板１へ上にｘ
ｍＷｇＬ収体膜ＩＢを被着したＸ線マスク１を台９上
に置（。
ｍＷｇＬ収体膜ＩＢを被着したＸ線マスク１を台９上
に置（。
イオンビーム発生器１０はＸ線マスク１の上方にこれに
対向して置かれる。
対向して置かれる。
反応室４内にはガス導入口４Ａより反応ガスが導入され
、排気口４Ｂより排気系により排気され１反応室４内の
反応ガスが所定の圧に保たれる。
、排気口４Ｂより排気系により排気され１反応室４内の
反応ガスが所定の圧に保たれる。
反応室４の内壁はヒータ３により加熱され２反応生成物
の沸点以上に保たれる。
の沸点以上に保たれる。
いま、第１図と同様にＸ線吸収体膜ＩＢにＴａを用いる
場合について説明する。
場合について説明する。
この場合エツチング方法として次の２通りの方法がある
。
。
■ イオンビームが塩素系以外の場合は、ガス導入口４
＾より塩素ガスを導入して反応性イオンビームエツチン
グを行う。
＾より塩素ガスを導入して反応性イオンビームエツチン
グを行う。
■ イオンビームが塩素系の場合は、ガス導入口４Ａよ
り反応ガスは導入されない。
り反応ガスは導入されない。
いずれの場合にも２反応生成物として塩化タンタルが生
ずる。
ずる。
塩化タンタルを第１図の場合と同様にＸ線マスク１．電
極６１反応室４の内壁は５０°Ｃ以上の温度に設定する
つ又、トラップ５は３０°Ｃ以下に設定する。
極６１反応室４の内壁は５０°Ｃ以上の温度に設定する
つ又、トラップ５は３０°Ｃ以下に設定する。
このようにして１反応室４の内壁には付着させないで、
トラップ５上に凝縮させる。
トラップ５上に凝縮させる。
本発明は、上記実施例の他にＥＣＲエツチング装置装置
等９ガ応ガスいて行うすべてのエンチング装置に適用で
きる。
等９ガ応ガスいて行うすべてのエンチング装置に適用で
きる。
以上説明したように本発明によれば、エツチング時に生
ずる反応生成物の被エツチング物への付着を抑制でき、
欠陥のないＸ線マスクを製造できるようになった。
ずる反応生成物の被エツチング物への付着を抑制でき、
欠陥のないＸ線マスクを製造できるようになった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を説明するエツチング装置の
模式断面図。 第２図は本発明の他の実施例を説明するエツチング装置
の模式断面図である。 図において。 ＬはＸ線マスク。 １Ａはマスク支持基板。 ＩＢはＸ線吸収体膜。 ２は反応生成物。 ２ａ気相状態の反応生成物４゜ ２ｂは固相状態の反応生成物。 ３は加熱装置でヒータ。 ４は反応室。 ４Ａはガス導入口。 ４Ｂは排気口。 ５は反応生成物のトラップ。 ６は電極。 ７は対向電極。 ８は高周波電源。 ９は台。 １０はイオンビーム発生器
模式断面図。 第２図は本発明の他の実施例を説明するエツチング装置
の模式断面図である。 図において。 ＬはＸ線マスク。 １Ａはマスク支持基板。 ＩＢはＸ線吸収体膜。 ２は反応生成物。 ２ａ気相状態の反応生成物４゜ ２ｂは固相状態の反応生成物。 ３は加熱装置でヒータ。 ４は反応室。 ４Ａはガス導入口。 ４Ｂは排気口。 ５は反応生成物のトラップ。 ６は電極。 ７は対向電極。 ８は高周波電源。 ９は台。 １０はイオンビーム発生器
Claims (1)
- 内部に被エッチング物を載置する反応室と、該反応室を
排気系に接続する排気口と、該反応室の内壁を反応生成
物の沸点以上の温度に保持できる加熱装置と、該排気口
と該被エッチング物間の位置に該沸点以下の温度に保持
できる反応生成物のトラップとを有することを特徴とす
るエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038772A JPH02218126A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038772A JPH02218126A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218126A true JPH02218126A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12534583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038772A Pending JPH02218126A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314541A (en) * | 1991-05-28 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038772A patent/JPH02218126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314541A (en) * | 1991-05-28 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method |
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