JPH02219219A - Ｃｃｖｄリアクトルのヒーティング・ランプ・アセンブリ - Google Patents
Ｃｃｖｄリアクトルのヒーティング・ランプ・アセンブリInfo
- Publication number
- JPH02219219A JPH02219219A JP1329429A JP32942989A JPH02219219A JP H02219219 A JPH02219219 A JP H02219219A JP 1329429 A JP1329429 A JP 1329429A JP 32942989 A JP32942989 A JP 32942989A JP H02219219 A JPH02219219 A JP H02219219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- assembly
- heating
- reflector
- lamp
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/56—Cooling arrangements using liquid coolants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は連続的な化学気相成長リアクトルに関連し、詳
細にはその様なりアクドルのヒーティング・ランプ・ア
センブリの改良に関する。
細にはその様なりアクドルのヒーティング・ランプ・ア
センブリの改良に関する。
の び
連続的な化学気相成長リアクトルは、連続的な半導体ウ
ェハの流れを有するスタンド・アロン工程システムであ
り得る。その様なシステムの基本的なサブシステムには
、ウェハ保持、反応チャンバ、ガス流通システム、冷却
システム、及び電気システムがある。
ェハの流れを有するスタンド・アロン工程システムであ
り得る。その様なシステムの基本的なサブシステムには
、ウェハ保持、反応チャンバ、ガス流通システム、冷却
システム、及び電気システムがある。
ウェハ保持システムは、ウェハ・ローダ及びアンローダ
、ウェハ・キャリヤ、及びリアクトル・チャンバの中で
ウェハを運ぶトラックを含んでも良い。
、ウェハ・キャリヤ、及びリアクトル・チャンバの中で
ウェハを運ぶトラックを含んでも良い。
リアクトル・チャンバ・システムでは、半導体ウェハの
工程が行われる。各チャンバには、ガス供給口、チャン
バ・ハウジング、ヒート・ランプ、及び排気口がある。
工程が行われる。各チャンバには、ガス供給口、チャン
バ・ハウジング、ヒート・ランプ、及び排気口がある。
ガス流通力ブシステムにより反応ガスが各チャンバに供
給され、またガス流通サブシステムはバルブ、流通制御
器、及び排気システムを含んでも良い。
給され、またガス流通サブシステムはバルブ、流通制御
器、及び排気システムを含んでも良い。
冷却サブシステムは工程温度の維持に役立ち、また周囲
の構成部分への熱の放出を減少する。空気の流通と水の
流通の両方が、冷却サブシステムで用いられても良い。
の構成部分への熱の放出を減少する。空気の流通と水の
流通の両方が、冷却サブシステムで用いられても良い。
電気サブシステムはサブシステム制御を提供し、リアク
トルに電力を提供し、また電気サブシステムは電源、モ
ータ、センサ、バルブ、及び−個かそれ以上のコンピュ
ータ／制御器を含んでも良い。
トルに電力を提供し、また電気サブシステムは電源、モ
ータ、センサ、バルブ、及び−個かそれ以上のコンピュ
ータ／制御器を含んでも良い。
基本的なりアクドルと工程は以下の通りである。
半導体ウェハがキャリヤにロードされ、ボートを介して
リアクトルの一方の端に入り、連続的にさまざまなチャ
ンバを通り、そして他方のボートを介してリアクトルの
他方の端に出る。リアクトルは実際に閉じていなくても
良いが、両端とりアクドルの各チャンバの間にはガス密
封がされている。
リアクトルの一方の端に入り、連続的にさまざまなチャ
ンバを通り、そして他方のボートを介してリアクトルの
他方の端に出る。リアクトルは実際に閉じていなくても
良いが、両端とりアクドルの各チャンバの間にはガス密
封がされている。
例えばリアクトルには八個のチャンバがあっても良く、
第一のチ１７ンバは窒素密封からなり、第二のチャンバ
はプリヒート・チャンバであり、続く四個のチャンバは
被着チャンバであって良く、その次に冷却チャンバ、最
後のチャンバは窒素密封である。
第一のチ１７ンバは窒素密封からなり、第二のチャンバ
はプリヒート・チャンバであり、続く四個のチャンバは
被着チャンバであって良く、その次に冷却チャンバ、最
後のチャンバは窒素密封である。
ヒーティング・ランプ・アセンブリは各リアクトル・チ
ャンバの上に設けられ、チャンバで行われる工程に必要
な温度になるように、リアクトル・チャンバに熱を供給
する。ヒーティング・アセンブリは多量の熱を発生し、
この熱は反応チャンバを熱している間に、アセンブリへ
の損害を避りるために、ヒーティング・アレンブリから
取除かれねばならない。
ャンバの上に設けられ、チャンバで行われる工程に必要
な温度になるように、リアクトル・チャンバに熱を供給
する。ヒーティング・アセンブリは多量の熱を発生し、
この熱は反応チャンバを熱している間に、アセンブリへ
の損害を避りるために、ヒーティング・アレンブリから
取除かれねばならない。
従来の連続的な化学気相成長リアクトルの例は、米国特
許番号箱４．０４８．９５５号にみられるであろう。
許番号箱４．０４８．９５５号にみられるであろう。
問題点を解決するための手段 び作
本発明は高温ヒーティング・アセンブリと、リアクトル
・チャンバへの熱の均一な移転と、また同時にヒーティ
ング・アセンブリからの熱の除去を可能にするその構造
に関する。
・チャンバへの熱の均一な移転と、また同時にヒーティ
ング・アセンブリからの熱の除去を可能にするその構造
に関する。
反応チャンバのヒーティングは白熱灯で供給され、この
白熱灯は空気により冷却され、最高１６個までの列に配
置され、ランプはその長さ方向において、リアクトル・
チャンバの中を移動する半導体キャリヤの動きと垂直で
ある。
白熱灯は空気により冷却され、最高１６個までの列に配
置され、ランプはその長さ方向において、リアクトル・
チャンバの中を移動する半導体キャリヤの動きと垂直で
ある。
良くみがかれた金属表面が、熱と光をリアクトル・チャ
ンバの中に反射するのに用いられる。みかかれた金属表
面は、ランプ・フィラメントの上にある。冷気がランプ
の周囲に向けられ、ランプの冷却を助長する。水がリフ
レクタ構造の中を通り、リフレクタとりフレフタ構造か
ら熱を取除く。
ンバの中に反射するのに用いられる。みかかれた金属表
面は、ランプ・フィラメントの上にある。冷気がランプ
の周囲に向けられ、ランプの冷却を助長する。水がリフ
レクタ構造の中を通り、リフレクタとりフレフタ構造か
ら熱を取除く。
リアクトル中のエツチングと被着工程は、リアクトルの
中を流れるガスと、ヒーティング・アセンブリにより発
生される反応湿度に依存する。
中を流れるガスと、ヒーティング・アセンブリにより発
生される反応湿度に依存する。
ヒート・ランプ・リフレクタははんだづけされたチュー
ブと、各チューブの間にあるスペーサにより形成される
。冷却材がチューブの中を通り、リフレクタから熱を移
転させる。リフレクタから２分の１インチ以下で、温度
は摂氏１１５０度である。
ブと、各チューブの間にあるスペーサにより形成される
。冷却材がチューブの中を通り、リフレクタから熱を移
転させる。リフレクタから２分の１インチ以下で、温度
は摂氏１１５０度である。
ヒート・ランプからの赤外線放射は電力消費を減らＪた
めに、できるだけ早く、またできるだけ能率的に、リフ
レクタから反射されるか、または取除かれな（プればな
らない。リフレクタは約摂氏５００度で溶けるので、熱
を取除くために、リフレクタは水冷されな番）ればなら
ない。固体金属のスペーサは冷却材の水に熱を移転する
のに、リフレクタの冷却チューブの間に配置されても良
い。
めに、できるだけ早く、またできるだけ能率的に、リフ
レクタから反射されるか、または取除かれな（プればな
らない。リフレクタは約摂氏５００度で溶けるので、熱
を取除くために、リフレクタは水冷されな番）ればなら
ない。固体金属のスペーサは冷却材の水に熱を移転する
のに、リフレクタの冷却チューブの間に配置されても良
い。
水マニホルドはりフレフタ・チューブの端に沿って配置
され、チューブの中に水を通す。デユープは水マニホル
ド・ブロックにはんだづりされても良い。
され、チューブの中に水を通す。デユープは水マニホル
ド・ブロックにはんだづりされても良い。
ヒーティング・ランプ・アセンブリの下のリアクトル・
チャンバに、望ましいパターンで、均一なヒーティング
を提供したり、または熱を分布させるために、ヒーティ
ング・ランプに対して様々に間隔を取るマウントが提供
される。間隔を取るマウンティング・ピンは、ランプ・
アセンブリの両側に沿って配置され、ランプの端はピン
の間に搭載される。ピンは搭載がされているそれぞれの
端に沿って均一な間隔にあるので、ランプの位置と間隔
は、リアクトルに望ましいヒーティング・パターンを提
供するように変えられ得る。
チャンバに、望ましいパターンで、均一なヒーティング
を提供したり、または熱を分布させるために、ヒーティ
ング・ランプに対して様々に間隔を取るマウントが提供
される。間隔を取るマウンティング・ピンは、ランプ・
アセンブリの両側に沿って配置され、ランプの端はピン
の間に搭載される。ピンは搭載がされているそれぞれの
端に沿って均一な間隔にあるので、ランプの位置と間隔
は、リアクトルに望ましいヒーティング・パターンを提
供するように変えられ得る。
またランプの間隔を聞けるピンにより、チューブとリフ
レクタ・アセンブリの冷却を助長するようチューブに沿
って空気が流れるように、ブロッキング・“ゲート″を
用いても良い。
レクタ・アセンブリの冷却を助長するようチューブに沿
って空気が流れるように、ブロッキング・“ゲート″を
用いても良い。
本発明により示される技術的な利点及びその対象は、図
面と共に以下の好ましい実施例の説明から明白となろう
。本発明の新規な特徴は特許請求の範囲に示される。
面と共に以下の好ましい実施例の説明から明白となろう
。本発明の新規な特徴は特許請求の範囲に示される。
実施例
第１図は本発明のヒーティング・アセンブリが用いられ
る、連続的な化学気相成長被着リアクトルを示す。複数
のウェハ・カセット２０が、トラック２１ａに沿って移
動するロボット式アーム２１に沿って、及びロボット式
アーム２１の付近に配置される。トラックはロボット式
アーム２１が各カセットの各ウェハに届くように、ロボ
ット式アーム２１を複数のウェハ・カセットの各々のそ
ばに移動させる。ロボット式アームはカセットからウェ
ハを持ち上げ、それをリアクトルの入口でキャリヤ２２
に置く。リアクトルへの人口は密封接合され、リアクト
ルのガスがリアクトルから漏れないようにする。
る、連続的な化学気相成長被着リアクトルを示す。複数
のウェハ・カセット２０が、トラック２１ａに沿って移
動するロボット式アーム２１に沿って、及びロボット式
アーム２１の付近に配置される。トラックはロボット式
アーム２１が各カセットの各ウェハに届くように、ロボ
ット式アーム２１を複数のウェハ・カセットの各々のそ
ばに移動させる。ロボット式アームはカセットからウェ
ハを持ち上げ、それをリアクトルの入口でキャリヤ２２
に置く。リアクトルへの人口は密封接合され、リアクト
ルのガスがリアクトルから漏れないようにする。
入口ではサセプタがリアクトルに入る前に、バキューム
・ピックアップ・アームがサセプタから蓋を持ち上げ、
ロボット式アームに半導体ウェハをキャリヤの中に置か
せる。半導体がキャリヤの中に置かれた後、キャリヤの
蓋は閉められ、サセプタがリアクトルと、リアクトルを
形成する複数のヂＶンバを介してインデックス送りされ
る。
・ピックアップ・アームがサセプタから蓋を持ち上げ、
ロボット式アームに半導体ウェハをキャリヤの中に置か
せる。半導体がキャリヤの中に置かれた後、キャリヤの
蓋は閉められ、サセプタがリアクトルと、リアクトルを
形成する複数のヂＶンバを介してインデックス送りされ
る。
キャリヤはりアクドルとチャンバを介して、キャリヤの
長さ方向に、また各キャリヤの間に少なくとも一つのス
ペーサ・バーを置いてインデックス送りされる。各キャ
リヤがリアクトルにインデックス送りされると、前のキ
ャリヤがそれぞれ次のリアクトル・チャンバに移される
。インデックス送りは連続的であり、キャリヤが最後の
りアクドル・チャンバから出ると、それはりアクドルの
リターン・バスを介してインデックス送りされ、リアク
トルの出口開口部へ移動し、そこでキャリヤの蓋（Ｉ
ｉｄ）がリターン・リッド・ピックアップ３３で取られ
る。トラック３２ａに搭載されるロボット式アーム３２
は半導体ウェハを取出し、ウェハ・カセット３６に入れ
る。
長さ方向に、また各キャリヤの間に少なくとも一つのス
ペーサ・バーを置いてインデックス送りされる。各キャ
リヤがリアクトルにインデックス送りされると、前のキ
ャリヤがそれぞれ次のリアクトル・チャンバに移される
。インデックス送りは連続的であり、キャリヤが最後の
りアクドル・チャンバから出ると、それはりアクドルの
リターン・バスを介してインデックス送りされ、リアク
トルの出口開口部へ移動し、そこでキャリヤの蓋（Ｉ
ｉｄ）がリターン・リッド・ピックアップ３３で取られ
る。トラック３２ａに搭載されるロボット式アーム３２
は半導体ウェハを取出し、ウェハ・カセット３６に入れ
る。
リアクトルは複数の石英のりアクドル・チャンバ２５に
分けられている。リアクトル・チャンバ２５は接合２５
ａで接続され、これによりプロセス・ガスが注入され、
またこれから使用されたガスが排出される。それぞれの
反応チャンバの上には、反応チャンバを望ましい温度に
熱するのに用いられるヒータ・ブロック２４が配置され
ている。
分けられている。リアクトル・チャンバ２５は接合２５
ａで接続され、これによりプロセス・ガスが注入され、
またこれから使用されたガスが排出される。それぞれの
反応チャンバの上には、反応チャンバを望ましい温度に
熱するのに用いられるヒータ・ブロック２４が配置され
ている。
各々の接合２５ａには少なくとも一本の排気チューブ２
７があり、反応チャンバから排気ガスを取除く。排気ガ
スはバーンオフ・チューブ３１を介して、ガス・バーナ
３０へ向けられる。
７があり、反応チャンバから排気ガスを取除く。排気ガ
スはバーンオフ・チューブ３１を介して、ガス・バーナ
３０へ向けられる。
リアクトル全体が密閉箱３７で覆われ、通風ダクト２９
が設けられ、システムの覆いの内側からガス／空気を循
環させ、排出する。
が設けられ、システムの覆いの内側からガス／空気を循
環させ、排出する。
第２図は、リアクトル・チャンバの上にあると−ティン
グ・ランプ・アセンブリの、第３＠の線２−２に沿った
断面図である。ランプ・アセンブすはハウジング４２と
フード４２ａを含む。リフレクタ・マニホルドは、アセ
ンブリを介して冷水を注入するのに用いられる。ランプ
４７は、バス・バー４０に取付けられているワイヤ４７
ａにより各々の端へ搭載され、バス・バー４０は絶縁物
４３を介してランプ・ハウジングの外の点へ延びる。絶
縁物４４とリテーナ４５は、ランプとチャンバの間に石
英のシールドを保持する。
グ・ランプ・アセンブリの、第３＠の線２−２に沿った
断面図である。ランプ・アセンブすはハウジング４２と
フード４２ａを含む。リフレクタ・マニホルドは、アセ
ンブリを介して冷水を注入するのに用いられる。ランプ
４７は、バス・バー４０に取付けられているワイヤ４７
ａにより各々の端へ搭載され、バス・バー４０は絶縁物
４３を介してランプ・ハウジングの外の点へ延びる。絶
縁物４４とリテーナ４５は、ランプとチャンバの間に石
英のシールドを保持する。
ランプ・ハウジング４２０両側の二つの偏向器４８の上
には、二つの空気注入口４８ａがあり、冷却のためにラ
ンプ・ハウジングに空気を流通させる。二つの空気注入
口は、熱が一番蓄積されるハウジングのランプが搭載さ
れる両端で、空気が最大限に流通するようにする。空気
はハウジングの上部の両側から入り、ランプの端の周囲
や、ランプ・マウンティング・ピン（第４図参照）の中
や、ランプ上のランプとりフレフタに渡って流通する。
には、二つの空気注入口４８ａがあり、冷却のためにラ
ンプ・ハウジングに空気を流通させる。二つの空気注入
口は、熱が一番蓄積されるハウジングのランプが搭載さ
れる両端で、空気が最大限に流通するようにする。空気
はハウジングの上部の両側から入り、ランプの端の周囲
や、ランプ・マウンティング・ピン（第４図参照）の中
や、ランプ上のランプとりフレフタに渡って流通する。
空気は、リフレクタの中央の開口部（第３図参照）や、
ヒーティング・ランプ・アセンブリの上部のフード４２
を介して排出される。
ヒーティング・ランプ・アセンブリの上部のフード４２
を介して排出される。
ランプ・ハウジング３８は、ハウジングの熱を最低限に
するために、３９において傾斜される。
するために、３９において傾斜される。
ハウジングのこの部分の温度は、角を傾斜することで著
しく下げられる。
しく下げられる。
ヒーティング・アセンブリから空間を隔てて下にあるリ
アクトル・チャンバは、基本的に石英のハウジングと、
その上にキャリヤを載せてリアクトル中を移動するトラ
ック５１からなる。ヒーティング・アセンブリからの熱
は、リアクトルとキャリヤ５００半導体装置（図示され
ず）を、望ましいプロセス温度に熱する。
アクトル・チャンバは、基本的に石英のハウジングと、
その上にキャリヤを載せてリアクトル中を移動するトラ
ック５１からなる。ヒーティング・アセンブリからの熱
は、リアクトルとキャリヤ５００半導体装置（図示され
ず）を、望ましいプロセス温度に熱する。
第３図は、ヒーティング・アセンブリの構造と機能部分
を示すよう一部が取除かれた、ヒーティング・アセンブ
リの平面図である。リフレクタ・チューブ５３とリフレ
クタ・スペーサ５４を示すよう、ハウジングは一部切取
って示される。ヒーティング・ランプ４７の端は、−組
のマウンティング・ピン５５の間に置かれる。ランプ４
７の接続ワイヤ４７ａは絶縁物を介して延び、絶縁物５
２の上に搭載されたバス・バー４０へ接続される。
を示すよう一部が取除かれた、ヒーティング・アセンブ
リの平面図である。リフレクタ・チューブ５３とリフレ
クタ・スペーサ５４を示すよう、ハウジングは一部切取
って示される。ヒーティング・ランプ４７の端は、−組
のマウンティング・ピン５５の間に置かれる。ランプ４
７の接続ワイヤ４７ａは絶縁物を介して延び、絶縁物５
２の上に搭載されたバス・バー４０へ接続される。
空気は偏向器４８を介して、ランプの端の周囲や、ラン
プに渡って向【プられ、リフレクタの開口部５４ａを介
して上へ流れる。開口部５４ａを介した空気の上方向の
流れは、フード４２ａを介してランプ・アセンブリの外
に出る。
プに渡って向【プられ、リフレクタの開口部５４ａを介
して上へ流れる。開口部５４ａを介した空気の上方向の
流れは、フード４２ａを介してランプ・アセンブリの外
に出る。
第４図は、第３図の線４−４に沿ったヒーティング・ア
センブリの断面図である。ランプの端が搭載されるマウ
ンティング・ピン５６とスペーサ５７が図示されている
。マウンティング・ピンの７レイがランプの１ｍを変え
られるように、ヒーティング・アセンブリの端に渡って
配置される。
センブリの断面図である。ランプの端が搭載されるマウ
ンティング・ピン５６とスペーサ５７が図示されている
。マウンティング・ピンの７レイがランプの１ｍを変え
られるように、ヒーティング・アセンブリの端に渡って
配置される。
水注入口５つが図示され、これを介して水がリフレクタ
に注入され、リフレクタを冷部する。リフレクタ争マニ
ホルドは４１で示され、水排出口は６２で示される。
に注入され、リフレクタを冷部する。リフレクタ争マニ
ホルドは４１で示され、水排出口は６２で示される。
ランプ・アセンブリはサポート・ブラケット６０で保持
され、またねじ山のついたノブ６１でそこに留められる
。別な方向から見た空気偏向器が４８でボされる。
され、またねじ山のついたノブ６１でそこに留められる
。別な方向から見た空気偏向器が４８でボされる。
第５図は水マニホルド４１、リフレクタ・チュ一ブ５３
、及びランプ４７を示す略図である。リフレクタ・チュ
ーブ５３は５３ａで、水マニホルド４１とはんだづけさ
れる。水は矢印で示されるように、マニホルドとりフレ
フタ・チューブに流れ込む。リアクトルの動作中、また
はヒーティング・リフレクタとヒーティング・アセンブ
リを望ましい温度に保つためにヒーティング・ランプが
オンの間、水はりフレフタの中を連続的に流れる。
、及びランプ４７を示す略図である。リフレクタ・チュ
ーブ５３は５３ａで、水マニホルド４１とはんだづけさ
れる。水は矢印で示されるように、マニホルドとりフレ
フタ・チューブに流れ込む。リアクトルの動作中、また
はヒーティング・リフレクタとヒーティング・アセンブ
リを望ましい温度に保つためにヒーティング・ランプが
オンの間、水はりフレフタの中を連続的に流れる。
チューブ４７はマウンテング・ピン５６で搭載され、ス
クリュー６６でパワー・バス６４に取付けられる。パワ
ー・バスは絶縁ブロック６５に搭載される。
クリュー６６でパワー・バス６４に取付けられる。パワ
ー・バスは絶縁ブロック６５に搭載される。
第６図は、ピンのアレイを用いることにより変動できる
、ヒート・ランプのマウンティングを示す略図である。
、ヒート・ランプのマウンティングを示す略図である。
二つのランプ４７ｂと４７ｃがマウンティング・ピン５
６に搭載されているところが示される。破線で示される
ランプ４７ｄは、ランプ４７ｂの別なマウンティングの
位置を示す。
６に搭載されているところが示される。破線で示される
ランプ４７ｄは、ランプ４７ｂの別なマウンティングの
位置を示す。
ランプへのパワー・ワイヤ４７ａは、スクリュー６６に
よりパワー・バスへ接続される。
よりパワー・バスへ接続される。
ランプ周辺の空気の流れは、ブロックキング・ゲート６
７の使用で講節可能であり、ランプ全体に渡って空気が
流通させられ、ランプ間及びランプが搭載されていない
所への空気の流通は妨げられる。マウンティング・ピン
の増加で、ランプは間隔材【Ｊられ、ランプの下に搭載
されるリアクトル・チャンバに、望ましい熱の分布パタ
ーンが提供される。
７の使用で講節可能であり、ランプ全体に渡って空気が
流通させられ、ランプ間及びランプが搭載されていない
所への空気の流通は妨げられる。マウンティング・ピン
の増加で、ランプは間隔材【Ｊられ、ランプの下に搭載
されるリアクトル・チャンバに、望ましい熱の分布パタ
ーンが提供される。
第７図は、ランプ・リフレクタの略図である。
リフレクタ・チューブ５３は長方形の断面を持つチュー
ブであり、ヒーティング・ランプから過度の熱を取除く
水冷に大きな水路を提供する。チューブは容積が大きく
なるよう金属スペーサで接続され、リフレクタ・チュー
ブ５３へ移転された熱と冷却水を吸込む。
ブであり、ヒーティング・ランプから過度の熱を取除く
水冷に大きな水路を提供する。チューブは容積が大きく
なるよう金属スペーサで接続され、リフレクタ・チュー
ブ５３へ移転された熱と冷却水を吸込む。
スペーサ５４とチューブ５３は一緒にはんだづけされ、
チューブ５３とスペーサ５４の間で最大限に熱を移転さ
せる。リフレクタ・チューブ・アセンブリはマウンティ
ング・サポート７０と７１により、リフレクタ・ハウジ
ング・アセンブリに搭載される。サポート７０と７１は
固体金属で、−緒にはＩυだづけされ、サポートの熱伝
導性を増加するのを助長する。サポート７０と７１がは
んだづけされないならば、サポートから冷却チューブ５
３への湿度の移転は、サポート構造の溶解の可能性を排
除するのに十分ではない。リフレクタ７３の表面はめつ
きされ、反射する表面を提供する。スロット７２は石英
のシールドを搭載するのに用いられる。
チューブ５３とスペーサ５４の間で最大限に熱を移転さ
せる。リフレクタ・チューブ・アセンブリはマウンティ
ング・サポート７０と７１により、リフレクタ・ハウジ
ング・アセンブリに搭載される。サポート７０と７１は
固体金属で、−緒にはＩυだづけされ、サポートの熱伝
導性を増加するのを助長する。サポート７０と７１がは
んだづけされないならば、サポートから冷却チューブ５
３への湿度の移転は、サポート構造の溶解の可能性を排
除するのに十分ではない。リフレクタ７３の表面はめつ
きされ、反射する表面を提供する。スロット７２は石英
のシールドを搭載するのに用いられる。
第７図で５３ａと示される端のチューブは、熱の蓄積が
ヒー１〜・ランプの端が搭載されるリフレクタの端でよ
り大きいので、他のチューブより多くの水が流れる。
ヒー１〜・ランプの端が搭載されるリフレクタの端でよ
り大きいので、他のチューブより多くの水が流れる。
第８図は、長方形のデユープ５３と、長方形のチューブ
にはんだづけされまたそれを保持しているスペーサ５４
により提供されるシールド構造を示す。
にはんだづけされまたそれを保持しているスペーサ５４
により提供されるシールド構造を示す。
以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。
（１）ハウジングと、
前記ハウジング内のリフレクタ・アセンブリと、前記リ
フレクタ・アセンブリを冷却するように、前記リフレク
タ・アセンブリの両端に接続される水マニホルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、前記ヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリに付けられた少なくとも一
個のヒーティング・ランプを含む、半導体リアクトルに
用いられるヒーティング・ランプ・アセンブリ。
フレクタ・アセンブリを冷却するように、前記リフレク
タ・アセンブリの両端に接続される水マニホルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、前記ヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリに付けられた少なくとも一
個のヒーティング・ランプを含む、半導体リアクトルに
用いられるヒーティング・ランプ・アセンブリ。
（２）（１）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、前記ハウジングはその両側に偏向器装
置を持ち、ヒーティング・ランプ・アセンブリの中に空
気を向ける。
ンブリにおいて、前記ハウジングはその両側に偏向器装
置を持ち、ヒーティング・ランプ・アセンブリの中に空
気を向ける。
（３）（２）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは水路を
含み、リフレクタ・アセンブリの中には水が流れる。
ンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは水路を
含み、リフレクタ・アセンブリの中には水が流れる。
（４）（１）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、前記マウンティング・アセンブリは複
数のマウンティング・ピンを含み、マウンティング・ピ
ンの間にはヒーティング・ランプの端が搭載される。
ンブリにおいて、前記マウンティング・アセンブリは複
数のマウンティング・ピンを含み、マウンティング・ピ
ンの間にはヒーティング・ランプの端が搭載される。
（５）＜４）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、ヒーティング・ランプはその間隔、ま
たはその位置を変えられるように、マウンティング・ピ
ンで搭載されても良い。
ンブリにおいて、ヒーティング・ランプはその間隔、ま
たはその位置を変えられるように、マウンティング・ピ
ンで搭載されても良い。
＜６）（１）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互いに
接続された複数の冷却チューブを含み、リフレクタ・ア
センブリを冷却するチューブの中に水を通す。
ンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互いに
接続された複数の冷却チューブを含み、リフレクタ・ア
センブリを冷却するチューブの中に水を通す。
（７）（６）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、複数のチューブがスペーサにはｌυだ
づ番プされ、互いに接続される。
ンブリにおいて、複数のチューブがスペーサにはｌυだ
づ番プされ、互いに接続される。
（８）（７）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセンブ
リは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体金属
であり、反射する表面から冷却チューブへ熱を伝導する
。
ンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセンブ
リは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体金属
であり、反射する表面から冷却チューブへ熱を伝導する
。
（９）（８）項に記載したヒーティング・ランプ・アセ
ンブリにおいて、反射する表面はめつぎされて反射して
いる。
ンブリにおいて、反射する表面はめつぎされて反射して
いる。
（１０）ハウジングと、
前記ハウジング内のリフレクタ・アセンブリと、前記リ
フレクタ・アセンブリの中を冷却水が流れるように、前
記リフレクタ・アセンブリの両端に接続される水マニホ
ルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、リフレクタ・アセンブ
リに隣接する前記ヒート・ランプ・マウンティング・ア
センブリに付けられた、少なくとも一個のヒーティング
・ランプを含む、半導体リアクトルに用いられるヒーテ
ィング・ランプ・アセンブリ。
フレクタ・アセンブリの中を冷却水が流れるように、前
記リフレクタ・アセンブリの両端に接続される水マニホ
ルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、リフレクタ・アセンブ
リに隣接する前記ヒート・ランプ・マウンティング・ア
センブリに付けられた、少なくとも一個のヒーティング
・ランプを含む、半導体リアクトルに用いられるヒーテ
ィング・ランプ・アセンブリ。
（１１）（１０）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記ハウジングはその両側に偏向
器装置を持ち、ヒーティング・ランプ・アセンブリの中
に空気を向ける。
アセンブリにおいて、前記ハウジングはその両側に偏向
器装置を持ち、ヒーティング・ランプ・アセンブリの中
に空気を向ける。
（１２）（１０）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは水
路を含み、リフレクタ・アセンブリの中には水が流れる
。
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは水
路を含み、リフレクタ・アセンブリの中には水が流れる
。
（１３）（１０）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記マウンティング・アセンブリ
は複数のマウンティング・ビンを含み、マウンティング
・ビンの間にはヒーティング・ランプの端が搭載される
。
アセンブリにおいて、前記マウンティング・アセンブリ
は複数のマウンティング・ビンを含み、マウンティング
・ビンの間にはヒーティング・ランプの端が搭載される
。
（１４）（１３）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、ヒーティング・ランプはその間隔
、またはその位置を変えられるように、マウンティング
・ビンで搭載されても良い。
アセンブリにおいて、ヒーティング・ランプはその間隔
、またはその位置を変えられるように、マウンティング
・ビンで搭載されても良い。
（１５）（１０）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互
いに接続された複数の冷却チューブを含み、リフレクタ
・アセンブリを冷却するチューブの中に水を通す。
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互
いに接続された複数の冷却チューブを含み、リフレクタ
・アセンブリを冷却するチューブの中に水を通す。
（１６）（１５）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、複数のチューブがスペーサによっ
て互いに接続される。
アセンブリにおいて、複数のチューブがスペーサによっ
て互いに接続される。
（１７）（１６）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセ
ンブリは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体
金属であり、反射する表面から冷却デユープへ熱を伝導
する。
アセンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセ
ンブリは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体
金属であり、反射する表面から冷却デユープへ熱を伝導
する。
（１８）（１７）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、反射する表面はめつきされて反射
している。
アセンブリにおいて、反射する表面はめつきされて反射
している。
（１９）（１３）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリは、ランプ・マウンティング・ビンに搭載さ
れた一個かまたはそれ以上のブロックキング・ゲートを
含み、冷気がヒーティング・ランプに渡って流机るよう
にする。
アセンブリは、ランプ・マウンティング・ビンに搭載さ
れた一個かまたはそれ以上のブロックキング・ゲートを
含み、冷気がヒーティング・ランプに渡って流机るよう
にする。
（２０）ハウジングと、
前記ハウジング内のリフレクタ・アセンブリと、前記リ
フレクタ・アセンブリの中を冷却水が流れるように、前
記リフレクタ・アセンブリの両端に接続される水マニホ
ルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、リフレクタ・アセンブ
リに隣接する前記ヒート・ランプ・マウンティング・ア
センブリに付けられた、少なくとも一個のヒーティング
・ランプと、前記少なくとも一個のヒーティング・ラン
プに渡って冷気を向（プるよう、ヒート・ランプ・マウ
ンティング・アセンブリに搭載されたブロック・ゲート
を含む、半導体リアクトルに用いられるヒーティング・
ランプ・アセンブリ。
フレクタ・アセンブリの中を冷却水が流れるように、前
記リフレクタ・アセンブリの両端に接続される水マニホ
ルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、リフレクタ・アセンブ
リに隣接する前記ヒート・ランプ・マウンティング・ア
センブリに付けられた、少なくとも一個のヒーティング
・ランプと、前記少なくとも一個のヒーティング・ラン
プに渡って冷気を向（プるよう、ヒート・ランプ・マウ
ンティング・アセンブリに搭載されたブロック・ゲート
を含む、半導体リアクトルに用いられるヒーティング・
ランプ・アセンブリ。
（２１＞（２０）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互
いにはんだづけされた複数の冷却チューブを含み、リフ
レクタ・アセンブリを冷却するチューブの中に水を通す
。
アセンブリにおいて、前記リフレクタ・アセンブリは互
いにはんだづけされた複数の冷却チューブを含み、リフ
レクタ・アセンブリを冷却するチューブの中に水を通す
。
（２２）（２１）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、複数のチューブがその間にあるス
ペーサとはんだづけされる。
アセンブリにおいて、複数のチューブがその間にあるス
ペーサとはんだづけされる。
（２３）（２２＞項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセ
ンブリは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体
金属であり、反射する表面から冷却チューブへ熱を伝導
する。
アセンブリにおいて、前記ヒーティング・ランプ・アセ
ンブリは反射する表面を持ち、また前記スペーサは固体
金属であり、反射する表面から冷却チューブへ熱を伝導
する。
（２４＞（２１）項に記載したヒーティング・ランプ・
アセンブリは、リフレクタ・アセンブリを支える固体金
属のサポート構造を含み、サポート構造ははんだづけさ
れ、サポート構造から冷却チューブへと熱を最大限に移
転させる。
アセンブリは、リフレクタ・アセンブリを支える固体金
属のサポート構造を含み、サポート構造ははんだづけさ
れ、サポート構造から冷却チューブへと熱を最大限に移
転させる。
（２’５ ）半導体リアクトルに用いられるヒーティン
グ・ランプ・アセンブリ（第５図）は、チューブ５３か
ら成るリフレクタ・アセンブリを持ち、リフレクタ・ア
センブリに水冷を提供し、またマウンティング・ビン５
６を持ち、ヒーティング・ランプ４７の間隔を変化させ
、またリフレクタ・アセンブリの各側に水マニホルド４
１を持ち、冷却チューブの中に水を通す。
グ・ランプ・アセンブリ（第５図）は、チューブ５３か
ら成るリフレクタ・アセンブリを持ち、リフレクタ・ア
センブリに水冷を提供し、またマウンティング・ビン５
６を持ち、ヒーティング・ランプ４７の間隔を変化させ
、またリフレクタ・アセンブリの各側に水マニホルド４
１を持ち、冷却チューブの中に水を通す。
第１図は本発明のヒータ・アセンブリを利用する、連続
的な化学気相成長リアクトルを示す。 第２図は反応チャンバ上に配置されたヒーティング・ア
センブリをボす。 第３図はヒータ・リフレクタ・アセンブリとヒーティン
グ・チューブを示すために、一部を取除いて示したヒー
ティング・アセンブリの平面図である。 Ｓ− 第４図は第３図の線４−４ｆｌ沿った断面図である。 第５図はヒータ・リフレクタを冷却するための水の流れ
を示す。 第６図はヒート・ランプの間隔を変化させるピンの形状
を示す。 第７図はチューブとスペーサを用いるランプ・リフレク
タ構造を示す。 第８図はりフレフタ構造を示す等角図である。 主な符号の説明 ２０ｉ３６：ウェハ・カセット ２１．３２：ロボット式アーム ２２．５０：キャリヤ ４０：バス・バー ４２：ハウジング ４７：ヒーティング・ランプ ４８：偏向器 ５３：リフレクタ・チューブ ５４：リフレクタ・スペーサ ６７：ブロッキング・ゲート ７０．７１ ：マウンテイング・サポート。
的な化学気相成長リアクトルを示す。 第２図は反応チャンバ上に配置されたヒーティング・ア
センブリをボす。 第３図はヒータ・リフレクタ・アセンブリとヒーティン
グ・チューブを示すために、一部を取除いて示したヒー
ティング・アセンブリの平面図である。 Ｓ− 第４図は第３図の線４−４ｆｌ沿った断面図である。 第５図はヒータ・リフレクタを冷却するための水の流れ
を示す。 第６図はヒート・ランプの間隔を変化させるピンの形状
を示す。 第７図はチューブとスペーサを用いるランプ・リフレク
タ構造を示す。 第８図はりフレフタ構造を示す等角図である。 主な符号の説明 ２０ｉ３６：ウェハ・カセット ２１．３２：ロボット式アーム ２２．５０：キャリヤ ４０：バス・バー ４２：ハウジング ４７：ヒーティング・ランプ ４８：偏向器 ５３：リフレクタ・チューブ ５４：リフレクタ・スペーサ ６７：ブロッキング・ゲート ７０．７１ ：マウンテイング・サポート。
Claims (1)
- （１）ハウジングと、 前記ハウジング内のリフレクタ・アセンブリと、前記リ
フレクタ・アセンブリを冷却するように、前記リフレク
タ・アセンブリの両端に接続される水マニホルドと、 前記リフレクタ・アセンブリの両側のヒート・ランプ・
マウンティング・アセンブリと、 前記ヒート・ランプ・マウンティング・アセンブリに付
けられた少なくとも一個のヒーティング・ランプを含む
、半導体リアクトルに用いられるヒーティング・ランプ
・アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/287,747 US4908495A (en) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | Heating lamp assembly for ccvd reactors |
| US287747 | 1988-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219219A true JPH02219219A (ja) | 1990-08-31 |
Family
ID=23104159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1329429A Pending JPH02219219A (ja) | 1988-12-20 | 1989-12-19 | Ｃｃｖｄリアクトルのヒーティング・ランプ・アセンブリ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4908495A (ja) |
| EP (1) | EP0374511A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02219219A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960158A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Ag Associates | Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber |
| US6018616A (en) * | 1998-02-23 | 2000-01-25 | Applied Materials, Inc. | Thermal cycling module and process using radiant heat |
| US5930456A (en) * | 1998-05-14 | 1999-07-27 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US5970214A (en) * | 1998-05-14 | 1999-10-19 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US6210484B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-04-03 | Steag Rtp Systems, Inc. | Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers |
| US6771895B2 (en) * | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
| EP1155437B1 (en) * | 1999-02-04 | 2008-08-20 | STEAG RTP Systems GmbH | Cooled showerhead for rapid thermal processing (rtp) system |
| DE10051641B4 (de) * | 2000-10-18 | 2009-10-15 | Advanced Photonics Technologies Ag | Bestrahlungsanordnung |
| AU2002221682A1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-04-29 | Advanced Photonics Technologies Ag | Irradiation device |
| JP4948701B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
| US6744017B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-06-01 | Ibis Technology Corporation | Wafer heating devices for use in ion implantation systems |
| US8859042B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-10-14 | Alta Devices, Inc. | Methods for heating with lamps |
| CN102422407B (zh) * | 2009-03-16 | 2014-10-15 | 奥塔装置公司 | 晶片承载器轨道 |
| US10932323B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-02-23 | Alta Devices, Inc. | Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3240915A (en) * | 1962-09-19 | 1966-03-15 | Fostoria Corp | Infra-red heater |
| US3862397A (en) * | 1972-03-24 | 1975-01-21 | Applied Materials Tech | Cool wall radiantly heated reactor |
| US3861787A (en) * | 1973-08-29 | 1975-01-21 | Avco Everett Res Lab Inc | Laser mirror |
| US3966308A (en) * | 1974-05-01 | 1976-06-29 | Infrarodteknik Ab | Device for reflecting radiant energy |
| US4048955A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Continuous chemical vapor deposition reactor |
| US4101759A (en) * | 1976-10-26 | 1978-07-18 | General Electric Company | Semiconductor body heater |
| US4266857A (en) * | 1980-01-30 | 1981-05-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury | Liquid or gas cooled flexible beam-compensating adjustable cylindrical mirror |
| US4443059A (en) * | 1982-01-13 | 1984-04-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High energy laser mirror |
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS59222922A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
| US4581248A (en) * | 1984-03-07 | 1986-04-08 | Roche Gregory A | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
| US4640224A (en) * | 1985-08-05 | 1987-02-03 | Spectrum Cvd, Inc. | CVD heat source |
-
1988
- 1988-12-20 US US07/287,747 patent/US4908495A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-23 EP EP19890121663 patent/EP0374511A3/en not_active Withdrawn
- 1989-12-19 JP JP1329429A patent/JPH02219219A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0374511A3 (en) | 1991-02-20 |
| US4908495A (en) | 1990-03-13 |
| EP0374511A2 (en) | 1990-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5279986A (en) | Method for epitaxial deposition | |
| JPH02219219A (ja) | Ｃｃｖｄリアクトルのヒーティング・ランプ・アセンブリ | |
| US6198074B1 (en) | System and method for rapid thermal processing with transitional heater | |
| US6064800A (en) | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes | |
| US4511788A (en) | Light-radiant heating furnace | |
| KR100196625B1 (ko) | 반도체 처리용 2개의 반구형 반응기 | |
| US5345534A (en) | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means | |
| KR100832273B1 (ko) | 적외선에 의해 기판을 고속으로 균일하게 가열하기 위한장치 | |
| US6402508B2 (en) | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system | |
| US20110174790A1 (en) | Annealing apparatus | |
| GB2181458A (en) | Apparatus and method for an axially symmetric chemical vapor deposition reactor | |
| KR20090023686A (ko) | 고 집중 가열 구역이 구비된 급속 열 점화 적외선 컨베이어노 | |
| KR20010062475A (ko) | 이중기판 로드록 프로세스 장비 | |
| KR20060110213A (ko) | 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법 | |
| US20200243357A1 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus of light irradiation type | |
| US20200144084A1 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus for managing heat treatment of dummy wafer | |
| US5074736A (en) | Semiconductor wafer carrier design | |
| EP0381247B1 (en) | Apparatus and method for epitaxial deposition | |
| US5042423A (en) | Semiconductor wafer carrier design | |
| US8796160B2 (en) | Optical cavity furnace for semiconductor wafer processing | |
| JP3402713B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US4941429A (en) | Semiconductor wafer carrier guide tracks | |
| US5993591A (en) | Coring of leadframes in carriers via radiant heat source | |
| JPS61129834A (ja) | 光照射型熱処理装置 | |
| EP0378815A2 (en) | Continuous chemical vapour deposition system |