JPH02219420A - 電源回路 - Google Patents
電源回路Info
- Publication number
- JPH02219420A JPH02219420A JP3747189A JP3747189A JPH02219420A JP H02219420 A JPH02219420 A JP H02219420A JP 3747189 A JP3747189 A JP 3747189A JP 3747189 A JP3747189 A JP 3747189A JP H02219420 A JPH02219420 A JP H02219420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- secondary battery
- circuit
- current
- zener diode
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電源回路に関し、特に二次電池の負荷ＰＪｗ等
による過放電を防止する電源回路に関する。
による過放電を防止する電源回路に関する。
従来、この種の電源回路は第４図の回路図に示すように
、二次電池２１と、二次電池の負荷が、例えば障害で過
電流が流れるのを防止する出力短絡電流制限回路２８と
が取りつけられているのみであった。
、二次電池２１と、二次電池の負荷が、例えば障害で過
電流が流れるのを防止する出力短絡電流制限回路２８と
が取りつけられているのみであった。
上述した従来の電源回路は、正極出力端子２つと負極出
力端子３０の間の負荷が過大な放電状態が継続した場合
、保護回路である出力短絡電流制限回路２８で電流制限
するが、二次電池２１の両端電圧は０■に向かって低下
し障害が長じ間にわたると最終的には完全放電状態とな
る欠点がある。
力端子３０の間の負荷が過大な放電状態が継続した場合
、保護回路である出力短絡電流制限回路２８で電流制限
するが、二次電池２１の両端電圧は０■に向かって低下
し障害が長じ間にわたると最終的には完全放電状態とな
る欠点がある。
上記のような過放電状態は二次電池の寿命を縮め再充電
しても復旧しない欠点もある。
しても復旧しない欠点もある。
本発明の電源回路は２次電池から供給される電力を短絡
電流制限回路を介して負荷に出力する電源回路において
、前記２次電池の電圧Ｖが所定値以上の過負荷電流によ
り前記電圧■が定められた値以下に低下したことを検出
する第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子の制御
により前記２次電池から前記短絡電流制限回路に供給さ
れる電流を遮断する第２の半導体素子とを備えている。
電流制限回路を介して負荷に出力する電源回路において
、前記２次電池の電圧Ｖが所定値以上の過負荷電流によ
り前記電圧■が定められた値以下に低下したことを検出
する第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子の制御
により前記２次電池から前記短絡電流制限回路に供給さ
れる電流を遮断する第２の半導体素子とを備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図である０本
実施例は第１図に示すように、二次電池１、二次電池１
の正極と負極端子間にツェナーダイオード２、抵抗３が
並列に接続されている。ＰＮＰ）ランリスタ４はエミッ
タが二次電池１の正極に、ベースが抵抗７を介してＮＰ
Ｎ）ランリスタ５のコレクタに、コレクタが出力短絡電
流制限回路８に接続されている。ＮＰＮトランジスタ５
はエミッタが二次電池１の負極端子に、ベースが抵抗６
を介してツェナーダイオード２と抵抗３の共通接続点に
接続されている。なおツェナーダイオードの極性はカソ
ードが二次電池１の正側に接続される。出力短絡電流制
限回路８の他端と二次電池１の負極側が本電源回路の出
力端子９．１０となる。
実施例は第１図に示すように、二次電池１、二次電池１
の正極と負極端子間にツェナーダイオード２、抵抗３が
並列に接続されている。ＰＮＰ）ランリスタ４はエミッ
タが二次電池１の正極に、ベースが抵抗７を介してＮＰ
Ｎ）ランリスタ５のコレクタに、コレクタが出力短絡電
流制限回路８に接続されている。ＮＰＮトランジスタ５
はエミッタが二次電池１の負極端子に、ベースが抵抗６
を介してツェナーダイオード２と抵抗３の共通接続点に
接続されている。なおツェナーダイオードの極性はカソ
ードが二次電池１の正側に接続される。出力短絡電流制
限回路８の他端と二次電池１の負極側が本電源回路の出
力端子９．１０となる。
第２図は第１の実施例の説明図であり、図示のように二
次電池１の電圧をＶＢＡＴ、ツェナーダイオード２の電
圧を■ｚ、抵抗３の電圧を■８、抵抗６を流れる電流Ｉ
ｎとする。また、ＮＰＮトランジスタ５がオンとなるた
めの最小電圧をＶＢＯＮとする。今、第２図はＶ ＢＡ
Ｔ ＞ Ｖ ｚ ＋ Ｖ ＢＯＮの条件における動作を
示す＊ ”ＢＯＮの電圧がＮＰＮトランジスタ５のベー
スにかかりＩａが流れ等価的にスイッチ５′となるため
にＰＮＰトランジスタ４のエミック電流が流れて等価的
にスイッチ４となる。したがって２次電池１から出力短
絡電流制限回路８を介して正常電圧が出力端子９，１０
に供給される。
次電池１の電圧をＶＢＡＴ、ツェナーダイオード２の電
圧を■ｚ、抵抗３の電圧を■８、抵抗６を流れる電流Ｉ
ｎとする。また、ＮＰＮトランジスタ５がオンとなるた
めの最小電圧をＶＢＯＮとする。今、第２図はＶ ＢＡ
Ｔ ＞ Ｖ ｚ ＋ Ｖ ＢＯＮの条件における動作を
示す＊ ”ＢＯＮの電圧がＮＰＮトランジスタ５のベー
スにかかりＩａが流れ等価的にスイッチ５′となるため
にＰＮＰトランジスタ４のエミック電流が流れて等価的
にスイッチ４となる。したがって２次電池１から出力短
絡電流制限回路８を介して正常電圧が出力端子９，１０
に供給される。
次に同じく第１の実施例において、異常な過大負荷電流
によりＶ ＢＡＴ ＜ Ｖ ｚの場合第２図より明らか
なようにツェナーダイオード２がオフ状態となるために
Ｖ、＝ＱＶとなる。従ってスイッチＮＰＮトランジスタ
５がカットオフとなり等価的にスイッチ５′がオフとな
り、ＰＮＰ トランジスタ４もカットオフとなり等価的
にスイッチ５′がオフとなるので、出力端子９．１０よ
り負荷電流を出力せず過大電流は完全に遮断される。以
上のように、二次電池１のＶＢＡｆがある一定値ＶＺ
＋ＶＢＯＮを超えた初期状態においては負荷電流を出力
するが、ＶＢＡＴが■ｚ以下の値に低下した場合には負
荷電流を遮断し、二次電池ｌの過放電を防止することが
可能となる。
によりＶ ＢＡＴ ＜ Ｖ ｚの場合第２図より明らか
なようにツェナーダイオード２がオフ状態となるために
Ｖ、＝ＱＶとなる。従ってスイッチＮＰＮトランジスタ
５がカットオフとなり等価的にスイッチ５′がオフとな
り、ＰＮＰ トランジスタ４もカットオフとなり等価的
にスイッチ５′がオフとなるので、出力端子９．１０よ
り負荷電流を出力せず過大電流は完全に遮断される。以
上のように、二次電池１のＶＢＡｆがある一定値ＶＺ
＋ＶＢＯＮを超えた初期状態においては負荷電流を出力
するが、ＶＢＡＴが■ｚ以下の値に低下した場合には負
荷電流を遮断し、二次電池ｌの過放電を防止することが
可能となる。
次に本発明の第２の実施例について第３図を参照して説
明する。第２の実施例は第１図と比較すると明らかなよ
うにＰＮＰトランジスタ４の代りにＰチャネルＦＥＴ４
Ａを使用し、ＮＰＮトランジスタ５の代りにＮチャネル
ＦＥＴ５Ａを使用している。また抵抗３をツェナーダイ
オード３Ａに代えツェナーダイオード６Ａを追加してい
る以外は第１の実施例と同じである。第２の実施例の動
作はＰチャネルＦＥＴ４ＡおよびＮチャネルＦＥＴ５Ａ
のゲートを電圧制御して、第１の実施例における第２図
の説明と同様の動作を行っている。
明する。第２の実施例は第１図と比較すると明らかなよ
うにＰＮＰトランジスタ４の代りにＰチャネルＦＥＴ４
Ａを使用し、ＮＰＮトランジスタ５の代りにＮチャネル
ＦＥＴ５Ａを使用している。また抵抗３をツェナーダイ
オード３Ａに代えツェナーダイオード６Ａを追加してい
る以外は第１の実施例と同じである。第２の実施例の動
作はＰチャネルＦＥＴ４ＡおよびＮチャネルＦＥＴ５Ａ
のゲートを電圧制御して、第１の実施例における第２図
の説明と同様の動作を行っている。
したがって、二次電池１の両端電圧ＶＢＡ↑がある一定
値Ｖ２ ＋ｖＢを超えた初期状態においては負荷電流を
出力するが、ＶＢＡＴが■８以下の値に低下した場合、
負荷電流を遮断し、二次電池１の過放電を防止すること
が可能となる。
値Ｖ２ ＋ｖＢを超えた初期状態においては負荷電流を
出力するが、ＶＢＡＴが■８以下の値に低下した場合、
負荷電流を遮断し、二次電池１の過放電を防止すること
が可能となる。
以上説明したように本発明は二次電池の両端電圧がある
一定値を超えて低下した状態を検出して負荷電流を遮断
する回路を設けることにより二次電池の過放電を防止で
きる効果がある。
一定値を超えて低下した状態を検出して負荷電流を遮断
する回路を設けることにより二次電池の過放電を防止で
きる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図、第２図は
第１の実施例の動作概要を示す説明図、第３図は本発明
の第２の実施例の回路図、第４図は従来の電源回路の回
路図である。 １．２１・・・二次電圧、２，２Ａ、３Ａ、６Ａ・・・
ツェナーダイオード、３．６，７，７Ａ、ＩＩＡ・・・
抵抗、４・−・ＰＮＰ）ランリスタ、４Ａ・・・Ｐチャ
ネルＦＥＴ、５・・・ＮＰＮ）ランリスタ、５Ａ・・・
ＮチャネルＦＥＴ、８，２８・・・出力短絡電流制限回
路、９，１０・・・出力端子。
第１の実施例の動作概要を示す説明図、第３図は本発明
の第２の実施例の回路図、第４図は従来の電源回路の回
路図である。 １．２１・・・二次電圧、２，２Ａ、３Ａ、６Ａ・・・
ツェナーダイオード、３．６，７，７Ａ、ＩＩＡ・・・
抵抗、４・−・ＰＮＰ）ランリスタ、４Ａ・・・Ｐチャ
ネルＦＥＴ、５・・・ＮＰＮ）ランリスタ、５Ａ・・・
ＮチャネルＦＥＴ、８，２８・・・出力短絡電流制限回
路、９，１０・・・出力端子。
Claims (1)
- ２次電池から供給される電力を短絡電流制限回路を介し
て負荷に出力する電源回路において、前記２次電池の電
圧Ｖが所定値以上の過負荷電流により前記電圧Ｖが定め
られた値以下に低下したことを検出する第１の半導体素
子と、前記第１の半導体素子の制御により前記２次電池
から前記短絡電流制限回路に供給される電流を遮断する
第２の半導体素子とを備えたことを特徴とする電源回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747189A JPH02219420A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747189A JPH02219420A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219420A true JPH02219420A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12498443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3747189A Pending JPH02219420A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02219420A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079748A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の多層配線構造 |
| JPS60112046A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3747189A patent/JPH02219420A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079748A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の多層配線構造 |
| JPS60112046A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
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