JPH02220011A - 並列伝送光モジュール - Google Patents
並列伝送光モジュールInfo
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- JPH02220011A JPH02220011A JP4212389A JP4212389A JPH02220011A JP H02220011 A JPH02220011 A JP H02220011A JP 4212389 A JP4212389 A JP 4212389A JP 4212389 A JP4212389 A JP 4212389A JP H02220011 A JPH02220011 A JP H02220011A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は光通信用並列伝送光モジュールに関する。
光通信は光ファイバ、半導体レーザ（ＬＤ）、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）を始めと
して、光スィッチ、光変調器、アイソレータ、先導波路
等の受動、能動素子の高性能、高機能化により応用範囲
が拡大されつつある。近年、より多くの情報を伝達する
要求が高まる中で、コンピュータ端末間、交換器や大型
コンピュータ間のデータ伝送を実時間で並列に行う並列
伝送が注目されつつある。この機能を満足するものとし
て、複数の発光あるいは受光素子と複数の光ファイバと
を一体化した並列伝送モジュールがある６通常、発光（
受光）素子は同一半導体基板上にモノリシックに複数個
配列したＬＥＤあるいはＬＤ、 ＰＤアレイ、またファ
イバは、一方向に複数本配列したファイバアレイが用い
られている（以下、発受光素子はＬＨＤアレイに代表さ
せる）、第５図は一般的な並列伝送光モジュールを示す
図である。この並列伝送光モジュールは図のようにＣｕ
やＣｕｖ製のベース２１上に、ヒートシンクを兼ねたＳ
ｉや八〇Ｎ＠のサブマウント２２がろう付けや半田付け
によって設置されている。サブマウント２２は表面が分
離電極パターン２４を形成し、各々の電極が４ｃｈのＬ
ＥＤアレイ２３の一つ一つの電極に接続している。金属
製のフェルール２５で保護された４ｃｈのアレイ状光フ
ァイバ２６は、ＬＨロアレイ２３からの放射光が効率よ
く入射するように光軸を調整した後に接着剤、半田ある
いは溶接によってベース２１に固定される。また、４ｃ
ｈの素子全ての光結合が良好に行われるには、光軸調整
は単一素子の光モジュールの際のｘｙｚ方向に加え、回
転（θ）方向も必要である。 ＬＥＤアレイ２３とアレ
イ状光ファイバ２６との結合は第５図のような突き合わ
せ結合の他に、レンズを介しても行われる。
オード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）を始めと
して、光スィッチ、光変調器、アイソレータ、先導波路
等の受動、能動素子の高性能、高機能化により応用範囲
が拡大されつつある。近年、より多くの情報を伝達する
要求が高まる中で、コンピュータ端末間、交換器や大型
コンピュータ間のデータ伝送を実時間で並列に行う並列
伝送が注目されつつある。この機能を満足するものとし
て、複数の発光あるいは受光素子と複数の光ファイバと
を一体化した並列伝送モジュールがある６通常、発光（
受光）素子は同一半導体基板上にモノリシックに複数個
配列したＬＥＤあるいはＬＤ、 ＰＤアレイ、またファ
イバは、一方向に複数本配列したファイバアレイが用い
られている（以下、発受光素子はＬＨＤアレイに代表さ
せる）、第５図は一般的な並列伝送光モジュールを示す
図である。この並列伝送光モジュールは図のようにＣｕ
やＣｕｖ製のベース２１上に、ヒートシンクを兼ねたＳ
ｉや八〇Ｎ＠のサブマウント２２がろう付けや半田付け
によって設置されている。サブマウント２２は表面が分
離電極パターン２４を形成し、各々の電極が４ｃｈのＬ
ＥＤアレイ２３の一つ一つの電極に接続している。金属
製のフェルール２５で保護された４ｃｈのアレイ状光フ
ァイバ２６は、ＬＨロアレイ２３からの放射光が効率よ
く入射するように光軸を調整した後に接着剤、半田ある
いは溶接によってベース２１に固定される。また、４ｃ
ｈの素子全ての光結合が良好に行われるには、光軸調整
は単一素子の光モジュールの際のｘｙｚ方向に加え、回
転（θ）方向も必要である。 ＬＥＤアレイ２３とアレ
イ状光ファイバ２６との結合は第５図のような突き合わ
せ結合の他に、レンズを介しても行われる。
通常、光モジュールは電子回路とともにプリント基板に
組み込まれて用いられることが多く、形状が小さいこと
が必要とされている。従って光ファイバを基板に平行に
配置しなければならず、ＬＥＥＤやＰＤのモジュールの
場合には必然的に上記の構成を取らざるを得ない、この
構成では、ＬＥＤやＰＤをサブマウントの側面に配置し
、電極パターンを２つの面に形成する必要があるので、
生産性が悪く、また直角の曲がりの部分での断線もあり
、歩留り、信頼性に欠けるという難点がある。また、単
一の光源、光ファイバのモジュールに比べて形状が大き
くなり、実装密度を低下させ、コストを引き上げてしま
う。さらに、光軸調整はｘｙｚθの４方向が必要であり
、多くの調整工数を必要とする。ＬＥＤを駆動したり、
ＰＤで得られた電気信号を増幅する電気回路は通常モジ
ュールの外部に置かれるが、１００Ｍｂ ｐ ｓ以上の
高速の信号を入出力する場合には信号ラインを長くでき
ないので、モジュールの内部に置かれる０例えば、サブ
マウントや基板上にハイブリッド的にマウントする方法
が用いられる。この場合、多くのＩＣチップや抵抗等を
大きな実装スペースを必要とし、モジュール形状が大き
くなること、実装コス１−がかさむという難点がある。
組み込まれて用いられることが多く、形状が小さいこと
が必要とされている。従って光ファイバを基板に平行に
配置しなければならず、ＬＥＥＤやＰＤのモジュールの
場合には必然的に上記の構成を取らざるを得ない、この
構成では、ＬＥＤやＰＤをサブマウントの側面に配置し
、電極パターンを２つの面に形成する必要があるので、
生産性が悪く、また直角の曲がりの部分での断線もあり
、歩留り、信頼性に欠けるという難点がある。また、単
一の光源、光ファイバのモジュールに比べて形状が大き
くなり、実装密度を低下させ、コストを引き上げてしま
う。さらに、光軸調整はｘｙｚθの４方向が必要であり
、多くの調整工数を必要とする。ＬＥＤを駆動したり、
ＰＤで得られた電気信号を増幅する電気回路は通常モジ
ュールの外部に置かれるが、１００Ｍｂ ｐ ｓ以上の
高速の信号を入出力する場合には信号ラインを長くでき
ないので、モジュールの内部に置かれる０例えば、サブ
マウントや基板上にハイブリッド的にマウントする方法
が用いられる。この場合、多くのＩＣチップや抵抗等を
大きな実装スペースを必要とし、モジュール形状が大き
くなること、実装コス１−がかさむという難点がある。
本発明の目的は上記の問題点を解決し、生産性が良く低
コストの並列伝送光モジュールを提供することにある。
コストの並列伝送光モジュールを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明による並列伝送光モジ
ュールにおいては、アレイ状に複数個配列した発光ある
いは受光素子及び該素子を制御する電気回路並びにガイ
ド溝を上面に設けたベースと、前記素子と光結合する側
の端面を略４５度に斜めカットし、前記素子とアレイピ
ッチを同一としたアレイ状光ファイバと前記ベースのガ
イド溝に合せて重畳するガイドを備えた光ファイバ支持
部とを有し、前記ベース及び光ファイバ支持部は（１０
０）Ｓ ｉ結晶基板からなり、前記電気回路の少なくと
も一部が前記Ｓｉベース内に作り付けられ、前記ガイド
溝及び前記光ファイバ、前記ガイドを埋め込む溝は異方
性ウェットエツチングにより形成されたＶ溝としたもの
である。
ュールにおいては、アレイ状に複数個配列した発光ある
いは受光素子及び該素子を制御する電気回路並びにガイ
ド溝を上面に設けたベースと、前記素子と光結合する側
の端面を略４５度に斜めカットし、前記素子とアレイピ
ッチを同一としたアレイ状光ファイバと前記ベースのガ
イド溝に合せて重畳するガイドを備えた光ファイバ支持
部とを有し、前記ベース及び光ファイバ支持部は（１０
０）Ｓ ｉ結晶基板からなり、前記電気回路の少なくと
も一部が前記Ｓｉベース内に作り付けられ、前記ガイド
溝及び前記光ファイバ、前記ガイドを埋め込む溝は異方
性ウェットエツチングにより形成されたＶ溝としたもの
である。
本発明の並列伝送光モジュールは、光素子とガイド溝を
設けた（１００）Ｓ ｉ結晶基板のベースと、光ファイ
バとガイドを設けた光ファイバ支持部とからなり、光フ
ァイバ支持部をガイドをベースのガイド溝に合せて重畳
する構成である。光素子の固定位置や光ファイバ、ガイ
ド、ガイド溝の位置はフォトリソグラフィ技術で作製す
るのでマスク精度の高精度位置合せが可能となる。平面
のＳｉ基板上にアレイ状光素子を配置して光の入出射方
向を上下方向（Ｚ）とし、端面を略４５度に斜めカット
した光ファイバと結合する構成であるので、往来２面必
要であった電極パターンの作製は１面で済む。
設けた（１００）Ｓ ｉ結晶基板のベースと、光ファイ
バとガイドを設けた光ファイバ支持部とからなり、光フ
ァイバ支持部をガイドをベースのガイド溝に合せて重畳
する構成である。光素子の固定位置や光ファイバ、ガイ
ド、ガイド溝の位置はフォトリソグラフィ技術で作製す
るのでマスク精度の高精度位置合せが可能となる。平面
のＳｉ基板上にアレイ状光素子を配置して光の入出射方
向を上下方向（Ｚ）とし、端面を略４５度に斜めカット
した光ファイバと結合する構成であるので、往来２面必
要であった電極パターンの作製は１面で済む。
２方向の光軸は、光ファイバ支持部のガイドの大きさで
調整でき、予め所望の大きさに作製してあり、また光フ
ァイバピッチ、光ファイバ支持部に設けたガイドと光フ
ァイバとの位置関係は、それぞれ光素子のアレイピッチ
、ベースに設けたガイド溝と光素子との位置関係に一致
している。従って、光ファイバ支持部のガイドをベース
のガイド溝に摺動させる（ｙ方向の移動）だけで光軸調
整は済んでしまう。光軸調整のための部材間のクリアラ
ンスや部材固定のスペースが不用であるので形状の小型
化を実現できる。さらにＳｉベース内に光素子の駆動回
路を作り付けているので、新たに電気回路をハイブリッ
ド的に実装する必要がなく。
調整でき、予め所望の大きさに作製してあり、また光フ
ァイバピッチ、光ファイバ支持部に設けたガイドと光フ
ァイバとの位置関係は、それぞれ光素子のアレイピッチ
、ベースに設けたガイド溝と光素子との位置関係に一致
している。従って、光ファイバ支持部のガイドをベース
のガイド溝に摺動させる（ｙ方向の移動）だけで光軸調
整は済んでしまう。光軸調整のための部材間のクリアラ
ンスや部材固定のスペースが不用であるので形状の小型
化を実現できる。さらにＳｉベース内に光素子の駆動回
路を作り付けているので、新たに電気回路をハイブリッ
ド的に実装する必要がなく。
電極パターンとワイヤボンディングするだけの作業とな
り、大幅な工数削減が可能となる。
り、大幅な工数削減が可能となる。
以上のごとく、小型、低コストで生産性の高いアレイ状
素子のモジュールを実現できる。
素子のモジュールを実現できる。
以下、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明を示すモジュールの一例で、第２図は光
ファイバ支持部１０を取り除いたベース２１のみの図で
ある。図において、厚みが約１ｍの（１００）Ｓ ｉ結
晶基板のベースｚ１の上面に、絶縁膜１６として例えば
Ｓ ｉ Ｏ，をプラズマＣｖＤ法や熱酸化によって０．
５〜１ｕｍ積層し、さらにその上に４ｃｈのＬＥＤアレ
イ２３が電極パターン２４に電気的に接続されて固定さ
れている。またＬＥＤを駆動する制御用電気回路１７が
、半導体プロセス技術によってＳｉベース内にＬＩＥＤ
アレイ２３に接近してモノリシック的に作り付けられ、
電極パターン２４とワイヤボンディングで電気的に接続
されている。電極パターン２４は、例えばＣｒを下地層
として約１０００人真空蒸着で設け、その上に約２ｇ＊
Ｎｉメツキした後にフォトリソグラフィの技術によって
バターニングして作製される。 ＬＥＤとの接合部分に
はメツキにより半田層を約５〇−積層する。ｎ側が共通
なＬＥＤアレイの場合には、４個の独立したｐ電極と１
個の共通ｎ電極の構成である。またベース２１上には光
ファイバ支′持部１０の位置決めをするガイド溝１１が
設けられている。ガイド溝１１は絶縁膜１６をマスクと
してＫＯＨやヒドラジン等のエツチング液に浸すことに
よって形成する。 （１００）面と（１１１）面とでエ
ツチング速度が違うのでエツチング溝は頂角が約７０度
のＶ溝となる。 ＬＥＤアレイ２３との距離はマスク精
度で正確に保たれる。
ファイバ支持部１０を取り除いたベース２１のみの図で
ある。図において、厚みが約１ｍの（１００）Ｓ ｉ結
晶基板のベースｚ１の上面に、絶縁膜１６として例えば
Ｓ ｉ Ｏ，をプラズマＣｖＤ法や熱酸化によって０．
５〜１ｕｍ積層し、さらにその上に４ｃｈのＬＥＤアレ
イ２３が電極パターン２４に電気的に接続されて固定さ
れている。またＬＥＤを駆動する制御用電気回路１７が
、半導体プロセス技術によってＳｉベース内にＬＩＥＤ
アレイ２３に接近してモノリシック的に作り付けられ、
電極パターン２４とワイヤボンディングで電気的に接続
されている。電極パターン２４は、例えばＣｒを下地層
として約１０００人真空蒸着で設け、その上に約２ｇ＊
Ｎｉメツキした後にフォトリソグラフィの技術によって
バターニングして作製される。 ＬＥＤとの接合部分に
はメツキにより半田層を約５〇−積層する。ｎ側が共通
なＬＥＤアレイの場合には、４個の独立したｐ電極と１
個の共通ｎ電極の構成である。またベース２１上には光
ファイバ支′持部１０の位置決めをするガイド溝１１が
設けられている。ガイド溝１１は絶縁膜１６をマスクと
してＫＯＨやヒドラジン等のエツチング液に浸すことに
よって形成する。 （１００）面と（１１１）面とでエ
ツチング速度が違うのでエツチング溝は頂角が約７０度
のＶ溝となる。 ＬＥＤアレイ２３との距離はマスク精
度で正確に保たれる。
厚みが約ＩＩＩＩｌで（１００）Ｓｉ結晶基板の光ファ
イバ支持部ｌＯにはＬＥＤアレイ２３のピッチに合せた
溝を設け、その溝に光ファイバ２６を埋め込み、接着剤
等で固定する。ベース２１におけるＬＥＤアレイ２３と
ガイド溝１１との間隔を一致させて光ファイバ２６の配
列の外側方にさらに溝を設け、光ファイバ２６よりも下
方に突出するようにガイド１２を接着剤や半田等で固定
する。光ファイバ２６とＬＥＤアレイ２３との間隔はと
のガイドの大きさで調整でき、通常ＬＥＤアレイとファ
イバとの距離を５ＯＡとしている。
イバ支持部ｌＯにはＬＥＤアレイ２３のピッチに合せた
溝を設け、その溝に光ファイバ２６を埋め込み、接着剤
等で固定する。ベース２１におけるＬＥＤアレイ２３と
ガイド溝１１との間隔を一致させて光ファイバ２６の配
列の外側方にさらに溝を設け、光ファイバ２６よりも下
方に突出するようにガイド１２を接着剤や半田等で固定
する。光ファイバ２６とＬＥＤアレイ２３との間隔はと
のガイドの大きさで調整でき、通常ＬＥＤアレイとファ
イバとの距離を５ＯＡとしている。
光ファイバやガイドを埋め込む溝は、ベース２１でのガ
イ（Ｚ溝と同様に異方性ウェットエツチングで作製され
る。これらの位置精度はマスク精度で決定される。第３
図はこのモジュールをＸ方向から見た図で、ベース２１
と光ファイバ支持部１０とを離して示している。ここで
光ファイバ支持部１０は、第４図に示すように光の結合
部分を研磨等で４５度に斜めカットし、光ファイバのク
ラッド部１５を透過したＬＥＤアレイ２３からの光ビー
ム１３をコア部１４で全反射させ、光路を９０度曲げて
ベース２１に平行な方向に導く構成になっている。
イ（Ｚ溝と同様に異方性ウェットエツチングで作製され
る。これらの位置精度はマスク精度で決定される。第３
図はこのモジュールをＸ方向から見た図で、ベース２１
と光ファイバ支持部１０とを離して示している。ここで
光ファイバ支持部１０は、第４図に示すように光の結合
部分を研磨等で４５度に斜めカットし、光ファイバのク
ラッド部１５を透過したＬＥＤアレイ２３からの光ビー
ム１３をコア部１４で全反射させ、光路を９０度曲げて
ベース２１に平行な方向に導く構成になっている。
光ファイバ２６とＬＥＤアレイ２３との光軸調整は、光
ファイバ支持部１０に設けたガイド１２をベース２１に
設けたガイド溝Ｉｌに摺動させて行い、その後に半田あ
るいは接着剤で固定する。前記のごとく、ファイバアレ
イピッチとＬＥＤアレイピッチ、光ファイバ２６とガイ
ド１２との間隔とＬＥＤアレイ２３とガイド溝１１との
間隔はマスク精度で正確に設定されているので、Ｘ方向
の調整は不用である。２方向に関してもガイド１２の大
きさで自由に設定できるので、ここではＸ方向の、みを
行うだけでよい。また回転方向（０）もガイド１２と光
ファイバ２６．ガイド溝１１とＬＥＤアレイ２３とが平
行に設定されているので無調整で済む。それもガイドに
沿って動かすだけであるので、極めて短時間で容易に調
整が可能となり、工数の短縮、コスト低減を実現できる
。
ファイバ支持部１０に設けたガイド１２をベース２１に
設けたガイド溝Ｉｌに摺動させて行い、その後に半田あ
るいは接着剤で固定する。前記のごとく、ファイバアレ
イピッチとＬＥＤアレイピッチ、光ファイバ２６とガイ
ド１２との間隔とＬＥＤアレイ２３とガイド溝１１との
間隔はマスク精度で正確に設定されているので、Ｘ方向
の調整は不用である。２方向に関してもガイド１２の大
きさで自由に設定できるので、ここではＸ方向の、みを
行うだけでよい。また回転方向（０）もガイド１２と光
ファイバ２６．ガイド溝１１とＬＥＤアレイ２３とが平
行に設定されているので無調整で済む。それもガイドに
沿って動かすだけであるので、極めて短時間で容易に調
整が可能となり、工数の短縮、コスト低減を実現できる
。
形状も特に厚み方向（Ｚ）は、はぼ基板２枚分の２〜３
ｍであり、小型、薄型化が可能となる。
ｍであり、小型、薄型化が可能となる。
ＬＥＤアレイ２３はベース内に設けられた電気回路１７
で制御される。このモジュールのベースである（１００
）Ｓ ｉ基板は、通常のＩＣ基板と同一であるので、既
に確立された半導体プロセス技術をそのまま利用できる
。従ってバッチ処理で一度に大量に作製でき、従来のモ
ジュール外の駆動回路との接続、あるいはベース上への
ハイブリッド的な電気素子の実装に比べて、ベースの小
型化、ひいてはモジュールの小型化、実装工数、コスト
の低減を図ることができる４以上実施例ではアレイの数
を４としたが、それ以外の数でもかまわない、また、光
素子としてＬＥＤを示したが、ＬＤ、 ＰＤでも同様で
ある。
で制御される。このモジュールのベースである（１００
）Ｓ ｉ基板は、通常のＩＣ基板と同一であるので、既
に確立された半導体プロセス技術をそのまま利用できる
。従ってバッチ処理で一度に大量に作製でき、従来のモ
ジュール外の駆動回路との接続、あるいはベース上への
ハイブリッド的な電気素子の実装に比べて、ベースの小
型化、ひいてはモジュールの小型化、実装工数、コスト
の低減を図ることができる４以上実施例ではアレイの数
を４としたが、それ以外の数でもかまわない、また、光
素子としてＬＥＤを示したが、ＬＤ、 ＰＤでも同様で
ある。
以上説明したように本発明によれば、生産性が良く低コ
ストな並列伝送光モジュールを実現できる効果を有する
ものである。
ストな並列伝送光モジュールを実現できる効果を有する
ものである。
第１図は本発明の実施例を示す構成図、第２図は本発明
の実施例のベースを示す図、第３図は側面図、第４図は
光ファイバを示す図、第５図は従来の並列伝送光モジュ
ールの構成図である。 １０・・・光ファイバ支持部 １１・・・ガイド溝１
２・・・ガイド １３・・・光ビーム１４
・・・コア部 １５・・・クラッド部１６
・・・絶縁［１７・・・電気回路 ２１・・・ベース ２３・・・ＬＥＤアレイ ２６・・・光ファイバ
の実施例のベースを示す図、第３図は側面図、第４図は
光ファイバを示す図、第５図は従来の並列伝送光モジュ
ールの構成図である。 １０・・・光ファイバ支持部 １１・・・ガイド溝１
２・・・ガイド １３・・・光ビーム１４
・・・コア部 １５・・・クラッド部１６
・・・絶縁［１７・・・電気回路 ２１・・・ベース ２３・・・ＬＥＤアレイ ２６・・・光ファイバ
Claims (1)
- （１）アレイ状に複数個配列した発光あるいは受光素子
及び該素子を制御する電気回路並びにガイド溝を上面に
設けたベースと、前記素子と光結合する側の端面を略４
５度に斜めカットし、前記素子とアレイピッチを同一と
したアレイ状光ファイバと前記ベースのガイド溝に合せ
て重畳するガイドを備えた光ファイバ支持部とを有し、
前記ベース及び光ファイバ支持部は（１００）Ｓｉ結晶
基板からなり、前記電気回路の少なくとも一部が前記Ｓ
ｉベース内に作り付けられ、前記ガイド溝及び前記光フ
ァイバ、前記ガイドを埋め込む溝は異方性ウェットエッ
チングにより形成されたＶ溝であることを特徴とする並
列伝送光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212389A JPH02220011A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 並列伝送光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212389A JPH02220011A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 並列伝送光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220011A true JPH02220011A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12627174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212389A Pending JPH02220011A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 並列伝送光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220011A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05333232A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Tokyo Inst Of Technol | 無調整光コネクタ |
| JPH0926530A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nec Corp | 光モジュール |
| EP1143278A3 (en) * | 1994-09-28 | 2002-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Integrated optoelectronic coupling and connector |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4212389A patent/JPH02220011A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05333232A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Tokyo Inst Of Technol | 無調整光コネクタ |
| EP1143278A3 (en) * | 1994-09-28 | 2002-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Integrated optoelectronic coupling and connector |
| JPH0926530A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nec Corp | 光モジュール |
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