JPH0222022Y2 - - Google Patents
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- JPH0222022Y2 JPH0222022Y2 JP2944984U JP2944984U JPH0222022Y2 JP H0222022 Y2 JPH0222022 Y2 JP H0222022Y2 JP 2944984 U JP2944984 U JP 2944984U JP 2944984 U JP2944984 U JP 2944984U JP H0222022 Y2 JPH0222022 Y2 JP H0222022Y2
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
この考案は工場からの廃ガスの有害成分を除去
する廃ガス処理装置で、詳しくは液処理によりゲ
ル状や固形状の非液状物が生成される成分を持つ
廃ガス処理装置に関する。
する廃ガス処理装置で、詳しくは液処理によりゲ
ル状や固形状の非液状物が生成される成分を持つ
廃ガス処理装置に関する。
ロ 従来技術
有害成分を含む工場廃ガスは公害防止を目的に
処理塔内で液処理して無害化しているが、液処理
により非液状物を生成する成分を持つ廃ガスの処
理装置においては生成された非液状物が処理塔内
で詰まるために長期連続運転が難しい等の問題を
含んでいた。
処理塔内で液処理して無害化しているが、液処理
により非液状物を生成する成分を持つ廃ガスの処
理装置においては生成された非液状物が処理塔内
で詰まるために長期連続運転が難しい等の問題を
含んでいた。
例えば半導体製造工場におけるエピタキシヤル
廃ガスはH2，HCl、未分解のSiCl4，SiH4の各ガ
スを含み、これの処理は特に有害なHClガスをカ
性ソーダ溶液（NaOH）で無害に中和すること
をメインに行われ、その一般的処理装置例を第１
図から説明すると、１はエピタキシヤル成長装置
からの廃ガス、２は廃ガス１の通る配管、３は配
管２の後端に連結されたエアーフイルタ、４は配
管２の先端に連結された処理塔、５は処理塔４の
下部に連結された循環槽、６及び７は処理塔４の
上端から延びる排気管８に装着された手動ダンパ
及び排風機である。処理塔４内には上段から液飛
散防止用のマツト状デミスタ９、スプレー管１
０、各種充填物１１が収納される。循環槽５は処
理液のカ性ソーダ溶液（以下NaOH液と称す）
１２を収容し、このNaOH液１２はポンプ１３
でスプレー管１０まで上昇して充填物１１上へ噴
射され、充填物１１間を落下して循環槽５へ回収
される。
廃ガスはH2，HCl、未分解のSiCl4，SiH4の各ガ
スを含み、これの処理は特に有害なHClガスをカ
性ソーダ溶液（NaOH）で無害に中和すること
をメインに行われ、その一般的処理装置例を第１
図から説明すると、１はエピタキシヤル成長装置
からの廃ガス、２は廃ガス１の通る配管、３は配
管２の後端に連結されたエアーフイルタ、４は配
管２の先端に連結された処理塔、５は処理塔４の
下部に連結された循環槽、６及び７は処理塔４の
上端から延びる排気管８に装着された手動ダンパ
及び排風機である。処理塔４内には上段から液飛
散防止用のマツト状デミスタ９、スプレー管１
０、各種充填物１１が収納される。循環槽５は処
理液のカ性ソーダ溶液（以下NaOH液と称す）
１２を収容し、このNaOH液１２はポンプ１３
でスプレー管１０まで上昇して充填物１１上へ噴
射され、充填物１１間を落下して循環槽５へ回収
される。
廃ガス１は先ず、エアーフイルタ３を通した空
気で希釈され、不燃ガス化されて処理塔４の充填
物１１の下方に供給され、充填物１１間を上昇し
ていく。すると充填物１１上に吹き付けられて落
下するNaOH液１２と上昇する廃ガス１とが大
面積で接触して廃ガス１の無害処理化が行われ、
処理済み無害ガスはデミスタ９を通つて８−６−
７の経路で外へ排出される。
気で希釈され、不燃ガス化されて処理塔４の充填
物１１の下方に供給され、充填物１１間を上昇し
ていく。すると充填物１１上に吹き付けられて落
下するNaOH液１２と上昇する廃ガス１とが大
面積で接触して廃ガス１の無害処理化が行われ、
処理済み無害ガスはデミスタ９を通つて８−６−
７の経路で外へ排出される。
ところで、上記処理塔４内でのガス処理におい
て、廃ガス１中のSiCl4ガスやSiH4ガスはNaOH
液１２と反応してNaSiO3の水ガラスを生成し、
これがマツト状デミスタ９に詰まつてガスを通さ
無くなることがある。そこでNaOH液１２にPH
（ペーハー）13.5程度の高濃度のものを使用して
これで詰まつた水ガラスを溶かして流すようにし
ているが、高濃度NaOH液は空気中のCO2ガスと
反応してNa2CO3の炭酸塩を生成し、これがデミ
スタ９や充填物１１中に沈澱してガス流を妨げる
ことがある。そのため処理塔４内を定期的に洗浄
しているが、この洗浄サイクルが上記詰まり物多
発の理由で１〜５日と非常に短かくて装置の稼動
率が悪かつた。また処理塔４内の詰まり物を少し
でも少なくして稼動率を上げるため、高濃度の
NaOH液１２を順次新しいもを補給して大量使
用することが一部で行われている。しかし、これ
では炭酸塩の生成が増加してNaOH液１２の消
耗量が多くなり、不経済であつた。
て、廃ガス１中のSiCl4ガスやSiH4ガスはNaOH
液１２と反応してNaSiO3の水ガラスを生成し、
これがマツト状デミスタ９に詰まつてガスを通さ
無くなることがある。そこでNaOH液１２にPH
（ペーハー）13.5程度の高濃度のものを使用して
これで詰まつた水ガラスを溶かして流すようにし
ているが、高濃度NaOH液は空気中のCO2ガスと
反応してNa2CO3の炭酸塩を生成し、これがデミ
スタ９や充填物１１中に沈澱してガス流を妨げる
ことがある。そのため処理塔４内を定期的に洗浄
しているが、この洗浄サイクルが上記詰まり物多
発の理由で１〜５日と非常に短かくて装置の稼動
率が悪かつた。また処理塔４内の詰まり物を少し
でも少なくして稼動率を上げるため、高濃度の
NaOH液１２を順次新しいもを補給して大量使
用することが一部で行われている。しかし、これ
では炭酸塩の生成が増加してNaOH液１２の消
耗量が多くなり、不経済であつた。
上記反応生成物による問題点は処理塔を複数設
置して、廃ガスを複数段階に分けて処理し、各処
理塔での反応生成物の量を少なく分散させれば解
決されると考えられる。しかし、この場合は複数
の処理塔で使用する処理液に大量のものが必要、
大量の処理液の常時補給が必要などの問題があつ
て実現が難しかつた。
置して、廃ガスを複数段階に分けて処理し、各処
理塔での反応生成物の量を少なく分散させれば解
決されると考えられる。しかし、この場合は複数
の処理塔で使用する処理液に大量のものが必要、
大量の処理液の常時補給が必要などの問題があつ
て実現が難しかつた。
ハ 考案の目的
本考案は上記従来問題点に鑑みてなされたもの
で、廃ガスと処理液とが反応して非液状物が生成
されてもこれを効果的に排除して長期連続運転を
可能にし、且つ、処理液の有効利用で設備的、経
済的に有利な廃ガス処理装置を提供することを目
的とする。
で、廃ガスと処理液とが反応して非液状物が生成
されてもこれを効果的に排除して長期連続運転を
可能にし、且つ、処理液の有効利用で設備的、経
済的に有利な廃ガス処理装置を提供することを目
的とする。
ニ 考案の構成
本考案は処理塔を２つ使つた装置で、液処理に
より非液状物が生成される成分を持つ廃ガスを工
場の要処理排水を含む低濃度処理液で処理する第
１処理塔と、該第１処理塔からの未処理ガスを高
濃度処理液で処理する第２処理塔と、該第２処理
塔の処理液の廃液を前記要処理排水に加えた前記
第１処理塔の処理液を収納する液槽とで構成され
る。前記第１処理塔は廃ガスの主として反応によ
り非液状物を生成する成分の処理に使用され、こ
こで生成された非液状反応生成物は前記流槽へ回
収されて定期的に除去される。前記第２処理塔は
廃ガスの主として有害ガス処理に使用される。
より非液状物が生成される成分を持つ廃ガスを工
場の要処理排水を含む低濃度処理液で処理する第
１処理塔と、該第１処理塔からの未処理ガスを高
濃度処理液で処理する第２処理塔と、該第２処理
塔の処理液の廃液を前記要処理排水に加えた前記
第１処理塔の処理液を収納する液槽とで構成され
る。前記第１処理塔は廃ガスの主として反応によ
り非液状物を生成する成分の処理に使用され、こ
こで生成された非液状反応生成物は前記流槽へ回
収されて定期的に除去される。前記第２処理塔は
廃ガスの主として有害ガス処理に使用される。
ホ 実施例
本考案を上記エピタキシヤル成長装置からの廃
ガス１の処理装置に適用した実施例を第２図を参
照して説明する。第２図において、第１図と同一
内容のものには同一参照符号を付して説明は省略
する。１４は多量空気で希釈された廃ガス１を初
めに液処理する第１処理塔、１５は第１処理塔１
４からの未処理ガスを処理する第２処理塔、１６
は第２処理塔１５の上端から延びる排気管８′の
一部に連結した衝突形デミスタ、１７は第２処理
塔１５の下端に連結した循環槽、１８は第１処理
塔１４で使用する処理液１９を収納する液槽であ
る。液槽１８内の処理液１９は工場から出る洗浄
排水などの一般的な中性又は弱アルカリ性の要処
理排水１９′に循環槽１７からの高濃度NaOH液
２０を含む廃液１９″をポンプ２１にて少量ずつ
加えたもので、ポンプ２１にて少量ずつ加えたも
ので、ポンプ２１は例えば処理液１９のPHが13.0
になると運転し、PHが13.5になると停止して処理
液１９を常に13.0〜13.5のPHに保つ。
ガス１の処理装置に適用した実施例を第２図を参
照して説明する。第２図において、第１図と同一
内容のものには同一参照符号を付して説明は省略
する。１４は多量空気で希釈された廃ガス１を初
めに液処理する第１処理塔、１５は第１処理塔１
４からの未処理ガスを処理する第２処理塔、１６
は第２処理塔１５の上端から延びる排気管８′の
一部に連結した衝突形デミスタ、１７は第２処理
塔１５の下端に連結した循環槽、１８は第１処理
塔１４で使用する処理液１９を収納する液槽であ
る。液槽１８内の処理液１９は工場から出る洗浄
排水などの一般的な中性又は弱アルカリ性の要処
理排水１９′に循環槽１７からの高濃度NaOH液
２０を含む廃液１９″をポンプ２１にて少量ずつ
加えたもので、ポンプ２１にて少量ずつ加えたも
ので、ポンプ２１は例えば処理液１９のPHが13.0
になると運転し、PHが13.5になると停止して処理
液１９を常に13.0〜13.5のPHに保つ。
第１処理塔１４内には液槽１８からポンプ２２
を介して延びる配管２３より分岐したスプレー管
２４と、第１処理塔１４に供給された廃ガス１を
分散させるスダレ状物２５が収納されて、廃ガス
１はスダレ状物２５の間を通る間に上のスプレー
管２４から吹き付けられた比較的低濃度の処理液
１９に触れて反応し第１の処理が行われる。この
第１処理塔１４での廃ガス処理はSiCl4，SiH4等
のSi反応物の処理がメインで、ここでは大量の処
理液１９を使つて行われ、生成された反応生成物
は第１処理塔１４の底から配管２６を通つて液槽
１８内へ送られる。尚、処理液１９は半導体製造
工場などの工場において元々大量にある要処理排
水１９′に第２処理塔１５の使用済み廃液１９″を
加えたものであつて、これの大量使用は設備的、
材料コスト的に何ら問題無く、逆に工場排水の有
効利用ができ、更に工場排水にNaOHを含む廃
液１９″を加えることにより工場排水の処理に役
立つ。
を介して延びる配管２３より分岐したスプレー管
２４と、第１処理塔１４に供給された廃ガス１を
分散させるスダレ状物２５が収納されて、廃ガス
１はスダレ状物２５の間を通る間に上のスプレー
管２４から吹き付けられた比較的低濃度の処理液
１９に触れて反応し第１の処理が行われる。この
第１処理塔１４での廃ガス処理はSiCl4，SiH4等
のSi反応物の処理がメインで、ここでは大量の処
理液１９を使つて行われ、生成された反応生成物
は第１処理塔１４の底から配管２６を通つて液槽
１８内へ送られる。尚、処理液１９は半導体製造
工場などの工場において元々大量にある要処理排
水１９′に第２処理塔１５の使用済み廃液１９″を
加えたものであつて、これの大量使用は設備的、
材料コスト的に何ら問題無く、逆に工場排水の有
効利用ができ、更に工場排水にNaOHを含む廃
液１９″を加えることにより工場排水の処理に役
立つ。
第２処理塔１５は第１図の処理塔４からマツト
状デミスタ９を取り除いたものとほぼ同様な構造
で、スプレー管２７、充填物２８を内蔵し、充填
物２８の下方に第１処理塔１４からの未処理ガス
が送られてくる。第２処理塔１５はスプレー管２
７から高濃度のNaOH液２０を少量散布して充
填物２８間で上述未処理ガスの主としてHClガス
を無害処理する。尚、循環槽１７内のNaOH液
２０はポンプ２９でスプレー管２７に送られ、ま
た循環槽１７の底に溜つたものと、循環槽１７を
オーバフローするものは配管３０，３１′を通し
て液槽１８の横の廃液槽１８′に廃液１９″として
供給される。
状デミスタ９を取り除いたものとほぼ同様な構造
で、スプレー管２７、充填物２８を内蔵し、充填
物２８の下方に第１処理塔１４からの未処理ガス
が送られてくる。第２処理塔１５はスプレー管２
７から高濃度のNaOH液２０を少量散布して充
填物２８間で上述未処理ガスの主としてHClガス
を無害処理する。尚、循環槽１７内のNaOH液
２０はポンプ２９でスプレー管２７に送られ、ま
た循環槽１７の底に溜つたものと、循環槽１７を
オーバフローするものは配管３０，３１′を通し
て液槽１８の横の廃液槽１８′に廃液１９″として
供給される。
第２処理塔１５でのガス処理は第１処理塔１４
を通過したものに対して行われるので、第２処理
塔１５での反応生成物の発生量は同一運転時間に
おいて従来より少なく、発生した反応生成物は排
気管８′通つてデミスタ１６に入る。従つて第２
処理塔１５内での反応生成物の詰まりの問題が軽
減されて、第２処理塔１５を長期連続運転させる
ことができる。
を通過したものに対して行われるので、第２処理
塔１５での反応生成物の発生量は同一運転時間に
おいて従来より少なく、発生した反応生成物は排
気管８′通つてデミスタ１６に入る。従つて第２
処理塔１５内での反応生成物の詰まりの問題が軽
減されて、第２処理塔１５を長期連続運転させる
ことができる。
上記デミスタ１６は蛇行状ガス流路を重ねた衝
突型のもので、そのガス入口３１には第１処理塔
１４に処理液１９を供給する配管２３を延長させ
た先端にタイマー付バルブ３２を介し連結したス
プレーノズル３３がガス流方向に向け配置され
る。スプレーノズル３３からはタイマー付バルブ
３２の開閉で間欠的に処理液１９がスプレーされ
て、デミスタ１６に付着した反応生成物等を洗い
流す。デミスタ１６の底部と液槽１８は１本の配
管３４で連結され、デミスタ１６内にスプレーさ
れた処理液１９は配管３４を通つて反応生成物と
共に液槽１８内へ回収される。
突型のもので、そのガス入口３１には第１処理塔
１４に処理液１９を供給する配管２３を延長させ
た先端にタイマー付バルブ３２を介し連結したス
プレーノズル３３がガス流方向に向け配置され
る。スプレーノズル３３からはタイマー付バルブ
３２の開閉で間欠的に処理液１９がスプレーされ
て、デミスタ１６に付着した反応生成物等を洗い
流す。デミスタ１６の底部と液槽１８は１本の配
管３４で連結され、デミスタ１６内にスプレーさ
れた処理液１９は配管３４を通つて反応生成物と
共に液槽１８内へ回収される。
次に上記実施例による具体的運転条件例を述べ
る。
る。
第１処理塔１４、
処理液流量 1.2／Ｈ（時間）
処理液PH 13.0〜13.5
第２処理塔１５
NaOH液全量 ６トン
NaOH液流量 1.0／Ｈ
NaOH液交換 1.44m3／日
（オーバフロー分）
NaOH液全量交換 14〜21日ごと
デミスタ１６
洗浄タイミング 停止20分
（運転タイミング）
運転１分
以上の運転により連続運転時間が従来の３倍以
上も長くできることが分る。
上も長くできることが分る。
尚、本考案はエピタキシヤル成長装置からの廃
ガスの処理装置に限らない。
ガスの処理装置に限らない。
ヘ 考案の効果
以上のように本考案によれば廃ガス処理の長期
連続運転化が可能であり、稼動率の良い廃ガス処
理装置が提供できる。また、第１処理塔の処理液
に工場の要処理排水を利用したので、大量使用に
よるガス処理能力の向上化が可能であり、また処
理液の材料コストの節減化が図れる。
連続運転化が可能であり、稼動率の良い廃ガス処
理装置が提供できる。また、第１処理塔の処理液
に工場の要処理排水を利用したので、大量使用に
よるガス処理能力の向上化が可能であり、また処
理液の材料コストの節減化が図れる。
第１図は従来の廃ガス処理装置の概略構成図、
第２図は本考案の一実施例を示す概略構成図であ
る。 １……廃ガス、１４……第１処理塔、１５……
第２処理塔、１８……液槽、１９……処理液、１
９′……要処理排水、１９″……廃液、２０……処
理液（NaOH液）。
第２図は本考案の一実施例を示す概略構成図であ
る。 １……廃ガス、１４……第１処理塔、１５……
第２処理塔、１８……液槽、１９……処理液、１
９′……要処理排水、１９″……廃液、２０……処
理液（NaOH液）。
Claims (1)
- 液処理により非液状物が生成される成分を持つ
廃ガスを工場の要処理排水を含む低濃度処理液で
処理する第１処理塔と、該第１処理塔からの未処
理ガスを高濃度処理液で処理する第２処理塔と、
該第２処理塔の処理液の廃液を前記要処理排水に
加えた前記第１処理塔の処理液を収納する液槽と
を具備したことを特徴とする廃ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2944984U JPS60140633U (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 廃ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2944984U JPS60140633U (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 廃ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140633U JPS60140633U (ja) | 1985-09-18 |
| JPH0222022Y2 true JPH0222022Y2 (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=30528264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2944984U Granted JPS60140633U (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 廃ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140633U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11156139A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Toshiba Corp | 外気処理装置及び外気清浄化システム |
| JP5964740B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| JP5896929B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-03-30 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の廃ガス処理システムおよび廃ガス処理方法 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP2944984U patent/JPS60140633U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140633U (ja) | 1985-09-18 |
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