JPH02220437A - アッシング装置 - Google Patents
アッシング装置Info
- Publication number
- JPH02220437A JPH02220437A JP3931789A JP3931789A JPH02220437A JP H02220437 A JPH02220437 A JP H02220437A JP 3931789 A JP3931789 A JP 3931789A JP 3931789 A JP3931789 A JP 3931789A JP H02220437 A JPH02220437 A JP H02220437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- ashing
- downflow
- refrigerant
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアッシング装置、特にダウンフローアッシング
装置に用いられる0リングの腐食を防止する構成とした
改良に関する。
装置に用いられる0リングの腐食を防止する構成とした
改良に関する。
3、発明の詳細な説明
〔概要〕
アッシング族!、特にダウンフローアッシング装置に用
いられるOリングの腐食を防止する構成とした改良に関
し、 マイクロ波プラズマを利用するダウンフローアッシング
に用いる装置において、ラジカルによるOリングの腐食
が防止される構成のダウンフロー(従来の技術) 近年、ダウンフローアッシングがダメージのないアッシ
ング装置として広く使用されるようになった。本発明実
施例の図である第1図を参照すると、22はマイクロ波
発振器、23は導波管、24は石英板、13はアッシン
グガス導入口、15はプラズマ発生室、16はパンチン
グボード、11はウェハ、12はステージであり、この
装置でマイクロ波発振器22で発生されるマイクロ波を
利用してプラズマ発生室15内にプラズマを発生させ、
アッシングガス導入口13から導入されるNF、ガスを
活性化し、それにH20ガスを添加してウェハ11上に
塗布されたレジストをアッシング(灰化)する。図示の
装置ではパンチングボード16を設けてプラズマ発生室
で発生するプラズマの内でラジカルのみがこれを通り抜
けてレジストと反応してアッシングがなされる構成とな
っていて、ウェハにダメージを与えることがないアッシ
ング装置として使用されるものである。
いられるOリングの腐食を防止する構成とした改良に関
し、 マイクロ波プラズマを利用するダウンフローアッシング
に用いる装置において、ラジカルによるOリングの腐食
が防止される構成のダウンフロー(従来の技術) 近年、ダウンフローアッシングがダメージのないアッシ
ング装置として広く使用されるようになった。本発明実
施例の図である第1図を参照すると、22はマイクロ波
発振器、23は導波管、24は石英板、13はアッシン
グガス導入口、15はプラズマ発生室、16はパンチン
グボード、11はウェハ、12はステージであり、この
装置でマイクロ波発振器22で発生されるマイクロ波を
利用してプラズマ発生室15内にプラズマを発生させ、
アッシングガス導入口13から導入されるNF、ガスを
活性化し、それにH20ガスを添加してウェハ11上に
塗布されたレジストをアッシング(灰化)する。図示の
装置ではパンチングボード16を設けてプラズマ発生室
で発生するプラズマの内でラジカルのみがこれを通り抜
けてレジストと反応してアッシングがなされる構成とな
っていて、ウェハにダメージを与えることがないアッシ
ング装置として使用されるものである。
上記した構成によって得られるラジカルの内でレジスト
と反応しなかったラジカルは、排気される過程において
、気密用に使用される合成ゴムでできたOリング17の
ゴムを腐食し、そうなると人体に危険な排気ガスが漏れ
るおそれがあるので定期的にOリングを点検して腐食し
たOリングを交換することが行なわれる。そのような点
検、交換の作業に加えて、腐食されたOリングのゴムか
ら発生するゴミがウェハ上に付着する問題があり、最近
のLSIの製造においてはゴミの発生が製品の高集積化
、信頼性に悪影響を及ぼすので、か\るゴミの発生は最
小限に抑えることが要請される。
と反応しなかったラジカルは、排気される過程において
、気密用に使用される合成ゴムでできたOリング17の
ゴムを腐食し、そうなると人体に危険な排気ガスが漏れ
るおそれがあるので定期的にOリングを点検して腐食し
たOリングを交換することが行なわれる。そのような点
検、交換の作業に加えて、腐食されたOリングのゴムか
ら発生するゴミがウェハ上に付着する問題があり、最近
のLSIの製造においてはゴミの発生が製品の高集積化
、信頼性に悪影響を及ぼすので、か\るゴミの発生は最
小限に抑えることが要請される。
そこで本発明は、マイクロ波プラズマを利用するダウン
フローアッシングに用いる装置において、ラジカルによ
るOリングの腐食が防止される構成のダウンフローアッ
シング装置を提供することを目的とする。
フローアッシングに用いる装置において、ラジカルによ
るOリングの腐食が防止される構成のダウンフローアッ
シング装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段]
上記課題は、水蒸気を混合したアッシングガスを用いる
アッシングの装置において、0リングを、冷媒循環器に
より循環される冷媒により一40℃〜60℃の範囲の温
度に冷却する構成としたことを特徴とするアッシング装
置によって解決される。
アッシングの装置において、0リングを、冷媒循環器に
より循環される冷媒により一40℃〜60℃の範囲の温
度に冷却する構成としたことを特徴とするアッシング装
置によって解決される。
従来のダウンフローアッシング装置は、ダウンフロー中
のOリングを腐食から守る対策を施してなく、レジスト
と反応しなかったラジカルがダウンフロー中の0リング
のゴムと反応をおこして0リングが腐食したのであるが
、本発明においては、0リングの温度を一50℃前後に
冷却し、それによってラジカルと0リングのゴムとの反
応を抑制し、Oリングの腐食を防止するものである。
のOリングを腐食から守る対策を施してなく、レジスト
と反応しなかったラジカルがダウンフロー中の0リング
のゴムと反応をおこして0リングが腐食したのであるが
、本発明においては、0リングの温度を一50℃前後に
冷却し、それによってラジカルと0リングのゴムとの反
応を抑制し、Oリングの腐食を防止するものである。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第1図は本発明実施例(実施例1)の構成図で、図中、
11はウェハ、12はステージ、13はアッシングガス
導入口、14はH!0ガス導入口、15はプラズマ発生
室、16はパンチングボード、17はOリング、18は
Oリング冷却器、19は冷媒循環器、20は排気管、2
1は真空ポンプ、22はマイクロ波発振器、23は導波
管、24は石英板で、プラズマ発生室15で発生するプ
ラズマの内ラジカルのみがパンチングボード16を通り
ぬけてウェハ上のレジストと反応し、アッシングが行な
われる0本発明では0リング17を冷却することによっ
てそれを腐食から守るものであり、冷媒はOリング冷却
器18中を循環して0リングを冷却するもので、そのた
めにこの冷媒を0リング冷却器18を経由して循環させ
る。
11はウェハ、12はステージ、13はアッシングガス
導入口、14はH!0ガス導入口、15はプラズマ発生
室、16はパンチングボード、17はOリング、18は
Oリング冷却器、19は冷媒循環器、20は排気管、2
1は真空ポンプ、22はマイクロ波発振器、23は導波
管、24は石英板で、プラズマ発生室15で発生するプ
ラズマの内ラジカルのみがパンチングボード16を通り
ぬけてウェハ上のレジストと反応し、アッシングが行な
われる0本発明では0リング17を冷却することによっ
てそれを腐食から守るものであり、冷媒はOリング冷却
器18中を循環して0リングを冷却するもので、そのた
めにこの冷媒を0リング冷却器18を経由して循環させ
る。
本発明においてOリングを冷却する理由は次の原理に基
づく9本発明者の実験の結果は第2図に示され、この図
は、NF、にH!0を添加してレジストをアッシングし
たときのレジストエツチングレートとウェハの温度の関
係を示すもので、横軸にウェハ温度(”C)を、縦軸に
エツチングレート(μIl/5in)をとる。
づく9本発明者の実験の結果は第2図に示され、この図
は、NF、にH!0を添加してレジストをアッシングし
たときのレジストエツチングレートとウェハの温度の関
係を示すもので、横軸にウェハ温度(”C)を、縦軸に
エツチングレート(μIl/5in)をとる。
実験では、レジストは一50℃程度に冷却するとアッシ
ングされないことが判明した。このことから、0リング
はそれを一50℃程度に冷却すれば、アッシングされな
い、すなわち腐食されないことが確かめられた。その理
由は、アッシングとは、有機化合物を酸化して取除くこ
とであり、レジストも0リングのゴムも有機化合物だか
らである。
ングされないことが判明した。このことから、0リング
はそれを一50℃程度に冷却すれば、アッシングされな
い、すなわち腐食されないことが確かめられた。その理
由は、アッシングとは、有機化合物を酸化して取除くこ
とであり、レジストも0リングのゴムも有機化合物だか
らである。
第1図の冷媒循環器19の詳細は第3図に示される。0
リング17は金属板リング17aにゴム17bがはめ込
まれた構造のもので、ゴムの材質は一80℃まで使用可
能なりロロシリコンゴムを用いた。25は冷媒循環管で
、それはOリング17の金属板リング17aに密着させ
、断熱材26には発泡性スチロール系のものを使用した
。27はジヨイントで冷媒循環管25と冷媒循環器19
とを連結し、接合器28は排気管20と装置の排気口2
9とを、接合ねじ30と接合ねし受け31を用いて接合
し、ジゴイント受け32はジヨイント27を受ける。
リング17は金属板リング17aにゴム17bがはめ込
まれた構造のもので、ゴムの材質は一80℃まで使用可
能なりロロシリコンゴムを用いた。25は冷媒循環管で
、それはOリング17の金属板リング17aに密着させ
、断熱材26には発泡性スチロール系のものを使用した
。27はジヨイントで冷媒循環管25と冷媒循環器19
とを連結し、接合器28は排気管20と装置の排気口2
9とを、接合ねじ30と接合ねし受け31を用いて接合
し、ジゴイント受け32はジヨイント27を受ける。
冷媒循環器19には、伯東■が代理店として販売してい
る「ポリコールドチラーP−20Jを使用した。この装
置で得られる温度は一40℃〜−60℃で、冷却は不燃
性の冷媒を循環させる方法を用いた。
る「ポリコールドチラーP−20Jを使用した。この装
置で得られる温度は一40℃〜−60℃で、冷却は不燃
性の冷媒を循環させる方法を用いた。
なお前記したポリコールドチラーP−20は、真空装置
のオイルバック防止用のバッフルやフォーライントラツ
ブ用の冷却装置としても用いられているものである。
のオイルバック防止用のバッフルやフォーライントラツ
ブ用の冷却装置としても用いられているものである。
本発明の実施例2は第4図に示され、図中、41はウェ
ハ、42はステージ、43はアッシングガス導入口、4
4はH20ガス導入口、45はプラズマ発生室、47は
Oリング、48はOリング冷却器、49は冷媒循環器、
50は排気管、51は真空ポンプ、52はマイクロ波発
振器、53は導波管、54は導波管終端で、この装置は
プラズマ発生室の構造が第1図の例と異なり、パンチン
グボードを用いないものである。
ハ、42はステージ、43はアッシングガス導入口、4
4はH20ガス導入口、45はプラズマ発生室、47は
Oリング、48はOリング冷却器、49は冷媒循環器、
50は排気管、51は真空ポンプ、52はマイクロ波発
振器、53は導波管、54は導波管終端で、この装置は
プラズマ発生室の構造が第1図の例と異なり、パンチン
グボードを用いないものである。
上記した装置を用いてウェハ100枚を連続してアッシ
ングを行い、90枚目から100枚目までのウェハ上の
ゴミの数を比較した結果は下記の表1に示される。なお
、従来のアッシング装置としては、第1図の実施例のア
ッシング装置からOリング冷却器18、冷媒循環器19
を取り外した装置を使用した。
ングを行い、90枚目から100枚目までのウェハ上の
ゴミの数を比較した結果は下記の表1に示される。なお
、従来のアッシング装置としては、第1図の実施例のア
ッシング装置からOリング冷却器18、冷媒循環器19
を取り外した装置を使用した。
実施例1 17個 30個実施例2
20個 40個従来例 98個
150個 〔平均値は90枚目から100枚目までのウェハの値を
平均して求めた。] 〔ゴミは粒径0.3μ請以上のものを数えた。〕比較の
結果、実施例1と実施例2のアッシング装置は従来例に
比べ、ゴミの数が少ないことが確かめられたが、このこ
とは、実施例1と2のアッシング装置はOリングを冷却
することにより、従来のアッシング装置に比べ、0リン
グ腐食が原因の発塵を抑えることができたことを示すも
のである。
20個 40個従来例 98個
150個 〔平均値は90枚目から100枚目までのウェハの値を
平均して求めた。] 〔ゴミは粒径0.3μ請以上のものを数えた。〕比較の
結果、実施例1と実施例2のアッシング装置は従来例に
比べ、ゴミの数が少ないことが確かめられたが、このこ
とは、実施例1と2のアッシング装置はOリングを冷却
することにより、従来のアッシング装置に比べ、0リン
グ腐食が原因の発塵を抑えることができたことを示すも
のである。
以上の例はダウンフローアッシング装置について説明し
たが、本発明はその他のアッシング装置にも適用され、
また、0リング17.47は排気口のみならず第1図と
第4図に破線で示すようにその他の気密のためのOリン
グなどにも及ぶものであり、その場合には、冷媒循環器
19.49は第1図と第4図に破線で示すように追加的
に連結することができる。
たが、本発明はその他のアッシング装置にも適用され、
また、0リング17.47は排気口のみならず第1図と
第4図に破線で示すようにその他の気密のためのOリン
グなどにも及ぶものであり、その場合には、冷媒循環器
19.49は第1図と第4図に破線で示すように追加的
に連結することができる。
以上のように本発明によれば、ダウンフロー中のOリン
グを腐食させることなくダウンフローアッシングを行う
ことができ、ダウンフローアッシング装置の性能向上に
有効である。
グを腐食させることなくダウンフローアッシングを行う
ことができ、ダウンフローアッシング装置の性能向上に
有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例1の構成図、
第2図は本発明の原理説明図、
第3図は冷媒循環器の構造を示す図、
第4図は本発明実施例2の構成図である。
図中、
11はウェハ、
12はステージ、
13はアッシングガス導入口、
14はUZOガス導入口、
15はプラズマ発生室、
16はパンチングボード、
17は0リング、
18はOリング冷却器、
19は冷媒循環器、
20は排気管、
21は真空ポンプ、
22はマイクロ波発振器、
23は導波管、
24は石英板、
25は冷媒循環管、
26は断熱材、
27はジヨイント、
28は接合器、
29は排気口、
30は接合ねじ、
31は接合ねし受け、
32はジヨイント受け
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水蒸気を混合したアッシングガスを用いるアッシングの
装置において、 Oリング(17)を、冷媒循環器(9)により循環され
る冷媒により−40℃〜−60℃の範囲の温度に冷却す
る構成としたことを特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3931789A JPH02220437A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3931789A JPH02220437A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220437A true JPH02220437A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12549734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3931789A Pending JPH02220437A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220437A (ja) |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP3931789A patent/JPH02220437A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100891754B1 (ko) | 기판 처리실의 세정 방법, 기억 매체 및 기판 처리실 | |
| JPH0729885A (ja) | 半導体製造装置及びそれを使用する半導体製造方法 | |
| KR100263958B1 (ko) | 삼불화 질소-산소를 사용한 가열 세정 방법 | |
| CN101764044A (zh) | 等离子装置工艺腔预处理的方法 | |
| EP0517430B1 (en) | Plasma based soldering | |
| JPH07147273A (ja) | エッチング処理方法 | |
| JP2003174016A (ja) | 真空処理装置 | |
| WO2010021508A2 (ko) | 반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치 | |
| JP3222859B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4632316B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0425222Y2 (ja) | ||
| JPH0352217B2 (ja) | ||
| Franklin et al. | Megasonic cleaning of sensitive structures | |
| JPS63100186A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| KR100724184B1 (ko) | 반도체 제조용 세라믹 설비부품의 오염물질 제거 방법 | |
| JP2004304035A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| KR20030000120A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| JPS6122628A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2002353206A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100332156B1 (ko) | 반도체 제조공정가스 정화처리장치 | |
| JP3930691B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| US20150155141A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH0775198B2 (ja) | マイクロ波処理装置 | |
| JPS58213429A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS59125628A (ja) | マイクロ波処理装置 |