JPH02220489A - 位相シフト回折格子の製造方法 - Google Patents
位相シフト回折格子の製造方法Info
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- JPH02220489A JPH02220489A JP4247689A JP4247689A JPH02220489A JP H02220489 A JPH02220489 A JP H02220489A JP 4247689 A JP4247689 A JP 4247689A JP 4247689 A JP4247689 A JP 4247689A JP H02220489 A JPH02220489 A JP H02220489A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
この発明は位相シフト回折格子の製造方法に関するもの
であり、特に半導体レーザに用いられる位相シフト回折
格子の製造方法に関するものである。 ［従来の技術］ 第４図はλ／４位相シフト回折格子が設けられた半導体
レーザ１の断面図である。第４図に示すようにこの半導
体レーザ１はｎ型のＩｎＰ基板２とｐ型のＩｎＰ基板３
とでＩｎＧａＡｓＰ層４ａとＩｎＧａＡｓＰ層４ｂとを
サンドイッチした構造をしている。ＩｎＧａＡｓＰ層４
ａとＩ ｎＧａＡｓＰ層４ｂとは構成する元素は同じだ
が、各元素の混合している割合が違う。ＩｎＧａＡｓＰ
層４ａが活性層となる。ｐ型のＩｎＰ基板３の表面にλ
／４位相シフト回折格子而５が形成されている。 λ／４位相シフト回折格子について第５図を用いて説明
する。第５図は第４図に示されたλ／４位相シフト回折
格子面５の拡大図である。 λ／４位相シフト回折格子面５は谷と谷とのピッチ６の
整数倍が波長となる光を選択的に反射する。つまり光７
を選択的に反射する。この場合すべての谷と谷とのピッ
チが同じならば反射された光と反射されていない光とが
干渉し合い、光７を打ち消してしまう。そこでピッチ６
に比べて光７の波長λの４分の１の長さだけ長いピッチ
８となる箇所を設けている。 従来のλ／４位相シフト回折格子の製造方法について第
６Ａ図から第６Ｆ図を用いて説明する。 まず、第６Ａ図に示すようにＩｎＰ基板１１の主表面上
にポジレジスト１２、中間層１３およびネガレジスト１
４を塗布する。中間層１３はポジレジスト１２とネガレ
ジスト１４が混じり合うのを防ぐためものである。 次に、第６Ｂ図に示すようにネガレジスト１４の半分を
露光、現像により除去する。そしてＨ２ＳＯ４溶液で中
間層１３の半分とポジレジスト１２の半分をエツチング
して、除去する。 次に、第６Ｃ図に示すようにポジレジスト１２、中間層
１３およびネガレジスト１４が除去されたＩｎＰ基板１
１上にネガレジスト１５を塗布する。 さらに、ネガレジスト１４と１５の上にポリビニールア
ルコール１６を塗布する。ポリビニールアルコール１６
はネガレジスト１４と１５が酸化するのを防ぐためのも
のである。 次に、第６Ｄ図に示すように光１７ａと光１７ｂを干渉
させることにより、干渉波を発生させる。 １８はこの干渉波の干渉縞を示している。この干渉波で
ポジレジスト１２とネガレジスト１５の露光を行なう。 干渉波のうち一定以上の光の強さの部分しか露光に使わ
れない。したがって第６Ｄ図に示すようにハツチングで
示した部分が露光される。 そして、これを現像すると第６Ｅ図に示すようにネガレ
ジスト１５は露光部分が残り、ポジレジスト１２は未露
光部分が残る。 最後に、第６Ｆ図に示すように残ったネガレジスト１５
とポジレジスト１２とをマスクにし、ＩｎＰ基板１１を
エツチングして回折格子面１９を形成する。そしてネガ
レジスト１７４位相シフト１５とポジレジスト１２とを
除去し、λ／４位相シフト回折格子を完成する。この方
法ではネガレジストとポジレジストの性質の違いを利用
して基板上に残存させるレジストの位相をシフトさせて
いる。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、ネガレジスト１５とポジレジスト１２とが接す
る部分ではネガレジスト１５とポジレジスト１２とが混
ざり合う可能性がある。このような状態で露光、現像を
行なうと第７Ａ図に示すようにネガレジストとポジレジ
ストが混じり合った部分２０が広範囲に残る。このよう
な状態でエツチングをし回折格子を形成すると、第７Ｂ
図に示すように回折格子が形成されない部分、つまり遷
移幅２１ができる。 第７Ｂ図に示すような回折格子を半導体レーザに用いる
と、遷移幅２１の部分では特定波長の光を選択できなく
なる。したがって半導体レーザの光の選択性が弱くなる
。 したがって、この発明はかかる従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的は遷移幅が生じない位
相シフト回折格子の製造方法を提供することである。 ［課題を解決するための手段］ この発明はム射した光のうち特定の波長の第１の光を選
択する第１の回折格子面と、第１の光に対して同じ波長
で位相がずれている第２の光を選択する第２の回折格子
面とを備えた位相シフト回折格子の製造方法である。 この発明は、基板の主表面上にフォトレジストを塗布す
る工程と、第１の回折格子面となるべき領域の上に位置
するフォトレジストを干渉波によって露光する工程と、
露光処理後に、基板を干渉波の干渉縞の並んだ方向に所
定の距離だけ移動させる工程と、基板の移動後に第２の
回折格子面となるべき領域の上に位置するフォトレジス
トを干渉波によって露光する工程と、フォトレジストを
現像することによって所定のレジストパターンを形成す
る工程と、レジストパターンをマスクとして基板の主表
面をエツチングすることによって第１および第２の回折
格子面を形成する工程と、を備えている。 ［作用〕 この発明は、基板を移動させることにより基板上に残存
させるフォトレジストの位相をシフトさせている。した
がってフォトレジストとしてはネガレジストとポジレジ
ストのうち、どちらかＩＦＩｉのみを用いることができ
る。よってネガレジストとポジレジストが混ざり合い、
現像後基板上にレジストが広範囲に残存することはない
。 ［実施例］ この発明の一実施例を用いて半導体レーザ用のλ／４位
相シフト回折格子を製造した。この製造工程を第１Ａ図
から第１Ｇ図を用いて説明する。 第１Ａ図に示すように、ネガレジスト３２が塗布された
ＩｎＰ基板３１を用意し、それを圧電素子３３の上に置
いた。ネガレジスト３２の上にはフォトマスク３４を置
いた。 フォトマスク３４の光遮断部３５の下に位置するフォト
レジストは露光されず、光透過部３６の下に位置するフ
ォトレジストは露光される。この実施例ではネガレジス
ト３２の半分が露光され、他の半分が未露光になるよう
に、光遮断部３５と光透過部３６が形成されている。フ
ォトマスク３４は図示しないマスクホルダに嵌め込まれ
ている。 マスクホルダは図示しないステップモータに接続されて
いる。したがってフォトマスク３４の移動はステップモ
ータによって行なう。ステップモータは所定のパルスを
送るとその軸が所定の角度回転するモータである。 圧電素子３３は第１Ａ図から見ると右側の部分が図示し
ない圧電素子固定治具で固定されている。 したがって圧電素子電源から電圧を印加すると、圧電素
子３３は第１Ａ図で示す矢印入方向に膨張する。圧電素
子３３によってＩｎＰ基板３１を移動させる。 次に、第１Ｂ図に示すように光３７ａと３７ｂとを干渉
させ、干渉波を発生させる。３８は干渉波の干渉縞を示
す。干渉波によってネガレジスト３２のうち３９ａと３
９ｂの部分が露光された。 次に第１Ｃ図に示すように、光遮断部３５のあった部分
に光透過部３６がくるようにし、光透過部３６のあった
部分に光遮断部３５がくるように、フォトマスク３４を
ステップモータによって矢印Ｂ方向に移動させた。 次に、第１Ｄ図に示すように圧電索子３３を干渉縞３８
と同一方向である矢印入方向に膨張させることにより、
ＩｎＰ基板３１を矢印Ａ方向にλ／４移動させた。λと
は回折格子面で反射させたい光の波長のことである。 次に、第１Ｅ図に示すように、光３７ａと３７ｂとを干
渉させることにより、干渉波を発生させ、ネガレジスト
３２のうち３９ｃと３９ｄの部分の露光を行なった。 次に、第１Ｆ図に示すようにネガレジスト３２の現像を
行なった。そして残ったネガレジスト３９ ａ、 ３
９ ｂ、 ３９ ｃおよび３９ｄをマスクとしてウェ
ットエツチングを行ない、λ／４位相シフト回折格子面
４０をＩｎＰ基板３１の上に形成した。 次に第１Ｇ図に示すようにネガレジスト３９ａ１３９ｂ
、３９ｃおよび３９ｄを除去し、ＩｎＰｌ板３１板面１
表面上４位相シフト回折格子面を完成させた。 この実施例によれば、従来よりもλ／４位相シフト回折
格子の製造工程を短縮することができる。 したがってこの実施例にはλ／４位相シフト回折格子の
生産性が向上するという特有の効果もある。 なお、この実施例においてはフォトマクス３４を移動さ
せることにより光遮断部３５と光透過部３６との反転を
行なったが、次のような方法でも構わない。 まず第２Ａ図に示す光遮断部４２ａと光透過部４２ｂを
有するフォトマスク４１をネガレジストの上に置き、露
光を行なう。次にフォトマスク４１をネガレジストの上
から取り去り、基板を先程の実施例と同じ方向に移動さ
せる。そしてフォトマスク４１どは光遮断部４２ａと光
透過部４２ｂとが反転したフォトマスク４３をネガレジ
ストの上に置き露光を行なう。 なお、この実施例においてはフォトマスク３４の移動を
ステップモータによって行なった。通常のモータを用い
る場合は第３図に示すような方法によって行なう。 第３図に示すように、光遮断部５２ａと光透過部５２ｂ
とを有するフォトマスク５１の上に金属製の光反射膜５
３ａと５３ｂとを設ける。光反射膜５３ａは光遮断部５
２ａの端部に位置するフォトマスク５１上に設けられ、
光反射１１１５３ｂは光透過部５２ｂの端部に位置する
フォトマスク５１上に設けられる。レーザ発生装置５４
とフォトマスク５１の間にはハーフミラ−５５と集光レ
ンズ５６を設ける。ハーフミラ−５５が光を反射する位
置にセンサの役目を果たすディテクタ５７が設置されて
いる。 次に、通常のモータを用いてフォトマスク５１を移動さ
せる方法について第３図を用いて説明する。 まず、レーザ発生装置５４からレーザ５８を発生させる
。レーザ５８は矢印Ｃ方向に移動する。 レーザ５８を発生させると同時にフォトマスク５１はモ
ータによって矢印り方向に移動させる。 光反射膜５３ａがレーザ発生装置５４の下にくると、レ
ーザ５８は光反射膜５３ａによって矢印Ｅ方向に反射さ
れる。矢印Ｅ方向に反射されたレーザ５８は集光レンズ
５６によって集光され、ハーフミラ−５５によって矢印
Ｆ方向に反射される。 矢印Ｆ方向に反射されたレーザ５８はディテクタ５７に
よって感知され、ディテクタ５７からの信号によってモ
ータを停止させる。したがってフォトマスク５１は光反
射膜５３ａがレーザ発生装置５４の下の位置にきたとき
停止する。 次にレーザ発生装置５４からレーザ５８を発生させる。 同時にフォトマスク５１をモータによって矢印り方向に
移動させる。そして光反射膜５３ｂがレーザ発生装置５
４の下にきたとき、フォトマスク５１は先はどと同じ動
作によって停止する。 以上のような方法によってフォトマスク５１の移動を行
なうことができる。 なおこの実施例においてはＩｎＰ基板をλ／４移動させ
回折格子の位相をλ／４シフトさせたが、この発明にお
いてはこれに限定されるわけではなく、回折格子の位相
をシフトさせたい量だけＩｎＰ基板を移動させればよい
。 この実施例においては、半導体レーザ用のλ／４位相シ
フト回折格子を製造したが、この発明においてはこれに
限定されるわけではなく、他の用途に用いる位相シフト
回折格子も製造できる。 ［発明の効果］ この発明の方法によれば、基板を移動させることにより
基板上に残存させるフォトレジストの位相をシフトさせ
ている。よって位相シフト回折格子を形成する際にマス
クとするフォトレジストはネガレジストとポジレジスト
のうちどちらか一方のみでよい。したがってネガレジス
トとポジレジストが混ざり合うことにより回折格子が形
成されない遷移幅ができるということはなくなる。
であり、特に半導体レーザに用いられる位相シフト回折
格子の製造方法に関するものである。 ［従来の技術］ 第４図はλ／４位相シフト回折格子が設けられた半導体
レーザ１の断面図である。第４図に示すようにこの半導
体レーザ１はｎ型のＩｎＰ基板２とｐ型のＩｎＰ基板３
とでＩｎＧａＡｓＰ層４ａとＩｎＧａＡｓＰ層４ｂとを
サンドイッチした構造をしている。ＩｎＧａＡｓＰ層４
ａとＩ ｎＧａＡｓＰ層４ｂとは構成する元素は同じだ
が、各元素の混合している割合が違う。ＩｎＧａＡｓＰ
層４ａが活性層となる。ｐ型のＩｎＰ基板３の表面にλ
／４位相シフト回折格子而５が形成されている。 λ／４位相シフト回折格子について第５図を用いて説明
する。第５図は第４図に示されたλ／４位相シフト回折
格子面５の拡大図である。 λ／４位相シフト回折格子面５は谷と谷とのピッチ６の
整数倍が波長となる光を選択的に反射する。つまり光７
を選択的に反射する。この場合すべての谷と谷とのピッ
チが同じならば反射された光と反射されていない光とが
干渉し合い、光７を打ち消してしまう。そこでピッチ６
に比べて光７の波長λの４分の１の長さだけ長いピッチ
８となる箇所を設けている。 従来のλ／４位相シフト回折格子の製造方法について第
６Ａ図から第６Ｆ図を用いて説明する。 まず、第６Ａ図に示すようにＩｎＰ基板１１の主表面上
にポジレジスト１２、中間層１３およびネガレジスト１
４を塗布する。中間層１３はポジレジスト１２とネガレ
ジスト１４が混じり合うのを防ぐためものである。 次に、第６Ｂ図に示すようにネガレジスト１４の半分を
露光、現像により除去する。そしてＨ２ＳＯ４溶液で中
間層１３の半分とポジレジスト１２の半分をエツチング
して、除去する。 次に、第６Ｃ図に示すようにポジレジスト１２、中間層
１３およびネガレジスト１４が除去されたＩｎＰ基板１
１上にネガレジスト１５を塗布する。 さらに、ネガレジスト１４と１５の上にポリビニールア
ルコール１６を塗布する。ポリビニールアルコール１６
はネガレジスト１４と１５が酸化するのを防ぐためのも
のである。 次に、第６Ｄ図に示すように光１７ａと光１７ｂを干渉
させることにより、干渉波を発生させる。 １８はこの干渉波の干渉縞を示している。この干渉波で
ポジレジスト１２とネガレジスト１５の露光を行なう。 干渉波のうち一定以上の光の強さの部分しか露光に使わ
れない。したがって第６Ｄ図に示すようにハツチングで
示した部分が露光される。 そして、これを現像すると第６Ｅ図に示すようにネガレ
ジスト１５は露光部分が残り、ポジレジスト１２は未露
光部分が残る。 最後に、第６Ｆ図に示すように残ったネガレジスト１５
とポジレジスト１２とをマスクにし、ＩｎＰ基板１１を
エツチングして回折格子面１９を形成する。そしてネガ
レジスト１７４位相シフト１５とポジレジスト１２とを
除去し、λ／４位相シフト回折格子を完成する。この方
法ではネガレジストとポジレジストの性質の違いを利用
して基板上に残存させるレジストの位相をシフトさせて
いる。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、ネガレジスト１５とポジレジスト１２とが接す
る部分ではネガレジスト１５とポジレジスト１２とが混
ざり合う可能性がある。このような状態で露光、現像を
行なうと第７Ａ図に示すようにネガレジストとポジレジ
ストが混じり合った部分２０が広範囲に残る。このよう
な状態でエツチングをし回折格子を形成すると、第７Ｂ
図に示すように回折格子が形成されない部分、つまり遷
移幅２１ができる。 第７Ｂ図に示すような回折格子を半導体レーザに用いる
と、遷移幅２１の部分では特定波長の光を選択できなく
なる。したがって半導体レーザの光の選択性が弱くなる
。 したがって、この発明はかかる従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的は遷移幅が生じない位
相シフト回折格子の製造方法を提供することである。 ［課題を解決するための手段］ この発明はム射した光のうち特定の波長の第１の光を選
択する第１の回折格子面と、第１の光に対して同じ波長
で位相がずれている第２の光を選択する第２の回折格子
面とを備えた位相シフト回折格子の製造方法である。 この発明は、基板の主表面上にフォトレジストを塗布す
る工程と、第１の回折格子面となるべき領域の上に位置
するフォトレジストを干渉波によって露光する工程と、
露光処理後に、基板を干渉波の干渉縞の並んだ方向に所
定の距離だけ移動させる工程と、基板の移動後に第２の
回折格子面となるべき領域の上に位置するフォトレジス
トを干渉波によって露光する工程と、フォトレジストを
現像することによって所定のレジストパターンを形成す
る工程と、レジストパターンをマスクとして基板の主表
面をエツチングすることによって第１および第２の回折
格子面を形成する工程と、を備えている。 ［作用〕 この発明は、基板を移動させることにより基板上に残存
させるフォトレジストの位相をシフトさせている。した
がってフォトレジストとしてはネガレジストとポジレジ
ストのうち、どちらかＩＦＩｉのみを用いることができ
る。よってネガレジストとポジレジストが混ざり合い、
現像後基板上にレジストが広範囲に残存することはない
。 ［実施例］ この発明の一実施例を用いて半導体レーザ用のλ／４位
相シフト回折格子を製造した。この製造工程を第１Ａ図
から第１Ｇ図を用いて説明する。 第１Ａ図に示すように、ネガレジスト３２が塗布された
ＩｎＰ基板３１を用意し、それを圧電素子３３の上に置
いた。ネガレジスト３２の上にはフォトマスク３４を置
いた。 フォトマスク３４の光遮断部３５の下に位置するフォト
レジストは露光されず、光透過部３６の下に位置するフ
ォトレジストは露光される。この実施例ではネガレジス
ト３２の半分が露光され、他の半分が未露光になるよう
に、光遮断部３５と光透過部３６が形成されている。フ
ォトマスク３４は図示しないマスクホルダに嵌め込まれ
ている。 マスクホルダは図示しないステップモータに接続されて
いる。したがってフォトマスク３４の移動はステップモ
ータによって行なう。ステップモータは所定のパルスを
送るとその軸が所定の角度回転するモータである。 圧電素子３３は第１Ａ図から見ると右側の部分が図示し
ない圧電素子固定治具で固定されている。 したがって圧電素子電源から電圧を印加すると、圧電素
子３３は第１Ａ図で示す矢印入方向に膨張する。圧電素
子３３によってＩｎＰ基板３１を移動させる。 次に、第１Ｂ図に示すように光３７ａと３７ｂとを干渉
させ、干渉波を発生させる。３８は干渉波の干渉縞を示
す。干渉波によってネガレジスト３２のうち３９ａと３
９ｂの部分が露光された。 次に第１Ｃ図に示すように、光遮断部３５のあった部分
に光透過部３６がくるようにし、光透過部３６のあった
部分に光遮断部３５がくるように、フォトマスク３４を
ステップモータによって矢印Ｂ方向に移動させた。 次に、第１Ｄ図に示すように圧電索子３３を干渉縞３８
と同一方向である矢印入方向に膨張させることにより、
ＩｎＰ基板３１を矢印Ａ方向にλ／４移動させた。λと
は回折格子面で反射させたい光の波長のことである。 次に、第１Ｅ図に示すように、光３７ａと３７ｂとを干
渉させることにより、干渉波を発生させ、ネガレジスト
３２のうち３９ｃと３９ｄの部分の露光を行なった。 次に、第１Ｆ図に示すようにネガレジスト３２の現像を
行なった。そして残ったネガレジスト３９ ａ、 ３
９ ｂ、 ３９ ｃおよび３９ｄをマスクとしてウェ
ットエツチングを行ない、λ／４位相シフト回折格子面
４０をＩｎＰ基板３１の上に形成した。 次に第１Ｇ図に示すようにネガレジスト３９ａ１３９ｂ
、３９ｃおよび３９ｄを除去し、ＩｎＰｌ板３１板面１
表面上４位相シフト回折格子面を完成させた。 この実施例によれば、従来よりもλ／４位相シフト回折
格子の製造工程を短縮することができる。 したがってこの実施例にはλ／４位相シフト回折格子の
生産性が向上するという特有の効果もある。 なお、この実施例においてはフォトマクス３４を移動さ
せることにより光遮断部３５と光透過部３６との反転を
行なったが、次のような方法でも構わない。 まず第２Ａ図に示す光遮断部４２ａと光透過部４２ｂを
有するフォトマスク４１をネガレジストの上に置き、露
光を行なう。次にフォトマスク４１をネガレジストの上
から取り去り、基板を先程の実施例と同じ方向に移動さ
せる。そしてフォトマスク４１どは光遮断部４２ａと光
透過部４２ｂとが反転したフォトマスク４３をネガレジ
ストの上に置き露光を行なう。 なお、この実施例においてはフォトマスク３４の移動を
ステップモータによって行なった。通常のモータを用い
る場合は第３図に示すような方法によって行なう。 第３図に示すように、光遮断部５２ａと光透過部５２ｂ
とを有するフォトマスク５１の上に金属製の光反射膜５
３ａと５３ｂとを設ける。光反射膜５３ａは光遮断部５
２ａの端部に位置するフォトマスク５１上に設けられ、
光反射１１１５３ｂは光透過部５２ｂの端部に位置する
フォトマスク５１上に設けられる。レーザ発生装置５４
とフォトマスク５１の間にはハーフミラ−５５と集光レ
ンズ５６を設ける。ハーフミラ−５５が光を反射する位
置にセンサの役目を果たすディテクタ５７が設置されて
いる。 次に、通常のモータを用いてフォトマスク５１を移動さ
せる方法について第３図を用いて説明する。 まず、レーザ発生装置５４からレーザ５８を発生させる
。レーザ５８は矢印Ｃ方向に移動する。 レーザ５８を発生させると同時にフォトマスク５１はモ
ータによって矢印り方向に移動させる。 光反射膜５３ａがレーザ発生装置５４の下にくると、レ
ーザ５８は光反射膜５３ａによって矢印Ｅ方向に反射さ
れる。矢印Ｅ方向に反射されたレーザ５８は集光レンズ
５６によって集光され、ハーフミラ−５５によって矢印
Ｆ方向に反射される。 矢印Ｆ方向に反射されたレーザ５８はディテクタ５７に
よって感知され、ディテクタ５７からの信号によってモ
ータを停止させる。したがってフォトマスク５１は光反
射膜５３ａがレーザ発生装置５４の下の位置にきたとき
停止する。 次にレーザ発生装置５４からレーザ５８を発生させる。 同時にフォトマスク５１をモータによって矢印り方向に
移動させる。そして光反射膜５３ｂがレーザ発生装置５
４の下にきたとき、フォトマスク５１は先はどと同じ動
作によって停止する。 以上のような方法によってフォトマスク５１の移動を行
なうことができる。 なおこの実施例においてはＩｎＰ基板をλ／４移動させ
回折格子の位相をλ／４シフトさせたが、この発明にお
いてはこれに限定されるわけではなく、回折格子の位相
をシフトさせたい量だけＩｎＰ基板を移動させればよい
。 この実施例においては、半導体レーザ用のλ／４位相シ
フト回折格子を製造したが、この発明においてはこれに
限定されるわけではなく、他の用途に用いる位相シフト
回折格子も製造できる。 ［発明の効果］ この発明の方法によれば、基板を移動させることにより
基板上に残存させるフォトレジストの位相をシフトさせ
ている。よって位相シフト回折格子を形成する際にマス
クとするフォトレジストはネガレジストとポジレジスト
のうちどちらか一方のみでよい。したがってネガレジス
トとポジレジストが混ざり合うことにより回折格子が形
成されない遷移幅ができるということはなくなる。
第１八図ないし第１Ｇ図は、この発明の一実施例を工程
順に示す断面図である。第２Ａ図と第２Ｂ図は、この発
明の一実施例の変形例に用いられるフォトマスクの断面
図である。第３図はこの発明の一実施例の変形例に用い
られるフォトマスクの移動方法を示す図である。 第４図はλ／４位相シフト回折格子の設けられた半導体
レーザの断面図である。第５図はλ／４位相シフト回折
格子の拡大図である。第６Ａ図ないし第６Ｆ図は従来の
λ／４位相シフト回折格子の製造方法を工程順に示す断
面図である。第７Ａ図と第７Ｂ図は遷移幅ができる工程
を順に示す断面図である。 ３１は１ｎＰ基板、３２はネガレジスト、３３は圧電素
子、 ３４はフォトマスク、 ３７ａと３７ ｂは光、 ４０はλ／４位相シフト回折格子面を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１Ｅ図 第１Ｆ図 し 第４図 第６Ｄ図 第６Ｅ図 １１：ｌ 第６Ｆ図 第５図 第６Ａ図 第７Ａ図 第７Ｂ図 （自発） 乎ｊり’２１１Ｂ 昭和 年 月 日 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第１６行のｒｌｎＰ基板２」を「
ｌｎＰｎ二層に補正する。 （２） 明細書第５頁第８行の「λ／４位相シフト」を
削除する。 以上 ３、補正をする者 事件との関係
順に示す断面図である。第２Ａ図と第２Ｂ図は、この発
明の一実施例の変形例に用いられるフォトマスクの断面
図である。第３図はこの発明の一実施例の変形例に用い
られるフォトマスクの移動方法を示す図である。 第４図はλ／４位相シフト回折格子の設けられた半導体
レーザの断面図である。第５図はλ／４位相シフト回折
格子の拡大図である。第６Ａ図ないし第６Ｆ図は従来の
λ／４位相シフト回折格子の製造方法を工程順に示す断
面図である。第７Ａ図と第７Ｂ図は遷移幅ができる工程
を順に示す断面図である。 ３１は１ｎＰ基板、３２はネガレジスト、３３は圧電素
子、 ３４はフォトマスク、 ３７ａと３７ ｂは光、 ４０はλ／４位相シフト回折格子面を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１Ｅ図 第１Ｆ図 し 第４図 第６Ｄ図 第６Ｅ図 １１：ｌ 第６Ｆ図 第５図 第６Ａ図 第７Ａ図 第７Ｂ図 （自発） 乎ｊり’２１１Ｂ 昭和 年 月 日 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第１６行のｒｌｎＰ基板２」を「
ｌｎＰｎ二層に補正する。 （２） 明細書第５頁第８行の「λ／４位相シフト」を
削除する。 以上 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入射した光のうち特定の波長の第１の光を選択する第１
の回折格子面と、前記第１の光に対して同じ波長で位相
がずれている第２の光を選択する第２の回折格子面とを
備えた位相シフト回折格子の製造方法であって、 基板の主表面上にフォトレジストを塗布する工程と、 前記第１の回折格子面となるべき領域の上に位置する前
記フォトレジストを干渉波によって露光する工程と、 前記露光処理後に、前記基板を、前記干渉波の干渉縞の
並んだ方向に所定の距離だけ移動させる工程と、 前記基板の移動後に前記第２の回折格子面となるべき領
域の上に位置する前記フォトレジストを干渉波によって
露光する工程と、 前記フォトレジストを現像することによって所定のレジ
ストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記基板の主表面
をエッチングすることによって前記第１および第２の回
折格子面を形成する工程と、を備えた、位相シフト回折
格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247689A JPH02220489A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 位相シフト回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247689A JPH02220489A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 位相シフト回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220489A true JPH02220489A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12637115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4247689A Pending JPH02220489A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 位相シフト回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035168A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4247689A patent/JPH02220489A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035168A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
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