JPH02223335A - 保護回路 - Google Patents
保護回路Info
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- JPH02223335A JPH02223335A JP32070189A JP32070189A JPH02223335A JP H02223335 A JPH02223335 A JP H02223335A JP 32070189 A JP32070189 A JP 32070189A JP 32070189 A JP32070189 A JP 32070189A JP H02223335 A JPH02223335 A JP H02223335A
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- semiconductor switch
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- APTZNLHMIGJTEW-UHFFFAOYSA-N pyraflufen-ethyl Chemical compound C1=C(Cl)C(OCC(=O)OCC)=CC(C=2C(=C(OC(F)F)N(C)N=2)Cl)=C1F APTZNLHMIGJTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 6
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Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Telephone Set Structure (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Interface Circuits In Exchanges (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えば落雷や隣接する電力伝送ラインにお
ける変動によって生じたライン上の異常な過渡高電圧サ
ージによる破壊からラインに接続されている回路素子を
保護する保護回路に関するものであり、特に、それに限
定されるものではないが、フックスイッチ機能およびル
ープ電流遮断機能を与える固体ラインスイッチを介して
交換機ラインに接続された電話機のラインに関連する素
子を保護するのに適している回路装置に関するものであ
る。
ける変動によって生じたライン上の異常な過渡高電圧サ
ージによる破壊からラインに接続されている回路素子を
保護する保護回路に関するものであり、特に、それに限
定されるものではないが、フックスイッチ機能およびル
ープ電流遮断機能を与える固体ラインスイッチを介して
交換機ラインに接続された電話機のラインに関連する素
子を保護するのに適している回路装置に関するものであ
る。
［従来の技術］
前記のような種類の電話機用の保護回路は既知であり、
電圧制限回路および電流制限回路より構成されている。
電圧制限回路および電流制限回路より構成されている。
電圧制限回路はライン上の過渡的高電圧サージを実質上
吸収するために電話機のライン端子と並列に接続された
電圧依存性非直線抵抗を備え、電話機回路のライン端子
と関連する電話機中の回路素子を保護する。さらに電圧
制限回路に加えて電流制限回路も設けられている。電流
制限回路はラインスイッチの導電路ライン側と直列の抵
抗装置と、抵抗のライン端とラインスイッチ制御素子と
の間に接続されたダイオード装置とを備えている。抵抗
の値は電流しきい値が超過されたとき、抵抗の両端の電
圧降下がダイオード装置の順方向電圧降下を越えてそれ
によってラインスイッチの導電路を通る電流を制限する
。
吸収するために電話機のライン端子と並列に接続された
電圧依存性非直線抵抗を備え、電話機回路のライン端子
と関連する電話機中の回路素子を保護する。さらに電圧
制限回路に加えて電流制限回路も設けられている。電流
制限回路はラインスイッチの導電路ライン側と直列の抵
抗装置と、抵抗のライン端とラインスイッチ制御素子と
の間に接続されたダイオード装置とを備えている。抵抗
の値は電流しきい値が超過されたとき、抵抗の両端の電
圧降下がダイオード装置の順方向電圧降下を越えてそれ
によってラインスイッチの導電路を通る電流を制限する
。
［発明の解決すべき課題］
この従来の保護回路の欠点は、過渡電圧サージによって
生成された電流の部分がラインスイッチを通って流れ、
そのためラインスイッチの電力規格はこの過渡電流およ
び選択された電力規格に適応するように十分でなければ
ならないことである。
生成された電流の部分がラインスイッチを通って流れ、
そのためラインスイッチの電力規格はこの過渡電流およ
び選択された電力規格に適応するように十分でなければ
ならないことである。
これはラインスイッチに使用されるトランジスタのコス
トに影響する。
トに影響する。
したがって、この発明の目的は、ライン上の過渡電圧サ
ージによる破壊から固体スイッチを介してラインに接続
された電気装置を保護し、それによってラインスイッチ
に使用されるトランジスタの電力定格を低下させること
を可能にする改良された保護回路を提供することである
。
ージによる破壊から固体スイッチを介してラインに接続
された電気装置を保護し、それによってラインスイッチ
に使用されるトランジスタの電力定格を低下させること
を可能にする改良された保護回路を提供することである
。
［課題の解決のための手段］
この発明によれば、過渡的な異常高電圧サージの影響か
らライン端子手段を介してラインに接続された回路要素
を保護し、前記ラインに前記回路要素を選択的に接続す
るために前記ライン端子手段と前記回路要素との間にそ
の導電路が直列に接続された制御可能な半導体スイッチ
を具備している保護回路において、ライン端子手段の１
端子と前記半導体スイッチの導電路との間に直列に接続
された予め定められた値の第１の抵抗手段と、この第１
の抵抗手段および前記半導体スイッチの導電路とその制
御素子の接続部に並列に接続された第１の電圧基準手段
とを具輸している第１の回路と、前記第１の電圧基準手
段と直列に接続された第２の電圧基準手段と、前記第１
の抵抗手段と前記半導体スイッチの導電路との接続部と
前記ライン端子手段の他方の端子との間に接続された予
め定められたしきい値を有する電圧依存性の第２の抵抗
手段を具備する第２の回路とを備え、前記第１と第２の
電圧基準手段の直列接続は前記第１の電圧基準手段と並
列に接続され、前記第１の抵抗手段の抵抗値は正常な大
きさのライン電流による第１の抵抗手段および前記半導
体スイッチの導電路とその制御素子の接合部における電
圧降下が前記第１の電圧基準手段の基準電圧よりも小さ
く、ライン電流の大きさが正常な大きさを越えたとき、
前記電圧降下の和が前記第１の電圧基準手段の基準電圧
に到達するまで増加し、到達すると前記電圧基準手段が
前記第１の抵抗手段の両端の電圧をクランプし、それに
よってそこを流れる電流を制限し、前記電圧依存性の第
２の抵抗手段がそのしきい値電圧を検出したとき前記第
１の抵抗手段の両端の電圧降下が第１および第２の電圧
基準手段の基準電圧の合計に等しくなるまで前記第１の
抵抗手段を通って流れる電流を増加させ、合計に等しく
なったとき前記第１の抵抗手段の両端の電圧がそれによ
ってクランプされ、前記第２の電圧基準手段の基準電圧
によって半導体スイッチ手段が非導通にされるように選
択されている保護回路が提供される。
らライン端子手段を介してラインに接続された回路要素
を保護し、前記ラインに前記回路要素を選択的に接続す
るために前記ライン端子手段と前記回路要素との間にそ
の導電路が直列に接続された制御可能な半導体スイッチ
を具備している保護回路において、ライン端子手段の１
端子と前記半導体スイッチの導電路との間に直列に接続
された予め定められた値の第１の抵抗手段と、この第１
の抵抗手段および前記半導体スイッチの導電路とその制
御素子の接続部に並列に接続された第１の電圧基準手段
とを具輸している第１の回路と、前記第１の電圧基準手
段と直列に接続された第２の電圧基準手段と、前記第１
の抵抗手段と前記半導体スイッチの導電路との接続部と
前記ライン端子手段の他方の端子との間に接続された予
め定められたしきい値を有する電圧依存性の第２の抵抗
手段を具備する第２の回路とを備え、前記第１と第２の
電圧基準手段の直列接続は前記第１の電圧基準手段と並
列に接続され、前記第１の抵抗手段の抵抗値は正常な大
きさのライン電流による第１の抵抗手段および前記半導
体スイッチの導電路とその制御素子の接合部における電
圧降下が前記第１の電圧基準手段の基準電圧よりも小さ
く、ライン電流の大きさが正常な大きさを越えたとき、
前記電圧降下の和が前記第１の電圧基準手段の基準電圧
に到達するまで増加し、到達すると前記電圧基準手段が
前記第１の抵抗手段の両端の電圧をクランプし、それに
よってそこを流れる電流を制限し、前記電圧依存性の第
２の抵抗手段がそのしきい値電圧を検出したとき前記第
１の抵抗手段の両端の電圧降下が第１および第２の電圧
基準手段の基準電圧の合計に等しくなるまで前記第１の
抵抗手段を通って流れる電流を増加させ、合計に等しく
なったとき前記第１の抵抗手段の両端の電圧がそれによ
ってクランプされ、前記第２の電圧基準手段の基準電圧
によって半導体スイッチ手段が非導通にされるように選
択されている保護回路が提供される。
この発明によればさらに第１の電圧基準手段が２（１１
の直列接続された半導体ダイオードを具備している保護
回路が提供される。
の直列接続された半導体ダイオードを具備している保護
回路が提供される。
この発明の目的および特徴は添付図面を参照にしｈ以下
の実施例の説明により当業者には明白であろう。
の実施例の説明により当業者には明白であろう。
［実施例］
第２図を参照すると、回路は交換機ライン（図示せず）
に接続するためのライン端子ＬｌおよびＬ２を備えてい
る。端子ＬｌとＬ２の間には電圧保護バリスタＶＣＩが
接続されている。ＮＰＮトランジスタＴＲＩとＰＮＰ
）ランジ゛スタＴＲ２よりなる相補型トランジスタの形
態のラインスイッチはライン端子と電話機送信回路ＴＸ
との間に直列に接続されている。ラインスイッチ制御ト
ランジスタＴＲ３のコレクタφエミッタ路はトランジス
タＴＲ２のベースと端子Ｌ２との間に接続されている。
に接続するためのライン端子ＬｌおよびＬ２を備えてい
る。端子ＬｌとＬ２の間には電圧保護バリスタＶＣＩが
接続されている。ＮＰＮトランジスタＴＲＩとＰＮＰ
）ランジ゛スタＴＲ２よりなる相補型トランジスタの形
態のラインスイッチはライン端子と電話機送信回路ＴＸ
との間に直列に接続されている。ラインスイッチ制御ト
ランジスタＴＲ３のコレクタφエミッタ路はトランジス
タＴＲ２のベースと端子Ｌ２との間に接続されている。
抵抗Ｒ２はトランジスタＴＲ２に小さいが十分なベース
電流を与えるようにトランジスタＴＲ２のベースとトラ
ンジスタＴＲ３のコレクタとの間に接続されている。ト
ランジスタＴＲ３のベースは送信回路中のマイクロプロ
セッサ（図示せず）の出力に結合されている。この出力
における信号はよく知られた方法でラインスイッチの機
能を制御する。抵抗Ｒ１は端子ＬｌとトランジスタＴＲ
Ｉのコレクタ・エミッタ路の間に直列に接続され、２個
のダイオードＤＩとＤ２の直列接続は端子Ｌｌとトラン
ジスタＴＲ２のベースの間に接続されている。抵抗Ｒ１
および２個のダイオードＤ１とＤ２は保護回路の電流制
限部分を形成している。この既知の電流保護回路の動作
は前記のとおりである。
電流を与えるようにトランジスタＴＲ２のベースとトラ
ンジスタＴＲ３のコレクタとの間に接続されている。ト
ランジスタＴＲ３のベースは送信回路中のマイクロプロ
セッサ（図示せず）の出力に結合されている。この出力
における信号はよく知られた方法でラインスイッチの機
能を制御する。抵抗Ｒ１は端子ＬｌとトランジスタＴＲ
Ｉのコレクタ・エミッタ路の間に直列に接続され、２個
のダイオードＤＩとＤ２の直列接続は端子Ｌｌとトラン
ジスタＴＲ２のベースの間に接続されている。抵抗Ｒ１
および２個のダイオードＤ１とＤ２は保護回路の電流制
限部分を形成している。この既知の電流保護回路の動作
は前記のとおりである。
第１図を参照すると、保護回路を除いてこの回路は第２
図の回路と同一であるので説明は省略する。第１図に示
した保護回路は端子ＬｌとトランジスタＴＲＩのコレク
タ・エミッタ路の間に直列に接続された抵抗Ｒ１と、端
子Ｌ１とトランジスタＴＲ２のベースの間に直列に接続
されたダイオードＤＩおよびＤ２と、抵抗Ｒ１とトラン
ジスタＴＲ２のエミッタの接続部と端子Ｌ２との間に接
続されたバリスタｖＣ１と、トランジスタＴＲ２のエミ
ッタとベースとの間に接続された別のダイオードＤ３と
を具備している。抵抗Ｒ１の抵抗値は正常な動作ライン
電流（≦１５０ ｍＡ）におけるその両端の電圧降下が
ダイオードＤＩの順方向バイアス電圧より小さいように
選択されている。典型的には抵抗Ｒ１の抵抗値は約３オ
ームである。
図の回路と同一であるので説明は省略する。第１図に示
した保護回路は端子ＬｌとトランジスタＴＲＩのコレク
タ・エミッタ路の間に直列に接続された抵抗Ｒ１と、端
子Ｌ１とトランジスタＴＲ２のベースの間に直列に接続
されたダイオードＤＩおよびＤ２と、抵抗Ｒ１とトラン
ジスタＴＲ２のエミッタの接続部と端子Ｌ２との間に接
続されたバリスタｖＣ１と、トランジスタＴＲ２のエミ
ッタとベースとの間に接続された別のダイオードＤ３と
を具備している。抵抗Ｒ１の抵抗値は正常な動作ライン
電流（≦１５０ ｍＡ）におけるその両端の電圧降下が
ダイオードＤＩの順方向バイアス電圧より小さいように
選択されている。典型的には抵抗Ｒ１の抵抗値は約３オ
ームである。
動作において、抵抗Ｒ１および飽和されたラインスイッ
チを流れる正常なライン電流により、トランジスタＴＲ
２のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス電圧
は０．６ボルトであり、抵抗Ｒ１の両端の電圧降下は０
．６ボルトより小さい。
チを流れる正常なライン電流により、トランジスタＴＲ
２のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス電圧
は０．６ボルトであり、抵抗Ｒ１の両端の電圧降下は０
．６ボルトより小さい。
それ故ダイオードＤＩ、Ｄ２の電圧降下はトランジスタ
ＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス
電圧と抵抗Ｒ１の電圧降下の合計であり、それは正常な
ライン電流が流れるときダイオードＤｌ、Ｄ２の順方向
バイアス電圧の和（約１．２ボルト）よりも小さい。
ＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス
電圧と抵抗Ｒ１の電圧降下の合計であり、それは正常な
ライン電流が流れるときダイオードＤｌ、Ｄ２の順方向
バイアス電圧の和（約１．２ボルト）よりも小さい。
ラインに高いサージ電圧が生じるとき、ライン電流は増
加を開始しそれにより抵抗Ｒ１の電圧降下を増加させ、
もちろんトランジスタＴＲ２のベース・エミッタ接合を
横切る電圧は変化しない。
加を開始しそれにより抵抗Ｒ１の電圧降下を増加させ、
もちろんトランジスタＴＲ２のベース・エミッタ接合を
横切る電圧は変化しない。
抵抗Ｒ１の電圧降下とベース・エミッタ接合を横切る電
圧の和がダイオードＤＩ、Ｄ２の順方向バイアス電圧の
和を越えるとき、ダイオードＤ１゜Ｄ２は順方向バイア
スになる。順方向バイアスにされたこれらのダイオード
ＤＩ、Ｄ２は抵抗Ｒ１の両端の電圧およびトランジスタ
ＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切る電圧をクランプ
し、したがってトランジスタＴＲ２のベース駆動電流の
増加を阻止し、それによってトランジスタＴＲＩを流れ
る電流を制限する。
圧の和がダイオードＤＩ、Ｄ２の順方向バイアス電圧の
和を越えるとき、ダイオードＤ１゜Ｄ２は順方向バイア
スになる。順方向バイアスにされたこれらのダイオード
ＤＩ、Ｄ２は抵抗Ｒ１の両端の電圧およびトランジスタ
ＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切る電圧をクランプ
し、したがってトランジスタＴＲ２のベース駆動電流の
増加を阻止し、それによってトランジスタＴＲＩを流れ
る電流を制限する。
同時にバリスタＶＣ１の両端の電圧が上昇し、バリスタ
ｖＣ１の動作電圧、典型的には１８０〜２５０ボルトに
到達すると、抵抗Ｒ１を流れる電流は抵抗Ｒ１の電圧降
下とトランジスタＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切
る電圧の和がダイオードＤＩ、Ｄ２．Ｄ３の順方向バイ
アス電圧の和を越えるまで増加する。ライン端子Ｌｌか
ら、ダイオードＤｌ、Ｄ２．Ｄ３、バリスタＶＣｔを通
ってライン端子Ｌ２に至る電流路が設定される。ダイオ
ードＤ３の順方向バイアス電圧はトランジスタＴＲ２を
逆バイアスしてそれをターン・オフし、それによってト
ランジスタＴＲＩをターン−オフし、電圧サージの残り
の期間中にラインスイッチを通る電流を実質的に阻止す
る。
ｖＣ１の動作電圧、典型的には１８０〜２５０ボルトに
到達すると、抵抗Ｒ１を流れる電流は抵抗Ｒ１の電圧降
下とトランジスタＴＲ２のベース・エミッタ接合を横切
る電圧の和がダイオードＤＩ、Ｄ２．Ｄ３の順方向バイ
アス電圧の和を越えるまで増加する。ライン端子Ｌｌか
ら、ダイオードＤｌ、Ｄ２．Ｄ３、バリスタＶＣｔを通
ってライン端子Ｌ２に至る電流路が設定される。ダイオ
ードＤ３の順方向バイアス電圧はトランジスタＴＲ２を
逆バイアスしてそれをターン・オフし、それによってト
ランジスタＴＲＩをターン−オフし、電圧サージの残り
の期間中にラインスイッチを通る電流を実質的に阻止す
る。
極性保護回路（図示せず）がライン端子とラインスイッ
チとの間に挿入され、電圧サージの極性が正確に保護回
路のダイオードに与えられることを保証することが好ま
しい。
チとの間に挿入され、電圧サージの極性が正確に保護回
路のダイオードに与えられることを保証することが好ま
しい。
第３図を参照すると、ＡＣＣシカスイッチング回路、入
力に接続されたライン（図示せず）上の異常電力サージ
の場合に全波保護を行うために、この発明による保護回
路をそれぞれ伴った１対の固体スイッチング回路を介し
て負荷ＲＬに結合されたＡＣ入力（〜）を具備している
。この回路においてはバリスタＶＣ１は両方の保護回路
に共通である。スイッチ接点Ｓ１およびＳ２は付勢され
たときトランジスタＴＲ３とＴ Ｒ２３を付勢し、それ
はラインスイッチトランジスタＴＲＩ 、ＴＲ２および
ＴＲ・２１． Ｔ Ｒ２２をオンに切替える。
力に接続されたライン（図示せず）上の異常電力サージ
の場合に全波保護を行うために、この発明による保護回
路をそれぞれ伴った１対の固体スイッチング回路を介し
て負荷ＲＬに結合されたＡＣ入力（〜）を具備している
。この回路においてはバリスタＶＣ１は両方の保護回路
に共通である。スイッチ接点Ｓ１およびＳ２は付勢され
たときトランジスタＴＲ３とＴ Ｒ２３を付勢し、それ
はラインスイッチトランジスタＴＲＩ 、ＴＲ２および
ＴＲ・２１． Ｔ Ｒ２２をオンに切替える。
動作において、第１の半サイクル中、正常なライン電流
に対する電流路は、抵抗Ｒ１、トランジスタＴＲＩのコ
レクタ・エミッタ路、負荷ＲＬ。
に対する電流路は、抵抗Ｒ１、トランジスタＴＲＩのコ
レクタ・エミッタ路、負荷ＲＬ。
ダイオードＤ２４を経てラインに戻る。保護回路の素子
は第１図のものと同じである。もしも電圧サージが発生
すると、バリスタＶＣＩは導通してダイオードＤ３の順
方向バイアス電圧を生じてトランジスタＴＲ２のバイア
スを反転してそれをオフに切替え、したがってトランジ
スタＴＲＩをオフに切替えて負荷に電流が流れるのを阻
止する。
は第１図のものと同じである。もしも電圧サージが発生
すると、バリスタＶＣＩは導通してダイオードＤ３の順
方向バイアス電圧を生じてトランジスタＴＲ２のバイア
スを反転してそれをオフに切替え、したがってトランジ
スタＴＲＩをオフに切替えて負荷に電流が流れるのを阻
止する。
第２の半サイクル中、正常なライン電流に対する電流路
は、抵抗Ｒ２１、トランジスタＴＲ２１のコレクタ・エ
ミッタ路、負荷ＲＬ、ダイオードＤ４を経てラインに戻
る。バリスタＶＣＩの両端の電圧がそのしきい値を越え
ると導通が開始してダイオードＤ２３の順方向バイアス
電圧を生じてトランジスタＴＲ２２のバイアスを反転し
てそれをオフに切替え、したがってトランジスタＴＲ２
１をオフに切替える。ダイオードＤ５ 、 ＤＯ、Ｄ
２５． Ｄ２Ｂは負荷ＲＬから電流を側路させる。
は、抵抗Ｒ２１、トランジスタＴＲ２１のコレクタ・エ
ミッタ路、負荷ＲＬ、ダイオードＤ４を経てラインに戻
る。バリスタＶＣＩの両端の電圧がそのしきい値を越え
ると導通が開始してダイオードＤ２３の順方向バイアス
電圧を生じてトランジスタＴＲ２２のバイアスを反転し
てそれをオフに切替え、したがってトランジスタＴＲ２
１をオフに切替える。ダイオードＤ５ 、 ＤＯ、Ｄ
２５． Ｄ２Ｂは負荷ＲＬから電流を側路させる。
以上この発明は特定のものについて記載されたが、この
発明の技術的範囲を逸脱することなく等価な置換が容易
に可能であることを理解すべきである。
発明の技術的範囲を逸脱することなく等価な置換が容易
に可能であることを理解すべきである。
この発明は、特に電話機装置に適用すると有効である。
第１図はこの発明の１実施例の保護回路を具備する電話
機ライン回路の一部を示す。 第２図は従来の保護回路を具備する電話機ライン回路の
一部を示す。 第３図はこの発明の保護回路を具備するＡＣＣシカスイ
ッチング装置回路を示す。 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、ＶＣｌ・・・バリスタ、ＴＸ・
・・電話機送信回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
機ライン回路の一部を示す。 第２図は従来の保護回路を具備する電話機ライン回路の
一部を示す。 第３図はこの発明の保護回路を具備するＡＣＣシカスイ
ッチング装置回路を示す。 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、ＶＣｌ・・・バリスタ、ＴＸ・
・・電話機送信回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (11)
- （１）過渡的な異常高電圧サージの影響からライン端子
手段を介してラインに接続された回路要素を保護し、前
記ラインに前記回路要素を選択的に接続するために前記
ライン端子手段と前記回路要素との間にその導電路が直
列に接続された制御可能な半導体スイッチを具備してい
る保護回路において、 前記ライン端子手段の１端子と前記半導体スイッチの導
電路との間に直列に接続された予め定められた値の第１
の抵抗手段と、この第１の抵抗手段および前記半導体ス
イッチの導電路とその制御素子の接続部に並列に接続さ
れた第１の電圧基準手段とを具備している第１の回路と
、 前記第１の電圧基準手段と直列に接続された第２の電圧
基準手段と、前記第１の抵抗手段と前記半導体スイッチ
の導電路との接続部と前記ライン端子手段の他方の端子
との間に接続された予め定められたしきい値を有する電
圧依存性の第２の抵抗手段を具備する第２の回路とを備
え、 前記第１と第２の電圧基準手段の直列接続は前記第１の
電圧基準手段と並列に接続され、前記第１の抵抗手段の
抵抗値は正常な大きさのライン電流による第１の抵抗手
段および前記半導体スイッチの導電路とその制御素子の
接合部における電圧降下が前記第１の電圧基準手段の基
準電圧よりも小さく、ライン電流の大きさが正常な大き
さを越えたとき前記電圧降下の和が前記第１の電圧基準
手段の基準電圧に到達するまで増加し、到達すると前記
電圧基準手段が前記第１の抵抗手段の両端の電圧をクラ
ンプし、それによってそこを流れる電流を制限し、前記
電圧依存性の第２の抵抗手段がそのしきい値電圧を検出
したとき前記第１の抵抗手段の両端の電圧降下が第１お
よび第２の電圧基準手段の基準電圧の合計に等しくなる
まで前記第１の抵抗手段を通って流れる電流を増加させ
、合計に等しくなったとき前記第１の抵抗手段の両端の
電圧がそれによってクランプされ、前記第２の電圧基準
手段の基準電圧によって半導体スイッチ手段が非導通に
されるように選択されている保護回路。 - （２）前記第１の電圧基準手段は２個の直列接続された
半導体ダイオードを具備している特許請求の範囲第１項
記載の保護回路。 - （３）前記第２の電圧基準手段は半導体ダイオードを具
備している特許請求の範囲第１項または第２項記載の保
護回路。 - （４）前記電圧依存性の第２の抵抗手段はバリスタを具
備している特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか
１項記載の保護回路。 - （５）前記制御可能な半導体スイッチは１個以上のバイ
ポーラトランジスタを具備し、そのコレクタ・エミッタ
路は前記導電路を形成しそのベースは制御手段に結合さ
れている特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１
項記載の保護回路。 - （６）前記ベースは別のトランジスタの導電路に結合さ
れ、この別のトランジスタのベースは制御手段に結合さ
れている特許請求の範囲第５項記載の保護回路。 - （７）前記半導体スイッチは相補型のＮＰＮおよびＰＮ
Ｐトランジスタを具備し、ＮＰＮトランジスタのコレク
タ・エミッタ路は前記導電路を形成し、前記第１の電圧
基準手段は前記ＰＮＰトランジスタのベス・エミッタ接
合と並列に接続されている特許請求の範囲第５項または
第６項記載の保護回路。 - （８）前記半導体スイッチは高電圧バイポーラ装置で構
成されている特許請求の範囲第７項記載の保護回路。 - （９）前記ライン端子手段は、ＡＣ入力手段が前記ライ
ンに接続されている極性保護手段により一定極性のＤＣ
出力手段に接続されている特許請求の範囲第１項乃至第
８項記載の保護回路。 - （１０）前記制御可能な半導体スイッチは電話機ライン
スイッチであり、その制御素子は電話機のループ電流回
路を制御して切替えるために電話機回路と共同する制御
手段に結合されている特許請求の範囲第１項乃至第９項
のいずれか１項記載の保護回路。 - （１１）１対のライン端子手段と、１対の負荷端子とを
具備し、ライン端子手段の１端子は前記特許請求の範囲
第１項乃至第９項のいずれか１項記載記載の保護回路の
前記第１の抵抗および半導体スイッチの導電路を介して
前記負荷端子の１端子に結合され、ライン端子手段の他
端子は前記特許請求の範囲第１項乃至第９項のいずれか
１項記載記載の別の保護回路の前記第１の抵抗および半
導体スイッチの導電路を介して前記負荷端子の他方の端
子に結合されている負荷にＡＣ電力ラインを接続するＡ
Ｃ電力スイッチ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU1884 | 1988-12-12 | ||
| AU188488 | 1988-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223335A true JPH02223335A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=3692385
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1511620A Pending JPH04502248A (ja) | 1988-12-12 | 1989-11-17 | 保護回路 |
| JP32070189A Pending JPH02223335A (ja) | 1988-12-12 | 1989-12-12 | 保護回路 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1511620A Pending JPH04502248A (ja) | 1988-12-12 | 1989-11-17 | 保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH04502248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304096A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-10-27 | Electron & Telecommun Res Inst | 加入者回路保護モジュール装置 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1511620A patent/JPH04502248A/ja active Pending
- 1989-12-12 JP JP32070189A patent/JPH02223335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304096A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-10-27 | Electron & Telecommun Res Inst | 加入者回路保護モジュール装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04502248A (ja) | 1992-04-16 |
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