JPH02224247A - 半導体素子用バンプ材料の製造方法 - Google Patents
半導体素子用バンプ材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH02224247A JPH02224247A JP4425789A JP4425789A JPH02224247A JP H02224247 A JPH02224247 A JP H02224247A JP 4425789 A JP4425789 A JP 4425789A JP 4425789 A JP4425789 A JP 4425789A JP H02224247 A JPH02224247 A JP H02224247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump material
- semiconductor element
- gas
- bump
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子のフリップチップ接続に用・いる
バンプ材料の製造方法に関するものである。
バンプ材料の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体素子のフリップチップ接続の概略構造を第
２図に示す。図中の１は半導体素子、２は配線基板、３
ははんだバンプ、４は半導体素子と配線基板のそれぞれ
に設けられた電極であり、Ａ−ｘは半導体素子の中心を
示している。
２図に示す。図中の１は半導体素子、２は配線基板、３
ははんだバンプ、４は半導体素子と配線基板のそれぞれ
に設けられた電極であり、Ａ−ｘは半導体素子の中心を
示している。
フリ７ブチツプ接続は、半導体素子１と配線基板２の電
極４の電気的接続を、はんだバンプ３を加熱溶融する一
括接続で行えるので、ワイヤポンディング法に比べて作
業性が優れている。又、ワイヤボンディング法及びＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）法
のように電極配置が半導体素子の周辺に限定されないの
で、大幅に接続端子数を増大できるという特徴をもって
いる。
極４の電気的接続を、はんだバンプ３を加熱溶融する一
括接続で行えるので、ワイヤポンディング法に比べて作
業性が優れている。又、ワイヤボンディング法及びＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）法
のように電極配置が半導体素子の周辺に限定されないの
で、大幅に接続端子数を増大できるという特徴をもって
いる。
このフリップチップ法は、電極構造によってチップ自体
の電極部にバンプを形成する方式と基板側にバンプを形
成する方法がある。
の電極部にバンプを形成する方式と基板側にバンプを形
成する方法がある。
後者は、ペデスタル方式と言われ、バンプを形成するた
めに印刷、メツキ等が用いられるが、高さの均一化が困
難で、最近ではほとんど用いられない。
めに印刷、メツキ等が用いられるが、高さの均一化が困
難で、最近ではほとんど用いられない。
一方、前者については、バンプ材料としてはんだボール
を用いる方法及び、蒸着、メツキによってバンプを作る
方法がある。
を用いる方法及び、蒸着、メツキによってバンプを作る
方法がある。
蒸着、メツキによる方法は、その成分組成に制限があり
必ずしも望ましい成分系が得られない。
必ずしも望ましい成分系が得られない。
またはんだボールを形成する方法は、電極上にＣｕボー
ルを載せ、そのまわりをＰｂ −Ｓｎはんだで囲んだも
の等が用いられているが、工程が複雑でコストの高い方
法となっている。上述の方法では電極の上に蒸着等によ
ってＰｂ −Ｓｎはんだを着け、さらにＮｉ−Ａｕをメ
ツキしたＣｕボールを載せ、その上にさらにＰｂ−３ｎ
はんだを蒸着する方法がとられていた。
ルを載せ、そのまわりをＰｂ −Ｓｎはんだで囲んだも
の等が用いられているが、工程が複雑でコストの高い方
法となっている。上述の方法では電極の上に蒸着等によ
ってＰｂ −Ｓｎはんだを着け、さらにＮｉ−Ａｕをメ
ツキしたＣｕボールを載せ、その上にさらにＰｂ−３ｎ
はんだを蒸着する方法がとられていた。
この方法では、コストが高く限られた用途にしか適用で
きなかった。
きなかった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、半導体素子の接続に用いられる球状バンプ材
料を簡便かつ安価に製造する方法を提供するものである
。
料を簡便かつ安価に製造する方法を提供するものである
。
（課題を解決するための手段）
すなわち、本発明は、ガスアトマイズ法によって球状バ
ンプ材料を製造するに際して、アトマイズのために吹き
つけるガス中に溶融した低融点金属を含ませ、バンプ材
料の表面に低融点金属をコーティングすることを特徴と
する半導体素子用バンプ材料の製造方法である。
ンプ材料を製造するに際して、アトマイズのために吹き
つけるガス中に溶融した低融点金属を含ませ、バンプ材
料の表面に低融点金属をコーティングすることを特徴と
する半導体素子用バンプ材料の製造方法である。
本発明では、球状バンプ材料の作成方法としてアトマイ
ズ法を用い、吹きつけるガスに熔融した低融点金属を含
ませておくことで、低融点金属をコーティングしたバン
プ材料を製造することによって安価にこれを提供するも
のである。
ズ法を用い、吹きつけるガスに熔融した低融点金属を含
ませておくことで、低融点金属をコーティングしたバン
プ材料を製造することによって安価にこれを提供するも
のである。
また、本発明では、Ｃｕ、 Ａｇ等の金属ボールのまわ
りに、低融点金属を付着させたバンプ材料を１回の工程
で製造しようとするものである。
りに、低融点金属を付着させたバンプ材料を１回の工程
で製造しようとするものである。
次に本発明の製造方法を第１図に基いて説明する。
Ｃｕ、 Ａｇ等の溶融したバンプ材料１１を、高周波誘
導加熱装置１５を備えたルツボ１４から流下させて、ア
トマイズ法により微小ボールを作成する。
導加熱装置１５を備えたルツボ１４から流下させて、ア
トマイズ法により微小ボールを作成する。
その際に、溶融した低融点金属１３をアトマイズガス１
２と同時に吹きつけ、Ｃｕ、 Ａｇ等のまわりを低融点
金属で覆った金属ボール１６を直接に製造する。得られ
た低融点金属をコーティングした微小金属ボールは、半
導体素子の接続の際にバンプ材として用いられる。
２と同時に吹きつけ、Ｃｕ、 Ａｇ等のまわりを低融点
金属で覆った金属ボール１６を直接に製造する。得られ
た低融点金属をコーティングした微小金属ボールは、半
導体素子の接続の際にバンプ材として用いられる。
本発明ではアトマイズ用のガスとしては、バンプの酸化
防止の観点から不活性ガスが望ましく、計＋ ＮＺ等が
用いられる。
防止の観点から不活性ガスが望ましく、計＋ ＮＺ等が
用いられる。
また、ボールの径によってガスの圧力、流量をコントロ
ールする。
ールする。
ボールの材質は、′用途、使用環境によって選択するが
主にＣｕ、 Ａｇあるいはそれらの合金等が用いられる
。他に各種の超弾性体材料、例えばＴｉ−Ｎｉ。
主にＣｕ、 Ａｇあるいはそれらの合金等が用いられる
。他に各種の超弾性体材料、例えばＴｉ−Ｎｉ。
Ｃｕ−１’Ｊ−Ｎｉ、 Ａｕ−Ｃｄ、 Ａｇ−Ｃｄ、
Ｃｕ−Ｚｎ−ＩＩＪ、 Ｃｕ −３ｎ等も用いることが
できる。超弾性体材料は弾性範囲が広く、半導体素子（
Ｓｉ）と配線基板の熱膨張差を弾性範囲で吸収でき、寿
命の長いバンプ材として使用できる。
Ｃｕ−Ｚｎ−ＩＩＪ、 Ｃｕ −３ｎ等も用いることが
できる。超弾性体材料は弾性範囲が広く、半導体素子（
Ｓｉ）と配線基板の熱膨張差を弾性範囲で吸収でき、寿
命の長いバンプ材として使用できる。
前述の金属ボールにコーティングする低融点金属として
は、Ｐｂ−５ｎ、 Ｉｎ−５ｎ等の電気的接続に有利な
ものが望ましい。
は、Ｐｂ−５ｎ、 Ｉｎ−５ｎ等の電気的接続に有利な
ものが望ましい。
（実施例）
実施例１
第１図の装置を用いルツボの中でＣｕを溶融し、溶融後
、ルツボの下のノズルを開き、一方、ノズルのまわりに
配置した８大のガスノズルによりＡｒガスを４５°の角
度で落下する溶融Ｃｕに向けて噴出させ、Ｃｕをアトマ
イズした。
、ルツボの下のノズルを開き、一方、ノズルのまわりに
配置した８大のガスノズルによりＡｒガスを４５°の角
度で落下する溶融Ｃｕに向けて噴出させ、Ｃｕをアトマ
イズした。
アトマイズの際に、Ａｒガス中に溶融した４０χｐｂ−
６０χＳｎを混合したガスを使用した。
６０χＳｎを混合したガスを使用した。
その結果、Ｐｂ −ＳｎでコーティングされたＣｕの球
状バンプ材料を製造することができた。
状バンプ材料を製造することができた。
実施例２
第１図の装置を用い、超弾性体材料をアトマイズした。
溶融したＴｉ ５０．５ａｔχＮｉをＮ２ガスでアト
マイズした。アトマイズガスには、５２χＩｎ−４８χ
Ｓｎの溶融金属を混合させた。
マイズした。アトマイズガスには、５２χＩｎ−４８χ
Ｓｎの溶融金属を混合させた。
これによってｔｎ−ＳｎでコーティングしたＴｉ −Ｎ
ｉ超弾性体バンプ材料を製造することができた。
ｉ超弾性体バンプ材料を製造することができた。
（発明の効果）
本発明の製造方法により、安価なバンプ用素材を提供で
き、半導体のフリップチップ接続が容易になる。
き、半導体のフリップチップ接続が容易になる。
第１図は、本発明のアトマイズ法の説明図である。
第２図は、従来のフリップチップ接続の説明図である。
１：半導体素子、２：配線基板、３：はんだバンプ、４
：電極、１１：バンプ材料、１２：アトマイズガス、１
３：低融点金属、１４ニルツボ、１５：高周波誘導加熱
装置、１６：金属ボール。 第２図
：電極、１１：バンプ材料、１２：アトマイズガス、１
３：低融点金属、１４ニルツボ、１５：高周波誘導加熱
装置、１６：金属ボール。 第２図
Claims (2)
- （１）ガスアトマイズ法によって球状バンプ材料を製造
するに際して、アトマイズのために吹きつけるガス中に
溶融した低融点金属を含ませ、バンプ材料の表面に低融
点金属をコーティングすることを特徴とする半導体素子
用バンプ材料の製造方法。 - （２）球状バンプ材料が、超弾性体材料である請求項１
記載の半導体素子用バンプ材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4425789A JPH02224247A (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 半導体素子用バンプ材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4425789A JPH02224247A (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 半導体素子用バンプ材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224247A true JPH02224247A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12686468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4425789A Pending JPH02224247A (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 半導体素子用バンプ材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469019B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-01-29 | 주식회사 휘닉스피디이 | 가스플레임애터마이징법에 의한 마이크로 금속볼 제조방법및 그 제조장치 |
-
1989
- 1989-02-25 JP JP4425789A patent/JPH02224247A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469019B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-01-29 | 주식회사 휘닉스피디이 | 가스플레임애터마이징법에 의한 마이크로 금속볼 제조방법및 그 제조장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6221692B1 (en) | Method of fabricating solder-bearing silicon semiconductor device and circuit board mounted therewith | |
| DE69722296T2 (de) | Substrat, auf dem Kontakthöcker aufgebildet sind und Herstellungsverfahren | |
| US6436730B1 (en) | Microelectronic package comprising tin copper solder bump interconnections and method for forming same | |
| US7799607B2 (en) | Process for forming bumps and solder bump | |
| US7344061B2 (en) | Multi-functional solder and articles made therewith, such as microelectronic components | |
| JP2994375B2 (ja) | モジュ―ル・アセンブリ及びリワ―クのための相互接続構造及びプロセス | |
| KR100373085B1 (ko) | 플립-칩-어셈블리용땜납펌프및그제조방법 | |
| JPH04262890A (ja) | フラックス剤および金属粒子を有する接着剤 | |
| KR100737498B1 (ko) | 반도체 소자의 실장 방법 및 실장 구조 | |
| JPH07506462A (ja) | 集積回路ダイのはんだバンプ | |
| US5980636A (en) | Electrical connection device for forming metal bump electrical connection | |
| JPS6072663A (ja) | 低融点金属球接続方法 | |
| JPH1133776A (ja) | 半田材料及びそれを用いた電子部品 | |
| JPH02224247A (ja) | 半導体素子用バンプ材料の製造方法 | |
| AU653945B2 (en) | Attaching integrated circuits to circuit boards | |
| JPH04263434A (ja) | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 | |
| JPH01217935A (ja) | 半導体装置の製造方法および装置 | |
| JP2771616B2 (ja) | バンプ形成用導体ペースト及びバンプ形成方法 | |
| JP3638487B2 (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPS61247672A (ja) | 金属粒子を基板に接着する方法 | |
| JPS619992A (ja) | クリ−ムはんだ | |
| JPH03241756A (ja) | 半導体集積回路の実装装置および実装方法 | |
| JP2019005789A (ja) | はんだ接合材とその製造方法、はんだバンプ付電子部品の製造方法および接合体 | |
| JP2911005B2 (ja) | バンプ電極の処理方法 | |
| JPH02109339A (ja) | 電極付半導体チップ及びその実装方法 |