JPH02225437A - フェニルインダンジカルボン酸の光学分割法及びその光学活性体を用いた芳香族ポリアミド - Google Patents
フェニルインダンジカルボン酸の光学分割法及びその光学活性体を用いた芳香族ポリアミドInfo
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- JPH02225437A JPH02225437A JP4519189A JP4519189A JPH02225437A JP H02225437 A JPH02225437 A JP H02225437A JP 4519189 A JP4519189 A JP 4519189A JP 4519189 A JP4519189 A JP 4519189A JP H02225437 A JPH02225437 A JP H02225437A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学分割による（＋）−１，１，３−トリメ
チル−３−フェニルインダンジカルボン酸の製造法及び
その光学活性なジカルボン酸を用いた新規な芳香族ポリ
アミドに関する。
チル−３−フェニルインダンジカルボン酸の製造法及び
その光学活性なジカルボン酸を用いた新規な芳香族ポリ
アミドに関する。
芳香族ポリアミド（以下アラミドと略記する）は耐熱性
高分子として近年注目を集めている。
高分子として近年注目を集めている。
般にアラミドは、有機溶媒に対重る不溶性、軟化温度が
高いなどの性質のため紡糸やフィルム化が困難である。
高いなどの性質のため紡糸やフィルム化が困難である。
アラミドの溶解性を向上させるーっの方法としては、ポ
リマーの主鎖に立体的にかさ高い基を導入する方法が考
えられ、この発想を受レノて１．１．３−トリメチル−
３−フェニルインダンの骨格をポリマーの主鎖に持つポ
リマーが合成された０例えば、有機溶媒に可溶でガラス
転移温度が高いポリイミド（Ｃｉｂａ−Ｇｅｔｇｙ’５
ＸＵ−２Ｌ８）、ポリエステル（合弁、Ｊ、Ｐｏ１ｙ、
Ｓｃｔ、Ｐｏ１ｙ、Ｃｈｅｍ、Ｈｄ。
リマーの主鎖に立体的にかさ高い基を導入する方法が考
えられ、この発想を受レノて１．１．３−トリメチル−
３−フェニルインダンの骨格をポリマーの主鎖に持つポ
リマーが合成された０例えば、有機溶媒に可溶でガラス
転移温度が高いポリイミド（Ｃｉｂａ−Ｇｅｔｇｙ’５
ＸＵ−２Ｌ８）、ポリエステル（合弁、Ｊ、Ｐｏ１ｙ、
Ｓｃｔ、Ｐｏ１ｙ、Ｃｈｅｍ、Ｈｄ。
１９８Ｂ、 ２２．１３１９）またアラミド（Ｊ、Ｃｙ
ＷｉＪｓｏｎ＋ Ｊ。
ＷｉＪｓｏｎ＋ Ｊ。
Ｐｏ１ｙ、Ｓｃｉ、、Ｐｏ１．ｙ、Ｃｈｅｍ、Ｅｄ、１
９７５．１３．７４９）が公知である。フェニルインダ
ン骨格には、不斉炭素が存在するが、そのことに注目し
て光学活性なポリマーを合成する試みはなされていない
。
９７５．１３．７４９）が公知である。フェニルインダ
ン骨格には、不斉炭素が存在するが、そのことに注目し
て光学活性なポリマーを合成する試みはなされていない
。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は、光学活性な（＋）−１，，１゜３−ト
リメチル−３−フェニルインダンジカルボン酸の光学分
割による製造法及びその光学活性なジカルボン酸を用い
た新規光学活性アラミドを提供することにある。
リメチル−３−フェニルインダンジカルボン酸の光学分
割による製造法及びその光学活性なジカルボン酸を用い
た新規光学活性アラミドを提供することにある。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、光学活性な（＋）’−１．ｉ。
ねた結果、光学活性な（＋）’−１．ｉ。
３−トリメチル−３−フェニルインダンジカルボン酸（
以下（＋）−ＰＩＤと略記する）の製造法を見い出し、
さらにその光学活性体をｍｍいた新規光学活性アラミド
を合成することに成功し本発明を完成した。
以下（＋）−ＰＩＤと略記する）の製造法を見い出し、
さらにその光学活性体をｍｍいた新規光学活性アラミド
を合成することに成功し本発明を完成した。
即ち、本発明は、（±）−１，１，３−）ジメチル−３
−フェニルインダンジカルボン酸と光学活性なり−（−
）−パントイルラクトンより得られるジエステル誘導体
の溶解度の差を利用して再結晶により、（＋）−１，１
，３−）ジメチル−３−フェニルインダンジカルボン酸
を分離する（±）−１，１，３−）ジメチル−３−フェ
ニルインダンジカルボン酸の光学分割法並びにその光学
分割法により生成する（±）−１，１，３−）ジメチル
−３−フェニルインダンジカルボン酸の１） −（−）
−パントイルラクトンジエステル誘導体もしくは（＋）
−１、１、３−トリメチル−３フエニルインダンジカル
ボン酸、または下式で表される繰り返し単位を有する重
合体よりなり、開存粘度（ジメチルアセトアミド１００
ＦＪ！に芳香族ポリアミド０．５ｇを溶解した溶液で３
０゛Ｃで測定）（η１、）が少なくとも０．５ ｇ ／
ｄ ｌの光学活性な芳香族ポリアミドを提供する。
−フェニルインダンジカルボン酸と光学活性なり−（−
）−パントイルラクトンより得られるジエステル誘導体
の溶解度の差を利用して再結晶により、（＋）−１，１
，３−）ジメチル−３−フェニルインダンジカルボン酸
を分離する（±）−１，１，３−）ジメチル−３−フェ
ニルインダンジカルボン酸の光学分割法並びにその光学
分割法により生成する（±）−１，１，３−）ジメチル
−３−フェニルインダンジカルボン酸の１） −（−）
−パントイルラクトンジエステル誘導体もしくは（＋）
−１、１、３−トリメチル−３フエニルインダンジカル
ボン酸、または下式で表される繰り返し単位を有する重
合体よりなり、開存粘度（ジメチルアセトアミド１００
ＦＪ！に芳香族ポリアミド０．５ｇを溶解した溶液で３
０゛Ｃで測定）（η１、）が少なくとも０．５ ｇ ／
ｄ ｌの光学活性な芳香族ポリアミドを提供する。
弐
を表し、ｎは繰り返し単位数であり、＊は不斉炭素を表
す、） 本発明の光学分割について以下手順に沿って説明する。
す、） 本発明の光学分割について以下手順に沿って説明する。
原料となる（±）−ＰＩＤはＡｍｏｅｏ社等より市販さ
れているので容易に入手可能である。まず原料の（±）
−ＰＩＤを通常の方法で相当する酸クロリドに変換する
。この酸クロリドの溶液を光学活性なり−（−）−パン
トイルラクトン溶液に、アミン存在下ゆっくりと攪拌し
ながら滴下することで相当するジエステル誘導体を得る
ことができる。このジエステル誘導体を適当な溶媒を用
いて溶解度の差を利用して再結晶することで、（＋）−
Ｐ Ｉ Ｄのジエステル誘導体のみを優先的に分離する
ことができ、この（＋）−ジエステル誘導体を加水分解
することにより、純粋な（＋）−ＰＩＤが容易に得られ
る。
れているので容易に入手可能である。まず原料の（±）
−ＰＩＤを通常の方法で相当する酸クロリドに変換する
。この酸クロリドの溶液を光学活性なり−（−）−パン
トイルラクトン溶液に、アミン存在下ゆっくりと攪拌し
ながら滴下することで相当するジエステル誘導体を得る
ことができる。このジエステル誘導体を適当な溶媒を用
いて溶解度の差を利用して再結晶することで、（＋）−
Ｐ Ｉ Ｄのジエステル誘導体のみを優先的に分離する
ことができ、この（＋）−ジエステル誘導体を加水分解
することにより、純粋な（＋）−ＰＩＤが容易に得られ
る。
（＋）−ＰＩＤを酸クロリドに変換する方法としては、
触媒量のジメチルホルムアミドの存在下、過剰の塩化チ
オニルとの反応により（±）−ＰＩＤを相当する酸クロ
リドに変換できる。この際に用いる塩化チオニルの量は
（±）−ＰＩＤに対し２て少なくとも２当量以上である
。１０当量以上の大過剰を用いても収率は変わらず経済
的でない。
触媒量のジメチルホルムアミドの存在下、過剰の塩化チ
オニルとの反応により（±）−ＰＩＤを相当する酸クロ
リドに変換できる。この際に用いる塩化チオニルの量は
（±）−ＰＩＤに対し２て少なくとも２当量以上である
。１０当量以上の大過剰を用いても収率は変わらず経済
的でない。
一方のＤ−（−）−パントイルラクトンの使用量として
は、（±） −Ｐ Ｉ Ｄに対して少なくとも２当量以
上である。８当量以上の大過剰を用いても収率は変わら
ず経済的でない。
は、（±） −Ｐ Ｉ Ｄに対して少なくとも２当量以
上である。８当量以上の大過剰を用いても収率は変わら
ず経済的でない。
また反応進行中に生成する塩酸をトラップするために加
えるアミンとしては、トリエチルアミン、ピリジン、ル
チジン等のアミンが例示できる。用いるアミンの量は（
±）−ＰＡＤに対して２当量以上である。８当量以上の
大過剰を用いても収率は変わらず経済的でない。
えるアミンとしては、トリエチルアミン、ピリジン、ル
チジン等のアミンが例示できる。用いるアミンの量は（
±）−ＰＡＤに対して２当量以上である。８当量以上の
大過剰を用いても収率は変わらず経済的でない。
溶媒としては、パントイルラクトン、ＰＩＤが熔解する
ものであればいかなるものでもよいが、好ましくはクロ
ロホルム、四塩化炭素、塩化メチレンのごときハロゲン
系溶媒、ジメチルホルムアミド、またはジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルピロリドンのごとき非プロトン性極
性溶媒である。
ものであればいかなるものでもよいが、好ましくはクロ
ロホルム、四塩化炭素、塩化メチレンのごときハロゲン
系溶媒、ジメチルホルムアミド、またはジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルピロリドンのごとき非プロトン性極
性溶媒である。
反応は、０〜３５゛Ｃ１好ましくは１５〜２５゛Ｃの温
度範囲で１〜１０時間、好ましくは４〜８時間攪拌を続
けることで行われる。
度範囲で１〜１０時間、好ましくは４〜８時間攪拌を続
けることで行われる。
反応終了後、通常のエステル化反応の後処理により生成
物を単離することができる。その１例を挙げると、反応
が終了したのち稀塩酸水溶液、水で順次反応溶媒を洗浄
し、適当な乾燥剤で乾燥後、溶媒を留去し、（±）−Ｐ
ＩＤのジエステル誘導体の粗製生成物を得る。この粗製
生成物をメチレンクロライドを展開溶媒としてシリーカ
ゲルにより有色の副生成物を除き、白色の固体を得る。
物を単離することができる。その１例を挙げると、反応
が終了したのち稀塩酸水溶液、水で順次反応溶媒を洗浄
し、適当な乾燥剤で乾燥後、溶媒を留去し、（±）−Ｐ
ＩＤのジエステル誘導体の粗製生成物を得る。この粗製
生成物をメチレンクロライドを展開溶媒としてシリーカ
ゲルにより有色の副生成物を除き、白色の固体を得る。
この白色固体をエタノールで洗浄することにより（土）
−ＰＩＤのモノエステル誘導体を除去し、目的とする（
±）−ＰＩＤのジエステル誘導体を得る。
−ＰＩＤのモノエステル誘導体を除去し、目的とする（
±）−ＰＩＤのジエステル誘導体を得る。
このジエステル誘導体は熱エタノールから再結晶するこ
とを数回繰り返すことにより、光学的に純粋な（＋）−
ＰＩＤのジエステル誘導体が融点２２５〜２２６°Ｃの
無色の結晶として得られる。単離された生成物は、旋光
度、’ｔｌ−ＮＭＲ、ＩＲなどにより（＋）−ＰＩＤの
Ｄ−（−）−パントイルラクトンのジエステル誘導体で
あることが確認される。
とを数回繰り返すことにより、光学的に純粋な（＋）−
ＰＩＤのジエステル誘導体が融点２２５〜２２６°Ｃの
無色の結晶として得られる。単離された生成物は、旋光
度、’ｔｌ−ＮＭＲ、ＩＲなどにより（＋）−ＰＩＤの
Ｄ−（−）−パントイルラクトンのジエステル誘導体で
あることが確認される。
このジエステル誘導体は通常のアルカリ条件下で加水分
解することにより容易にジカルボン酸に変換される。旋
光度、’）ｌ−ＮＭＩ？ 、 ｒＲにより純粋な（＋）
−ＰＩＤであることがＷ１認される。アルカリ水溶液と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カ
ルシウムのごときアルカリ金属、アルカリ土類金属の水
酸化物が例示できる。水溶液の濃度としては、１〜２０
重看％、好ましくは１〜１０重量％濃度範囲のものであ
る。
解することにより容易にジカルボン酸に変換される。旋
光度、’）ｌ−ＮＭＩ？ 、 ｒＲにより純粋な（＋）
−ＰＩＤであることがＷ１認される。アルカリ水溶液と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カ
ルシウムのごときアルカリ金属、アルカリ土類金属の水
酸化物が例示できる。水溶液の濃度としては、１〜２０
重看％、好ましくは１〜１０重量％濃度範囲のものであ
る。
上記の方法により得られた光学活性な（＋）−ＰＩＤを
種々のジアミンと亜リン酸トリフェニル、ピリジン、塩
化ナトリウムの存在下に直接重縮合法により反応せしめ
ることで種々の新規光学活性アラミドが合成できる。
種々のジアミンと亜リン酸トリフェニル、ピリジン、塩
化ナトリウムの存在下に直接重縮合法により反応せしめ
ることで種々の新規光学活性アラミドが合成できる。
ジアミンとしては、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ビス（４−アミノ）メタン、ビス（４
−アミノ）エーテルのごとき芳香族ジアミンが例示でき
る。また使用するジアミンの量はジカルボン酸に対して
１．０当量である。
ニレンジアミン、ビス（４−アミノ）メタン、ビス（４
−アミノ）エーテルのごとき芳香族ジアミンが例示でき
る。また使用するジアミンの量はジカルボン酸に対して
１．０当量である。
合成反応は、亜リン酸トリフェニル２．０当量以上、患
化リチウム２．０当量以上、ピリジン６、０当量以上、
また溶媒として適当量のＮ−メチルピロリドンを加えて
、窒素雰囲気下で８０〜１６０’Ｃ１好ましくは９０〜
１２０°Ｃの温度範囲で１〜８時間攪拌を続けることで
完了する。生成したアラミドは、通常の再沈法により精
製できる。このアラミドは、ラセミ体より合成したアラ
ミドのＩＲ，ＩＩＭＲが一致し、また旋光性を示すこと
より目的とする光学活性なアラミドであることが確認さ
れる。
化リチウム２．０当量以上、ピリジン６、０当量以上、
また溶媒として適当量のＮ−メチルピロリドンを加えて
、窒素雰囲気下で８０〜１６０’Ｃ１好ましくは９０〜
１２０°Ｃの温度範囲で１〜８時間攪拌を続けることで
完了する。生成したアラミドは、通常の再沈法により精
製できる。このアラミドは、ラセミ体より合成したアラ
ミドのＩＲ，ＩＩＭＲが一致し、また旋光性を示すこと
より目的とする光学活性なアラミドであることが確認さ
れる。
また本発明の光学活性なアラミドの固有粘度（η！７．
）は、少なくとも０．５０ｇ／ｄ１以上、好ましくは０
．６０ｇ／ｄ１．以上のものである。固有粘度が０．５
０ｇ、／１１未満では、重合度が低く、フィルムや成形
物への成形が困難であるので、この光学活性なアラミド
の応用範囲が限定される。なお固有粘度は、ジメチルホ
ルムアミド又は４硫ｕ ｌ００１ｎｌ中に、本発明光学
活性なアラミド０．５ｇを溶解した溶液を用いて３０°
Ｃで測定して求めた。
）は、少なくとも０．５０ｇ／ｄ１以上、好ましくは０
．６０ｇ／ｄ１．以上のものである。固有粘度が０．５
０ｇ、／１１未満では、重合度が低く、フィルムや成形
物への成形が困難であるので、この光学活性なアラミド
の応用範囲が限定される。なお固有粘度は、ジメチルホ
ルムアミド又は４硫ｕ ｌ００１ｎｌ中に、本発明光学
活性なアラミド０．５ｇを溶解した溶液を用いて３０°
Ｃで測定して求めた。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
１ ジエステルｆ１ｇ の人
Ｄ−（−）−パントイルラクトン２８．６ ｇ及びトリ
エチルアミン２２．２ｇを約５００ｍ１の塩化メチレン
に溶解した溶液に、（±）−１，，１，３−）サメチル
−３りフェニルインダンジカルボン酸クロリド３６゜１
ｇを塩化メチレン２００ｄに溶かした溶液をゆっくりと
滴下した。室温で５時間撹拌後、反応混合液を稀塩酸溶
液２００１ｄ、水２００ｍ１で順次洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、うずい褐
色の粗生成物を塩化メチレンを展開溶媒として２００
ｇのシリカゲルで精製した。精製した白色固体をエタノ
ールで洗浄し、乾燥して３８．０ｇの（±） −Ｐ Ｉ
Ｄのジエステル誘導体を得た。
エチルアミン２２．２ｇを約５００ｍ１の塩化メチレン
に溶解した溶液に、（±）−１，，１，３−）サメチル
−３りフェニルインダンジカルボン酸クロリド３６゜１
ｇを塩化メチレン２００ｄに溶かした溶液をゆっくりと
滴下した。室温で５時間撹拌後、反応混合液を稀塩酸溶
液２００１ｄ、水２００ｍ１で順次洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、うずい褐
色の粗生成物を塩化メチレンを展開溶媒として２００
ｇのシリカゲルで精製した。精製した白色固体をエタノ
ールで洗浄し、乾燥して３８．０ｇの（±） −Ｐ Ｉ
Ｄのジエステル誘導体を得た。
１（−Ｎ月Ｒ（ＣＤＣｌ ３）δ１．０４（ｓ、 ３）
１）、 １．２１．１．２２Ｘ（ｓ、 ３１１）、
１２６． １．２８Ｘ（ｓ、 ３１り、 ｉ、２
９． １．３０に（ｓ＋３１４）、 １．３８（ｓ、
３！ｉ）、 ］、、７３Ｘ、、 １．７４（ｓ
、 ３Ｈ）、 ２．２４〜２．６０（ｍ、 ２１
１）、 ４．１１（ｄ、、２Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ）、
５．６Ｈｄ。
１）、 １．２１．１．２２Ｘ（ｓ、 ３１１）、
１２６． １．２８Ｘ（ｓ、 ３１り、 ｉ、２
９． １．３０に（ｓ＋３１４）、 １．３８（ｓ、
３！ｉ）、 ］、、７３Ｘ、、 １．７４（ｓ
、 ３Ｈ）、 ２．２４〜２．６０（ｍ、 ２１
１）、 ４．１１（ｄ、、２Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ）、
５．６Ｈｄ。
Ｉｆｌ、 Ｊ＝５．４Ｈｚ）、 ７．２４〜８．０８（
＋ｎ、 ７Ｈ）（ただし８は（＋１−ＰＩＤのジエステ
ル誘導体によるピーク）ＩＲ２９７０，１７９５（ラク
トンＣ−０）１７’２９（エステルＣ＝０）ｃｔａ−’
ｊ旧−％’ｉ、たニでエステル誘導体２０ｇを取り、熱
エタノール３．２００ｄに完全に溶解した後、ゆっくり
と冷却した。−日放置後、析出した結晶を濾過により分
離し、乾燥して（＋）−ＰＩＤのジエステル誘導体の粗
結晶８．５ｇを得た。
＋ｎ、 ７Ｈ）（ただし８は（＋１−ＰＩＤのジエステ
ル誘導体によるピーク）ＩＲ２９７０，１７９５（ラク
トンＣ−０）１７’２９（エステルＣ＝０）ｃｔａ−’
ｊ旧−％’ｉ、たニでエステル誘導体２０ｇを取り、熱
エタノール３．２００ｄに完全に溶解した後、ゆっくり
と冷却した。−日放置後、析出した結晶を濾過により分
離し、乾燥して（＋）−ＰＩＤのジエステル誘導体の粗
結晶８．５ｇを得た。
この粗結晶の旋光度（〔α〕Ｄ）−は、テトラヒドロフ
ラン（ＴＩＩＦ）中で測定した。
ラン（ＴＩＩＦ）中で測定した。
〔α〕。＋１１０〜１３０ （ｃｏ、 ５ 、 ＴＨＰ
）この粗結晶８．５ｇを再び熱エタノール６５０１１１
に完全に溶解し、ゆっくりと冷却した。半日後、析出し
た結晶を濾過により分離、乾燥し光学的に純粋な（＋）
−ＰＩＤのジエステル誘導体４．５ｇを得た。
）この粗結晶８．５ｇを再び熱エタノール６５０１１１
に完全に溶解し、ゆっくりと冷却した。半日後、析出し
た結晶を濾過により分離、乾燥し光学的に純粋な（＋）
−ＰＩＤのジエステル誘導体４．５ｇを得た。
この精製した結晶の旋光度は同じ＜ＴＨＦ中で測定した
。
。
〔α３ ｏ＋２０４ （ｃｏ、 ５ 、 ＴＨＦ）’ｆ
ｌ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ ３）δ１，０４（ｓ、 ３）１
）、 １．２１（ｓ、 ３１１）。
ｌ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ ３）δ１，０４（ｓ、 ３）１
）、 １．２１（ｓ、 ３１１）。
１．２３（ｓ、 ３Ｈ）、 １．２７（ｓ、 ３Ｈ）、
１．２８（ｓ、 ３８）、 １．３７（！！、 ３１
１）、 １．７４（ｓ、 ３Ｈ）、 ２．２８（ｄ、
ＩＨ，Ｊ＝１５Ｈｚ）。
１．２８（ｓ、 ３８）、 １．３７（！！、 ３１
１）、 １．７４（ｓ、 ３Ｈ）、 ２．２８（ｄ、
ＩＨ，Ｊ＝１５Ｈｚ）。
２．４９（ｄ、 ］、Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ）、 ４．１．
Ｈｄ。２Ｂ、 Ｊ・２．７ｉｉｚ）。
Ｈｄ。２Ｂ、 Ｊ・２．７ｉｉｚ）。
５．６１（ｄ、 ＩＨ，Ｊ＝５．４Ｈｚ）、 ７．．２
４〜８．０８（ａｉ＋ ７８）ＩＲ２９７０，１７５０
（ラクトンＣ−０）１７３１（エステルＣ’＝ ０ ）
ｃｍ−’２ ■ ” （±）−ＰＩＤのジエステル誘導体５．０ｇをエタノー
ル３０ｄに分散させ、３％水酸化ナトリウム水溶液１０
０ｄを加えた。この溶液を３時間加熱還流後、室温まで
冷却し得られた透明な溶液に、ＩＮ塩酸水溶液を溶液が
酸性を示すまで加え、（＋）−ＰＩＤを析出させた。濾
過により析出した（＋）−ＰＩＤの結晶２．８１ｇ （
９５％）を得た。
４〜８．０８（ａｉ＋ ７８）ＩＲ２９７０，１７５０
（ラクトンＣ−０）１７３１（エステルＣ’＝ ０ ）
ｃｍ−’２ ■ ” （±）−ＰＩＤのジエステル誘導体５．０ｇをエタノー
ル３０ｄに分散させ、３％水酸化ナトリウム水溶液１０
０ｄを加えた。この溶液を３時間加熱還流後、室温まで
冷却し得られた透明な溶液に、ＩＮ塩酸水溶液を溶液が
酸性を示すまで加え、（＋）−ＰＩＤを析出させた。濾
過により析出した（＋）−ＰＩＤの結晶２．８１ｇ （
９５％）を得た。
・ １３ アラミド人
（＋）−ＰＩＤＩ、６２ｇ１ビス（４−アミノフェニル
）エーテル１．００ｇ、塩化リチウム０．５ｇ、亜リン
酸トリフェニル２．６５ａｊ！、ピリジン２．５ ｒａ
ｌ、Ｎ−メチルピロリドン１０−の混合物を窒素雰囲気
下で１００″Ｃに加熱し、３時間攪拌した。反応混合物
は冷却後５００１ｄ！のメタノールに滴下し、沈澱した
生成物を濾過により分離、熱メタノールで洗浄、減圧下
で乾燥することにより光学活性アラミド２．４４ｇ （
９９％）を得た。生成した光学活性アラミドの粘度、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）、分解温度（Ｔｄ）、〔α〕。は
表１にまとめて示した。
）エーテル１．００ｇ、塩化リチウム０．５ｇ、亜リン
酸トリフェニル２．６５ａｊ！、ピリジン２．５ ｒａ
ｌ、Ｎ−メチルピロリドン１０−の混合物を窒素雰囲気
下で１００″Ｃに加熱し、３時間攪拌した。反応混合物
は冷却後５００１ｄ！のメタノールに滴下し、沈澱した
生成物を濾過により分離、熱メタノールで洗浄、減圧下
で乾燥することにより光学活性アラミド２．４４ｇ （
９９％）を得た。生成した光学活性アラミドの粘度、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）、分解温度（Ｔｄ）、〔α〕。は
表１にまとめて示した。
ｌ施旌土
（＋）−ＰＩＤとｐ−フェニレンジアミンを実施例３に
示した方法により直接重合し、相当する光学活性アラミ
ドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度、Ｔｇ、Ｔ
ｄ、 （α〕、は表１にまとめて示した。
示した方法により直接重合し、相当する光学活性アラミ
ドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度、Ｔｇ、Ｔ
ｄ、 （α〕、は表１にまとめて示した。
実１１影
（±）−ＰｆＤとｍ−フェニレンジアミンを実施例３に
示した方法により直接重合し、相当する光学活性アラミ
ドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度、Ｔｇ、Ｔ
ｄ、 （α〕。は表１にまとめて示した。
示した方法により直接重合し、相当する光学活性アラミ
ドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度、Ｔｇ、Ｔ
ｄ、 （α〕。は表１にまとめて示した。
ス差−例」−
（＋）−ＰｒＤとビス（４−アミノフェニル）メタンを
実施例３に示した方法により直接重合し、相当する光学
活性アラミドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度
、Ｔｇ、Ｔｄ、 （α〕、は表１にまとめて示した。
実施例３に示した方法により直接重合し、相当する光学
活性アラミドを得た。生成した光学活性アラミドの粘度
、Ｔｇ、Ｔｄ、 （α〕、は表１にまとめて示した。
本発明の光学活性基（＋）−フェニルインダンジカルボ
ン酸は新規のモノマーとしてその用途は広く、また本発
明の光学活性アラミドは溶媒可溶な耐熱性高分子である
ばかりでなく光学活性であることより、電子材料や分割
剤への利用が出来ることはいうまでもない。
ン酸は新規のモノマーとしてその用途は広く、また本発
明の光学活性アラミドは溶媒可溶な耐熱性高分子である
ばかりでなく光学活性であることより、電子材料や分割
剤への利用が出来ることはいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（±）−１，１，３−トリメチル−３−フェニルイ
ンダンジカルボン酸と光学活性なＤ−（−）−パントイ
ルラクトンより得られるジエステル誘導体の溶解度の差
を利用して再結晶により（＋）−１，１，３−トリメチ
ル−３−フェニルインダンジカルボン酸を分離すること
を特徴とする（±）−１，１，３−トリメチル−３−フ
ェニルインダンジカルボン酸の光学分割法。 ２、請求項１記載の光学分割法により生成する（±）−
１，１，３−トリメチル−３−フェニルインダンジカル
ボン酸のＤ−（−）−パントイルラクトンジエステル誘
導体。 ３、請求項１記載の光学分割法により生成する（±）−
１，１，３−トリメチル−３−フェニルインダンジカル
ボン酸。 ４、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中のＡｒは式 ▲数式、化学式、表等があります▼ を表し、ｎは繰り返し単位数であり、＊は不斉炭素を表
す）で表される繰り返し単位を有する重合体よりなり、
少なくとも０．５ｇ／ｄｌの固有粘度を有する光学活性
な芳香族ポリアミド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4519189A JPH02225437A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | フェニルインダンジカルボン酸の光学分割法及びその光学活性体を用いた芳香族ポリアミド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4519189A JPH02225437A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | フェニルインダンジカルボン酸の光学分割法及びその光学活性体を用いた芳香族ポリアミド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225437A true JPH02225437A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12712377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4519189A Pending JPH02225437A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | フェニルインダンジカルボン酸の光学分割法及びその光学活性体を用いた芳香族ポリアミド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225437A (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4519189A patent/JPH02225437A/ja active Pending
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