JPH02227602A - 位置検出装置、位置検出方法及び投影露光装置 - Google Patents
位置検出装置、位置検出方法及び投影露光装置Info
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- JPH02227602A JPH02227602A JP1048293A JP4829389A JPH02227602A JP H02227602 A JPH02227602 A JP H02227602A JP 1048293 A JP1048293 A JP 1048293A JP 4829389 A JP4829389 A JP 4829389A JP H02227602 A JPH02227602 A JP H02227602A
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- beams
- light
- wafer
- reticle
- mark
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体素子等の物体上に形成された回折格子
を用いた位置検出装置に関し、特にリソグラフィ用の露
光装置のアライメント時に使用され、原画パターンを存
するマスクと、この原画パターンが転写される基板との
相対的な位置関係を検出する装置に関するものである。
を用いた位置検出装置に関し、特にリソグラフィ用の露
光装置のアライメント時に使用され、原画パターンを存
するマスクと、この原画パターンが転写される基板との
相対的な位置関係を検出する装置に関するものである。
近年、半導体素子等の微細パターンを高分解能で半導体
ウェハ上に転写する装置として、投影型露光装置(ステ
ッパー)が多用されるようになった。従来よりこの種の
ステッパーにおいては、レチクル(マスクと同義)とウ
ェハ上の1つのシッット領域との位置合わせ、所謂アラ
イメント方式として、レチクルの回路パターン周辺に形
成されたアライメントマークと、ウェハ上のショット領
域周辺に形成されたアライメントマークとを同時、検出
するTTR(スルーザレチクル)方式のアライメント系
をもつ装置が知られている。
ウェハ上に転写する装置として、投影型露光装置(ステ
ッパー)が多用されるようになった。従来よりこの種の
ステッパーにおいては、レチクル(マスクと同義)とウ
ェハ上の1つのシッット領域との位置合わせ、所謂アラ
イメント方式として、レチクルの回路パターン周辺に形
成されたアライメントマークと、ウェハ上のショット領
域周辺に形成されたアライメントマークとを同時、検出
するTTR(スルーザレチクル)方式のアライメント系
をもつ装置が知られている。
このアライメント方式ではレチクル上のマークとウェハ
上のマークとをともに高精度に検出し、その相対位置ず
れ量を求め、このずれ量が補正されるようにレチクル、
又はウェハを微動させている。一般に投影型露光装置で
は、レチクルのパターンをウェハ上に高解像力で結像す
るために、投影光学系は露光用の照明光(例えば波長4
36rvのg線、波長365n−のi線、あるいは波長
248n論のKrFIキシマレーザ光等)のみに対して
良好に色収差補正されているのが現状である。このこと
は投影光学系を介してレチクルのマークとウェハのマー
クとを検出するアライメント光学系において、マーク照
明用の光が露光光の波長と同一、もしくは極めてそれに
近い波長に制限されることを意味する。
上のマークとをともに高精度に検出し、その相対位置ず
れ量を求め、このずれ量が補正されるようにレチクル、
又はウェハを微動させている。一般に投影型露光装置で
は、レチクルのパターンをウェハ上に高解像力で結像す
るために、投影光学系は露光用の照明光(例えば波長4
36rvのg線、波長365n−のi線、あるいは波長
248n論のKrFIキシマレーザ光等)のみに対して
良好に色収差補正されているのが現状である。このこと
は投影光学系を介してレチクルのマークとウェハのマー
クとを検出するアライメント光学系において、マーク照
明用の光が露光光の波長と同一、もしくは極めてそれに
近い波長に制限されることを意味する。
露光工程のウェハには表面にレジスト層が形成されてお
り、アライメント時にはレジスト層を介してウェハ上の
マークを検出する。このレジスト層は、より高解像のパ
ターン形成を可能とするために、露光光に対する吸収率
が高く、透過率が低くなるような多層レジスト構造等を
採用することが考えられてきた。この場合、アライメン
ト用の照明光がウェハ上のマークに達するまでに減衰を
受けることと、マークからの反射光(正反射光、散乱光
、回折光等)も減衰を受けることによって、ウェハ上の
マークがアライメント光学系によって十分な光量で認識
されず、マークの検出暗度を低下させるといった問題が
生じる。
り、アライメント時にはレジスト層を介してウェハ上の
マークを検出する。このレジスト層は、より高解像のパ
ターン形成を可能とするために、露光光に対する吸収率
が高く、透過率が低くなるような多層レジスト構造等を
採用することが考えられてきた。この場合、アライメン
ト用の照明光がウェハ上のマークに達するまでに減衰を
受けることと、マークからの反射光(正反射光、散乱光
、回折光等)も減衰を受けることによって、ウェハ上の
マークがアライメント光学系によって十分な光量で認識
されず、マークの検出暗度を低下させるといった問題が
生じる。
またアライメントのためにアライメント用照明光がウェ
ハ上のマークに照射されると、その部分のレジスト層は
当然に感光してしまい、現像後に各種プロセスを通すと
、ウェハ上の当該マークが破壊されてしまい、次の層の
重ね合わせ露光のときのアライメントに使えないといっ
た問題も、本質的ではないが生じてしまう。
ハ上のマークに照射されると、その部分のレジスト層は
当然に感光してしまい、現像後に各種プロセスを通すと
、ウェハ上の当該マークが破壊されてしまい、次の層の
重ね合わせ露光のときのアライメントに使えないといっ
た問題も、本質的ではないが生じてしまう。
そこで、例えば特開昭63−153820号公報に開示
されたTTR方式の別波長アライメント系(アライメン
ト用照明光が露光光の波長と異なる方式)をベースにし
て、ウェハ、又はレチクル上に形成された一次元の回折
格子マークを光学的に検出して、そのピッチ情報からウ
ェハ、又はレチクルの位置を高分解能(ピッチの数分の
1〜数十分の1)に検出する方式が特開昭63−283
129号公報で提案されている。
されたTTR方式の別波長アライメント系(アライメン
ト用照明光が露光光の波長と異なる方式)をベースにし
て、ウェハ、又はレチクル上に形成された一次元の回折
格子マークを光学的に検出して、そのピッチ情報からウ
ェハ、又はレチクルの位置を高分解能(ピッチの数分の
1〜数十分の1)に検出する方式が特開昭63−283
129号公報で提案されている。
回折格子マークを用いる位置検出には様々な手法が提案
され、実用化されてきた。特開昭63−283129号
公報に開示された手法は、そのなかでも回折格子マーク
に対して2方向からほぼ平行なレーザビームを同時に照
射して1次元の干渉縞を作り、この干渉縞を使って回折
格子マークの位置を特定しようとする方法であり、干渉
縞を使うことから干渉縞アライメント法とも呼ばれてい
る。
され、実用化されてきた。特開昭63−283129号
公報に開示された手法は、そのなかでも回折格子マーク
に対して2方向からほぼ平行なレーザビームを同時に照
射して1次元の干渉縞を作り、この干渉縞を使って回折
格子マークの位置を特定しようとする方法であり、干渉
縞を使うことから干渉縞アライメント法とも呼ばれてい
る。
このような干渉縞アライメント法にも、さらに2つの方
法があり、2方向から照射されるレーザビーム(2本)
に一定の周波数差を与えるヘテロゲイン法と、周波数差
のないホモダイン法である。
法があり、2方向から照射されるレーザビーム(2本)
に一定の周波数差を与えるヘテロゲイン法と、周波数差
のないホモダイン法である。
ホモダイン法では、回折格子と平行に静止した干渉縞が
作られ、位置検出にあたっては回折格子(物体)をその
ピッチ方向に微動させる必要があり、回折格子の位置は
干渉縞を基準として求められる。これに対してヘテロダ
イン法では2本のレーザビームの周波数差(ビート周波
数)のために、干渉縞がそのピッチ方向にビート周波数
で高速に流れることになり、回折格子の位置は干渉縞を
基準として求めることはできず、もっばら干渉縞の高速
移動に伴なう時間的な要素(位相差)を基準にして求め
ることになる。
作られ、位置検出にあたっては回折格子(物体)をその
ピッチ方向に微動させる必要があり、回折格子の位置は
干渉縞を基準として求められる。これに対してヘテロダ
イン法では2本のレーザビームの周波数差(ビート周波
数)のために、干渉縞がそのピッチ方向にビート周波数
で高速に流れることになり、回折格子の位置は干渉縞を
基準として求めることはできず、もっばら干渉縞の高速
移動に伴なう時間的な要素(位相差)を基準にして求め
ることになる。
〔発明が解決しようとする問題点]
上記、干渉縞アライメント法を採用した位置検出系では
、実験の結果、2方向から回折格子を照射する2本のビ
ームの入射角の対称性が極めて重要であることが明らか
になった。入射角の対称性がほんのわずかでも不安定に
変動すると、テレセン性を悪化させ、もともと測定分解
能が高いこともあって、測定分解能に対する検出誤差量
の割合が大きな問題となる。測定分解能が高ければ高い
程、高精度なアライメントが可能である訳だが、検出誤
差量の割合が大きいと、結局はその誤差量の幅でアライ
メント精度は制限されてしまい、干渉縞アライメント法
を用いたメリットがなくなってしまう。
、実験の結果、2方向から回折格子を照射する2本のビ
ームの入射角の対称性が極めて重要であることが明らか
になった。入射角の対称性がほんのわずかでも不安定に
変動すると、テレセン性を悪化させ、もともと測定分解
能が高いこともあって、測定分解能に対する検出誤差量
の割合が大きな問題となる。測定分解能が高ければ高い
程、高精度なアライメントが可能である訳だが、検出誤
差量の割合が大きいと、結局はその誤差量の幅でアライ
メント精度は制限されてしまい、干渉縞アライメント法
を用いたメリットがなくなってしまう。
2つのビームの入射角の対称性を狂わし、不安定にさせ
る要因は色々考えられるが、代表的には装′11構造に
起因する問題と、位置検出時の物体(格子マーク)側に
起因する問題とに分けられる。
る要因は色々考えられるが、代表的には装′11構造に
起因する問題と、位置検出時の物体(格子マーク)側に
起因する問題とに分けられる。
装置側の問題としては、露光装置等ではアライメント系
の対物レンズやミラー等がマーク位置の変化に対応して
可動する構造を余儀なくされていること、2本のビーム
を作るための光源から回折格子までの光路内には様々の
光学素子が介在し、それらにも多かれ少なかれ製造誤差
、組立誤差が生じること等である。
の対物レンズやミラー等がマーク位置の変化に対応して
可動する構造を余儀なくされていること、2本のビーム
を作るための光源から回折格子までの光路内には様々の
光学素子が介在し、それらにも多かれ少なかれ製造誤差
、組立誤差が生じること等である。
物体側の計測時の問題としては、主に入射角の対称性に
起因するが、2本のビームが交差している領域内で、計
測すべき回折格子の部分表面が、計測のたびに光軸方向
にわずかに変位することである。これはウェハ等のアラ
イメントのように、ウェハ上の複数点の回折格子マーク
を順次計測する場合、各マーク毎にサイン誤差が生じる
ことを意味する。その多くの原因はウェハ表面のフラッ
トネス(そり、湾曲等)によるものである。
起因するが、2本のビームが交差している領域内で、計
測すべき回折格子の部分表面が、計測のたびに光軸方向
にわずかに変位することである。これはウェハ等のアラ
イメントのように、ウェハ上の複数点の回折格子マーク
を順次計測する場合、各マーク毎にサイン誤差が生じる
ことを意味する。その多くの原因はウェハ表面のフラッ
トネス(そり、湾曲等)によるものである。
従来のTTRアライメント系のうち、レーザビームをス
リット状に集光し、ウェハ上のバーマーク等を相対走査
して、その散乱、回折光を光電検出する方式のものでも
、同様の問題点はかかえていたが、その影響はマークの
検出時のノイズ誤差、波形歪み等を考慮した総合検出精
度にくらべて少なく、はとんど気にならなかった。また
、レーザビームをスリット状のスポットに集光する方式
では、投影レンズやアライメント対物レンズの瞳面内で
、ウェハ上のスポットのスリット長手方向と直交する方
向にビーム断面の形状を細長くすることになる。従って
スリット状のマークの検出方向(スリット状スポットの
幅方向)については、それと直交する方向にくらべてビ
ームの開口数が大きくなる。一般にビームの開口数を大
きくすれば、それだけスポット光の径(幅)を微小にす
ることができ、検出分解能の向上が可能であるが、それ
に対応してビームウェストの光軸方向の幅は小さくなっ
てしまい、結局のところマーク検出時の安定性を欠いた
ものになってしまう、さらにビームをスポットに集光す
る方式では、ビームの波面がビームウェストの中心を挾
んで光軸方向に変化してくるため、ウェハ表面のフラッ
トネス等の影響でビームウェストに対してマークが光軸
方向に変位して走査されると、本来のシャープな光電信
号波形が得られない。
リット状に集光し、ウェハ上のバーマーク等を相対走査
して、その散乱、回折光を光電検出する方式のものでも
、同様の問題点はかかえていたが、その影響はマークの
検出時のノイズ誤差、波形歪み等を考慮した総合検出精
度にくらべて少なく、はとんど気にならなかった。また
、レーザビームをスリット状のスポットに集光する方式
では、投影レンズやアライメント対物レンズの瞳面内で
、ウェハ上のスポットのスリット長手方向と直交する方
向にビーム断面の形状を細長くすることになる。従って
スリット状のマークの検出方向(スリット状スポットの
幅方向)については、それと直交する方向にくらべてビ
ームの開口数が大きくなる。一般にビームの開口数を大
きくすれば、それだけスポット光の径(幅)を微小にす
ることができ、検出分解能の向上が可能であるが、それ
に対応してビームウェストの光軸方向の幅は小さくなっ
てしまい、結局のところマーク検出時の安定性を欠いた
ものになってしまう、さらにビームをスポットに集光す
る方式では、ビームの波面がビームウェストの中心を挾
んで光軸方向に変化してくるため、ウェハ表面のフラッ
トネス等の影響でビームウェストに対してマークが光軸
方向に変位して走査されると、本来のシャープな光電信
号波形が得られない。
そこで本発明は、上述の問題点に鑑みてなされ、干渉縞
アライメント法で使われる2ビ一ム干渉式位置検出装置
において、2ビームの入射角の対称性を安定に保つこと
を目的とする。
アライメント法で使われる2ビ一ム干渉式位置検出装置
において、2ビームの入射角の対称性を安定に保つこと
を目的とする。
本発明では、物体上の回折格子を、対物光学系を介して
2方向から照射するビームが、対物光学系の瞳面内で所
定間隔だけ離れることに着目し、瞳面内を通る2つのビ
ームの間隔はほぼ一定に保ったまま、瞳面内でともに格
子配列方向に同量だけ変位させる第1光学部材を、ビー
ム発生用の光源と対物光学系との間の光路中に設けた。
2方向から照射するビームが、対物光学系の瞳面内で所
定間隔だけ離れることに着目し、瞳面内を通る2つのビ
ームの間隔はほぼ一定に保ったまま、瞳面内でともに格
子配列方向に同量だけ変位させる第1光学部材を、ビー
ム発生用の光源と対物光学系との間の光路中に設けた。
第1光学部材は、2本のビームの物体への入射角の対称
性を調整するものであって、物体と対物光学系との間隔
を光軸方向に変位させる間隔調整手段と、回折格子から
発生した回折光(干渉光)を対物光学系を介して光電検
出したときの検出信号に応じて、第1光学部材を調整す
る制御手段とを設け、これによって2本のビームの対称
性を安定に保つようにした。
性を調整するものであって、物体と対物光学系との間隔
を光軸方向に変位させる間隔調整手段と、回折格子から
発生した回折光(干渉光)を対物光学系を介して光電検
出したときの検出信号に応じて、第1光学部材を調整す
る制御手段とを設け、これによって2本のビームの対称
性を安定に保つようにした。
本発明では、従来の結像式、又はビームスポット式の位
置検出装置にくらべて、2ビ一ム干渉式の方が、光軸方
向に関する実効的な検出範囲を数倍〜数十倍以上に広げ
られる点、すなわち、実効的な検出範囲内で2本のビー
ムの交差によって作られる波面が光軸方向の各位置でほ
ぼ一定である点に着目している。
置検出装置にくらべて、2ビ一ム干渉式の方が、光軸方
向に関する実効的な検出範囲を数倍〜数十倍以上に広げ
られる点、すなわち、実効的な検出範囲内で2本のビー
ムの交差によって作られる波面が光軸方向の各位置でほ
ぼ一定である点に着目している。
そのことについて、第2図を参照して説明する。
第2図は2本の平行なビームLB、 、LB、を仮想的
な平面IP上で丁度交差するように投射し、平面IPに
一次元の回折格子WP(デエーティは1:1)を平行に
配置した様子を示す、2つのビームLB、 、LBtの
波長をλ、回折格子WPのピッチをP、2つのビームL
B、 、LB、を投射する対物光学系の光軸を面IPと
垂直なAXaとし、ビームLB、 、LB、の入射角を
それぞれ光軸AXaを挾んでθa、θbとすると、回折
格子WPから光軸AXaと平行に干渉光(回折光)BT
Lを発生させるためには、(1)式を満す必要がある。
な平面IP上で丁度交差するように投射し、平面IPに
一次元の回折格子WP(デエーティは1:1)を平行に
配置した様子を示す、2つのビームLB、 、LBtの
波長をλ、回折格子WPのピッチをP、2つのビームL
B、 、LB、を投射する対物光学系の光軸を面IPと
垂直なAXaとし、ビームLB、 、LB、の入射角を
それぞれ光軸AXaを挾んでθa、θbとすると、回折
格子WPから光軸AXaと平行に干渉光(回折光)BT
Lを発生させるためには、(1)式を満す必要がある。
λ
sinθa−sinθb=n ・
(ただしn−1,2・・・)・・・・・・(1)この(
1)式を満すと、2つのビームLB、、LB8が交差し
ている空間領域内で、平面IPと平行な任意の面内には
ピッチ1/2Pで一次元の干渉縞IFwが作られる。
1)式を満すと、2つのビームLB、、LB8が交差し
ている空間領域内で、平面IPと平行な任意の面内には
ピッチ1/2Pで一次元の干渉縞IFwが作られる。
この干渉縞IFwの各明暗縞は、回折格子WPの各格子
エレメント(バーパターン)と平行になるように設定さ
れている。ここで重要なことは、入射角θa、θbが面
IPと垂直な光軸AXaに対して対称性を保っているこ
とにある。第2図ではθa−θbとして図示してあり、
回折格子WPの上方空間と下方空間との2ケ所に作られ
る干渉縞IFwのピッチ方向の位相は、相互に横ずれす
ることなく、垂直方向のどこの面内でも位相情報が同一
に保存されている。すなわち、上面側と下面側との干渉
縞間で同一位相点を結ぶ線2kが面!Pと垂直になって
いる。
エレメント(バーパターン)と平行になるように設定さ
れている。ここで重要なことは、入射角θa、θbが面
IPと垂直な光軸AXaに対して対称性を保っているこ
とにある。第2図ではθa−θbとして図示してあり、
回折格子WPの上方空間と下方空間との2ケ所に作られ
る干渉縞IFwのピッチ方向の位相は、相互に横ずれす
ることなく、垂直方向のどこの面内でも位相情報が同一
に保存されている。すなわち、上面側と下面側との干渉
縞間で同一位相点を結ぶ線2kが面!Pと垂直になって
いる。
ここで入射角θa1θbの対称性がくずれると、線fk
はビームLB+ 、LBtの先主綿の丁度2等分線とな
るようにΔθだけ傾くことになる。このため、回折格子
WPが垂直方向にΔZ変位すると、回折格子WP上にで
きる干渉縞IFwの同一位相点は、格子配列方向にsi
nΔθだけ相対変位してしまい、回折格子WPの位置検
出にsinΔθ分の誤差が生じる。
はビームLB+ 、LBtの先主綿の丁度2等分線とな
るようにΔθだけ傾くことになる。このため、回折格子
WPが垂直方向にΔZ変位すると、回折格子WP上にで
きる干渉縞IFwの同一位相点は、格子配列方向にsi
nΔθだけ相対変位してしまい、回折格子WPの位置検
出にsinΔθ分の誤差が生じる。
以上は、2つのビームLB、、LBtに周波数差Δfが
ないホモダイン法の場合で説明したが、差Δrがあるヘ
テロゲイン法の場合、干渉縞IFWは速度Vで矢印の方
向(格子配列方向)に移動することになるが、同一位相
点の保存の重要性は、上述の説明と全く同じである。こ
こで速度Vは、干渉縞IFwのピッチをP’(−1/2
P)とすると、(2)式で表わされる。
ないホモダイン法の場合で説明したが、差Δrがあるヘ
テロゲイン法の場合、干渉縞IFWは速度Vで矢印の方
向(格子配列方向)に移動することになるが、同一位相
点の保存の重要性は、上述の説明と全く同じである。こ
こで速度Vは、干渉縞IFwのピッチをP’(−1/2
P)とすると、(2)式で表わされる。
V−Δf−P’ ・・・・・・・・・(2)ところ
で入射角θa、θbの対称性が(ずれて、線1kが光軸
AXaに対してΔθだけ傾くと、干渉光BTLの発生方
向にも傾きが生じることになり、光電検出の際に不都合
が生じることもある。
で入射角θa、θbの対称性が(ずれて、線1kが光軸
AXaに対してΔθだけ傾くと、干渉光BTLの発生方
向にも傾きが生じることになり、光電検出の際に不都合
が生じることもある。
それは、ビームLB、の照射より回折格子WPから発生
する高次回折光のうちの1次光が垂直に戻り、ビームL
B、の照射により発生する高次回折光のうちの1次光が
垂直に戻ることによって干渉光BTLが作られるためで
あり、入射角θa、θbが異なってくると、それら2つ
の1次光の同軸性が失なわれてしまい、極端な場合は干
渉光BTLが得られな(なる。
する高次回折光のうちの1次光が垂直に戻り、ビームL
B、の照射により発生する高次回折光のうちの1次光が
垂直に戻ることによって干渉光BTLが作られるためで
あり、入射角θa、θbが異なってくると、それら2つ
の1次光の同軸性が失なわれてしまい、極端な場合は干
渉光BTLが得られな(なる。
さて、2つのビームLB、 、LB、の交差角をθ(θ
a+θb)、ビームの幅(径)をDとすると、2つのビ
ームLB、、LB□の交差空間領域の光軸AXa (Z
軸)方向の最大幅Zmは、(3)式で与えられる。
a+θb)、ビームの幅(径)をDとすると、2つのビ
ームLB、、LB□の交差空間領域の光軸AXa (Z
軸)方向の最大幅Zmは、(3)式で与えられる。
2m−
cos (θ/2) ・tan (θ/2)・・・・
・・・・・ (3) さらに先の(1)式から、sin (θ/2) −nλ
/Pとすれば、最大幅Zmを簡単に算出できる。
・・・・・ (3) さらに先の(1)式から、sin (θ/2) −nλ
/Pとすれば、最大幅Zmを簡単に算出できる。
一例として、ビームLB、 、LB、を幅100μmで
波長632.8ns+のHe−Neレーザとし、回折格
子WPのピンチPを8μm(4μmラインアンドスペー
ス)、n=1にすると、2本のビームLB、 、LB、
の入射角θ/2は、θ/ 2 = 5in−’ (0,
6328/8) !:i4.5368°となり、最大幅
Zmは、 一1260jIm となる、しかしながら、回折格子WPは格子ピッチ方向
にある幅を有し、その幅内で干渉縞IFwが安定に住じ
ている必要があるため、実際に有効な範囲は第2図に示
すような輻ZIlに制限される。
波長632.8ns+のHe−Neレーザとし、回折格
子WPのピンチPを8μm(4μmラインアンドスペー
ス)、n=1にすると、2本のビームLB、 、LB、
の入射角θ/2は、θ/ 2 = 5in−’ (0,
6328/8) !:i4.5368°となり、最大幅
Zmは、 一1260jIm となる、しかしながら、回折格子WPは格子ピッチ方向
にある幅を有し、その幅内で干渉縞IFwが安定に住じ
ている必要があるため、実際に有効な範囲は第2図に示
すような輻ZIlに制限される。
ところが、幅Zlは、上述の条件で見積っても300μ
m程度、すなわち面IPの上下に150μm程度とれる
ことがわかった。しかも、この幅Zl内では、どの面内
でみても干渉縞IFwの波形が極めて正確に再現され、
波面の変化が生じていないことがわかる。
m程度、すなわち面IPの上下に150μm程度とれる
ことがわかった。しかも、この幅Zl内では、どの面内
でみても干渉縞IFwの波形が極めて正確に再現され、
波面の変化が生じていないことがわかる。
ここで従来のスポット走査方式との比較をしてみると、
物体上で2μmに結像するHe−Neレーザの実効的な
ビームウェスト保存距離(焦点深度)は、ビームの開口
数を小さくしても8μm程度しか取れず、±150am
もデフォーカスさせた状態では物体上のスポットサイズ
は約50μmにもなワてしまう。また従来のスポット光
結像では、対物光学系、投影レンズによってビームを集
光するため、光軸方向に関しては波面の形状が順次変化
していることになる。
物体上で2μmに結像するHe−Neレーザの実効的な
ビームウェスト保存距離(焦点深度)は、ビームの開口
数を小さくしても8μm程度しか取れず、±150am
もデフォーカスさせた状態では物体上のスポットサイズ
は約50μmにもなワてしまう。また従来のスポット光
結像では、対物光学系、投影レンズによってビームを集
光するため、光軸方向に関しては波面の形状が順次変化
していることになる。
本発明では、このように2ビ一ム干渉方式が光軸方向に
関して極めて広い安定な検出範囲(Zl)を有する点に
着目して、2つのビームLB。
関して極めて広い安定な検出範囲(Zl)を有する点に
着目して、2つのビームLB。
、LBtの入射角の対称性を極めて高精度に検出するも
のである。
のである。
次に、本発明の実施例による位置検出装置を投影型露光
装置!(ステッパー)に組み込んだ構成について第1図
、第3図、第4図、第5図、第6図、及び第7図を参照
して説明するが、基本的な構成は特開昭63−2831
29号公報に開示されたものと同様である。
装置!(ステッパー)に組み込んだ構成について第1図
、第3図、第4図、第5図、第6図、及び第7図を参照
して説明するが、基本的な構成は特開昭63−2831
29号公報に開示されたものと同様である。
第1図において、所定の回路パターンとアライメント用
の回折格子マークとを有するレチクルlは2次元移動可
能なレチクルステージ2に保持される。レチクル1上の
各パターンは両側テレセントリックな投影レンズ3によ
って露光光のもとでウェハ4上に結像される。ただしこ
の投影レンズ3は露光用の照明光波長(g線、1線等)
に関して良好に色収差補正されており、その露光用の波
長に関してレチクルlとウェハ4とが互いに共役になる
ように配置される。またウェハ4上にもレチクル1に形
成された格子マークと同様の回折格子マークが形成され
ている。さて、ウェハ4はステップアンドリピート方式
でX%Y方向に2次元移動するとともに、2方向に微動
するステージ5上に吸着され、ウェハ4上の1つのシー
y7HJI域に対するレチクルlの転写露光が終了する
と、次のシジット位置までステッピングされる。レチク
ルステージ2の一部には、レチクル1の水平面内でのX
方向、y方向及び回転(θ)方向の位置を検出するため
のレーザ光波干渉式測長器(以下、干渉計とする)43
からのレーザビームを反射する移動@I6が固定されて
いる。この干渉計43はX方向、y方向、θ方向の位置
を独立に検出するために3本の測長用レーザビームを有
するが、ここでは説明を簡単にするため図示を一部省略
しである。レチクルステージ2の移動ストロークは数ミ
リメートル以下であり、干渉計43の検出分解能は、例
えば0.01μm程度に定められている。
の回折格子マークとを有するレチクルlは2次元移動可
能なレチクルステージ2に保持される。レチクル1上の
各パターンは両側テレセントリックな投影レンズ3によ
って露光光のもとでウェハ4上に結像される。ただしこ
の投影レンズ3は露光用の照明光波長(g線、1線等)
に関して良好に色収差補正されており、その露光用の波
長に関してレチクルlとウェハ4とが互いに共役になる
ように配置される。またウェハ4上にもレチクル1に形
成された格子マークと同様の回折格子マークが形成され
ている。さて、ウェハ4はステップアンドリピート方式
でX%Y方向に2次元移動するとともに、2方向に微動
するステージ5上に吸着され、ウェハ4上の1つのシー
y7HJI域に対するレチクルlの転写露光が終了する
と、次のシジット位置までステッピングされる。レチク
ルステージ2の一部には、レチクル1の水平面内でのX
方向、y方向及び回転(θ)方向の位置を検出するため
のレーザ光波干渉式測長器(以下、干渉計とする)43
からのレーザビームを反射する移動@I6が固定されて
いる。この干渉計43はX方向、y方向、θ方向の位置
を独立に検出するために3本の測長用レーザビームを有
するが、ここでは説明を簡単にするため図示を一部省略
しである。レチクルステージ2の移動ストロークは数ミ
リメートル以下であり、干渉計43の検出分解能は、例
えば0.01μm程度に定められている。
一方、ウェハステージ5の一部にはウェハ4の水平面内
でのX方向、X方向の位置を検出するための干渉計45
からのレーザビームを反射する移動鏡7が固定されてい
る。この干渉計45もX方向、X方向の位置を独立に検
出するために2本の測長用レーザビームを有するが、こ
こでは説明を簡単にするため図示を一部省略しである。
でのX方向、X方向の位置を検出するための干渉計45
からのレーザビームを反射する移動鏡7が固定されてい
る。この干渉計45もX方向、X方向の位置を独立に検
出するために2本の測長用レーザビームを有するが、こ
こでは説明を簡単にするため図示を一部省略しである。
レチクルステージ2のX方向、X方向、θ方向の駆動は
駆動モータ42で行なわれ、ウェハステージ5の2次元
移動及びzm移動は駆動モータ46で行なわれる。
駆動モータ42で行なわれ、ウェハステージ5の2次元
移動及びzm移動は駆動モータ46で行なわれる。
ところで露光用の照明系は、水銀ランプ30、楕円[3
1、集光レンズや干渉フィルター等を含む入力レンズ群
32、オブチカルインテグレータ(フライアイレンズ)
33、ミラー34、メインコンデンサーレンズ35及び
グイクロイックミラー22等によって構成される。グイ
クロイックミラー22はレチクルlの上方に45′で斜
設され、コンデンサーレンズ35からの露光光を垂直に
下方に反射させ、レチクル1を均一に照射する。このグ
イクロイックミラー22は露光光の波長に対しては90
%以上の反射率を有し、アライメント用の照明光の波長
(露光光よりも長波長)に対しては50%以上の透過率
を有する。
1、集光レンズや干渉フィルター等を含む入力レンズ群
32、オブチカルインテグレータ(フライアイレンズ)
33、ミラー34、メインコンデンサーレンズ35及び
グイクロイックミラー22等によって構成される。グイ
クロイックミラー22はレチクルlの上方に45′で斜
設され、コンデンサーレンズ35からの露光光を垂直に
下方に反射させ、レチクル1を均一に照射する。このグ
イクロイックミラー22は露光光の波長に対しては90
%以上の反射率を有し、アライメント用の照明光の波長
(露光光よりも長波長)に対しては50%以上の透過率
を有する。
次にこのステッパーのアライメント系について説明する
。アライメント用の照射光(ビーム)LBはレーザ光源
10から射出され、2つの音響光学変調器(AOM)を
含む2光束周波数シフター12に入射し、互いに周波数
が異なるとともに、共に直交した直線偏光を含む2本の
ビームLB、LB、に変換される。その周波数差は2つ
のAOMをドライブする高周波信号SF、 、SF2の
周波数の差に対応している0周波数シフター12からの
2本の平行なビームLB、 、LB、はビームスプリッ
タ−14で反射された後、瞳リレー系17Aを通り、ビ
ームスプリンター20を透過した後、本件発明の第1光
学部材としての平行平面ガラス50((11斜可能)を
透過して2焦点光学系21に入射する。2焦点光学系2
1は、アライメント系の瞳、すなわち投影レンズ3の[
EPと共役に配置された複屈折物it(水晶、方解石等
のレンズ)21bと顕微鏡用等のテレセンドリンクな対
物レンズ21aとを一体に組み合わせたもので構成され
、ビームLB、 、LBgの偏光成分(グイクロイック
ミラー22に対して図中で紙面と平行な偏波面をもつ光
をP偏光とし、それと垂直な偏波面をもつ光をS偏光と
する。)に応じて異なるパワーを与えるものである。こ
こでレーザ光源10は直交直線偏光のレーザ光を発振す
るものとする。このため2焦点光学系21を射出した一
方の偏光(例えばP偏光)成分からなるビームLB+、
LBgはレチクルlの上方空間の焦点26aで結像(交
差)し、他方の偏光(例えばS偏光)成分からなるビー
ムLB、 、LBtはレチクル1の下面のパターン面と
一致した焦点27aで結像(交差)する、また2焦点光
学系21の他方の焦点、すなわちレーザ光源10側で焦
点26a、27aの夫々と共役な面は、2光束周波数シ
フター12内に存在する。ことで2焦点光学系21の2
つの焦点26a、27の光軸方向の間隔はアライメント
用のレーザ光の波長における投影レンズ3のレチクル1
側での色収差量に対応している。この空間中の焦点面2
6aは投影レンズ3によってウェハ4の表面と一致した
結像面26bと共役になり、焦点面27a(レチクルパ
ターン面)は投影レンズ3によってウェハ4の表面から
空間的に下方に履れた結像面27bと共役になる。結像
面26bと27bの間隔は投影レンズ3のウェハ4側で
の色収差量に対応している。ここで結像面26bと27
bの間隔距離をDw、焦点面26aと27aの間隔距離
をDr、そして投影レンズ3の投影倍率を17M(通常
Mは1.2.5.5.10のうちいずれか1つ)とする
と、−S的にDr=M8 ・Dwの関係がある。アライ
メント用のレーザ光の波長が露光光の波長から離れれば
離れる程、投影レンズ3の収差特性に応じてDw、Dr
は大きくなる。この種の投影レンズの焦点深度は極めて
浅く、±1μm程度であり、アライメント用照明光の波
長にもよるが間隔Dwは数10μm程度に達することも
ある。尚、アライメント用照明光(レーザ光)はウェハ
4に塗布されたレジストに対してほとんど感度を持たな
い波長にすることが望しいが、本発明においては必ずし
も満たされるべき条件ではない、それは投影レンズによ
って露光光の波長とアライメント用照明光の波長とで極
端に大きな収差が生じ、特にウェハ4上の回折格子マー
クからの光情報自体に大きな歪みが加えられてしまう恐
れがあるからである。このためその収差との兼ね合いで
最適なアライメント用照明光を定めることを優先するこ
との方が重要である。
。アライメント用の照射光(ビーム)LBはレーザ光源
10から射出され、2つの音響光学変調器(AOM)を
含む2光束周波数シフター12に入射し、互いに周波数
が異なるとともに、共に直交した直線偏光を含む2本の
ビームLB、LB、に変換される。その周波数差は2つ
のAOMをドライブする高周波信号SF、 、SF2の
周波数の差に対応している0周波数シフター12からの
2本の平行なビームLB、 、LB、はビームスプリッ
タ−14で反射された後、瞳リレー系17Aを通り、ビ
ームスプリンター20を透過した後、本件発明の第1光
学部材としての平行平面ガラス50((11斜可能)を
透過して2焦点光学系21に入射する。2焦点光学系2
1は、アライメント系の瞳、すなわち投影レンズ3の[
EPと共役に配置された複屈折物it(水晶、方解石等
のレンズ)21bと顕微鏡用等のテレセンドリンクな対
物レンズ21aとを一体に組み合わせたもので構成され
、ビームLB、 、LBgの偏光成分(グイクロイック
ミラー22に対して図中で紙面と平行な偏波面をもつ光
をP偏光とし、それと垂直な偏波面をもつ光をS偏光と
する。)に応じて異なるパワーを与えるものである。こ
こでレーザ光源10は直交直線偏光のレーザ光を発振す
るものとする。このため2焦点光学系21を射出した一
方の偏光(例えばP偏光)成分からなるビームLB+、
LBgはレチクルlの上方空間の焦点26aで結像(交
差)し、他方の偏光(例えばS偏光)成分からなるビー
ムLB、 、LBtはレチクル1の下面のパターン面と
一致した焦点27aで結像(交差)する、また2焦点光
学系21の他方の焦点、すなわちレーザ光源10側で焦
点26a、27aの夫々と共役な面は、2光束周波数シ
フター12内に存在する。ことで2焦点光学系21の2
つの焦点26a、27の光軸方向の間隔はアライメント
用のレーザ光の波長における投影レンズ3のレチクル1
側での色収差量に対応している。この空間中の焦点面2
6aは投影レンズ3によってウェハ4の表面と一致した
結像面26bと共役になり、焦点面27a(レチクルパ
ターン面)は投影レンズ3によってウェハ4の表面から
空間的に下方に履れた結像面27bと共役になる。結像
面26bと27bの間隔は投影レンズ3のウェハ4側で
の色収差量に対応している。ここで結像面26bと27
bの間隔距離をDw、焦点面26aと27aの間隔距離
をDr、そして投影レンズ3の投影倍率を17M(通常
Mは1.2.5.5.10のうちいずれか1つ)とする
と、−S的にDr=M8 ・Dwの関係がある。アライ
メント用のレーザ光の波長が露光光の波長から離れれば
離れる程、投影レンズ3の収差特性に応じてDw、Dr
は大きくなる。この種の投影レンズの焦点深度は極めて
浅く、±1μm程度であり、アライメント用照明光の波
長にもよるが間隔Dwは数10μm程度に達することも
ある。尚、アライメント用照明光(レーザ光)はウェハ
4に塗布されたレジストに対してほとんど感度を持たな
い波長にすることが望しいが、本発明においては必ずし
も満たされるべき条件ではない、それは投影レンズによ
って露光光の波長とアライメント用照明光の波長とで極
端に大きな収差が生じ、特にウェハ4上の回折格子マー
クからの光情報自体に大きな歪みが加えられてしまう恐
れがあるからである。このためその収差との兼ね合いで
最適なアライメント用照明光を定めることを優先するこ
との方が重要である。
従ってアライメント用照明光が長時間(例えば1分以上
)レジストを照射すると、感光させてしまう(現像後に
薄減りが生じる)ような弱い感度の波長になる場合もあ
る。この場合は2つのビームLB、 、LB、の送光路
中に、アライメント時に開放するシャッターを設ける。
)レジストを照射すると、感光させてしまう(現像後に
薄減りが生じる)ような弱い感度の波長になる場合もあ
る。この場合は2つのビームLB、 、LB、の送光路
中に、アライメント時に開放するシャッターを設ける。
さて、アライメント用のレーザ光のうちP偏光の2つの
ビームLB、 、LBtは焦点面2Taでレチクルlの
回折格子マーク部分に、そのビームLB、とLB、との
成す角度で2方向から入射し結像する。またレチクル1
の透明部を透過した焦点面26aからのS偏光の2本の
ビームLB、、LBIは、投影レンズ3を介して焦点面
26bでウェハ4の回折格子マーク部分に、そのビーム
LB、 、LBIとの成す角度で2方向から入射し結像
する。そしてレチクルlの回折格子マークからの反射回
折光(干渉光BTL)はダイクロインクミラー22.2
焦点光学系21、平行平面ガラス50を介してビームス
プリッタ20で反射された後、瞳リレー系17Bを通っ
て瞳共役面(フーリエ面)に配置された空間フィルター
23で軸上を進む回折光(BTL)のみがフィルタリン
グされ、さらに集光レンズ24によって光電検出器25
に達する。またウェハ4の回折格子マークからの反射回
折光(干渉光BTL)は投影レンズ3を介して元の光路
を戻り、レチクル1の透明部を透過してグイクロイック
ミラー22.2焦点光学系21、平行平面ガラス50、
ビームスプリッタ20、瞳すレー系17B1空間フィル
ター23、及び集光レンズ24を通って光電検出器(受
光素子)25に達する。空間フィルター23はアライメ
ント光学系の瞳面とほぼ共役な位置、すなわち投影レン
ズ3の瞳(射出瞳)と実質共役な位置もしくはその近傍
に配置され、レチクルl、又はウェハ4からの正反射光
(0次光)を遮断し、レチクル1又はウェハ4の回折格
子に垂直(面の法線方向)に・回折される光のみを通す
ように定められている。
ビームLB、 、LBtは焦点面2Taでレチクルlの
回折格子マーク部分に、そのビームLB、とLB、との
成す角度で2方向から入射し結像する。またレチクル1
の透明部を透過した焦点面26aからのS偏光の2本の
ビームLB、、LBIは、投影レンズ3を介して焦点面
26bでウェハ4の回折格子マーク部分に、そのビーム
LB、 、LBIとの成す角度で2方向から入射し結像
する。そしてレチクルlの回折格子マークからの反射回
折光(干渉光BTL)はダイクロインクミラー22.2
焦点光学系21、平行平面ガラス50を介してビームス
プリッタ20で反射された後、瞳リレー系17Bを通っ
て瞳共役面(フーリエ面)に配置された空間フィルター
23で軸上を進む回折光(BTL)のみがフィルタリン
グされ、さらに集光レンズ24によって光電検出器25
に達する。またウェハ4の回折格子マークからの反射回
折光(干渉光BTL)は投影レンズ3を介して元の光路
を戻り、レチクル1の透明部を透過してグイクロイック
ミラー22.2焦点光学系21、平行平面ガラス50、
ビームスプリッタ20、瞳すレー系17B1空間フィル
ター23、及び集光レンズ24を通って光電検出器(受
光素子)25に達する。空間フィルター23はアライメ
ント光学系の瞳面とほぼ共役な位置、すなわち投影レン
ズ3の瞳(射出瞳)と実質共役な位置もしくはその近傍
に配置され、レチクルl、又はウェハ4からの正反射光
(0次光)を遮断し、レチクル1又はウェハ4の回折格
子に垂直(面の法線方向)に・回折される光のみを通す
ように定められている。
そして光電検出器25の前には、2焦点光学系21、瞳
リレー系1’/B、及びレンズ24を介してレチクルl
、ウェハ4の夫々と共役に配置されたアパーチャ板25
゛が設けられている。
リレー系1’/B、及びレンズ24を介してレチクルl
、ウェハ4の夫々と共役に配置されたアパーチャ板25
゛が設けられている。
さて光電検出器25から得られる光電信号DSr、DS
wは、レチクル1又はウェハ4を2方向から照射するビ
ームLB、 、LB、によって作られた干渉縞が各回折
格子マーク上でピッチ方向に流れるように照射されるこ
とになるので、高周波ドライブ信号SF+ 、SFの差
Δfに応じた周波数の正弦波状の交流信号(ビート周波
数)となる。
wは、レチクル1又はウェハ4を2方向から照射するビ
ームLB、 、LB、によって作られた干渉縞が各回折
格子マーク上でピッチ方向に流れるように照射されるこ
とになるので、高周波ドライブ信号SF+ 、SFの差
Δfに応じた周波数の正弦波状の交流信号(ビート周波
数)となる。
ところで2光束周波数シフター12からの2つのビーム
LB、、t、B*は、ビームスプリッタ14を透過し、
瞳(フリー工面)を像面に変換するレンズ系(逆フーリ
エ変換レンズ)16によって参照用回折格子18上に結
像(交差)する、この参照用回折格子1日は装置上で固
定されているものである。この回折格子18にも、ビー
ムLB、とビームLB、とが所定の交差角度で2方向か
ら入射する。光電検出器(受光素子)19は参照格子1
8を透過した0次光以外の回折光(又は干渉光)を受光
して、正弦波状の光電信号DRを出力する。この光電信
号DRは2つのビームLBI、LB8の差周波数に比例
した周波数となり、基準ビート信号となる0位相検出系
40は、光電検出器25からのレチクル側の光電信号D
Sr、ウェハ側の光電信号DSwと光電検出器19から
の光電信号DRを人力し、信号DRを基準とした両信号
DSr、DSwの波形上の位相差を検出する。
LB、、t、B*は、ビームスプリッタ14を透過し、
瞳(フリー工面)を像面に変換するレンズ系(逆フーリ
エ変換レンズ)16によって参照用回折格子18上に結
像(交差)する、この参照用回折格子1日は装置上で固
定されているものである。この回折格子18にも、ビー
ムLB、とビームLB、とが所定の交差角度で2方向か
ら入射する。光電検出器(受光素子)19は参照格子1
8を透過した0次光以外の回折光(又は干渉光)を受光
して、正弦波状の光電信号DRを出力する。この光電信
号DRは2つのビームLBI、LB8の差周波数に比例
した周波数となり、基準ビート信号となる0位相検出系
40は、光電検出器25からのレチクル側の光電信号D
Sr、ウェハ側の光電信号DSwと光電検出器19から
の光電信号DRを人力し、信号DRを基準とした両信号
DSr、DSwの波形上の位相差を検出する。
検出された位相差(±180”)はそれぞれレチクル1
、ウェハ4の夫々に形成された回折格子マークの格子ピ
ッチの1/2内の相対位置ずれ量に一義的に対応してい
る。主制御系41は検出された位相差(位置ずれ量)の
情報、サーボシステム44を介して得られる干渉計43
.45の各々からの位置情報等に基づいて駆動モータ4
2.46を制御し、レチクルlとウェハ4の相対位置合
わせ(アライメント)を行なう、尚、第1図の説明では
、2つのビームLBI 、LB、は祇面内で交差するよ
うに示したが、実際は投影レンズ3の光軸AXを含む平
面と垂直な面内で互いに傾いている。そして平行平面ガ
ラス50は、駆動制御系52によって2本のビームLB
、 、LBtが対物レンズ21bの光軸(AXa)を含
む面内で同一方向に平行移動するように傾斜駆動される
。
、ウェハ4の夫々に形成された回折格子マークの格子ピ
ッチの1/2内の相対位置ずれ量に一義的に対応してい
る。主制御系41は検出された位相差(位置ずれ量)の
情報、サーボシステム44を介して得られる干渉計43
.45の各々からの位置情報等に基づいて駆動モータ4
2.46を制御し、レチクルlとウェハ4の相対位置合
わせ(アライメント)を行なう、尚、第1図の説明では
、2つのビームLBI 、LB、は祇面内で交差するよ
うに示したが、実際は投影レンズ3の光軸AXを含む平
面と垂直な面内で互いに傾いている。そして平行平面ガ
ラス50は、駆動制御系52によって2本のビームLB
、 、LBtが対物レンズ21bの光軸(AXa)を含
む面内で同一方向に平行移動するように傾斜駆動される
。
以上の全体構成において、アライメント光学系の一部、
特に2点点光学系21はレチクルl上のアライメントマ
ークの配置に応じて任意の位置に可動とされ、どのよう
なマーク配置であってもマーク検出が可能となっている
。そのことについては後で詳しく述べる。さらにレチク
ルlの上方に斜設したグイクロインクミラ−22によっ
て露光光とアライメント用照明光とを分離するため、露
光動作中であってもマーク検出が可能となる。これは露
光中において何らかの外乱でレチクルlとウェハ4との
アライメント状態が狂った場合も、その時点でただちに
検出できることを意味する。
特に2点点光学系21はレチクルl上のアライメントマ
ークの配置に応じて任意の位置に可動とされ、どのよう
なマーク配置であってもマーク検出が可能となっている
。そのことについては後で詳しく述べる。さらにレチク
ルlの上方に斜設したグイクロインクミラ−22によっ
て露光光とアライメント用照明光とを分離するため、露
光動作中であってもマーク検出が可能となる。これは露
光中において何らかの外乱でレチクルlとウェハ4との
アライメント状態が狂った場合も、その時点でただちに
検出できることを意味する。
さらに位相検出系40からの位相差情報に基づいて露光
動作中であってもレチクルステージ2とウェハステージ
5との位置決めサーボをクローズド・ループで実行でき
ることをも意味する。このため露光されたレジストパタ
ーンの線幅も、わずかな像ぶれによって太ることがない
、尚、露光光の光源は水銀ランプ以外のエキシマレーザ
光源等に置きかえてもよい。
動作中であってもレチクルステージ2とウェハステージ
5との位置決めサーボをクローズド・ループで実行でき
ることをも意味する。このため露光されたレジストパタ
ーンの線幅も、わずかな像ぶれによって太ることがない
、尚、露光光の光源は水銀ランプ以外のエキシマレーザ
光源等に置きかえてもよい。
次に第3図を用いてアライメント系のみの詳細な構成、
及びアライメントの原理を模式的に説明する。第3図に
おいて、グイクロインクミラー22、ビームスプリッタ
14、は簡単にするために省略してあり、第1図中のも
のと同一の部材には同じ符号をつけである。さらに第3
図中の平行平面ガラス50の配置は模式的なもので、実
際には第1図の配置が正しい、2光束周波数シフター1
2から射出して、瞳リレー系17Aに入射する2つのビ
ームLB、 、LB□は、瞳リレー系17Aの内部では
平行光束となり、−度交差した後に射出する。このとき
、対物レンズ21a等の光軸AX−aに対して射出した
ビームLB、 、Laxの各主光線L A 1%L A
zは平行になるとともに、瞳面内でスポットとして、
集光する結像光束となる。
及びアライメントの原理を模式的に説明する。第3図に
おいて、グイクロインクミラー22、ビームスプリッタ
14、は簡単にするために省略してあり、第1図中のも
のと同一の部材には同じ符号をつけである。さらに第3
図中の平行平面ガラス50の配置は模式的なもので、実
際には第1図の配置が正しい、2光束周波数シフター1
2から射出して、瞳リレー系17Aに入射する2つのビ
ームLB、 、LB□は、瞳リレー系17Aの内部では
平行光束となり、−度交差した後に射出する。このとき
、対物レンズ21a等の光軸AX−aに対して射出した
ビームLB、 、Laxの各主光線L A 1%L A
zは平行になるとともに、瞳面内でスポットとして、
集光する結像光束となる。
ところでビームLB、、LB、の偏光方向は、2点点光
学系21によってP偏光とS偏光に分離されて焦点26
a s 27 aに集光するとき、P偏光とS偏光と
でその光強度(光量)が所定の比になるように調整され
ている6通常、ウェハ4に達する光の方が損失が多いの
で、ウェハ4への光量を増やすようにする。そのために
は、2重焦点素子21bを光軸AXaの回りに所定角度
だけ回転させたり、レーザ光源10と2光束周波数シフ
クー12との間にλ/2板を挿入し、それを光軸の回り
に所定角度だけ回転させたりする構造を採用すればよい
、すなわち、それによってレチクルlに達する偏光成分
とウェハ4へ達する偏光成分との光量比を最適なものに
調整できる。さて、平行平面ガラス50が光軸AXaと
正確に直交するように配置されていると、2本のビーム
LB、、LB、は、瞳リレー系17Aの作用でテレセン
ドリンクな2点点光学系21の瞳面、すなわち複屈折物
質21b内で光軸AXaを挾んで点対称な2点にスポッ
トとしてするように入射し、ビームLB、は複屈折物質
21bのところで偏光成分によってP偏光のビームLB
IPとS偏光のビームLB、sとに分離され、2点点光
学系21の光軸AXaに対する瞳面内でのスポット位置
で決まる角度だけ1頃いた平行光束となってレチクル1
に達する。同様にビームLB、もP偏光のビームLB、
PとS偏光のビームLBzsとに分離され、対物レンズ
21aの光軸AXaをはさんでビームLB、P、LB、
sの夫々と対称的な角度の平行光束となってレチクル1
に達する。P偏光に関しては焦点27aと瞳リレー系1
7Aの内部の交差面(共役像面)lP′とが共役である
ため、P偏光のビームLB、、、LBzpは回折格子マ
ークRMのところでほぼ平行光束となって交差(結像)
する、第3図においてマークRMの格子配列方向は紙面
内の左右方向であり、ビームLB、、、LB、、の各々
の光軸AXaからの傾き方向も第3図の紙面内に定めら
れる。
学系21によってP偏光とS偏光に分離されて焦点26
a s 27 aに集光するとき、P偏光とS偏光と
でその光強度(光量)が所定の比になるように調整され
ている6通常、ウェハ4に達する光の方が損失が多いの
で、ウェハ4への光量を増やすようにする。そのために
は、2重焦点素子21bを光軸AXaの回りに所定角度
だけ回転させたり、レーザ光源10と2光束周波数シフ
クー12との間にλ/2板を挿入し、それを光軸の回り
に所定角度だけ回転させたりする構造を採用すればよい
、すなわち、それによってレチクルlに達する偏光成分
とウェハ4へ達する偏光成分との光量比を最適なものに
調整できる。さて、平行平面ガラス50が光軸AXaと
正確に直交するように配置されていると、2本のビーム
LB、、LB、は、瞳リレー系17Aの作用でテレセン
ドリンクな2点点光学系21の瞳面、すなわち複屈折物
質21b内で光軸AXaを挾んで点対称な2点にスポッ
トとしてするように入射し、ビームLB、は複屈折物質
21bのところで偏光成分によってP偏光のビームLB
IPとS偏光のビームLB、sとに分離され、2点点光
学系21の光軸AXaに対する瞳面内でのスポット位置
で決まる角度だけ1頃いた平行光束となってレチクル1
に達する。同様にビームLB、もP偏光のビームLB、
PとS偏光のビームLBzsとに分離され、対物レンズ
21aの光軸AXaをはさんでビームLB、P、LB、
sの夫々と対称的な角度の平行光束となってレチクル1
に達する。P偏光に関しては焦点27aと瞳リレー系1
7Aの内部の交差面(共役像面)lP′とが共役である
ため、P偏光のビームLB、、、LBzpは回折格子マ
ークRMのところでほぼ平行光束となって交差(結像)
する、第3図においてマークRMの格子配列方向は紙面
内の左右方向であり、ビームLB、、、LB、、の各々
の光軸AXaからの傾き方向も第3図の紙面内に定めら
れる。
レチクルlには第4図(a)に示すように回折格子マー
クRMと透明な窓部P、とが形成されており、ビームL
B1P、LBオ、はともにマークRMと窓部P、とをカ
バーする大きさでレチクル1を照射する。第4図(a)
に示したマークRMはX方向(格子配列方向)の位置検
出に使われるものであり、ウェハ4上の回折格子マーク
WMも第4図(b)に示すように、これと対応している
。マークWMはアライメント時(又は露光時)にレチク
ル1の窓部P0の位置に整列するように定められている
。さて2焦点光学系21を射出したほぼ平行なS偏光の
ビームLB、、、LB、は空間上の焦点26aで一度結
像(交差)した後、レチクル1の窓部P0を透過し、投
影レンズ3の瞳EPで一度スポット光として集光し、そ
してウェハ4の回折格子又はWMに互いに異なる2方向
から入射するように結像される。これはS偏光に関して
は焦点26a(ウェハ共役面)と瞳リレー系17Aの内
部の交差面!P”とが共役だからである。投影レンズ3
から射出したほぼ平行なS偏光のビームLB+s、LB
、、の各々は、回折格子マークWMの格子配列方向に関
して対称的に傾いて入射する。
クRMと透明な窓部P、とが形成されており、ビームL
B1P、LBオ、はともにマークRMと窓部P、とをカ
バーする大きさでレチクル1を照射する。第4図(a)
に示したマークRMはX方向(格子配列方向)の位置検
出に使われるものであり、ウェハ4上の回折格子マーク
WMも第4図(b)に示すように、これと対応している
。マークWMはアライメント時(又は露光時)にレチク
ル1の窓部P0の位置に整列するように定められている
。さて2焦点光学系21を射出したほぼ平行なS偏光の
ビームLB、、、LB、は空間上の焦点26aで一度結
像(交差)した後、レチクル1の窓部P0を透過し、投
影レンズ3の瞳EPで一度スポット光として集光し、そ
してウェハ4の回折格子又はWMに互いに異なる2方向
から入射するように結像される。これはS偏光に関して
は焦点26a(ウェハ共役面)と瞳リレー系17Aの内
部の交差面!P”とが共役だからである。投影レンズ3
から射出したほぼ平行なS偏光のビームLB+s、LB
、、の各々は、回折格子マークWMの格子配列方向に関
して対称的に傾いて入射する。
ウェハ4に達したS偏光のビームLB、!、LB。
の主光線の成す角度θは大きくても投影レンズ3の射出
(ウェハ)側の開口数を越えることはない。
(ウェハ)側の開口数を越えることはない。
尚瞳すレー系17A内部の交差面IP′に対してレチク
ル1とウェハ4とはそれぞれ共役に配置されるため、交
差面IP’を通るビームLB、、LB、が平行光束であ
るとすると、レチクル、ウェハ上の夫々で各ビームLB
、、、LBzs、LB、、LB、、はともに平行光束と
なる。
ル1とウェハ4とはそれぞれ共役に配置されるため、交
差面IP’を通るビームLB、、LB、が平行光束であ
るとすると、レチクル、ウェハ上の夫々で各ビームLB
、、、LBzs、LB、、LB、、はともに平行光束と
なる。
以上のようにマークRM上に異なる2方向からビームL
BIP、LBzrが照射されると、マークRM上には干
渉縞が生じるが、その干渉縞はマークRMの格子配列方
向に2つのビームLB、 、LB2の差周波数に対応し
て移動する(流れる)ことになる。マークRMから2焦
点光学系21の光軸AXa上に沿って回折光104が発
生するが、干渉縞の移動によって、回折光104は明暗
の変化を周期的に繰り返すビート波面になる。よって光
電検出器25からの信号DSrは、その明暗変化の周期
に応じた正弦波状の交流信号となる。
BIP、LBzrが照射されると、マークRM上には干
渉縞が生じるが、その干渉縞はマークRMの格子配列方
向に2つのビームLB、 、LB2の差周波数に対応し
て移動する(流れる)ことになる。マークRMから2焦
点光学系21の光軸AXa上に沿って回折光104が発
生するが、干渉縞の移動によって、回折光104は明暗
の変化を周期的に繰り返すビート波面になる。よって光
電検出器25からの信号DSrは、その明暗変化の周期
に応じた正弦波状の交流信号となる。
以上のことは、ウェハ4上の回折格子マークWMとS偏
光のビームLB+s、LBxsとの関係においても全く
同様であり、マークWMからはビート波面をもつ回折光
105が垂直に発生し、これは投影レンズ3の主光線に
沿って進み、レチクルlの窓部P、を介して光電検出器
25に達する。
光のビームLB+s、LBxsとの関係においても全く
同様であり、マークWMからはビート波面をもつ回折光
105が垂直に発生し、これは投影レンズ3の主光線に
沿って進み、レチクルlの窓部P、を介して光電検出器
25に達する。
さて、光電検出器25は2焦点光学系21を介してマー
クRMとマークWMの夫々と共役に配置されるとしたが
、実際には第3図に示すように、マークRM、、WMの
夫々と共役な位置に、第4図(C)に示すようなアパー
チャ板25“を設け、このアパーチャ板25°のアパー
チャAr、Asを透過した回折光104.105を別々
に光電検出するように構成される。ここでアパーチャA
。
クRMとマークWMの夫々と共役に配置されるとしたが
、実際には第3図に示すように、マークRM、、WMの
夫々と共役な位置に、第4図(C)に示すようなアパー
チャ板25“を設け、このアパーチャ板25°のアパー
チャAr、Asを透過した回折光104.105を別々
に光電検出するように構成される。ここでアパーチャA
。
は、例えばレチクルlのマークRMからの回折光104
による回折像を取り出すものであり、アバーチ+A3は
ウェハlのマークWMからの回折光105による回折像
を取り出すものである。従って光電検出器25の受光面
を各アパーチャA1、A、の後に別個に設けることによ
って、マークRMによるレチクルlの位置検出とマーク
WMによるウェハ4の位置検出とが独立に可能となる。
による回折像を取り出すものであり、アバーチ+A3は
ウェハlのマークWMからの回折光105による回折像
を取り出すものである。従って光電検出器25の受光面
を各アパーチャA1、A、の後に別個に設けることによ
って、マークRMによるレチクルlの位置検出とマーク
WMによるウェハ4の位置検出とが独立に可能となる。
尚、アパーチャA、にはP(IW光のビームLBIF、
LB、Pによって照射されたレチクル1のマークRMの
像ができるが、同時にS偏光のビームLB+s、L13
tsの反射回折光もバックグラウンドノイズとして入っ
て(る、このためアパーチャA、にはP偏光を通す偏光
板を設け、アパーチャAsにはS偏光を通す偏光板を設
けるとよい、こうすると、2つの光電検出器25の夫々
で、ウェハからの光とレチクルからの光とが混在してし
まうクロストークは十分に低減される。
LB、Pによって照射されたレチクル1のマークRMの
像ができるが、同時にS偏光のビームLB+s、L13
tsの反射回折光もバックグラウンドノイズとして入っ
て(る、このためアパーチャA、にはP偏光を通す偏光
板を設け、アパーチャAsにはS偏光を通す偏光板を設
けるとよい、こうすると、2つの光電検出器25の夫々
で、ウェハからの光とレチクルからの光とが混在してし
まうクロストークは十分に低減される。
さて、回折光104.105は周期的(正弦波状)な明
暗情報となり、得られる光電信号DSr、DSwは、レ
チクル1又はウェハ4が静止していたとしても、正弦波
状の交流信号となる。従ってこの場合は、第1図中に示
した光電検出器19からの光電信号DRをp照信号とし
て、マークl’?Mからの回折光104の光電信号DS
rとの位相差φrを位相検出系40で検出する。同様に
して、マークWMからの回折光105の光電信号DSw
と参照信号DRとの位相差φWを検出する。そして、位
相差φ「とθWの差を求めれば、レチクル1とウェハ4
のX方向のずれ量がわかる。この検出方式は所謂光ヘテ
ロゲイン方式と呼ばれ、レチクル1とウェハ4が格子ピ
ッチPの1/2の位置、lI差範囲(プリアライメント
精度)内であれば、静止状態であっても高分解能で位置
ずれ検出できる。そのためレチクルlのパターンをウェ
ハ4のレジストへ露光している間に微小な位置ずれが生
じないようにクローズド・ループの位置サーボをかける
のに好都合である。この検出方式では、φr−φWが零
(又は所定値)になるようにレチクル1又はウェハ4を
移動させてアライメントを完了させた後、引き続きその
アライメント位置でレチクルlとウェハ4とが相対移動
しないようにサーボ・ロックをかけることができる。
暗情報となり、得られる光電信号DSr、DSwは、レ
チクル1又はウェハ4が静止していたとしても、正弦波
状の交流信号となる。従ってこの場合は、第1図中に示
した光電検出器19からの光電信号DRをp照信号とし
て、マークl’?Mからの回折光104の光電信号DS
rとの位相差φrを位相検出系40で検出する。同様に
して、マークWMからの回折光105の光電信号DSw
と参照信号DRとの位相差φWを検出する。そして、位
相差φ「とθWの差を求めれば、レチクル1とウェハ4
のX方向のずれ量がわかる。この検出方式は所謂光ヘテ
ロゲイン方式と呼ばれ、レチクル1とウェハ4が格子ピ
ッチPの1/2の位置、lI差範囲(プリアライメント
精度)内であれば、静止状態であっても高分解能で位置
ずれ検出できる。そのためレチクルlのパターンをウェ
ハ4のレジストへ露光している間に微小な位置ずれが生
じないようにクローズド・ループの位置サーボをかける
のに好都合である。この検出方式では、φr−φWが零
(又は所定値)になるようにレチクル1又はウェハ4を
移動させてアライメントを完了させた後、引き続きその
アライメント位置でレチクルlとウェハ4とが相対移動
しないようにサーボ・ロックをかけることができる。
尚、本実施例ではステップアンドリピート方式の露光時
、ウェハ上の各ショット領域へのウェハステージの移動
は、干渉計45の計測値に基づいて行ない、2つのビー
ムLB+s、LBtsの照射領域内にマークWMが±1
72ピッチの精度で位置決めされたら、位相検出系40
からの情報のみに基づいてレチクルステージ、又はウェ
ハステージをサーボ制御することができる。このときレ
チクルステージやウェハステージの駆動をDCモータで
行ない、位相差φr−φWに対応したアナログ電圧をD
/Aコンバータ等で作り出し、このアナログ電圧をDC
モータのサーボ回路に偏差電圧として直接印加すること
もできる。このサーボは、そのショク)8N域の露光終
了時まで行なわれる。
、ウェハ上の各ショット領域へのウェハステージの移動
は、干渉計45の計測値に基づいて行ない、2つのビー
ムLB+s、LBtsの照射領域内にマークWMが±1
72ピッチの精度で位置決めされたら、位相検出系40
からの情報のみに基づいてレチクルステージ、又はウェ
ハステージをサーボ制御することができる。このときレ
チクルステージやウェハステージの駆動をDCモータで
行ない、位相差φr−φWに対応したアナログ電圧をD
/Aコンバータ等で作り出し、このアナログ電圧をDC
モータのサーボ回路に偏差電圧として直接印加すること
もできる。このサーボは、そのショク)8N域の露光終
了時まで行なわれる。
このようにすると、干渉計の計測値に応じたサーボでは
ないので、干渉計のビーム光路の空気密度のゆらぎ等に
よるステージの微小ゆらぎを低減させることが可能であ
る。そのため、位相検出系40からサーボ制御が可能な
位相差情報が得られた時点で、ウェハステージ側の干渉
計の計測値をウェハステージ側のサーボ系から切り離し
てウェハステージのモータへの印加電圧を零にし、上述
のアナログ電圧をレチクルステージ側のサーボ系に印加
する。
ないので、干渉計のビーム光路の空気密度のゆらぎ等に
よるステージの微小ゆらぎを低減させることが可能であ
る。そのため、位相検出系40からサーボ制御が可能な
位相差情報が得られた時点で、ウェハステージ側の干渉
計の計測値をウェハステージ側のサーボ系から切り離し
てウェハステージのモータへの印加電圧を零にし、上述
のアナログ電圧をレチクルステージ側のサーボ系に印加
する。
このようにすると露光動作中に、特にウェハステージ側
で発生する微小ゆらぎは押えられ、ゆるやかなドリフト
的な微動にすることができ、レチクルステージを高速に
追従移動させることで、レチクルとウェハとの相対位置
ずれをほぼ零に保つことが可能である。このため露光さ
れたパターンの線幅の太りゃ解像低下がなく、極めて忠
実な転写が達成される。
で発生する微小ゆらぎは押えられ、ゆるやかなドリフト
的な微動にすることができ、レチクルステージを高速に
追従移動させることで、レチクルとウェハとの相対位置
ずれをほぼ零に保つことが可能である。このため露光さ
れたパターンの線幅の太りゃ解像低下がなく、極めて忠
実な転写が達成される。
次に、第5図、第6図、第7図を参照して2光束周波数
シフター12の構成を説明する。
シフター12の構成を説明する。
第5図に示すように、レーザ光源lOからの平行なビー
ムLB(直交直線偏光)はミラー70で反射され、偏光
ビームスプリッタ71でP偏光成分のビームLB、とS
偏光成分のビームLB、とに分けられる。ビームLBP
はミラー102で反射され、AOM (音響光学変調器
)73に入射し、ビームLB、は偏光ビームスプリッタ
101で反射され、AOM74に入射する。AOM73
は周波数rlの高周波信号SF、でドライブされ、その
周波数f、で決まる回折角だけ偏向された1次光をビー
ムLBPとして出力する。AOM74は周波数fx(f
*−f+ −Δf)の高周波信号SF1でドライブされ
、その周波数f1で決まる回折角だけ偏向された1次光
をビームLB、とじて出力する。(各AOMに対する)
入射ビームのうちの0次光り、は適当な位置に配置され
たスリット等で遮光される。尚、ドライブ周波数ft、
f、と差周波数Δfとの関係は、f+>>Δf、f*〉
〉6丁であるのが望ましく、Δrの上限は光電検出器1
9.25の応答性によって決まる。さて、AOM74か
らのビームLB、はミラー75で反射され偏光ビームス
プリッタ76に入射し、AOM73からのビームLB?
はそれと直交する方向から偏光ビームスプリンタ76に
入射する。ここで偏光ビームスプリンタ76は、2つの
ビームLBP、LBsを完全に同軸に合成するのではな
く、ある量だけ間隔をあけるように互いに平行に合成す
る。この間隔は、本実施例の場合、レチクル1、ウェハ
4を照射する2本のビームLBI 、LBzの交差角θ
を規定することになる。
ムLB(直交直線偏光)はミラー70で反射され、偏光
ビームスプリッタ71でP偏光成分のビームLB、とS
偏光成分のビームLB、とに分けられる。ビームLBP
はミラー102で反射され、AOM (音響光学変調器
)73に入射し、ビームLB、は偏光ビームスプリッタ
101で反射され、AOM74に入射する。AOM73
は周波数rlの高周波信号SF、でドライブされ、その
周波数f、で決まる回折角だけ偏向された1次光をビー
ムLBPとして出力する。AOM74は周波数fx(f
*−f+ −Δf)の高周波信号SF1でドライブされ
、その周波数f1で決まる回折角だけ偏向された1次光
をビームLB、とじて出力する。(各AOMに対する)
入射ビームのうちの0次光り、は適当な位置に配置され
たスリット等で遮光される。尚、ドライブ周波数ft、
f、と差周波数Δfとの関係は、f+>>Δf、f*〉
〉6丁であるのが望ましく、Δrの上限は光電検出器1
9.25の応答性によって決まる。さて、AOM74か
らのビームLB、はミラー75で反射され偏光ビームス
プリッタ76に入射し、AOM73からのビームLB?
はそれと直交する方向から偏光ビームスプリンタ76に
入射する。ここで偏光ビームスプリンタ76は、2つの
ビームLBP、LBsを完全に同軸に合成するのではな
く、ある量だけ間隔をあけるように互いに平行に合成す
る。この間隔は、本実施例の場合、レチクル1、ウェハ
4を照射する2本のビームLBI 、LBzの交差角θ
を規定することになる。
2本の平行なビームLBr、LBsは、次に第6図に示
す光学系に入射する。ビームLBP (P偏光)とL
Bs (S偏光)とはΔfだけの周波数差をもつが、
本実施例では、レチクル上に周波数差をもつ2本のP偏
光ビームを照射し、ウェハ上には周波数差をもつ2本の
S偏光ビームを照射する必要がある。すなわち第6図の
系は、周波数r、の1本のS偏光ビームLB、と周波数
r2の1本のP偏光ビームLBPとの2本から、4本の
ビームLBIF−LB□、L B + s、LBzsを
作り出すものである。
す光学系に入射する。ビームLBP (P偏光)とL
Bs (S偏光)とはΔfだけの周波数差をもつが、
本実施例では、レチクル上に周波数差をもつ2本のP偏
光ビームを照射し、ウェハ上には周波数差をもつ2本の
S偏光ビームを照射する必要がある。すなわち第6図の
系は、周波数r、の1本のS偏光ビームLB、と周波数
r2の1本のP偏光ビームLBPとの2本から、4本の
ビームLBIF−LB□、L B + s、LBzsを
作り出すものである。
2本のビームLBs、LBpは第6図に示すような偏光
方向45°の1/2波長板117、偏光ビームスプリッ
タ11B、119等で周波数rのP偏光ビームL B
1PとS偏光ビームLB、sが同軸に合成されてビーム
LB、となり、周波数f2(r、−Δf)のP偏光ビー
ムLB□とS偏光ビームLB■が同軸に合成されてビー
ムL B t となって偏光ビームスプリンタ119を
射出する。
方向45°の1/2波長板117、偏光ビームスプリッ
タ11B、119等で周波数rのP偏光ビームL B
1PとS偏光ビームLB、sが同軸に合成されてビーム
LB、となり、周波数f2(r、−Δf)のP偏光ビー
ムLB□とS偏光ビームLB■が同軸に合成されてビー
ムL B t となって偏光ビームスプリンタ119を
射出する。
第6図に示したように、172波長板IL1にS偏光の
ビームLBs (周波数r2)が入射すると、その偏
光方向が45°だけ回転する。このため偏光ビームスプ
リッタ11BではP偏光のビームLB*pとS偏光のビ
ームLBzsとに分けられる。
ビームLBs (周波数r2)が入射すると、その偏
光方向が45°だけ回転する。このため偏光ビームスプ
リッタ11BではP偏光のビームLB*pとS偏光のビ
ームLBzsとに分けられる。
1/2波長板117を通ったP偏光のビームLB(周波
数r+)についても同様に偏光方向が45°だけ回転す
るため、ビームスプリンタ11BではP偏光のビームL
B、PとS偏光のビームLB1、に分割される。各ビー
ムは金属反射面を有する直角プリズム120.121を
介して偏光ビームスプリッタ119で合成され、再び2
本の平行なビームL13+ 、LBHとして射出する。
数r+)についても同様に偏光方向が45°だけ回転す
るため、ビームスプリンタ11BではP偏光のビームL
B、PとS偏光のビームLB1、に分割される。各ビー
ムは金属反射面を有する直角プリズム120.121を
介して偏光ビームスプリッタ119で合成され、再び2
本の平行なビームL13+ 、LBHとして射出する。
2本のビームLB、 、LB、はアライメント光学系の
光軸AXaをはさんで対称に位置する。
光軸AXaをはさんで対称に位置する。
2本のビームLB、 、LB、は次に例えば第7図に示
すような光学系に入射する。この光学系は2本のビーム
LBI 、LBzを入射して面(像共役面)IPmにお
いて所定の角度で交差させるプリズム122と、面IP
mを前側焦点面と一致させたレンズ123とを含む0面
IPmで交差した2本の平行ビームLB、、LBtはレ
ンズ123の後側焦点面(瞳共役面)にスポラ)SP、
、SP、として集光した後発散し、瞳リレー系17A
に入射する。第3図で示したように、ビームLB1の主
光線をLA、 、ビームLB、の主光線をLA、とする
と、本実施例ではレンズ123と瞳リレー系17Aとの
間においても主光線LA、 、LA□は光軸AXaと平
行になっている。
すような光学系に入射する。この光学系は2本のビーム
LBI 、LBzを入射して面(像共役面)IPmにお
いて所定の角度で交差させるプリズム122と、面IP
mを前側焦点面と一致させたレンズ123とを含む0面
IPmで交差した2本の平行ビームLB、、LBtはレ
ンズ123の後側焦点面(瞳共役面)にスポラ)SP、
、SP、として集光した後発散し、瞳リレー系17A
に入射する。第3図で示したように、ビームLB1の主
光線をLA、 、ビームLB、の主光線をLA、とする
と、本実施例ではレンズ123と瞳リレー系17Aとの
間においても主光線LA、 、LA□は光軸AXaと平
行になっている。
さらに、瞳リレー系17Aの前側焦点面をスポット(ビ
ームのウェスト位りSPI 、SP、(7)面と一致さ
せるため、第7図に示したスポットSP、 、SP!は
瞳リレー系17Aにより第3図で示した通り、複屈折物
質21bの位置する瞳面にリレーされる。
ームのウェスト位りSPI 、SP、(7)面と一致さ
せるため、第7図に示したスポットSP、 、SP!は
瞳リレー系17Aにより第3図で示した通り、複屈折物
質21bの位置する瞳面にリレーされる。
次に本実施例の動作、作用について、さらに第8図を参
照して説明する。第8図はアライメント光学系の一部を
可動にして、マーク位置の変化に対応させる構成を示す
。第1図、第3図中で説明した部材と同一のものには同
じ符号をつけである。
照して説明する。第8図はアライメント光学系の一部を
可動にして、マーク位置の変化に対応させる構成を示す
。第1図、第3図中で説明した部材と同一のものには同
じ符号をつけである。
レチクル1上のマークRM、 、RM!はレチクルによ
って位置が異なるものであって、通常同一レチクル内で
はいずれか一方のみが形成されている。
って位置が異なるものであって、通常同一レチクル内で
はいずれか一方のみが形成されている。
実際のアライメント光学系では、対物レンズ21a、複
屈折物質21bによる2焦点光学系21は水平に配置さ
れ、対物レンズ21aの先端には光軸AXaを垂直に折
り曲げるミラーM1が設けられる。このミラーMI、対
物レンズ2 L a %複屈折物質21bは一体に水平
な光軸AXa方向に移動するように保持金物62に固定
され、金物62は駆動制御系60によって水平方向に移
動される。
屈折物質21bによる2焦点光学系21は水平に配置さ
れ、対物レンズ21aの先端には光軸AXaを垂直に折
り曲げるミラーM1が設けられる。このミラーMI、対
物レンズ2 L a %複屈折物質21bは一体に水平
な光軸AXa方向に移動するように保持金物62に固定
され、金物62は駆動制御系60によって水平方向に移
動される。
そして第1図、第3図と異なる点は、複屈折物質21b
と平行平面ガラス50との間に、ミラーM8とリレー系
17Cとを設けることにある。リレー系17Cは、複屈
折物質21bの位置する瞳面EP、を、平行平面ガラス
50の近傍の面EP。
と平行平面ガラス50との間に、ミラーM8とリレー系
17Cとを設けることにある。リレー系17Cは、複屈
折物質21bの位置する瞳面EP、を、平行平面ガラス
50の近傍の面EP。
ヘリレーするものである。尚IPm’は像共役面であり
、レチクル1、ウェハ4、及び2つのビームLBt、L
Biの最初の交差面IPmとそれぞれ共役である。ミラ
ーM2、リレー系17Cは装置本体に固定され、複屈折
物質21bとリレー系17Cとの間の物理的な光路長は
、マークRMの位置に応じて変化するが、その間の光路
がアフォーカル系になっているため、リレー系17Cの
内部にできる像共役面I Pm’ は、常にレチクル1
、ウェハ4と共役になる。
、レチクル1、ウェハ4、及び2つのビームLBt、L
Biの最初の交差面IPmとそれぞれ共役である。ミラ
ーM2、リレー系17Cは装置本体に固定され、複屈折
物質21bとリレー系17Cとの間の物理的な光路長は
、マークRMの位置に応じて変化するが、その間の光路
がアフォーカル系になっているため、リレー系17Cの
内部にできる像共役面I Pm’ は、常にレチクル1
、ウェハ4と共役になる。
さて、レチクルが交換されてマークがRM、からRM、
の位置(光軸AXa’ )に変化すると、駆動制御系6
0は金物62を水平移動させて、光軸AXaをAXa’
と−敗させる。
の位置(光軸AXa’ )に変化すると、駆動制御系6
0は金物62を水平移動させて、光軸AXaをAXa’
と−敗させる。
この場合、その−数置はあまり厳しくする必要はな(,
2つのビームLBI 5LBRがマークRM、と窓部P
、とをカバーする程度でよい、従って金物62の送りは
エンコーダ、ポジションセンサー等の安価な位置モニタ
ー系を用いて制御するだけで十分である。 こうして、
新たなレチクルがセットされ、アライメント光学系の観
察位置がセットされると、第9図に示すようにウェハス
テージ5の一部に、ウェハ4とほぼ同じ高さで設けられ
た基準マーク板FMを、レチクルのマークRM意の投影
位置にもってくる。基準マーク板FMには、ウェハ4上
の回折格子マークWMと全く同様の回折格子マークが形
成されている。そこでそのマークのことを以降、フィデ
ューシャル・マークと呼ぶ。
2つのビームLBI 5LBRがマークRM、と窓部P
、とをカバーする程度でよい、従って金物62の送りは
エンコーダ、ポジションセンサー等の安価な位置モニタ
ー系を用いて制御するだけで十分である。 こうして、
新たなレチクルがセットされ、アライメント光学系の観
察位置がセットされると、第9図に示すようにウェハス
テージ5の一部に、ウェハ4とほぼ同じ高さで設けられ
た基準マーク板FMを、レチクルのマークRM意の投影
位置にもってくる。基準マーク板FMには、ウェハ4上
の回折格子マークWMと全く同様の回折格子マークが形
成されている。そこでそのマークのことを以降、フィデ
ューシャル・マークと呼ぶ。
レチクルのマークRM、の中心の回折格子エレメントは
、第4図(a)、(b)で示したように投影レンズ3の
光軸AXへ向うy方向に線状に伸びているので、フィデ
ューシャル・マークも、それと平行になるものをマーク
RM、の直下(窓P。の下)へ位置付ける。
、第4図(a)、(b)で示したように投影レンズ3の
光軸AXへ向うy方向に線状に伸びているので、フィデ
ューシャル・マークも、それと平行になるものをマーク
RM、の直下(窓P。の下)へ位置付ける。
その状態で、ウェハステージ5の少なくともX方向の位
置が固定されるように干渉計45、モーフ46等によっ
てサーボロックをかける。
置が固定されるように干渉計45、モーフ46等によっ
てサーボロックをかける。
次にウェハステージ5に含まれる2ステージ(不図示)
を所定の範囲内で2(光軸AX)方向に上下動させて、
そのとき位相検出系40で検出される信号DSwと信号
DRとの位相差φWの変化を、Zステージの2方向の微
小変位置毎にサンプリングしていく、これは主制御系4
1によって行なわれる。尚、この際、第9図には示して
いないが、公知の斜入射光式焦点検出系によって、投影
レンズ3と基準マーク板FMとの2方向の間隔をモニタ
ーしていく、また第9図では、2本のビームLB、、、
LB□は基準マーク板FM上でアライメント光学系の光
軸AXaに対して紙面内で傾斜しているが、実際は紙面
と垂直な面内で傾斜している。こうして、Zステージの
2方向の位置毎に位相差φWをモニターしていくと、第
1θ図のような特性VT、が得られる。第10図で横軸
は基準マーク板FMの2方向の位置を表わし、樅軸は位
相差φWを表わす、また位置2..2..28、Z4の
順に基準マーク仮FMが投影レンズ3へ近づ(ものとす
る、先に第2図を用いて説明したように、2方向の検出
領域の幅Zlは、300pmもあるため、位置Z1と2
4の間隔は300#m程度にできる。また、本実施例の
場合、位相差φWは±180mの範囲内では連続して検
出できるため、X方向の変位はそれに対応して±1/2
ピッチの範囲内で位置ずれ計測できる。フィデューシャ
ル・マークの格子ピッチを8μmとし、位相検出系40
の分解能が0.2°であるものとすると、位置ずれの計
測分解能は0.0044.umにもなる。実際はノイズ
の影響もあるため、実用的な分解能は0.0!μm(位
相で0.4°)程度になる、従って、仮りに位置Z1と
Z4が300μmで、そのときの位置の位相差φWl
とφW4との差ΔφWが0.8° (横ずれ看では約0
.02μm)であったものとすると、特性VT、の伸き
、すなわち2つのビームLB、、とLBzsとの2等分
線である2ビームの主光線の法線からの傾き(投影レン
ズ3の光軸AXを含む面内でのテレセンの(頃き)は、
差ΔφWに相当した横ずれ量をΔXとして、 ΔX/ Z、−Z、 −0,02/300ζ6.
7XlO−’ と求められる。
を所定の範囲内で2(光軸AX)方向に上下動させて、
そのとき位相検出系40で検出される信号DSwと信号
DRとの位相差φWの変化を、Zステージの2方向の微
小変位置毎にサンプリングしていく、これは主制御系4
1によって行なわれる。尚、この際、第9図には示して
いないが、公知の斜入射光式焦点検出系によって、投影
レンズ3と基準マーク板FMとの2方向の間隔をモニタ
ーしていく、また第9図では、2本のビームLB、、、
LB□は基準マーク板FM上でアライメント光学系の光
軸AXaに対して紙面内で傾斜しているが、実際は紙面
と垂直な面内で傾斜している。こうして、Zステージの
2方向の位置毎に位相差φWをモニターしていくと、第
1θ図のような特性VT、が得られる。第10図で横軸
は基準マーク板FMの2方向の位置を表わし、樅軸は位
相差φWを表わす、また位置2..2..28、Z4の
順に基準マーク仮FMが投影レンズ3へ近づ(ものとす
る、先に第2図を用いて説明したように、2方向の検出
領域の幅Zlは、300pmもあるため、位置Z1と2
4の間隔は300#m程度にできる。また、本実施例の
場合、位相差φWは±180mの範囲内では連続して検
出できるため、X方向の変位はそれに対応して±1/2
ピッチの範囲内で位置ずれ計測できる。フィデューシャ
ル・マークの格子ピッチを8μmとし、位相検出系40
の分解能が0.2°であるものとすると、位置ずれの計
測分解能は0.0044.umにもなる。実際はノイズ
の影響もあるため、実用的な分解能は0.0!μm(位
相で0.4°)程度になる、従って、仮りに位置Z1と
Z4が300μmで、そのときの位置の位相差φWl
とφW4との差ΔφWが0.8° (横ずれ看では約0
.02μm)であったものとすると、特性VT、の伸き
、すなわち2つのビームLB、、とLBzsとの2等分
線である2ビームの主光線の法線からの傾き(投影レン
ズ3の光軸AXを含む面内でのテレセンの(頃き)は、
差ΔφWに相当した横ずれ量をΔXとして、 ΔX/ Z、−Z、 −0,02/300ζ6.
7XlO−’ と求められる。
この数値はアライメント用の2つのビームLB35、L
Bzsの2等分線のテレセン度(光軸AXと光軸AXa
のウェハ側での平行度)を表わし、小さければ小さい程
、テレセン性が良いことを示す。
Bzsの2等分線のテレセン度(光軸AXと光軸AXa
のウェハ側での平行度)を表わし、小さければ小さい程
、テレセン性が良いことを示す。
また位置zlから24の間で位相差φW、とφW、とが
丁度180’ (1/2ピッチ分)変化したものとす
ると、テレセン度は、 ΔX/IZ、−Z、l!=i4/300ζ1333Xl
O−’ となる。
丁度180’ (1/2ピッチ分)変化したものとす
ると、テレセン度は、 ΔX/IZ、−Z、l!=i4/300ζ1333Xl
O−’ となる。
以上のようにしてテレセン度が求まったら、主制御系4
1は、そのテレセン度が許容範囲内か否かを判断する。
1は、そのテレセン度が許容範囲内か否かを判断する。
テレセン度が悪化していた場合、主制御系41は目標と
するテレセン度と計測したテレセン度との差に基づいて
、平行平面ガラス50の傾斜量を算出し、その量だけ平
行平面ガラス50を傾けるための指令を駆動制御系52
へ出力する。
するテレセン度と計測したテレセン度との差に基づいて
、平行平面ガラス50の傾斜量を算出し、その量だけ平
行平面ガラス50を傾けるための指令を駆動制御系52
へ出力する。
この平行平面ガラス50の傾斜は、アライメント光学系
内及び投影レンズ3内の各瞳面にできるビームLB+
、LB!のスポット光の位置を、その間隔は一定に保っ
たまま、回折格子(又は干渉縞)のピッチ方向に同一量
だけシフトさせるように定められている。
内及び投影レンズ3内の各瞳面にできるビームLB+
、LB!のスポット光の位置を、その間隔は一定に保っ
たまま、回折格子(又は干渉縞)のピッチ方向に同一量
だけシフトさせるように定められている。
この調整によって、投影レンズ3のウェハ側においては
、2本のビームLB+s、L B z sの物体への入
射角θaとθbとが極めて正確に合致し、入射角の対称
性が保たれる。
、2本のビームLB+s、L B z sの物体への入
射角θaとθbとが極めて正確に合致し、入射角の対称
性が保たれる。
次に、第11図を参照して平行平面ガラス50の傾きを
マニュアル調整する方法を説明する。
マニュアル調整する方法を説明する。
第11図は、第1図に示したステッパーに付属して設け
られた制御ラック200と入力キーボードを含むオペレ
ーションコンソール210とを示す、制nHラック20
0にはステッパーの各種アライメント系で観察されたマ
ニク像を表示するためのCRT (カソード・レイ・チ
ューブ)202が組み込まれている。そこでCRT表示
制御系204に切り替え機能をもたせ、通常はマーク像
等の表示信号(ビデオ信号等)208を、CRT202
に印加するようにし、平行平面ガラス50の傾き調整の
ときは、信号DR,DSrのうち少なくとも一方と、信
号DSwとを人力して、その各波形をCRT202へ表
示するように切り替える。
られた制御ラック200と入力キーボードを含むオペレ
ーションコンソール210とを示す、制nHラック20
0にはステッパーの各種アライメント系で観察されたマ
ニク像を表示するためのCRT (カソード・レイ・チ
ューブ)202が組み込まれている。そこでCRT表示
制御系204に切り替え機能をもたせ、通常はマーク像
等の表示信号(ビデオ信号等)208を、CRT202
に印加するようにし、平行平面ガラス50の傾き調整の
ときは、信号DR,DSrのうち少なくとも一方と、信
号DSwとを人力して、その各波形をCRT202へ表
示するように切り替える。
すなわちCRT202を2現象のオシロスコープの機能
に切り替え、縦軸は信号DR,DSrSDSwの電圧を
表示し、横軸は実時間を表示するようにする。そして、
例えばレチクルがアライメントされている状態で、CR
T202には信号DSrの波形WF、と信号DSwの波
形WF2とを表示しておく。
に切り替え、縦軸は信号DR,DSrSDSwの電圧を
表示し、横軸は実時間を表示するようにする。そして、
例えばレチクルがアライメントされている状態で、CR
T202には信号DSrの波形WF、と信号DSwの波
形WF2とを表示しておく。
次に、コンソール210のジョイスティック212を前
後に倒して、ウェハステージ5上の基準マーク板FMを
所定の範囲(例えば±20μm)で上下動させる。ジョ
イスティック212を前後に倒すと、コンソール210
からはZステージを上下動させるための指令Sazがラ
ック200へ送られ、ラック200を介してZステージ
のモータが制御される。
後に倒して、ウェハステージ5上の基準マーク板FMを
所定の範囲(例えば±20μm)で上下動させる。ジョ
イスティック212を前後に倒すと、コンソール210
からはZステージを上下動させるための指令Sazがラ
ック200へ送られ、ラック200を介してZステージ
のモータが制御される。
そしてオペレータは、Zステージの上下動の間、CRT
202に表示された2つの波形WF、 、WF、の位相
関係が時間軸方向に変位するかどうかをチエツクする。
202に表示された2つの波形WF、 、WF、の位相
関係が時間軸方向に変位するかどうかをチエツクする。
この際、波形W F l は時間軸方向には変位しない
ので、波形WF□がZステージの上下動によりて左右に
変位する。そこでオペレータはジョイスティック212
を左右に倒して平行平面ガラス50の1嘆きを調整する
。ジョイスティック212を左右に倒すと、コンソール
210からは平行平面ガラス50の傾き方向と傾き量に
対応した指令Sbがラック200へ送られ、ラック20
0を介して駆動制御系52へ所定の駆動信号206が送
られる。こうして、例えばZステージの±20μmの上
下動の間に信号DSrとDSwとの位相関係が大きく変
化しないようになったら、さらにZステージの上下動範
囲を拡大(例えば±10100pして同様に調整を行な
う6以上の操作によって、平行平面ガラス50の傾きは
最適なものに調整される。
ので、波形WF□がZステージの上下動によりて左右に
変位する。そこでオペレータはジョイスティック212
を左右に倒して平行平面ガラス50の1嘆きを調整する
。ジョイスティック212を左右に倒すと、コンソール
210からは平行平面ガラス50の傾き方向と傾き量に
対応した指令Sbがラック200へ送られ、ラック20
0を介して駆動制御系52へ所定の駆動信号206が送
られる。こうして、例えばZステージの±20μmの上
下動の間に信号DSrとDSwとの位相関係が大きく変
化しないようになったら、さらにZステージの上下動範
囲を拡大(例えば±10100pして同様に調整を行な
う6以上の操作によって、平行平面ガラス50の傾きは
最適なものに調整される。
従来、ビームスポットをウェハ面に投射するアライメン
ト系でも同様の調整が行なわれたが、この種の調整は光
学調整と呼ばれ、専門の保守作業者が時間をかけて行な
っていたものであるが、本実施例によればCRT202
に表示されたビート信号波形の位相関係(リサージュ波
形にしてもよい)をチエツクするといった極めて簡単な
作業に1色かえられるため、通常のステッパーオペレー
タでも容易に調整できる。
ト系でも同様の調整が行なわれたが、この種の調整は光
学調整と呼ばれ、専門の保守作業者が時間をかけて行な
っていたものであるが、本実施例によればCRT202
に表示されたビート信号波形の位相関係(リサージュ波
形にしてもよい)をチエツクするといった極めて簡単な
作業に1色かえられるため、通常のステッパーオペレー
タでも容易に調整できる。
尚、本実施例でも先の実施例と同様に信号DRと信号D
Swとの位相関係をチエツクしても同じ効果が得られる
。
Swとの位相関係をチエツクしても同じ効果が得られる
。
さらに本実施例の変形例として、Zステージの上下動の
移動量と、干渉計45の計測値とを使って、第1図で示
した位相検出系40を用いたアライメントサーボを利用
してテレセン度を調整する方法を説明する。今までの方
法では、2つのビート信号波形の位相差をチエツクする
ため、マニュアルではあまり問題はないが、オートチエ
ツクの際、その位相差がZステージの移動に伴って±1
80°の範囲を飛びこえてしまうこともある。この場合
、テレセン度の計測データ(第1θ図)は±180°の
境界をこえたところで不連続になってしまうので、計算
上でnπ(n=1.2、・・・)のオフセットを与えて
連続にする等の操作が必要になる。しかしながら、位相
検出系40を用いたアライメントサーボを基準マーク板
FMに対して行うと、テレセン度の計測はZステージの
上下動の量(マイクロセンス、ボテンシッメータ等の計
測値)と干渉計45の計測値との2つだけで可能である
。
移動量と、干渉計45の計測値とを使って、第1図で示
した位相検出系40を用いたアライメントサーボを利用
してテレセン度を調整する方法を説明する。今までの方
法では、2つのビート信号波形の位相差をチエツクする
ため、マニュアルではあまり問題はないが、オートチエ
ツクの際、その位相差がZステージの移動に伴って±1
80°の範囲を飛びこえてしまうこともある。この場合
、テレセン度の計測データ(第1θ図)は±180°の
境界をこえたところで不連続になってしまうので、計算
上でnπ(n=1.2、・・・)のオフセットを与えて
連続にする等の操作が必要になる。しかしながら、位相
検出系40を用いたアライメントサーボを基準マーク板
FMに対して行うと、テレセン度の計測はZステージの
上下動の量(マイクロセンス、ボテンシッメータ等の計
測値)と干渉計45の計測値との2つだけで可能である
。
以下、その動作を簡単に述べる。
まず、2ステージを最も上、又は最も下に位置付ける。
このとき2つのビームLB、、、LB*sが基準マーク
板FMを照射して、信号DSwが正常に得られるように
する。そして位相検出系40により、2つの信号の位相
差Δφtを、ΔφL=DRD S w s又はΔφt=
Dsr−DSwのいずれか一方で求め、その位相差Δφ
tが零になるようにウェハステージ5をアライメントサ
ーボにより駆動する。以後、ウェハステージ5は位相差
Δφtが零になるようにサーボロックが働き続ける。
板FMを照射して、信号DSwが正常に得られるように
する。そして位相検出系40により、2つの信号の位相
差Δφtを、ΔφL=DRD S w s又はΔφt=
Dsr−DSwのいずれか一方で求め、その位相差Δφ
tが零になるようにウェハステージ5をアライメントサ
ーボにより駆動する。以後、ウェハステージ5は位相差
Δφtが零になるようにサーボロックが働き続ける。
次に2ステージを所定の検出範囲(例えば200pm)
だけ一方向に移動させる。そして、例えば一定のZ位置
毎(5μm毎)に、干渉計45の計測値をサンプリング
していく、この動作は、Zステージを所定の検出範囲内
で上方及び下方へ複数回移動させて、繰り返し行なうと
よい。
だけ一方向に移動させる。そして、例えば一定のZ位置
毎(5μm毎)に、干渉計45の計測値をサンプリング
していく、この動作は、Zステージを所定の検出範囲内
で上方及び下方へ複数回移動させて、繰り返し行なうと
よい。
こうして得られたサンプリングデータは、第1O図と同
じ傾向のものになるが、第10図と異なる点は縦軸が干
渉計45の計測値になることだけである。その後の平行
平面ガラス50の調整は、オート調整、又はマニュアル
の駆動調整のいずれでもよい。
じ傾向のものになるが、第10図と異なる点は縦軸が干
渉計45の計測値になることだけである。その後の平行
平面ガラス50の調整は、オート調整、又はマニュアル
の駆動調整のいずれでもよい。
この方法によれば、基準マーク板FMが2方向に分布す
る干渉縞波面にそって横ずれしていく量を計測すること
になるので、位相の飛び等を考慮する必要がなく、テレ
セン度の程度がどのようなものであっても、いきなり広
い範囲に渡ってZステージを上下動できるといった利点
がある。
る干渉縞波面にそって横ずれしていく量を計測すること
になるので、位相の飛び等を考慮する必要がなく、テレ
セン度の程度がどのようなものであっても、いきなり広
い範囲に渡ってZステージを上下動できるといった利点
がある。
以上、第1図のステッパーを用いた実施例では、アライ
メント系は1&INしか図示していないが、同様のアラ
イメント系を2〜3mを設けることによりて、レチクル
lとウェハ4のに、31方向及び回転方向のアライメン
ト及び倍率誤差の計測が可能である。また本実施例では
、参照信号DRを基準に位相検出しているため、例えば
ウェハ4に対する第1層の露光(ファーストプリント)
時は、レチクルlのマークRMから得られた信号DSr
と信号DRとの位相差が、露光動作中に常に一定の値に
なるように、レチクルステージをサーボロックしておく
こともできる。
メント系は1&INしか図示していないが、同様のアラ
イメント系を2〜3mを設けることによりて、レチクル
lとウェハ4のに、31方向及び回転方向のアライメン
ト及び倍率誤差の計測が可能である。また本実施例では
、参照信号DRを基準に位相検出しているため、例えば
ウェハ4に対する第1層の露光(ファーストプリント)
時は、レチクルlのマークRMから得られた信号DSr
と信号DRとの位相差が、露光動作中に常に一定の値に
なるように、レチクルステージをサーボロックしておく
こともできる。
次に本発明の第2の実施例によるステッパーの構成を第
12図(A)、(B)を用いて説明する。
12図(A)、(B)を用いて説明する。
第12図(A)、(B)は、第3図に示した瞳リレー系
17Bの後の部分のみを示し、他の構成は第3図と同一
である0本実施例では瞳リレー系17Bの後に設けられ
ていた空間フィルター23の位置に、分割受光素子30
0R1300Wを直接配置し、系の瞳面で、回折光(ビ
ート信号)104.105を受光するようにした。第1
2図(A)に示すように、リレー系17Bの後には、偏
光ビームスプリッタ310が斜設され、ウェハ4からの
回折光105はS偏光成分であるためここで反射して受
光素子300Wへ達する。一方レチクルlからの回折光
104はP偏光成分であるため、ビームスプリッタ31
0を透過して受光素子300Rへ達する。受光素子30
0R,300Wは、例えば第12図(B)のような受光
面を有し、中心部には回折光104、又は105を受光
する面300aが形成され、これを挾んで上下(又は左
右)に0次光り、を受光する面300 b。
17Bの後の部分のみを示し、他の構成は第3図と同一
である0本実施例では瞳リレー系17Bの後に設けられ
ていた空間フィルター23の位置に、分割受光素子30
0R1300Wを直接配置し、系の瞳面で、回折光(ビ
ート信号)104.105を受光するようにした。第1
2図(A)に示すように、リレー系17Bの後には、偏
光ビームスプリッタ310が斜設され、ウェハ4からの
回折光105はS偏光成分であるためここで反射して受
光素子300Wへ達する。一方レチクルlからの回折光
104はP偏光成分であるため、ビームスプリッタ31
0を透過して受光素子300Rへ達する。受光素子30
0R,300Wは、例えば第12図(B)のような受光
面を有し、中心部には回折光104、又は105を受光
する面300aが形成され、これを挾んで上下(又は左
右)に0次光り、を受光する面300 b。
300Cが形成されている。これら3つの受光面300
a、300b、300cは電気的に絶縁されていて、そ
れぞれ個別に光電信号を出力する。
a、300b、300cは電気的に絶縁されていて、そ
れぞれ個別に光電信号を出力する。
また受光面300a、300b、300cは、系の瞳面
、すなわち投影レンズ3の瞳EPとほぼ共役に配!され
ている。
、すなわち投影レンズ3の瞳EPとほぼ共役に配!され
ている。
従って、受光素子300Rの受光面300aの光電信号
が信号DSrとなり、受光素子300Wの受光面300
aの光電信号が信号DSwとなり、先の実施例と全く同
様に位相検出に使われる。
が信号DSrとなり、受光素子300Wの受光面300
aの光電信号が信号DSwとなり、先の実施例と全く同
様に位相検出に使われる。
第3図に示した光路からも明らかなように、系の瞳面で
回折光104.105(及び0次光り。
回折光104.105(及び0次光り。
)は全て微小なスポット(ビームウェスト)に集光して
しまう、そのため受光面300a、300b、300c
の面積は極めて小さくすることができ、これは受光素子
としての応答性を上げるのに有利である。また回折光1
04.105の瞳面における開口数(N、A、 )はか
なり小さく(例えば0゜01以下)なっているので、受
光面300aを回折光104.105の正確なスポット
サイズよりも少し大きな面積にすることによって、受光
素子300R1300Wの光軸方向の位置設定精度はそ
れ程きびしいものにする必要がなくなり、装置製造は簡
単になる。このことはアライメントの際に対物レンズ2
1aの位置が変更されたことによる瞳共役のずれにも対
応できることを意味する。
しまう、そのため受光面300a、300b、300c
の面積は極めて小さくすることができ、これは受光素子
としての応答性を上げるのに有利である。また回折光1
04.105の瞳面における開口数(N、A、 )はか
なり小さく(例えば0゜01以下)なっているので、受
光面300aを回折光104.105の正確なスポット
サイズよりも少し大きな面積にすることによって、受光
素子300R1300Wの光軸方向の位置設定精度はそ
れ程きびしいものにする必要がなくなり、装置製造は簡
単になる。このことはアライメントの際に対物レンズ2
1aの位置が変更されたことによる瞳共役のずれにも対
応できることを意味する。
また、平行平面ガラス50は、2つのビームLB、 、
LB、の送光路と回折光104.105の受光路とが共
有している部分に設けられているため、平行平面ガラス
50がどのように傾いても、回折光104.105と受
光面300aとの相対位置関係は変化しない。
LB、の送光路と回折光104.105の受光路とが共
有している部分に設けられているため、平行平面ガラス
50がどのように傾いても、回折光104.105と受
光面300aとの相対位置関係は変化しない。
以上、本発明の第1、第2実施例では、テレセン度調整
用の平行平面ガラス50を対物レンズ21aの瞳EP、
よりも少し光源側に配置したが、瞳EP、と対物レンズ
21aとの間でもよく、さらに望ましくは、瞳EP、、
もしくはそれと共役な面内と一致させて配置するのがよ
い、このため、第1図、第3図、第8図に示したように
複屈折物質(2焦点素子)21bが全体的に平行平面の
形状でできている場合は、この素子21bを傾斜可能に
してテレセン度調整に使ってもよい。
用の平行平面ガラス50を対物レンズ21aの瞳EP、
よりも少し光源側に配置したが、瞳EP、と対物レンズ
21aとの間でもよく、さらに望ましくは、瞳EP、、
もしくはそれと共役な面内と一致させて配置するのがよ
い、このため、第1図、第3図、第8図に示したように
複屈折物質(2焦点素子)21bが全体的に平行平面の
形状でできている場合は、この素子21bを傾斜可能に
してテレセン度調整に使ってもよい。
また、平行平面ガラス50の位置は、第1図と第3図と
で異なっているが、第12図のように瞳空間中で光電検
出する場合は、送光ビームLB。
で異なっているが、第12図のように瞳空間中で光電検
出する場合は、送光ビームLB。
、LB!と回折光104.105の共通光路に設ける必
要があり、第3図のように像空間中で光電検出する場合
はどちらに設けてもよい。
要があり、第3図のように像空間中で光電検出する場合
はどちらに設けてもよい。
次に本発明の第3の実施例を第5図、第6図とともに第
13図を参照して説明する。
13図を参照して説明する。
今までの各実施例ではテレセン度の調整に平行平面ガラ
ス50を用いたが、本実施例では機械的な駆動を行なわ
ずに、さらに高精度なテレセン度調整を可能とする。た
だし、テレセン度の調整範囲は平行平面ガラスを使った
場合よりも小さなものに制限される。従って本実施例に
よるテレセン調整は、平行平面ガラスで粗調した後の微
調に使うと効果的である。
ス50を用いたが、本実施例では機械的な駆動を行なわ
ずに、さらに高精度なテレセン度調整を可能とする。た
だし、テレセン度の調整範囲は平行平面ガラスを使った
場合よりも小さなものに制限される。従って本実施例に
よるテレセン調整は、平行平面ガラスで粗調した後の微
調に使うと効果的である。
さて、第5図で示したように、2つのビームLB、、L
BHはそれぞれAOM73.74から射出した1次回折
光である。2つのビームLB、、LB、は通常光軸AX
aをはさんで点対称に位置するように設定されている。
BHはそれぞれAOM73.74から射出した1次回折
光である。2つのビームLB、、LB、は通常光軸AX
aをはさんで点対称に位置するように設定されている。
2つのAOM73.74のドライブ信号SF+ 、SF
tの周波数は、それぞれ例えば80.025 M七、8
0.000M七に定められている。
tの周波数は、それぞれ例えば80.025 M七、8
0.000M七に定められている。
その周波数差は25に11zと低いため、2つのAOM
73.74での1次回折光の回折角はともに等しい、そ
こで2つのAOM73.74の回折角の方向を、光軸A
Xa、ビームLBp、LBsの3者を含む面内で同一方
向に合わせておき、信号SF+ 、SFtの周波数を同
じ値だけ増減させてやると、ビームスプリンタ106で
合成された後のビームLBp 、LBjの間隔はほぼ一
定にしたまま、光軸AXaに対する点対称な関係を変化
させることができる。
73.74での1次回折光の回折角はともに等しい、そ
こで2つのAOM73.74の回折角の方向を、光軸A
Xa、ビームLBp、LBsの3者を含む面内で同一方
向に合わせておき、信号SF+ 、SFtの周波数を同
じ値だけ増減させてやると、ビームスプリンタ106で
合成された後のビームLBp 、LBjの間隔はほぼ一
定にしたまま、光軸AXaに対する点対称な関係を変化
させることができる。
尚、本実施例を効果的に作用させるためには、第5図中
のAOM73とビームスプリッタ106との間、及びA
OM74とビームスプリッタ106との間にそれぞれ凸
レンズを設け、さらに第7図のプリズム122を凸レン
ズに代えればよい。
のAOM73とビームスプリッタ106との間、及びA
OM74とビームスプリッタ106との間にそれぞれ凸
レンズを設け、さらに第7図のプリズム122を凸レン
ズに代えればよい。
それら凸レンズは全て焦点距離の関係でつながれる。そ
してAOM73.74の回折点と第7図中の像共役面I
Pmとをさらに共役にすることが望ましい、第13図(
A)は、上述の構成を模式的に表わしたものであり、第
5図のビームスプリンタ106から第7図の像共役面I
Pmまでの光路を示し、新たに凸レンズ400a、40
0b、402が設けられる。その他の構成(特に第6図
)は同一でよい、またPeは瞳共役面になり、2つのビ
ームLBr、LBsは凸レンズ400a、400bの作
用によりそこでスポットに集光している。凸レンズ40
2から射出するビームL B +、LBxは同様に平行
光束となって面IPmで交差する。
してAOM73.74の回折点と第7図中の像共役面I
Pmとをさらに共役にすることが望ましい、第13図(
A)は、上述の構成を模式的に表わしたものであり、第
5図のビームスプリンタ106から第7図の像共役面I
Pmまでの光路を示し、新たに凸レンズ400a、40
0b、402が設けられる。その他の構成(特に第6図
)は同一でよい、またPeは瞳共役面になり、2つのビ
ームLBr、LBsは凸レンズ400a、400bの作
用によりそこでスポットに集光している。凸レンズ40
2から射出するビームL B +、LBxは同様に平行
光束となって面IPmで交差する。
さて、第13図(B)はドライブ信号SF、、SFgの
発生回路の構成を模式的に表わしたブロック図である。
発生回路の構成を模式的に表わしたブロック図である。
ドライブ信号SF、 、SF、は、水晶発振器Cxを用
いた周波数シンセサイザ一部410.412で作られる
。出力周波数の設定は分周比等をセントするカウンタ4
14.416で行なわれ、設定値CN、 、CNtは主
制御系41(第1図)等から与えられる。設定値CN、
、CN8は信号SF+ 、SFgの周波数差が25K
I(zになるように定められている。
いた周波数シンセサイザ一部410.412で作られる
。出力周波数の設定は分周比等をセントするカウンタ4
14.416で行なわれ、設定値CN、 、CNtは主
制御系41(第1図)等から与えられる。設定値CN、
、CN8は信号SF+ 、SFgの周波数差が25K
I(zになるように定められている。
さて、設定値CN、 、CNgを同量だけ増減させて、
信号SF+ 、SFgの周波数を元の値に対して10%
程度変化させると、2つのビームLBデ、LB、はAO
M73.74を射出するとき元の回折角に対して10%
程度変化する。AOM73.740回折点はほぼ像共役
であるため、レチクル11又はウェハ4に達する2本の
ビームLB+、LBHの傾き(入射角)が同じ方向に同
量だけ変化することになる。すなわち、ビームL B
lの入射角が元の値よりも10%だけ大きくなると、ビ
ームLB、の入射角は元の値よりも10%だけ小さくな
る。その結果、2つのビームLB、、LB3の交差角を
変化させずに、テレセン度のみを調整することができる
。
信号SF+ 、SFgの周波数を元の値に対して10%
程度変化させると、2つのビームLBデ、LB、はAO
M73.74を射出するとき元の回折角に対して10%
程度変化する。AOM73.740回折点はほぼ像共役
であるため、レチクル11又はウェハ4に達する2本の
ビームLB+、LBHの傾き(入射角)が同じ方向に同
量だけ変化することになる。すなわち、ビームL B
lの入射角が元の値よりも10%だけ大きくなると、ビ
ームLB、の入射角は元の値よりも10%だけ小さくな
る。その結果、2つのビームLB、、LB3の交差角を
変化させずに、テレセン度のみを調整することができる
。
本実施例では機械的な可動部がないため、調整に要する
時間が極めて短くなる。そのため、第8図に示したよう
に、レチクル1を交換してマークRMの位置が変わった
ときに、金物62をセットした後のテレセン度調整時間
が短くなり、装置の稼動率を上げられる。
時間が極めて短くなる。そのため、第8図に示したよう
に、レチクル1を交換してマークRMの位置が変わった
ときに、金物62をセットした後のテレセン度調整時間
が短くなり、装置の稼動率を上げられる。
以上、本実施例では2つのAOM73.74が本発明の
第1光学部材に相当する機能を有する。
第1光学部材に相当する機能を有する。
このようにAOM73.74を使ってテレセン度調整す
る場合、2つのビームLBl −LBiの送光路側だけ
でテレセン補正するため、受光路側、すなわち回折光1
04.105は瞳面内で微妙に位置変化することになる
。しかしながら、AOM73.74による調整を微小範
囲に限って使うだけならば、その位置変化を見込んで、
第12図(B)の受光面300aの大きさを定めておく
だけで、十分に対応できる。もちろん、第3図に示すよ
うに、像共役面にアパーチャ板25゛を設け、光電検出
器25でビート信号を受光する方式では、ビームLB、
、LB、のテレセンAOM73.74で変化させても
、全く影響を受けない。
る場合、2つのビームLBl −LBiの送光路側だけ
でテレセン補正するため、受光路側、すなわち回折光1
04.105は瞳面内で微妙に位置変化することになる
。しかしながら、AOM73.74による調整を微小範
囲に限って使うだけならば、その位置変化を見込んで、
第12図(B)の受光面300aの大きさを定めておく
だけで、十分に対応できる。もちろん、第3図に示すよ
うに、像共役面にアパーチャ板25゛を設け、光電検出
器25でビート信号を受光する方式では、ビームLB、
、LB、のテレセンAOM73.74で変化させても
、全く影響を受けない。
〔その他の変形例]
(1)回折格子マークRM、又はWMを照射する2つの
ビームLB、 、LB□は偏光方向が異なっていてもよ
い。例えばビームLB、をP偏光、ビームLB、をS偏
光にすると、格子マーク上では干渉縞が発生しないが、
受光素子19.25.300の前に偏光板(検光子>
?、3[屈折素子等を入れると同様にビート信号が得ら
れる。
ビームLB、 、LB□は偏光方向が異なっていてもよ
い。例えばビームLB、をP偏光、ビームLB、をS偏
光にすると、格子マーク上では干渉縞が発生しないが、
受光素子19.25.300の前に偏光板(検光子>
?、3[屈折素子等を入れると同様にビート信号が得ら
れる。
(2) ビームLB、 、LB2の周波数差を得るた
めに、レーザ光1itoをゼーマンレーザにしてもよい
、この場合、AOM73.74は省略できる。
めに、レーザ光1itoをゼーマンレーザにしてもよい
、この場合、AOM73.74は省略できる。
(3) ビームLB、とLB、の周波数差を零にした
ホモダイン方式の場合であっても、同様にテレセン度調
整と交差角調整とができる。
ホモダイン方式の場合であっても、同様にテレセン度調
整と交差角調整とができる。
(4)AOMを用いると、ドライブ信号の周波数を変え
るだけでホモダイン方式とヘテロゲイン方式とを簡単に
切替えられるので、ホモダイン方式にしてウェハステー
ジ5をスキャンするアライメントシーケンスと、ヘテロ
ゲイン方式による露光中のウェハステージのサーボロッ
クとを選択的に高速に切り替えて処理できる。
るだけでホモダイン方式とヘテロゲイン方式とを簡単に
切替えられるので、ホモダイン方式にしてウェハステー
ジ5をスキャンするアライメントシーケンスと、ヘテロ
ゲイン方式による露光中のウェハステージのサーボロッ
クとを選択的に高速に切り替えて処理できる。
(5) TTR,TTL方式のアライメント系では、
2つのビームLB、とLB、の波長を露光光の波長に近
f以させて、2焦点素子21aを省略してもよい。
2つのビームLB、とLB、の波長を露光光の波長に近
f以させて、2焦点素子21aを省略してもよい。
その場合は、ビームLB、 、LB、の送光路中の像共
役面IPmに照明視野絞りを配置して、ウェハ上のレジ
スト層の照射領域をマークW M (7) 部分に制限
する。
役面IPmに照明視野絞りを配置して、ウェハ上のレジ
スト層の照射領域をマークW M (7) 部分に制限
する。
(6) AOM73.74の発熱によってビームの回
折角がドリフトする場合、その発熱を温度センサーでモ
ニターし、温度上昇にともなってドライブ信号SF、、
SF、の周波数を自動調整してビームLBI、LBgの
入射角の対称性を一定に保つようにしてもよい。
折角がドリフトする場合、その発熱を温度センサーでモ
ニターし、温度上昇にともなってドライブ信号SF、、
SF、の周波数を自動調整してビームLBI、LBgの
入射角の対称性を一定に保つようにしてもよい。
以上、本発明によれば2つのビームを回折格子上で交差
するように照射するアライメント光学系等において、対
物光学系(投影光学系)の瞳面で2つのビームの位置を
格子配列方向に同量だけシフトさせる第1光学部材を設
けたので、2つのビームのテレセン度が容易に調整でき
る。
するように照射するアライメント光学系等において、対
物光学系(投影光学系)の瞳面で2つのビームの位置を
格子配列方向に同量だけシフトさせる第1光学部材を設
けたので、2つのビームのテレセン度が容易に調整でき
る。
従って、回折格子と干渉縞を用いた位置検出の精度が、
本来の高分解能であることの利点を保ったまま安定に得
られるといった効果がある。
本来の高分解能であることの利点を保ったまま安定に得
られるといった効果がある。
また干渉縞と回折格子とが相対的に光軸方向に大きく変
位しても、極めて高いテレセン性を維持しているため、
何ら位置検出の障害にならないといった格別な効果も得
られる。
位しても、極めて高いテレセン性を維持しているため、
何ら位置検出の障害にならないといった格別な効果も得
られる。
このため従来のステッパー等で実行されていたアライメ
ント時のフォーカス合わせ(AF)動作が省略できるの
で、E−G−A法を併用したシーケンスではスループッ
トが向上するといった利点もある。またギャップの設定
精度や光源とマスクとの間隔設定精度が比較的低いプロ
キシミティ露光装置(例えばSORを用いたX線ステッ
パー等)では、はとんど機械的にマスクとウェハとをセ
ットするだけで、ただちにアライメント、露光といった
動作に移行でき、同様にスリープツトの向上が期待でき
る。
ント時のフォーカス合わせ(AF)動作が省略できるの
で、E−G−A法を併用したシーケンスではスループッ
トが向上するといった利点もある。またギャップの設定
精度や光源とマスクとの間隔設定精度が比較的低いプロ
キシミティ露光装置(例えばSORを用いたX線ステッ
パー等)では、はとんど機械的にマスクとウェハとをセ
ットするだけで、ただちにアライメント、露光といった
動作に移行でき、同様にスリープツトの向上が期待でき
る。
第1図は本発明の第1の実施例によるステッパーの構成
を示す図、第2図は干渉縞と回折格子の探子を説明する
本発明の原理図、第3図は第1図に示した光学系の主要
部をさらに詳細に説明した図、第4図は第3図中の回折
格子マークとアパーチャ板の関係を示す平面図、第5図
、第6図、第7図は第1図中の周波数シフターの詳細な
構成を示す図、第8図は第1図中のアライメント系の実
用的な構造を示す図、第9図は投影レンズの像面側での
テレセン度の計測方法を説明する図、第1O図はテレセ
ン性の計測値を表わすグラフ、第11図はテレセン度調
整に好適なステッパーの制御系の一例を示すブロック図
、第12図(A)、(B)は本発明の第2の実施例によ
る受光系の構造を示す図、第13図(A)は、本発明の
第3の実施例による光学系を示す図、第13図(B)は
第13図(A)の光学系とともに使われる周波数シフタ
ーのドライブ回路の一例を示すブロック図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・レチクル、3・・・投影レンズ、4・・・ウェ
ハ5・・・ウェハステージ、10・・・レーザ光源、1
2・・・周波数シフター 17A、17B% 17C・・・リレー系、18・・・
基準格子板、 19・・・光電検出器(受光素子)、 21a・・・対物レンズ、21b・・・複屈折物質、2
3・・・空間フィルター、25・・・受光素子、40・
・・位相検出系、41・・・主制御系、50・・・平行
平面ガラス、 WP、RM、WM・・・回折格子マーク、104.10
5・・・マークRM、WMからの干渉ビート光(回折光
)、 73.74・・・音響光学変調器(AOM)、200・
・・制御ラック、202・・・CR7表示器、210−
・・コンソール、 300.300R,300W・・・受光素子、−LB・
・・レーザビーム、LB、・・・P偏光ビーム、LBs
・・・S偏光ビーム、 LB、・・・周波数f1のビーム、 LBg・・・周波数f8のビーム、 BP、EP、・・・瞳面、 SF+ 、SFx・・・AOMドライブ信号、D R・
・・参照信号、DSw、DSr”−計測信号、LA、
、LAX・・・主光線、 AXa・・・アライメント系の光軸、 IFw・・・干渉縞、 IP’、夏Pm・・・像共役
面、FM・・・基準マーク板
を示す図、第2図は干渉縞と回折格子の探子を説明する
本発明の原理図、第3図は第1図に示した光学系の主要
部をさらに詳細に説明した図、第4図は第3図中の回折
格子マークとアパーチャ板の関係を示す平面図、第5図
、第6図、第7図は第1図中の周波数シフターの詳細な
構成を示す図、第8図は第1図中のアライメント系の実
用的な構造を示す図、第9図は投影レンズの像面側での
テレセン度の計測方法を説明する図、第1O図はテレセ
ン性の計測値を表わすグラフ、第11図はテレセン度調
整に好適なステッパーの制御系の一例を示すブロック図
、第12図(A)、(B)は本発明の第2の実施例によ
る受光系の構造を示す図、第13図(A)は、本発明の
第3の実施例による光学系を示す図、第13図(B)は
第13図(A)の光学系とともに使われる周波数シフタ
ーのドライブ回路の一例を示すブロック図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・レチクル、3・・・投影レンズ、4・・・ウェ
ハ5・・・ウェハステージ、10・・・レーザ光源、1
2・・・周波数シフター 17A、17B% 17C・・・リレー系、18・・・
基準格子板、 19・・・光電検出器(受光素子)、 21a・・・対物レンズ、21b・・・複屈折物質、2
3・・・空間フィルター、25・・・受光素子、40・
・・位相検出系、41・・・主制御系、50・・・平行
平面ガラス、 WP、RM、WM・・・回折格子マーク、104.10
5・・・マークRM、WMからの干渉ビート光(回折光
)、 73.74・・・音響光学変調器(AOM)、200・
・・制御ラック、202・・・CR7表示器、210−
・・コンソール、 300.300R,300W・・・受光素子、−LB・
・・レーザビーム、LB、・・・P偏光ビーム、LBs
・・・S偏光ビーム、 LB、・・・周波数f1のビーム、 LBg・・・周波数f8のビーム、 BP、EP、・・・瞳面、 SF+ 、SFx・・・AOMドライブ信号、D R・
・・参照信号、DSw、DSr”−計測信号、LA、
、LAX・・・主光線、 AXa・・・アライメント系の光軸、 IFw・・・干渉縞、 IP’、夏Pm・・・像共役
面、FM・・・基準マーク板
Claims (3)
- (1)物体上に形成された回折格子を所定の交差角で2
方向から照射するための2つのビームを作り出すビーム
発生手段と;該ビーム発生手段と前記物体との間に配置
され、前記2つのビームを瞳面内で所定間隔だけ離して
通すことによって、前記物体上に所定の交差角で照射す
る対物光学系と;前記回折格子からの回折光を前記対物
光学系を介して受光する光電検出器とを備え、該光電検
出器からの検出信号に基づいて前記物体の位置を検出す
る装置において、前記ビーム発生手段に含まれる光源か
ら前記物体までの光路中に配置され、前記2つのビーム
の交差角はほぼ一定に保ったまま該2つのビームの前記
物体への入射角をともに変化させる光学部材と;前記対
物光学系と前記物体との光軸方向の間隔を相対的に変化
させる間隔調整手段と;該間隔調整手段によって前記間
隔を所定範囲内で変化させたとき、前記光電検出器から
の検出信号が所定の状態を保つように前記光学部材を調
整する制御手段とを備えたことを特徴とする位置検出装
置。 - (2)前記ビーム発生手段は前記2つのビーム間に所定
の周波数差を与える周波数変調器と、該周波数差に応じ
た参照信号を作る参照信号発生部とを有し; 前記制御手段は前記光電検出器からの検出信号の前記参
照信号に対する位相差を検出する位相検出系と、前記間
隔を変化させたときに検出される位相差がほぼ一定にな
るように前記光学部材を駆動する駆動系とを含むことを
特徴とする請求項第1項に記載の装置。 - (3)前記間隔調整手段は、前記対物光学系の光軸と直
交する方向に関して前記対物光学系と前記物体との相対
変位置を検出する座標検出系を含み; 前記制御手段は、前記間隔調整手段によって前記間隔を
変化させたときに前記座標検出系で検出される変位置を
、前記光学部材の調整時の補正量として入力する補正系
を含むことを特徴とする請求項第1項又は第2項記載の
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048293A JP2814520B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 位置検出装置、位置検出方法及び投影露光装置 |
| US08/233,081 US5489986A (en) | 1989-02-28 | 1994-04-25 | Position detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048293A JP2814520B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 位置検出装置、位置検出方法及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02227602A true JPH02227602A (ja) | 1990-09-10 |
| JP2814520B2 JP2814520B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=12799391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048293A Expired - Lifetime JP2814520B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 位置検出装置、位置検出方法及び投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814520B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751403A (en) * | 1994-06-09 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6242754B1 (en) | 1995-02-01 | 2001-06-05 | Nikon Corporation | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus |
| CN111551130A (zh) * | 2019-02-08 | 2020-08-18 | 株式会社基恩士 | 检查装置 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1048293A patent/JP2814520B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2814520B2 (ja) | 1998-10-22 |
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