JPH02227946A - イメージ増強管 - Google Patents
イメージ増強管Info
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- JPH02227946A JPH02227946A JP2000908A JP90890A JPH02227946A JP H02227946 A JPH02227946 A JP H02227946A JP 2000908 A JP2000908 A JP 2000908A JP 90890 A JP90890 A JP 90890A JP H02227946 A JPH02227946 A JP H02227946A
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- intensifier tube
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- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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- H01J29/88—Vessels; Containers; Vacuum locks provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
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- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
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- H01J2229/885—Coatings having particular electrical insulation properties
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入射窓と、射出窓と、一部が透明で、電気的に
絶縁体からなる外囲器部分とにより形成され入射スクリ
ーン及び射出スクリーンに光電子を画像する電子光学系
を収容するハウジングからなるイメージ増強管に係る。
絶縁体からなる外囲器部分とにより形成され入射スクリ
ーン及び射出スクリーンに光電子を画像する電子光学系
を収容するハウジングからなるイメージ増強管に係る。
この種のイメージ増強管は米国特許筒3.026.43
7号からX線イメージ増強管として及び米国特許筒4,
286,148号から輝度増強管として知られている。
7号からX線イメージ増強管として及び米国特許筒4,
286,148号から輝度増強管として知られている。
その様な管の局部的放電現象を防ぐ為、外囲器のガラス
部分は内側に半導体物質で覆われる。
部分は内側に半導体物質で覆われる。
感光入射スクリーンからなるイメージ増強管において、
放電現象はイメージ妨害効果を有し易い。
放電現象はイメージ妨害効果を有し易い。
その理由は発せられた光は感光層を活性化し、例えばイ
メージ搬送光電子と共に射出スクリーンに影像された光
電子を放出し、従って画像に関係する。
メージ搬送光電子と共に射出スクリーンに影像された光
電子を放出し、従って画像に関係する。
米国特許筒3.026.437号は被覆物質の例として
の酸化クロムを述べている。公知の被覆層は層が例えば
グリーン酸化クロムからなるので透明でなく、又は層の
抵抗が比較的低く、それにより管の動作に必要な電力を
実質的に増やすさらに大きな漏れ電流が起こるという欠
点を有する。さらに、公知の被覆層は比較的大きい厚さ
を有し、そしてその厚さや構造は全く均一ではない。
の酸化クロムを述べている。公知の被覆層は層が例えば
グリーン酸化クロムからなるので透明でなく、又は層の
抵抗が比較的低く、それにより管の動作に必要な電力を
実質的に増やすさらに大きな漏れ電流が起こるという欠
点を有する。さらに、公知の被覆層は比較的大きい厚さ
を有し、そしてその厚さや構造は全く均一ではない。
本発明の目的は上記欠点を低減させることであり、これ
を行なう為、本発明による上記の種類のイメージ増強管
は透明な外囲器部分の少なくとも一部が酸化透明クロム
で覆われることを特徴とする。
を行なう為、本発明による上記の種類のイメージ増強管
は透明な外囲器部分の少なくとも一部が酸化透明クロム
で覆われることを特徴とする。
外囲器の透明部分が本発明によるイメージ増強管内の透
明抵抗層で被覆されるので、透明用は、これらの部分を
介して光電子が試験測定等に対し活性化され、適当な付
着及び比較的高い抵抗性を示す抵抗層が達成されるよう
に維持される。
明抵抗層で被覆されるので、透明用は、これらの部分を
介して光電子が試験測定等に対し活性化され、適当な付
着及び比較的高い抵抗性を示す抵抗層が達成されるよう
に維持される。
望ましい実施例において、イメージ増強等は、C3i入
射スクリーンと、射出スクリーンの近くに位置する外囲
器の透明部分とからなるX線イメージ増強管を形成する
。本発明による被WI層は而を横切る磁界強度の適切な
均−性及び適切に決定された比較的小さな漏れ1!流を
可能にし、充電陰極の外部活性化の可能性を提供する。
射スクリーンと、射出スクリーンの近くに位置する外囲
器の透明部分とからなるX線イメージ増強管を形成する
。本発明による被WI層は而を横切る磁界強度の適切な
均−性及び適切に決定された比較的小さな漏れ1!流を
可能にし、充電陰極の外部活性化の可能性を提供する。
別な実施例において、輝度増強管の円筒形ハウジングの
少なくとも一部は透明酸化クロム層で被覆され、それに
より放電現象が避けられ、確かな、比較的低い漏洩電流
が得られる。これらの管の電源は小さいことが望ましい
ので、低漏洩電流は十分に魅力的である。
少なくとも一部は透明酸化クロム層で被覆され、それに
より放電現象が避けられ、確かな、比較的低い漏洩電流
が得られる。これらの管の電源は小さいことが望ましい
ので、低漏洩電流は十分に魅力的である。
望ましい実施例において、半透明酸化クロム層は硝酸ク
ロムの比較的薄い層をブラッシング、吹付け、又は液浸
により付着形成され、部層は次に略520−530℃で
焼付けられる。従って、比較的^い抵抗や比較的低い2
次射出係数を有する酸化クロムの薄い適切な付着力及び
適切な均一層が得られ、これにより局部的放電のリスク
が大きく減少される。
ロムの比較的薄い層をブラッシング、吹付け、又は液浸
により付着形成され、部層は次に略520−530℃で
焼付けられる。従って、比較的^い抵抗や比較的低い2
次射出係数を有する酸化クロムの薄い適切な付着力及び
適切な均一層が得られ、これにより局部的放電のリスク
が大きく減少される。
第1図に示す如く、X線イメージ増強管は、入射窓2と
、射出窓4と、円筒形外囲器6と、真空空間8を共に密
閉する絶縁リング7とよりなる。
、射出窓4と、円筒形外囲器6と、真空空間8を共に密
閉する絶縁リング7とよりなる。
空間8において、入射スクリーン10.射出スクリーン
12及び電子−光学画像系14が配置される。管の入射
スクリーンは例えばチタンの別個の箔を形成する大きな
入射窓からなる管用でも、チタン入射窓は、検出さるべ
きX線ビームのほんの僅かな分散がそこに発生するよう
、例えば略0゜2履より厚い必要はない。この場合、入
射スクリーンは望ましくはアルミニウムからなる凹形支
持体16からなり、これは真空壁として役立たないので
薄くてもよい。支持体に、中門障壁層20を有する光電
陰極22が設けられている発光物資18の層が設けられ
る。入射スクリーンは、例えばシールドリング24に関
連して、電子−光学画像系14の第1の電極を構成し、
部系は集束電極26と、第1の7ノード28と、望まし
くは射出スクリーンと電気的に接触する出力アノード3
0とを含む。ハウジングの外囲器6はこの場合円形断面
を有するが、射出窓と共に長方形の入射スクリーン及び
或いは射出スクリーン及び射出窓を有してもよい。この
場合、絶縁リング7は半透明物質からなり、本発明によ
りリング壁の内側に硝酸クロムの焼付けにより付着され
た半透明酸化クロム32の層で被覆される。かく得られ
た酸化クロムの層は比較的小さい厚さ及び比較的高い抵
抗を有する。硝酸クロムは、例えばリングの液浸により
付着される。
12及び電子−光学画像系14が配置される。管の入射
スクリーンは例えばチタンの別個の箔を形成する大きな
入射窓からなる管用でも、チタン入射窓は、検出さるべ
きX線ビームのほんの僅かな分散がそこに発生するよう
、例えば略0゜2履より厚い必要はない。この場合、入
射スクリーンは望ましくはアルミニウムからなる凹形支
持体16からなり、これは真空壁として役立たないので
薄くてもよい。支持体に、中門障壁層20を有する光電
陰極22が設けられている発光物資18の層が設けられ
る。入射スクリーンは、例えばシールドリング24に関
連して、電子−光学画像系14の第1の電極を構成し、
部系は集束電極26と、第1の7ノード28と、望まし
くは射出スクリーンと電気的に接触する出力アノード3
0とを含む。ハウジングの外囲器6はこの場合円形断面
を有するが、射出窓と共に長方形の入射スクリーン及び
或いは射出スクリーン及び射出窓を有してもよい。この
場合、絶縁リング7は半透明物質からなり、本発明によ
りリング壁の内側に硝酸クロムの焼付けにより付着され
た半透明酸化クロム32の層で被覆される。かく得られ
た酸化クロムの層は比較的小さい厚さ及び比較的高い抵
抗を有する。硝酸クロムは、例えばリングの液浸により
付着される。
第2図は、例えば光学i1Mを含むハウジング40と、
入射窓42と、射出窓44と、円筒形管壁部分46とか
らなる輝度増強器の形態の本発明によるイメージ増強管
を示す。入射窓の望ましい凹形内側部48は光電陰極5
0が設けられる。光電陰極の反対側に、入射面54及び
射出向56を有するチャンネル増強板52が配置される
。光電陰極及びチャンネル板の間に、電極58と、チャ
ンネル板の入射面近くに配置され、そしてチャンネル板
の入射面に設けられた通常の入力電極と望ましくは一体
の電極60が配置される。通常の光′l!陰極は、それ
らが電子光学系の電気を形成すると考えられるような電
導度を有する。実状がそれと違う場合、胴側さるべき透
明である付加電極が設けられつる。射出窓44の内側は
発光層62を設けられている。電気的に導電性の壁部分
66を介して、光電陰極50は端子68に接続され、中
間電極58は端子70に接続される。中間電極70は光
電陰極に関して比較的に^い、例えば+5KVの正の電
位に電源72により調整されうる。チャンネル入射面5
4に設けられたチャンネル入力電極と電気的に一体の入
力電極60は端子74からなる。電源76を介して、入
力電極は中間電極に関連して比較的低い、例えば+1K
Vの電位に調整されうる。電源78及び端子80を介し
て、チャンネル板52の出力電極は入力電極に関してよ
り高い電位に調整され、そして電182及び端子84を
介して、射出窓は幾分か高い電位に調整されうる。管の
実際の実施例において、特に、チャンネル板の光電陰極
の画像に関連した電位は通常共通源から導かれる。その
理由は電圧変動は全電位に比例効果を有するからであり
、それにより電子光学設定は実質的にやや敏感ではない
。
入射窓42と、射出窓44と、円筒形管壁部分46とか
らなる輝度増強器の形態の本発明によるイメージ増強管
を示す。入射窓の望ましい凹形内側部48は光電陰極5
0が設けられる。光電陰極の反対側に、入射面54及び
射出向56を有するチャンネル増強板52が配置される
。光電陰極及びチャンネル板の間に、電極58と、チャ
ンネル板の入射面近くに配置され、そしてチャンネル板
の入射面に設けられた通常の入力電極と望ましくは一体
の電極60が配置される。通常の光′l!陰極は、それ
らが電子光学系の電気を形成すると考えられるような電
導度を有する。実状がそれと違う場合、胴側さるべき透
明である付加電極が設けられつる。射出窓44の内側は
発光層62を設けられている。電気的に導電性の壁部分
66を介して、光電陰極50は端子68に接続され、中
間電極58は端子70に接続される。中間電極70は光
電陰極に関して比較的に^い、例えば+5KVの正の電
位に電源72により調整されうる。チャンネル入射面5
4に設けられたチャンネル入力電極と電気的に一体の入
力電極60は端子74からなる。電源76を介して、入
力電極は中間電極に関連して比較的低い、例えば+1K
Vの電位に調整されうる。電源78及び端子80を介し
て、チャンネル板52の出力電極は入力電極に関してよ
り高い電位に調整され、そして電182及び端子84を
介して、射出窓は幾分か高い電位に調整されうる。管の
実際の実施例において、特に、チャンネル板の光電陰極
の画像に関連した電位は通常共通源から導かれる。その
理由は電圧変動は全電位に比例効果を有するからであり
、それにより電子光学設定は実質的にやや敏感ではない
。
本発明による管壁部分は46は透明酸化クロムの層で被
覆されており、これにより電位はこの部分に頁って均一
的に変化し、関連した壁部分は半透明のままで、電位が
印加された際に小さい漏洩電流が発生するだけである。
覆されており、これにより電位はこの部分に頁って均一
的に変化し、関連した壁部分は半透明のままで、電位が
印加された際に小さい漏洩電流が発生するだけである。
第1図は本発明によるX線イメージ増強管を示す図、
第2図は本発明による輝度増強管を示す図である。
2.42・・・入射窓、4.44・・・射出窓、6・・
・円筒形外囲器、7・・・絶縁リング、8・・・真空空
間、10・・・入射スクリーン、12・・・射出スクリ
ーン、14・・・電子光学画像系、16・・・凹形支持
体、18・・・発光物質、20・・・中間障壁層、22
.50・・・光電陰極、24・・・シールドリング、2
6・・・集束電極、28・・・第1のアノード、30・
・・出力アノード、32・・・透明酸化クロム、40・
・・ハウジング、46・・・円筒形管壁部分、48・・
・凹形内側部、52・・・ヂャンネル増強板、54・・
・入射面、56・・・射出面、58・・・中間電極、6
0・・・電極、62・・・発光層、66・・・壁部分、
68.70,74.80.84・・・端子、72.76
.78.82・・・電源。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ベンファブリケン FlG、1 FlG、2
・円筒形外囲器、7・・・絶縁リング、8・・・真空空
間、10・・・入射スクリーン、12・・・射出スクリ
ーン、14・・・電子光学画像系、16・・・凹形支持
体、18・・・発光物質、20・・・中間障壁層、22
.50・・・光電陰極、24・・・シールドリング、2
6・・・集束電極、28・・・第1のアノード、30・
・・出力アノード、32・・・透明酸化クロム、40・
・・ハウジング、46・・・円筒形管壁部分、48・・
・凹形内側部、52・・・ヂャンネル増強板、54・・
・入射面、56・・・射出面、58・・・中間電極、6
0・・・電極、62・・・発光層、66・・・壁部分、
68.70,74.80.84・・・端子、72.76
.78.82・・・電源。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ベンファブリケン FlG、1 FlG、2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、入射窓と、射出窓と、一部が透明で、電気的に絶縁
体からなる外囲器部分とにより形成され光電陰極から射
出スクリーンに光電子を画像する電子光学系を収容する
ハウジングからなるイメージ増強管であって、透明外囲
器部の少なくとも一部が透明酸化クロムで被覆されてい
ることを特徴とするイメージ増強管。 2、入射スクリーンはその上に設けられた光電陰極を有
するCSiの層を含むことを特徴とする請求項1記載の
イメージ増強管。 3、入射スクリーンは入射窓の内側に設けられた光電陰
極層により形成されることを特徴とすめ請求項1記載の
イメージ増強管。 4、酸化クロム層は略525℃の温度で焼付けられた硝
酸クロムの薄い層の形態で設けられることを特徴とする
請求項1、2又は3記載のイメージ増強管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8900039 | 1989-01-09 | ||
| NL8900039A NL8900039A (nl) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Beeldversterkerbuis met chroomoxyde coating. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02227946A true JPH02227946A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=19853917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000908A Pending JPH02227946A (ja) | 1989-01-09 | 1990-01-06 | イメージ増強管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059854A (ja) |
| EP (1) | EP0380147A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02227946A (ja) |
| NL (1) | NL8900039A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013061815A1 (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
| JP2014053094A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
| US9293308B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-03-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2271464A (en) * | 1992-08-21 | 1994-04-13 | Sharp Kk | Photoemission apparatus. |
| FR2700889B1 (fr) * | 1993-01-22 | 1995-02-24 | Thomson Tubes Electroniques | Tube convertisseur d'images, et procédé de suppression des lueurs parasites dans ce tube. |
| JP4018165B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2007-12-05 | 株式会社東芝 | X線イメージ管装置 |
| JP4469837B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2010-06-02 | 株式会社東芝 | イメージインテンシファイア |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3026437A (en) * | 1958-10-20 | 1962-03-20 | Rauland Corp | Electron discharge device |
| US3577027A (en) * | 1968-08-30 | 1971-05-04 | Zenith Radio Corp | Low noise image intensifier |
| DE2461262B2 (de) * | 1974-12-23 | 1978-09-14 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Röntgenbildverstärkerröhre |
| JPS5736758A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Nec Corp | Image tube |
-
1989
- 1989-01-09 NL NL8900039A patent/NL8900039A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-01-03 EP EP90200009A patent/EP0380147A1/en not_active Withdrawn
- 1990-01-06 JP JP2000908A patent/JPH02227946A/ja active Pending
- 1990-01-08 US US07/461,892 patent/US5059854A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013061815A1 (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
| JP2013093172A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
| JP2014053094A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管 |
| US9293308B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-03-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
| US9299530B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-03-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0380147A1 (en) | 1990-08-01 |
| NL8900039A (nl) | 1990-08-01 |
| US5059854A (en) | 1991-10-22 |
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