JPH02229433A - 配線材料 - Google Patents
配線材料Info
- Publication number
- JPH02229433A JPH02229433A JP1050344A JP5034489A JPH02229433A JP H02229433 A JPH02229433 A JP H02229433A JP 1050344 A JP1050344 A JP 1050344A JP 5034489 A JP5034489 A JP 5034489A JP H02229433 A JPH02229433 A JP H02229433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- beryllium
- aluminum alloy
- oxide
- added
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置におけるアルミニウム合金の配線材
料に関するものである。
料に関するものである。
従来の技術
近年、牛導体装置における配線材料としてアルミニウム
にケイ素．銅，チタンなどの元素を添加した合金が広く
用いられている。
にケイ素．銅，チタンなどの元素を添加した合金が広く
用いられている。
第２図において２１は半導体基板、２２は絶縁膜、２３
はアルミニウム合金、２４はアルミニウム合金が洗浄工
程や大気雰囲気等にさらされて形成されるアルミニウム
酸化物（アルミナ）である。
はアルミニウム合金、２４はアルミニウム合金が洗浄工
程や大気雰囲気等にさらされて形成されるアルミニウム
酸化物（アルミナ）である。
表面に形成されるアルミナは絶縁膜であるため多層構造
配線の場合配線同志の電気的導通を得るためＫＮ層目（
Ｎ＝２以上の整数）の配線を形成する前に、スパッタエ
ッチングによって（Ｎ−１）眉目のアルミニウム合金表
面のアルミニウム酸化物を除去しアルミニウム合金を露
出させ大気雰囲気にさらさずに連続してＮ層目のアルミ
ニウム合金をスパッタリング成膜して形成する方法が周
知である。
配線の場合配線同志の電気的導通を得るためＫＮ層目（
Ｎ＝２以上の整数）の配線を形成する前に、スパッタエ
ッチングによって（Ｎ−１）眉目のアルミニウム合金表
面のアルミニウム酸化物を除去しアルミニウム合金を露
出させ大気雰囲気にさらさずに連続してＮ層目のアルミ
ニウム合金をスパッタリング成膜して形成する方法が周
知である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来例にあるようにアルミニウム合金
によって多層配線構造とする場合は表面のアルミニウム
酸化物を除去しなければ配線間の電気的導通を得ること
ができず、酸化物を除去する方法としてはスパッタエッ
チングによる方法が周知である。しかしスパッタエッチ
ングのダメージが半導体装置の特性に悪影響を与えたり
、スバッタエッチング時に発生するダストが半導体装置
に付着して半導体装置の不良の原因となるという欠点を
有していた。
によって多層配線構造とする場合は表面のアルミニウム
酸化物を除去しなければ配線間の電気的導通を得ること
ができず、酸化物を除去する方法としてはスパッタエッ
チングによる方法が周知である。しかしスパッタエッチ
ングのダメージが半導体装置の特性に悪影響を与えたり
、スバッタエッチング時に発生するダストが半導体装置
に付着して半導体装置の不良の原因となるという欠点を
有していた。
課題を解決するための手段
アルミニウム合金配線の表面にアルミナが成長し、これ
を除去する製造工程で発生する特有の前記の課題を解決
するため、本発明の配線材料は、ベリリウムを添加した
アルミニウム合金を用いる。
を除去する製造工程で発生する特有の前記の課題を解決
するため、本発明の配線材料は、ベリリウムを添加した
アルミニウム合金を用いる。
作用
アルミニウム合金にベリリウムを０． ５ ｗｔ％以上
添加することによって、アルミニウム合金が大気雰囲気
等にさらされた場合、べＩＪ ＩＪウムの方がアルミニ
ウムよりはるかに酸素との親和力が大きいために、表面
にアルミニウム酸化物より優先的にベリリウム酸化物が
形成される。またベリリウム酸化物の方がアルミニウム
酸化物より強度的には弱いためスパッタエッチングによ
り短時間で容易に除去され、アルミニウム合金同志の電
気的導通を容易に得ることができる。
添加することによって、アルミニウム合金が大気雰囲気
等にさらされた場合、べＩＪ ＩＪウムの方がアルミニ
ウムよりはるかに酸素との親和力が大きいために、表面
にアルミニウム酸化物より優先的にベリリウム酸化物が
形成される。またベリリウム酸化物の方がアルミニウム
酸化物より強度的には弱いためスパッタエッチングによ
り短時間で容易に除去され、アルミニウム合金同志の電
気的導通を容易に得ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例におけるアルミニウム合金の配
線材料を用いた積層配線構造を示すものである。１１は
半導体基板、１２は絶縁物、１３はケイ素を１ｗｔ％．
銅を０．５ｗｔ％，ベリリウムを１ ．Ｏ ｗｔ％含ん
だアルミニウム合金、１４は１３のアルミニウム合金が
大気雰囲気等にさらされることによって形成されるベリ
リウム酸化物である。
線材料を用いた積層配線構造を示すものである。１１は
半導体基板、１２は絶縁物、１３はケイ素を１ｗｔ％．
銅を０．５ｗｔ％，ベリリウムを１ ．Ｏ ｗｔ％含ん
だアルミニウム合金、１４は１３のアルミニウム合金が
大気雰囲気等にさらされることによって形成されるベリ
リウム酸化物である。
以上のように構成されたアルミニウム合金の配線材料に
よる積層構造について説明する。本実施例では第１層目
のアルミニウム合金による配線を形成した後、スパッタ
エッチングの時間を従来例の６０％程度としても、アル
ミニウム合金表面のべリリウム酸化物１４は完全に除去
されてアルミニウム合金が露出し、その後第２層目のア
ルミニウム合金をスパッタリング成膜することにより異
なる層のアルミニウム合金同志の電気的導通を得ること
が可能である。
よる積層構造について説明する。本実施例では第１層目
のアルミニウム合金による配線を形成した後、スパッタ
エッチングの時間を従来例の６０％程度としても、アル
ミニウム合金表面のべリリウム酸化物１４は完全に除去
されてアルミニウム合金が露出し、その後第２層目のア
ルミニウム合金をスパッタリング成膜することにより異
なる層のアルミニウム合金同志の電気的導通を得ること
が可能である。
以上のように本実施例によれば半導体装置の特性の悪化
や不良の原因となる表面の酸化物を除去するスパッタエ
ッチングの時間を短縮しても、異なる層のアルミニウム
合金同志の電気的導通を得ることができる。ベリリウム
は０．５Ｗｔ％以上添加した場合に上記の効果が顕著で
あった。
や不良の原因となる表面の酸化物を除去するスパッタエ
ッチングの時間を短縮しても、異なる層のアルミニウム
合金同志の電気的導通を得ることができる。ベリリウム
は０．５Ｗｔ％以上添加した場合に上記の効果が顕著で
あった。
発明の効果
以上のように本発明はアルミニウムにベリリウムを添加
することにより空気中で生成する酸化膜をスパッタエッ
チで短時間に除去することができ異なる層のアルミニウ
ム合金同志の電気的導通を容易に得ることができる優れ
たアルミニウム合金の配線材料を提供するものである。
することにより空気中で生成する酸化膜をスパッタエッ
チで短時間に除去することができ異なる層のアルミニウ
ム合金同志の電気的導通を容易に得ることができる優れ
たアルミニウム合金の配線材料を提供するものである。
この配線材料を用いれば、次の層の配線材料と電気的導
通をとる前に行なわれるスパッタエッチングが短時間で
すむので、半導体装置へのダメージが少なく電気特性の
変動を最小限におさえられる。またスノクツタエッチン
グ中に発生するダストも少ないので、半導体装置の製造
歩留が低下することもない。
通をとる前に行なわれるスパッタエッチングが短時間で
すむので、半導体装置へのダメージが少なく電気特性の
変動を最小限におさえられる。またスノクツタエッチン
グ中に発生するダストも少ないので、半導体装置の製造
歩留が低下することもない。
第１図は本発明の実施例におけるアルミニウム合金の配
線材料を用いた積層配線構造を示す断面図、第２図は従
来のアルミニウム合金を用いた配線材料を示す断面図で
ある。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁膜
、１３・・・・・・アルミニウム合金（ベリリウム添加
）、１４・・・・・・ベリリウム酸化物、２１・・・・
・・半導体基板、２２・・・・・・絶縁膜、２３・・・
・・・アルミニウム合金、２４・・・・・・アルミニウ
ム酸化物（アルミナ）。
線材料を用いた積層配線構造を示す断面図、第２図は従
来のアルミニウム合金を用いた配線材料を示す断面図で
ある。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁膜
、１３・・・・・・アルミニウム合金（ベリリウム添加
）、１４・・・・・・ベリリウム酸化物、２１・・・・
・・半導体基板、２２・・・・・・絶縁膜、２３・・・
・・・アルミニウム合金、２４・・・・・・アルミニウ
ム酸化物（アルミナ）。
Claims (1)
- ベリリウムを添加したことを特徴とするアルミニウム合
金の配線材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050344A JPH02229433A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 配線材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050344A JPH02229433A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 配線材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229433A true JPH02229433A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12856302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050344A Pending JPH02229433A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 配線材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02229433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278188B1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions comprising aluminum-containing layers |
| US6326287B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-12-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6522010B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions comprising aluminum-containing layers |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP1050344A patent/JPH02229433A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278188B1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions comprising aluminum-containing layers |
| US6339026B1 (en) | 1998-04-24 | 2002-01-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of polishing aluminum-comprising layers |
| US6522010B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions comprising aluminum-containing layers |
| US6326287B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-12-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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