JPH02229983A - 真空装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体ウェハを処理する真空装置の特にその
パージ用配管に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の真空装置を示す構成図である。

図において、（１）は処理すべき半導体ウェハを収容す
る真空室Ａ，（２）は処理終了後の半導体ウエノ１を収
容する真空室Ｂ、（３）はパージ用ガス源で、各真空室
（１）　（２）内を真空状態から大気圧状態に戻すパー
ジのため各真空室（１）　（２）内へ送出するガスが封
入されている。（４）および（５）はパージ用ガス源（
３）とそれぞれ真空室Ａ　（１）および真空室Ｂ（２）
との間を連通させる配管（６）の途中に挿入されたパー
ジ弁、（７）はその一端がパージ用ガス源（３）に連通
ずる流量調節器、（８）および（９）は流量調節器（７
）の他端とそれぞれ真空室Ａ（１）および真空室Ｂ　（
２）との間を連通させる配管Ｑ０の途中に挿入されたス
ローパージ弁である。

次に動作について説明する。今、両真空室（１）　（２
）が共に真空状態にあり、これを順次大気圧状態に戻す
場合を考える。当初は真空室Ａ（１）内とパージ用ガス
源（３）との圧力差が大きいので、先ずスローパージ弁
（８）を開け、流量調節器（７）を通して徐々にガスを
真空室Ａ（１）内へ送り込む。流量調節器（７）はその
流体抵抗を適宜調節できるようになっており、ガス流量
を所定の流量範囲内に抑える。これによって、真空室Ａ
（１）内へ流入するガス流が急増して内部でゴミ等を舞
い上げ、収容した半導体ウェハを汚染するのを防止して
いる訳である。

所定の時間が経過し、土記圧力差が小さくなると、スロ
ーパージ弁（８）を閉じ、パージ弁（４）を開く。

そして、真空室Ａ（１）内が大気圧と同等になるとパー
ジ弁（４）も閉める。

次に真空室Ｂ（２）を真空状促から大気圧状態に戻すが
、真空室Ａ（１）の場合と同じ要領で、先ず、スローパ
ージ弁（９）を開け、所定時間経過後、スローパージ弁
（９）を閉めるとともにパージ弁（５）を開け、大気圧
になった後、パージ弁（５）も閉める。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の真空装置は以上のように構成されているので、例
えば、スローパージ弁（８）を開けて真空室Ａ（１）内
をパージしている段階で真空室Ｂ（２）内のパージを開
始させようとしてスローパージ弁（９）を新たに囲けた
場合、真空室Ａ　（１）内の圧力が真空室Ｂ（２）内の
圧力より高いと、真空室Ａ（１）から真空室Ｂ（２）へ
向けてガスが急激に流れ込む。

このため、スローパージとならず所定の流量範囲を越え
、真空室Ｂ（２）内でゴミ等が舞い上がり、処理終了後
の半導体ウェハを汚染するという問題点があった。また
、これを防止するには、必ず真空室Ａ（１）のパージが
完了した後、真空室Ｂ（２）の処理を開始するようにす
る必要があり、それだけ全体の処理時間が長くなる等の
問題があった。

になされたもので、半導体ウェハの汚染等の費害を生じ
ることなく、各真空室を相互に独立してパージ処理する
ことができる真空装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る真空装置は、流量調節器を複数個備え、
それぞれを各スローパージ弁毎に連通させたものである
。

〔作用〕

各真空室の内部圧力が異なる状態でそれぞれのスローパ
ージ弁が同時に開けられても、各真空室はそれぞれに専
用の流量調節器を介してパージ用ガス源に連通しており
、圧力差を有する真空室同士が直接連通することはない
。従って、圧力の高い真空室から圧力の低い真空室への
ガスの急激な流れ込みは生じない。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、従来の第２図のものと異なるのは、流Ｊｌ
調節器を含めたスローパージ弁（８バ９）の配管回路で
ある。即ち、この実施例では２個の流！調節器ｎ＠を使
用し、流量調節器のはスローパージ弁（８）を直列とな
って真空室Ａ　（１）とパージ用ガス源（３）との間に
、そして、流量調節器＠はスローパージ弁（９）と直列
となって真空室Ｂ（２）とパージ用ガス源（３）との間
に挿入されている。

次に動作について説明する。真空室Ａ　（１）のパージ
処理が完了した後、真空室Ｂ　（２）の処理を関始する
場合の操作は、従来と同様で全く問題はないので説明を
省略する。

従って、真空室Ａ（１）のパージ処理途中で真空室Ｂ（
２）の処理を開始する場合の動作について以下に説明す
る。即ち、スローパージ弁（８）を囲けて流量調節器（
ハ）を通して徐々にガスを真空室Ａ（１）内へ送り込ん
でいる段階で、更にスローパージ弁（９）を開けて真空
室Ｂ（２）のパージ処理を開始したとする。

しかし、この場合は、たとえ真空室Ａ（１）内の圧力と
真空室Ｂ（２）内の圧力とに大きな差があったとしても
、真空室Ｂ（２）へ流れ込むガス流量は流量調節器四の
みによって決定され、勿論真空室Ａ（１）へ流れ込むガ
ス流量は流量調節器（ハ）のみによって決定され、共に
所定の流量範囲内に収まることになる。

このように各真空室（１）　（２）はいずれも他方の真
空室の処理段階とは無関係に自己のパージ処理を進める
ことができ、またこのようにしてもガス流量の急増によ
る半導体ウェハの汚染等の不具合は発生しない。

なお、上記実施例は真空室が２個の場合について説明し
たが、この発明は３個以上の真空室を備えた場合につい
ても同様に適用することができる。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明では、各スローパージ弁毎に専用
の流量調節器を設けるようにしたので、たとえ各真空室
のパージ処理を同時に行っても各真空室へ流れ込むガス
流凰は各専用の流量調節器により所定の流量範囲内に収
まることになり、流入するガス流量の急増による半導体
ウェハの汚染等の不具合は発生せず、また装置の処理時
間も短縮できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例における真空装置を示す構
成図、第２図は従来の真空装置を示す構成図である。 図において、（１）は真空室Ａ，（２）は真空室Ｂ、（
３）はパージ用ガス源、（４）　（５）はパージ弁、（
８バ９）はスローパージ弁、０（自）は流量調節器であ
る。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。 Ｎへ勺十へ、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを収容する複数個の真空室、この真空室内
   へ送出して上記真空室内を真空状態から大気圧状態に戻
   すパージのためのガスを封入するパージ用ガス源、それ
   ぞれの一端が上記各真空室に連通しそれぞれの他端が上
   記パージ用ガス源に連通する複数個のパージ弁、および
   それぞれの一端が上記各真空室に連通し他端が流量調節
   器を介して上記パージ用ガス源に連通する複数個のスロ
   ーパージ弁を備え、上記両弁を順次操作することにより
   所定の流量範囲内でパージを行うものにおいて、 上記流量調節器を複数個備え、それぞれを上記各スロー
   パージ弁に連通させるようにしたことを特徴とする真空
   装置。