JPH02230693A - 薄膜ｅｌ表示素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示素子Info
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- JPH02230693A JPH02230693A JP1052488A JP5248889A JPH02230693A JP H02230693 A JPH02230693 A JP H02230693A JP 1052488 A JP1052488 A JP 1052488A JP 5248889 A JP5248889 A JP 5248889A JP H02230693 A JPH02230693 A JP H02230693A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transparent
- film
- transparent conductive
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
この発明は、薄膜エレクトロルミネブセンス（以下、Ｅ
Ｌと略称する）表示素子に関する。
Ｌと略称する）表示素子に関する。
く従来の技術〉
従来、薄膜ＥＬ表示素子としては、たとえば、第７図に
示すような構造のものがある。この薄膜ＥＬ表示素子は
、以下のように作成される。すなわち、透明基板７０」
二に、たとえばＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）等の透
明導電膜より成る複数の帯状の透明電極７ｌを互いに平
行になるようにパターン形成したのち、たとえばＡ０．
ｔＯ ３， Ｓ ｉｏ ，ＴｉＯｚなどの酸化物あるい
はＳ１３Ｎ４等の窒化物質より成る第１誘電体層７２を
形成ｊ７、この第１誘電体層上にＺｎＳ，ＺｎＳｅなど
の母体材料にＭｎ等の活性物質がドーブされた発光層７
３を形成する。そｌ７て、上記発光層７３上に上記第１
誘電体層７２と同様の物質から成る第２誘電体層７４を
形成し、この第２誘電体層７４上に上記透明電極７ｌと
直交する方向にＡｆ２等から成る互いに平行な複数の帯
状の背面電極７５をパターン形成する。
示すような構造のものがある。この薄膜ＥＬ表示素子は
、以下のように作成される。すなわち、透明基板７０」
二に、たとえばＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）等の透
明導電膜より成る複数の帯状の透明電極７ｌを互いに平
行になるようにパターン形成したのち、たとえばＡ０．
ｔＯ ３， Ｓ ｉｏ ，ＴｉＯｚなどの酸化物あるい
はＳ１３Ｎ４等の窒化物質より成る第１誘電体層７２を
形成ｊ７、この第１誘電体層上にＺｎＳ，ＺｎＳｅなど
の母体材料にＭｎ等の活性物質がドーブされた発光層７
３を形成する。そｌ７て、上記発光層７３上に上記第１
誘電体層７２と同様の物質から成る第２誘電体層７４を
形成し、この第２誘電体層７４上に上記透明電極７ｌと
直交する方向にＡｆ２等から成る互いに平行な複数の帯
状の背面電極７５をパターン形成する。
このようにして作成された薄膜ＥＬ表示素子は、透明電
極７ｌおよび背面電極７５に選択的に電圧を印加するこ
とによって、発光層７３における発光部分を透明電極７
１および背面電極７５の組み合わせから成るドットごと
に選ぶことができ、このことにより所望のドブトマトリ
クス表示を行うことができる。
極７ｌおよび背面電極７５に選択的に電圧を印加するこ
とによって、発光層７３における発光部分を透明電極７
１および背面電極７５の組み合わせから成るドットごと
に選ぶことができ、このことにより所望のドブトマトリ
クス表示を行うことができる。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、薄膜ＥＬ素子は、近年、表示面積の大型化あ
るいは大表示容量化の方向にある。このため、透明電極
の幅が細くなりあるいは長さが長くなることにより透明
電極のライン抵抗が高くなる傾向にある。一方、走査ラ
イン数が増加ずるため、ｌラインの駆動時間を短くする
必要がある。
るいは大表示容量化の方向にある。このため、透明電極
の幅が細くなりあるいは長さが長くなることにより透明
電極のライン抵抗が高くなる傾向にある。一方、走査ラ
イン数が増加ずるため、ｌラインの駆動時間を短くする
必要がある。
このＩラインの駆動時間は、絵素の発光か非発光かを決
定するだめの変調電圧の充電時間と薄膜ＥＬ素子を発光
させるための書き込み電圧の印加時間とからなり、それ
ぞれの時間は薄膜ＥＬ素子が容量性であるため、絵素容
量と透明電極の抵抗値により決まる。絵素容量は、薄膜
ＥＬ素子の発光特性に強く影響するため大きく変更する
ことは不可能であり、したがって１ラインの駆動時間を
短くするためには、透明電極の抵抗値を低く抑えること
が必要となってくる。
定するだめの変調電圧の充電時間と薄膜ＥＬ素子を発光
させるための書き込み電圧の印加時間とからなり、それ
ぞれの時間は薄膜ＥＬ素子が容量性であるため、絵素容
量と透明電極の抵抗値により決まる。絵素容量は、薄膜
ＥＬ素子の発光特性に強く影響するため大きく変更する
ことは不可能であり、したがって１ラインの駆動時間を
短くするためには、透明電極の抵抗値を低く抑えること
が必要となってくる。
また、大型ＥＬバネルの場合だ（』でなく、階調表示を
行う場合にも、絵素の階調度を決定する変！Ｉ１電圧を
短時間で充電する必要があり、透明電極の抵抗値の低減
が不可欠になっている。
行う場合にも、絵素の階調度を決定する変！Ｉ１電圧を
短時間で充電する必要があり、透明電極の抵抗値の低減
が不可欠になっている。
一方、薄膜ＥＬ表示素子の消費電力は、透明電極の抵抗
値が低い方が少なくなり、この面からも透明電極の抵抗
値の低減が望まれている。
値が低い方が少なくなり、この面からも透明電極の抵抗
値の低減が望まれている。
ところが、透明電極の比抵抗には限界があり、また、薄
膜Ｅ Ｌ素子の絶縁耐圧は、透明電極の膜厚に強く依存
し、ある値以上厚く出来ないため、透明電極をＩＴＯ等
の透明導電膜のみで形成する従来の方法では、ライン抵
抗の十分低い透明電極を実現することは不可能であった
。
膜Ｅ Ｌ素子の絶縁耐圧は、透明電極の膜厚に強く依存
し、ある値以上厚く出来ないため、透明電極をＩＴＯ等
の透明導電膜のみで形成する従来の方法では、ライン抵
抗の十分低い透明電極を実現することは不可能であった
。
この対策として、透明導電膜の上部又は下部に低抵抗の
金属導伝膜を形成ずる方法が提案されているが、ＥＬの
絵素内に透明導電膜と低抵抗金属導伝膜が重なった場合
、その重なった部分、特に重なった膜の端部で著しく絶
縁耐圧の低下が起こり絵素の破壊が生じることが多いこ
とや、薄膜Ｅ■，素子の製造過程には、透明電極形成後
、発光層あるいは誘電体層等の成膜のため及び熱処理の
ための高温度プロセスが有るため、透明導電膜と低抵抗
金属導電膜が反応し、黒化したり、あるいは抵抗値が著
しく上昇したりするため、この方法は薄膜ＥＬ素子に適
用することは不可能であった。
金属導伝膜を形成ずる方法が提案されているが、ＥＬの
絵素内に透明導電膜と低抵抗金属導伝膜が重なった場合
、その重なった部分、特に重なった膜の端部で著しく絶
縁耐圧の低下が起こり絵素の破壊が生じることが多いこ
とや、薄膜Ｅ■，素子の製造過程には、透明電極形成後
、発光層あるいは誘電体層等の成膜のため及び熱処理の
ための高温度プロセスが有るため、透明導電膜と低抵抗
金属導電膜が反応し、黒化したり、あるいは抵抗値が著
しく上昇したりするため、この方法は薄膜ＥＬ素子に適
用することは不可能であった。
そこで、この発明の目的は、絶縁耐圧の低下や絵素の黒
化、あるいは製造プロセスにおける透明電極の抵抗値の
上昇などを伴うことなく透明電極の抵抗値を低減するよ
うにした薄膜ＥＬ表示素子を提供することにある。
化、あるいは製造プロセスにおける透明電極の抵抗値の
上昇などを伴うことなく透明電極の抵抗値を低減するよ
うにした薄膜ＥＬ表示素子を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、この発明は、基板上に、複数
本の帯状の互い仲平行な透明電極、第１誘電体層、ＥＬ
発光層、第２誘電体層および上記透明電極の配列方向と
直角な方向で互いに平行な複数本の帯状の背面電極を順
次形成してなる薄膜ＥＬ表示素子において、上記透明電
極が、上記背面電極との間で絵素を構成する帯状の透明
導電膜と、上記透明導電膜と平行に形成され、かつ、」
二記透明導電膜の絵素を構成ずる部分以外の部分と接続
される接続部を有する帯状の低抵抗金属導電膜からなる
ことを特徴としている。
本の帯状の互い仲平行な透明電極、第１誘電体層、ＥＬ
発光層、第２誘電体層および上記透明電極の配列方向と
直角な方向で互いに平行な複数本の帯状の背面電極を順
次形成してなる薄膜ＥＬ表示素子において、上記透明電
極が、上記背面電極との間で絵素を構成する帯状の透明
導電膜と、上記透明導電膜と平行に形成され、かつ、」
二記透明導電膜の絵素を構成ずる部分以外の部分と接続
される接続部を有する帯状の低抵抗金属導電膜からなる
ことを特徴としている。
く作用〉
」二記構成において、低抵抗金属導電膜の比抵抗が透明
導電膜の比抵抗よりも十分小さいため、その合成ライン
抵抗は透明導電膜のライン抵抗よりも十分小さくなる。
導電膜の比抵抗よりも十分小さいため、その合成ライン
抵抗は透明導電膜のライン抵抗よりも十分小さくなる。
また、上記抵抗金属導電膜と上記透明導電膜との絵素内
での重なりがないため、ＥＬ素子の絶縁耐圧の低下には
つながらない。また、透明電極形成後の高温度プロセス
により、透明導電膜と低抵抗金属導電膜とが反応し、黒
化、あるいは抵抗値の上昇が起こった場合でも絵素内に
は黒化の影響は表れず、表示品質上の低下は無く、抵抗
値の上昇も接続点のみであり、透明電極全体の抵抗値の
上昇は起こらない。
での重なりがないため、ＥＬ素子の絶縁耐圧の低下には
つながらない。また、透明電極形成後の高温度プロセス
により、透明導電膜と低抵抗金属導電膜とが反応し、黒
化、あるいは抵抗値の上昇が起こった場合でも絵素内に
は黒化の影響は表れず、表示品質上の低下は無く、抵抗
値の上昇も接続点のみであり、透明電極全体の抵抗値の
上昇は起こらない。
く発明の実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図、第２
図は第１図の■〜■線断面図、第３図は第１図の■−■
線断面図である。
図は第１図の■〜■線断面図、第３図は第１図の■−■
線断面図である。
この第１．２．３図に示すように、ガラス基板６上に、
ＩＴＯよりなる透明導電膜ｌとモリブデン（Ｍｏ）より
なる低抵抗金属導電Ｍ２を形成し、この透明導電膜１と
低抵抗金属導電膜２とにより透明電極を構成している。
ＩＴＯよりなる透明導電膜ｌとモリブデン（Ｍｏ）より
なる低抵抗金属導電Ｍ２を形成し、この透明導電膜１と
低抵抗金属導電膜２とにより透明電極を構成している。
上記低抵抗金属導電膜２と１２ではモリブデン（Ｍｏ）
以外にタンタル（Ｔａ），チタンータングステン合金（
Ｔｉ−Ｗ）等を使用することができる。
以外にタンタル（Ｔａ），チタンータングステン合金（
Ｔｉ−Ｗ）等を使用することができる。
次に、上記パターン化した透明電極−１二に、第１誘電
体層７、発光層８および第２誘電体層９をこの順に順次
積層し、更に、この第２誘電体層９上にＡρから成る背
面電極３を成模し、パターン化］２、２重絶縁構造を有
する薄膜ＥＬ素子を形成（７ている。
体層７、発光層８および第２誘電体層９をこの順に順次
積層し、更に、この第２誘電体層９上にＡρから成る背
面電極３を成模し、パターン化］２、２重絶縁構造を有
する薄膜ＥＬ素子を形成（７ている。
上記透明導電膜１と低抵抗金属導電膜２との接続は、上
記透明導電膜１の上記背面電極３との間で絵素を構成ず
る部分５以外の部分との接続部４で行なっている。
記透明導電膜１の上記背面電極３との間で絵素を構成ず
る部分５以外の部分との接続部４で行なっている。
次に、第４図に基づいて、本実施例の薄膜ＥＬ表示素子
の製造工程ならびに膜の詳細構成を説明する。
の製造工程ならびに膜の詳細構成を説明する。
透光性のガラス基板６の表面上にモリブデン等から成る
低抵抗金属導電膜をスパッタリング法により膜厚１００
０〜５０００人程度成膜し、フォトエッチングなどによ
ってパターン化し、補助電極と１７での低抵抗金属導電
模２を形成する。
低抵抗金属導電膜をスパッタリング法により膜厚１００
０〜５０００人程度成膜し、フォトエッチングなどによ
ってパターン化し、補助電極と１７での低抵抗金属導電
模２を形成する。
次に、その上にＩＴＯ等などの透明導電膜をスパッタリ
ング法で模厚１００（１〜ｓｏｕＡ程度に成膜し、その
後エッチング等によりパターン化し、主電極としての透
明導電膜１を形成する。この時、低抵抗金属導電膜２と
透明導電膜１は絵素の構成されない領域にある接続郎４
（第１図参照）のみで重なっており、その他の部分のガ
ラス基板上には、どちらか一方の膜が成模されているか
、膜がついていない状態となっている。
ング法で模厚１００（１〜ｓｏｕＡ程度に成膜し、その
後エッチング等によりパターン化し、主電極としての透
明導電膜１を形成する。この時、低抵抗金属導電膜２と
透明導電膜１は絵素の構成されない領域にある接続郎４
（第１図参照）のみで重なっており、その他の部分のガ
ラス基板上には、どちらか一方の膜が成模されているか
、膜がついていない状態となっている。
次に、Ｓｉｎ，をスパッタリング法によって成膜して膜
厚が２００〜８００人程度の膜７ａを形成し、さらにＳ
ｉＮをスパッタリング法で成膜して膜厚１０００〜３０
００人程度の膜７ｂを形成する。この膜７ａと膜７ｂと
の積層膜が第１誘導体層７を構成する。
厚が２００〜８００人程度の膜７ａを形成し、さらにＳ
ｉＮをスパッタリング法で成膜して膜厚１０００〜３０
００人程度の膜７ｂを形成する。この膜７ａと膜７ｂと
の積層膜が第１誘導体層７を構成する。
次に、電子ビーム蒸着法によってＺｎＳ−Ｍｎずなわち
Ｍｎが０，５％程度にドーブされたＺｎＳを蒸着させて
発光層８を６０００〜９０００人程度の膜厚で形成する
。この後に真空アニールなどによってアニール処理を施
し、これによって硫化亜鉛（ＺｎＳ）中の亜鉛（Ｚｎ）
の位置に活性物質、たとえばマンガン（Ｍｎ）が置換さ
れる。
Ｍｎが０，５％程度にドーブされたＺｎＳを蒸着させて
発光層８を６０００〜９０００人程度の膜厚で形成する
。この後に真空アニールなどによってアニール処理を施
し、これによって硫化亜鉛（ＺｎＳ）中の亜鉛（Ｚｎ）
の位置に活性物質、たとえばマンガン（Ｍｎ）が置換さ
れる。
この後ＳｉＮをスパッタリング法で成膜１，て膜厚Ｉ０
００〜３０００人程度の膜９ａを形成し、さらにＡク，
０，をスパッタリング法で成膜し、膜厚が２００〜６０
０人程度の膜９ｂを形成する。この膜９ａと膜９ｂとの
積層膜が第２誘電体層９を構成する。
００〜３０００人程度の膜９ａを形成し、さらにＡク，
０，をスパッタリング法で成膜し、膜厚が２００〜６０
０人程度の膜９ｂを形成する。この膜９ａと膜９ｂとの
積層膜が第２誘電体層９を構成する。
次に、Ａρを真空蒸着法で膜厚２０００〜６０００人程
度成膜し、その後、フォトエッチング等でパターンを形
成し背面電極３とする。
度成膜し、その後、フォトエッチング等でパターンを形
成し背面電極３とする。
このようにして作成された薄膜ＥＬ表示素子の両電極間
に交流電源１２を接続してこの薄膜ＥＬ表示素子を発光
させた場合、変調電圧の充電のための電流及び発光電流
は、主に低抵抗金属導電膜２を通り接続郎４を介して絵
素に流れることになる。したがって、透明導電膜ｔのみ
の場合と較べ十分にライン抵抗が低下する。
に交流電源１２を接続してこの薄膜ＥＬ表示素子を発光
させた場合、変調電圧の充電のための電流及び発光電流
は、主に低抵抗金属導電膜２を通り接続郎４を介して絵
素に流れることになる。したがって、透明導電膜ｔのみ
の場合と較べ十分にライン抵抗が低下する。
第５図はこのことを具体的に説明した図であり、本実施
例の薄膜ＥＬ表示素子の場合の抵抗値と従来例の場合の
抵抗値とを比較したものである。この図から分かるよう
に、透明電極のライン抵抗は、低抵抗金属導電膜を用い
ない従来例の場合は５１００Ωであるのに対し、低抵抗
金属導電膜を用いた本実施例の場合は８６３Ωとなり大
幅に改善される。
例の薄膜ＥＬ表示素子の場合の抵抗値と従来例の場合の
抵抗値とを比較したものである。この図から分かるよう
に、透明電極のライン抵抗は、低抵抗金属導電膜を用い
ない従来例の場合は５１００Ωであるのに対し、低抵抗
金属導電膜を用いた本実施例の場合は８６３Ωとなり大
幅に改善される。
尚、発光層８のうちの低抵抗金属導電膜２と背面電極３
とで挟まれた部会も発光するが、この低抵抗金属導電膜
２の幅を十分小さくし、この低抵抗金属導電膜２と透明
導電膜１との間を十分に狭くすることで、その発光レベ
ルをほとんど問題にならないレベルとすることができる
。また、第６図に示すように、１絵素を４分割すなわち
透明電極を２分割、背面電極を２分割（２た構造のＥＬ
素子に用いることで、より一層低抵抗金属導伝膜部の発
光を目立たなくすることが可能となる。
とで挟まれた部会も発光するが、この低抵抗金属導電膜
２の幅を十分小さくし、この低抵抗金属導電膜２と透明
導電膜１との間を十分に狭くすることで、その発光レベ
ルをほとんど問題にならないレベルとすることができる
。また、第６図に示すように、１絵素を４分割すなわち
透明電極を２分割、背面電極を２分割（２た構造のＥＬ
素子に用いることで、より一層低抵抗金属導伝膜部の発
光を目立たなくすることが可能となる。
本実施例においては、背面電極としてＡｌ２を用いノこ
場合について説明したが、背面電極にＩＴＯ等の透明電
極を用いた透過型薄膜ＥＬ素子につ０ても同様に前面透
明電極の抵抗値の低減は可能である。
場合について説明したが、背面電極にＩＴＯ等の透明電
極を用いた透過型薄膜ＥＬ素子につ０ても同様に前面透
明電極の抵抗値の低減は可能である。
く発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の薄膜ＥＬ表示素子
は、透明電極が、背面電極との間で絵素を構成する帯状
の透明導電膜と、上記透明導電膜と平行に形成され、か
つ、」一記透明導電膜の絵素を構成する部分以外の部分
と接続される接続郎を有する帯状の低抵抗金属導電膜か
らなっているので、低抵抗金属導電膜の比抵抗が透明導
電膜の比抵抗よりも十分小さいため、その合成ライン抵
抗は透明導電膜のライン抵抗よりも十分小さくなり、ま
た、」二記抵抗金属導電膜と上記透明導電膜との絵素内
での重なりがないため、ＥＬ素子の絶縁耐圧が低下する
ことはなく、さらに、透明電極形成後の高温度プロセス
により、透明導電膜と低抵抗金属導電膜とが反応し、黒
化、ある０（よ抵抗値の上昇が起こった場合でら絵素内
には黒化の影響：よ表れず、表示品質五の低下は無く、
抵抗値の」二昇も接続部のみであり、透明電極全体の抵
抗値の」二昇は起こらない。
は、透明電極が、背面電極との間で絵素を構成する帯状
の透明導電膜と、上記透明導電膜と平行に形成され、か
つ、」一記透明導電膜の絵素を構成する部分以外の部分
と接続される接続郎を有する帯状の低抵抗金属導電膜か
らなっているので、低抵抗金属導電膜の比抵抗が透明導
電膜の比抵抗よりも十分小さいため、その合成ライン抵
抗は透明導電膜のライン抵抗よりも十分小さくなり、ま
た、」二記抵抗金属導電膜と上記透明導電膜との絵素内
での重なりがないため、ＥＬ素子の絶縁耐圧が低下する
ことはなく、さらに、透明電極形成後の高温度プロセス
により、透明導電膜と低抵抗金属導電膜とが反応し、黒
化、ある０（よ抵抗値の上昇が起こった場合でら絵素内
には黒化の影響：よ表れず、表示品質五の低下は無く、
抵抗値の」二昇も接続部のみであり、透明電極全体の抵
抗値の」二昇は起こらない。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図、第２
図は第１図の■一汀線断面図、第３図は第１図の■一■
線断面図、第４図はＬ記実施例の製造工程と膜の詳細構
成を説明する図、第５図は上記実施例と従来例との透明
電極のライン抵抗値の比較を示す図、第６図は他の実施
例の構成を示す平面図、第７図は従来例の構成を示す斜
視図である。 ！・・・透明導電膜、２・・低抵抗金属導電膜、３・・
・背面電極、４・・・接続部、５・・絵素郎分、６・・
・ガラス基板、７・・第１誘電体層、訃・・発光層、９
・・・第２誘電体層。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青山 葆 はかｌ名第１図 第３図 第４図 第２図 第５図 第７図
図は第１図の■一汀線断面図、第３図は第１図の■一■
線断面図、第４図はＬ記実施例の製造工程と膜の詳細構
成を説明する図、第５図は上記実施例と従来例との透明
電極のライン抵抗値の比較を示す図、第６図は他の実施
例の構成を示す平面図、第７図は従来例の構成を示す斜
視図である。 ！・・・透明導電膜、２・・低抵抗金属導電膜、３・・
・背面電極、４・・・接続部、５・・絵素郎分、６・・
・ガラス基板、７・・第１誘電体層、訃・・発光層、９
・・・第２誘電体層。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青山 葆 はかｌ名第１図 第３図 第４図 第２図 第５図 第７図
Claims (1)
- （１） 基板上に、複数本の帯状の互いに平行な透明電
極、第１誘電体層、ＥＬ発光層、第２誘電体層および上
記透明電極の配列方向と直角な方向で互いに平行な複数
本の帯状の背面電極を順次形成してなる薄膜ＥＬ表示素
子において、 上記透明電極が、上記背面電極との間で絵素を構成す
る帯状の透明導電膜と、上記透明導電膜と平行に形成さ
れ、かつ、上記透明導電膜の絵素を構成する部分以外の
部分と接続される接続部を有する帯状の低抵抗金属導電
膜からなることを特徴とする薄膜ＥＬ表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052488A JPH02230693A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052488A JPH02230693A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230693A true JPH02230693A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12916100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052488A Pending JPH02230693A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04126391A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH05299177A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
| WO2000060907A1 (en) | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1052488A patent/JPH02230693A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04126391A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH05299177A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
| WO2000060907A1 (en) | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| US6525467B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| KR100694959B1 (ko) * | 1999-04-02 | 2007-03-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2010080453A (ja) * | 1999-04-02 | 2010-04-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| JP4608105B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2011-01-05 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| JP2011060785A (ja) * | 1999-04-02 | 2011-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| EP2261982A3 (en) * | 1999-04-02 | 2011-07-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
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