JPH02230714A - マスク原板と被露光基板の平行調整方式 - Google Patents
マスク原板と被露光基板の平行調整方式Info
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- JPH02230714A JPH02230714A JP1051468A JP5146889A JPH02230714A JP H02230714 A JPH02230714 A JP H02230714A JP 1051468 A JP1051468 A JP 1051468A JP 5146889 A JP5146889 A JP 5146889A JP H02230714 A JPH02230714 A JP H02230714A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分升コ
この発明は、半導体製造用の露光装置において、配線パ
ターンが設定されたマスク原板と被露光基板とが平行と
なるように調整する方式に関するものである。
ターンが設定されたマスク原板と被露光基板とが平行と
なるように調整する方式に関するものである。
［従来の技術］
半導体ＩＣの製作においては、透明板に回路パターンを
描いたマスクを原板として、これを光学式によりウェハ
などの被露光基板に投影して複写される。
描いたマスクを原板として、これを光学式によりウェハ
などの被露光基板に投影して複写される。
第３図（ａ）．（ｂ）は露光装置の要郎を示し図（ａ）
は垂直断面である。マスク原板１は適当な支持機構２に
より光学ユニット３に対して固定される。
は垂直断面である。マスク原板１は適当な支持機構２に
より光学ユニット３に対して固定される。
光学ユニット３にはマスク原板１の適当な３箇所に対応
して光学測定器Ａ３ａ一里＋ ８３ａ−２＋ Ｃ３ａ−
３が配設される。〜方、マスク原板１の下側に基板チャ
ック台４ａを設け、この上に被露光基板４がチャックさ
れる。基板チャンク台４ａに対してチルト機構ユニット
５を設け、これに基板チャック台４ａを押圧する３個の
チルト機構Ｄ５ａ−１， Ｅ５ａ−２＋［ｉ’ ５ａ−
３を配設する。投影露光においては、マスク原板１と被
露光基板４とが微小距離Δｇ接近した投影位置において
両者が平行することが必嬰であり、上記の各光学測定Ｗ
Ａ．Ｂ．Ｃにより基板の高さ位置を測定し、ｒｉｌ＋定
データにより各チルト機横Ｄ，Ｅ，Ｆを動作させて基板
チヤ，ク台４ａを上下力向に移動し、投影位置において
両者を平行させるものである。
して光学測定器Ａ３ａ一里＋ ８３ａ−２＋ Ｃ３ａ−
３が配設される。〜方、マスク原板１の下側に基板チャ
ック台４ａを設け、この上に被露光基板４がチャックさ
れる。基板チャンク台４ａに対してチルト機構ユニット
５を設け、これに基板チャック台４ａを押圧する３個の
チルト機構Ｄ５ａ−１， Ｅ５ａ−２＋［ｉ’ ５ａ−
３を配設する。投影露光においては、マスク原板１と被
露光基板４とが微小距離Δｇ接近した投影位置において
両者が平行することが必嬰であり、上記の各光学測定Ｗ
Ａ．Ｂ．Ｃにより基板の高さ位置を測定し、ｒｉｌ＋定
データにより各チルト機横Ｄ，Ｅ，Ｆを動作させて基板
チヤ，ク台４ａを上下力向に移動し、投影位置において
両者を平行させるものである。
［解決しようとする課題コ
以Ｌにおいて、３箇所の光学測定ｎＡ，Ｂ，Ｃと、チル
ト機構Ｄ，Ｅ，Ｆがそれぞれ同−箇所に配設されている
ときは、光学測定器の測定データをそのまま使用して、
各チルト機構を移動させることにより両者が平行とされ
る。しかしながら、実際１二は、３個の光学測定器のう
ちには、上記の高さ測定のほかの目的、すなわちマスク
原板１と被露光基板４の甲而」一の位置合わせに兼用す
るものがあり、例えば図（ｂ）に不すように、４１リ定
７ＡＡとＣはマスク板１の両端近くの中央部に配設され
る。またチルト機構Ｄ，Ｅ，Ｆは基板チャソク台４ａに
対してバランスの良好な抑圧をするために、例えば図（
ｂ）に示すように配置される。これらの理由により、光
学測定器とチルト機構とは、異なった位置に配設される
ので、測定器の測定データをそのまま、チルト機構に適
用することはできない。従来においては、仁の差異を無
視して平行調整がなされているが、最近ではマスク原板
、被露光基板がともに大きくなり、かつ回路パターンが
微小化されるに従って、投影精度が劣化して良好な複写
がなされない欠点があった。そこで、測定データに対し
てなんらかの補正または変換を行って正確に平行調整を
行うことが必要となった。
ト機構Ｄ，Ｅ，Ｆがそれぞれ同−箇所に配設されている
ときは、光学測定器の測定データをそのまま使用して、
各チルト機構を移動させることにより両者が平行とされ
る。しかしながら、実際１二は、３個の光学測定器のう
ちには、上記の高さ測定のほかの目的、すなわちマスク
原板１と被露光基板４の甲而」一の位置合わせに兼用す
るものがあり、例えば図（ｂ）に不すように、４１リ定
７ＡＡとＣはマスク板１の両端近くの中央部に配設され
る。またチルト機構Ｄ，Ｅ，Ｆは基板チャソク台４ａに
対してバランスの良好な抑圧をするために、例えば図（
ｂ）に示すように配置される。これらの理由により、光
学測定器とチルト機構とは、異なった位置に配設される
ので、測定器の測定データをそのまま、チルト機構に適
用することはできない。従来においては、仁の差異を無
視して平行調整がなされているが、最近ではマスク原板
、被露光基板がともに大きくなり、かつ回路パターンが
微小化されるに従って、投影精度が劣化して良好な複写
がなされない欠点があった。そこで、測定データに対し
てなんらかの補正または変換を行って正確に平行調整を
行うことが必要となった。
この発明は以２１二に鑑みてなされたもので、光学測定
器による測定データよりチルト機構の移動距離のデータ
を算出して正確に平行調整を行う方式を提供することを
目的とするものである。
器による測定データよりチルト機構の移動距離のデータ
を算出して正確に平行調整を行う方式を提供することを
目的とするものである。
［課題を解決するための千段コ
この発明は、透明板に回路パターンが設定されたマスク
原板に対面して、その下側に置かれた被露光基板に対し
て、３箇所に配設されたチルト機横により基板を上下方
向に移動してマスク原板の表面に平行させて回路パター
ンを投影露光する露光装置における、マスク原板と被露
光基板の平行調整方式であって、基板に対してＸＹＺ座
標を設定する。チルト機構の３箇所とそれぞれ異なる３
箇所に設けられた光学測定器により４８１定された基板
の高さデータを、平面方程式： ｚ＝αｘ＋βｙ＋γ （α，β，γは定数）・・・・・
・（１） により、チルト機構の位置における基板の高さデータに
変換し、変換された高さデータによりチルト機構を移動
して、マスク原板に対して基板を平行とするものである
。
原板に対面して、その下側に置かれた被露光基板に対し
て、３箇所に配設されたチルト機横により基板を上下方
向に移動してマスク原板の表面に平行させて回路パター
ンを投影露光する露光装置における、マスク原板と被露
光基板の平行調整方式であって、基板に対してＸＹＺ座
標を設定する。チルト機構の３箇所とそれぞれ異なる３
箇所に設けられた光学測定器により４８１定された基板
の高さデータを、平面方程式： ｚ＝αｘ＋βｙ＋γ （α，β，γは定数）・・・・・
・（１） により、チルト機構の位置における基板の高さデータに
変換し、変換された高さデータによりチルト機構を移動
して、マスク原板に対して基板を平行とするものである
。
上記において、被露光基板の表面に任意の位置を原点と
するＸＹ座標と、マスク原板に対して定のギャップをな
す投影位置を原点とするＺ座標を設定する。３箇所に設
けられた光学測定器のＸｙＰＪＡ標値（ ｘ ｒ ＋
Ｙ ｒ）と、測定した基板の高さ座標の測定データｚｒ
とより、マイクロプロセッサにより、基板を表す牢而方
程式： ｚｒ＝α）（ｒ ＋βｙｒ ＋γ （ｒは３箇所の光学測定器に対するパラメータ）・・・
・・・（２） についての演算を行って定数α，βおよびγを算出シ、
α，β，γのデータと各チルト機構のＸＹ座標値（ ｘ
ｓ ＋ Ｖ ｓ ）を次式：ｚｓ＝αＸＳ＋βｙｓ＋
γ （Ｓは３箇所のチルト機構に対するパラメータ）・・・
・・・（３） に５えて各チルト機構に対する基板の高さ座標値ＺＳを
算出する。各チルト機構により、算出され高さ座標値Ｚ
Ｓに相当する距離づつ基板を１一下方向に移動するもの
である。
するＸＹ座標と、マスク原板に対して定のギャップをな
す投影位置を原点とするＺ座標を設定する。３箇所に設
けられた光学測定器のＸｙＰＪＡ標値（ ｘ ｒ ＋
Ｙ ｒ）と、測定した基板の高さ座標の測定データｚｒ
とより、マイクロプロセッサにより、基板を表す牢而方
程式： ｚｒ＝α）（ｒ ＋βｙｒ ＋γ （ｒは３箇所の光学測定器に対するパラメータ）・・・
・・・（２） についての演算を行って定数α，βおよびγを算出シ、
α，β，γのデータと各チルト機構のＸＹ座標値（ ｘ
ｓ ＋ Ｖ ｓ ）を次式：ｚｓ＝αＸＳ＋βｙｓ＋
γ （Ｓは３箇所のチルト機構に対するパラメータ）・・・
・・・（３） に５えて各チルト機構に対する基板の高さ座標値ＺＳを
算出する。各チルト機構により、算出され高さ座標値Ｚ
Ｓに相当する距離づつ基板を１一下方向に移動するもの
である。
［作用］
第１図によりこの発明による平行調整方式の原理を説明
する。図において、被露光基板４は来而であるので、甲
而−Ｌの任意の点ＰのＸＹ座標（Ｘｐ．ｙｐ ）に対す
る高さＺ座１５ｚｐは平面方程式：ｚｐ＝αｘｐ＋βｙ
ｐ＋γ ・・・・・・（１′）により表される。
する。図において、被露光基板４は来而であるので、甲
而−Ｌの任意の点ＰのＸＹ座標（Ｘｐ．ｙｐ ）に対す
る高さＺ座１５ｚｐは平面方程式：ｚｐ＝αｘｐ＋βｙ
ｐ＋γ ・・・・・・（１′）により表される。
ここで、α，βはそれぞれ平面のＸ１Ｙ方向に対する傾
斜角を表す定数、γは常数である。マイクロプロセッサ
の演算処理によりこの方程式に、光学測定器の座標値（
ｘ，Ｖ）と、測定された高さデータＺを入れて定数α，
βおよびγが求められる。さらにα，βおよびγのデー
タと、チルト機構の座標値を代入れて、チルト機構の位
置における基板の高さデータかえられる。
斜角を表す定数、γは常数である。マイクロプロセッサ
の演算処理によりこの方程式に、光学測定器の座標値（
ｘ，Ｖ）と、測定された高さデータＺを入れて定数α，
βおよびγが求められる。さらにα，βおよびγのデー
タと、チルト機構の座標値を代入れて、チルト機構の位
置における基板の高さデータかえられる。
マイクロプロセッサの制御により、チルト機構を移動し
て、マスク原板に対して被露光基板が平行とされる。
て、マスク原板に対して被露光基板が平行とされる。
さて、式（ｌ′）を適用する場合、ＸＹ座標の原点は任
意でよいが、Ｚ座標の原点としてマスク原板に対して一
定のギャップをなす投影位置１ａをとる。これにより、
以下に説明する高さ座標値が没影位置に対する値となり
制御に好都合となる。
意でよいが、Ｚ座標の原点としてマスク原板に対して一
定のギャップをなす投影位置１ａをとる。これにより、
以下に説明する高さ座標値が没影位置に対する値となり
制御に好都合となる。
前記の平面方程式（２）に３箇所の光学測定器のＸＹ座
標（ｘｒ，Ｙｒ）と高さの測定データｚｒとを５えて定
数α，β，γを求め、えられたα，β，γの値と、３箇
所のチルト機構のＸＹ座標（ Ｘ Ｓ ＋ｙｓ）を前記
の式（３）に与えて基板に対する各チルト機構の高さの
座標値ＺＳが求められる。チルト機構により基板をこの
ＺＳに相当する距離づつーｌ−下方向に移動すると、基
板は投影位置（ｚ＝０）に停止してマスク原板に平行と
される。
標（ｘｒ，Ｙｒ）と高さの測定データｚｒとを５えて定
数α，β，γを求め、えられたα，β，γの値と、３箇
所のチルト機構のＸＹ座標（ Ｘ Ｓ ＋ｙｓ）を前記
の式（３）に与えて基板に対する各チルト機構の高さの
座標値ＺＳが求められる。チルト機構により基板をこの
ＺＳに相当する距離づつーｌ−下方向に移動すると、基
板は投影位置（ｚ＝０）に停止してマスク原板に平行と
される。
［実施例コ
第２図（ａ ） ， （ｂ ） ， （ｃ ）は、この
発明によるマスク原板と被露光基板の平行調整力式の実
施例を示すもので、図（ａ）において、被露光基板４の
任意の点ＰＯを原点とするＸＹ座標を設定し、また図（
ｂ）のように、マスク原板１に対して一定のギャップを
なす投影位置１ａを原点とするＺ座標を設定する。３個
の各光学測定３Ａ，Ｂ，Ｃの中心位置をそれぞれｐａ
＋ ｐｂ ＋ ｐ ｃとし、各中心位置の座標ｐａ（ｘ
ａ＋ｙａ）などは予め計ａ１する。計測された座標値と
、各光学測定器により測定された基板の高さデータＺａ
などを前記の式（２）に代入して定数α，βおよびγを
算出する。α，β，γと、各チルト機横Ｄ．Ｅ．Ｆの中
心位置ｐｄｌｌ）ｅｌｐｆに対する座標ｐｄ（ｘｄ，Ｙ
ｄ ）などを前記の式（３）に代入することにより、図
（Ｃ）に示す各チルト機構の投影位置に対する高さ座標
値ｚｄなどが算出される。各チルト機構により，基板チ
ャック台４ａを算出されたＺｄなどの距離づつ１ユド方
向に移動して被露光基板４を投影位置１ａに停１［ユシ
、マスク板１に対して平行とされる。
発明によるマスク原板と被露光基板の平行調整力式の実
施例を示すもので、図（ａ）において、被露光基板４の
任意の点ＰＯを原点とするＸＹ座標を設定し、また図（
ｂ）のように、マスク原板１に対して一定のギャップを
なす投影位置１ａを原点とするＺ座標を設定する。３個
の各光学測定３Ａ，Ｂ，Ｃの中心位置をそれぞれｐａ
＋ ｐｂ ＋ ｐ ｃとし、各中心位置の座標ｐａ（ｘ
ａ＋ｙａ）などは予め計ａ１する。計測された座標値と
、各光学測定器により測定された基板の高さデータＺａ
などを前記の式（２）に代入して定数α，βおよびγを
算出する。α，β，γと、各チルト機横Ｄ．Ｅ．Ｆの中
心位置ｐｄｌｌ）ｅｌｐｆに対する座標ｐｄ（ｘｄ，Ｙ
ｄ ）などを前記の式（３）に代入することにより、図
（Ｃ）に示す各チルト機構の投影位置に対する高さ座標
値ｚｄなどが算出される。各チルト機構により，基板チ
ャック台４ａを算出されたＺｄなどの距離づつ１ユド方
向に移動して被露光基板４を投影位置１ａに停１［ユシ
、マスク板１に対して平行とされる。
以−１−における各式（２），（３）に対する演算と、
各チルト機構の駆動制御はすべてマイクロプロセッサに
より行われるもので、ここでは詳細説明を省略する。
各チルト機構の駆動制御はすべてマイクロプロセッサに
より行われるもので、ここでは詳細説明を省略する。
［発明の効果コ
以上の説明により明らかなように、この発明によるマス
ク原板と被露光基板の平行調整方式においては、被露光
基板に対する平面方程式を利用して、マイクロプロセッ
サの演算処理により、光学測定器により測定した基板の
高さデータをチルト機構の位置における高さデータに変
換し、チルト機構により被露光基板を移動して投影位置
においてマスク原板に対して平行とするもので、それぞ
れ任意の位置に配設された光学測定器とチルト機構に適
用するこができ、半導体ＩＣなどの高精度の露光装置に
大きく寄与するものである。
ク原板と被露光基板の平行調整方式においては、被露光
基板に対する平面方程式を利用して、マイクロプロセッ
サの演算処理により、光学測定器により測定した基板の
高さデータをチルト機構の位置における高さデータに変
換し、チルト機構により被露光基板を移動して投影位置
においてマスク原板に対して平行とするもので、それぞ
れ任意の位置に配設された光学測定器とチルト機構に適
用するこができ、半導体ＩＣなどの高精度の露光装置に
大きく寄与するものである。
第１図は、この発明によるマスク原板と被露光基板の平
行調整方式に対する作用説明図、第２図（ａ），（ｂ）
および（Ｃ）は、この発明によるマスク原板と被露光基
板の平行１１４整方式の実施例に対する説明図、第３図
（ａ）および（ｂ）は、露光装置における光学測定器と
チルト機構の配列と動作の説明図である。 １・・・マスク原板、 １ａ・・・投影位置、２
・・・支持機構、 ３・・・光学ユニソト、３
ａ− １・・・光学測定器Ａ１３ａ−２・・・光学測定
器Ｂ１３ａ−３・・・光学測定器Ｃ， ４・・・被露
光基板、４ａ・・・基板チャソク台、５・・・チルトユ
ニット、５ａ−１・・・チルトａ構１）， ５ａ−２
・・・チルト機構Ｅ１５ａ−３・・・チルト機横Ｆ０
行調整方式に対する作用説明図、第２図（ａ），（ｂ）
および（Ｃ）は、この発明によるマスク原板と被露光基
板の平行１１４整方式の実施例に対する説明図、第３図
（ａ）および（ｂ）は、露光装置における光学測定器と
チルト機構の配列と動作の説明図である。 １・・・マスク原板、 １ａ・・・投影位置、２
・・・支持機構、 ３・・・光学ユニソト、３
ａ− １・・・光学測定器Ａ１３ａ−２・・・光学測定
器Ｂ１３ａ−３・・・光学測定器Ｃ， ４・・・被露
光基板、４ａ・・・基板チャソク台、５・・・チルトユ
ニット、５ａ−１・・・チルトａ構１）， ５ａ−２
・・・チルト機構Ｅ１５ａ−３・・・チルト機横Ｆ０
Claims (2)
- （１）透明板に回路パターンが設定されたマスク原板に
対面して下側に置かれた被露光基板に対して、３箇所に
配設されたチルト機構により、該基板を上下方向に移動
して上記マスク原板の表面に平行させて上記回路パター
ンを投影露光する露光装置において、該基板に対してＸ
ＹＺ座標を設定し、上記チルト機構の３箇所とそれぞれ
異なる３箇所に設けられた光学測定器により測定された
該基板の高さデータを、平面方程式： ｚ＝αｘ＋βｙ＋γ（α、β、γは定数） により、上記チルト機構の位置における該基板の高さデ
ータに変換し、該変換された高さデータにより上記チル
ト機構を移動して、上記マスク原板に対して該基板を平
行とすることを特徴とする、マスク原板と被露光基板の
平行調整方式。 - （２）上記において、上記被露光基板の表面に任意の位
置を原点とするＸＹ座標と、上記マスク原板と一定のギ
ャップをなす投影位置を原点とするＺ座標を設定し、上
記３箇所に設けられた光学測定器のＸＹ座標値（ｘｒ、
ｙｒ）と、該光学測定器により測定した該基板の高さ座
標の測定データｚｒとより、マイクロプロセッサにより
、該基板を表す平面方程式： ｚｒ＝αｘｒ＋βｙｒ＋γ （ｒは３箇所の光学測定器に対するパラメータ）につい
ての演算を行って該定数α、βおよびγを算出し、該α
、β、γのデータと上記各チルト機構のＸＹ座標値（ｘ
ｓ、ｙｓ）を次式： ｚｓ＝αｘｓ＋βｙｓ＋γ （ｓは３箇所のチルト機構に対するパラメータ）に与え
て上記各チルト機構における該基板の高さ座標値ｚｓを
算出し、上記各チルト機構により、該算出された高さ座
標値ｚｓに相当する距離づつ該基板を上下方向に移動す
る、請求項１記載のマスク原板と被露光基板の平行調整
方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146889A JP2720188B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | マスク原板と被露光基板の平行調整方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146889A JP2720188B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | マスク原板と被露光基板の平行調整方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230714A true JPH02230714A (ja) | 1990-09-13 |
| JP2720188B2 JP2720188B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=12887772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5146889A Expired - Lifetime JP2720188B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | マスク原板と被露光基板の平行調整方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720188B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011164595A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-08-25 | Nsk Ltd | 近接露光装置及び近接露光方法 |
| CN113721426A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-11-30 | 东莞王氏港建机械有限公司 | 一种光刻机上台面板位置调节方法、调节机构及光刻机 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637426A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 作業機の振動抑制装置 |
| JPS6312594A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | 日立建機株式会社 | 作業機の振動抑制装置 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5146889A patent/JP2720188B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637426A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 作業機の振動抑制装置 |
| JPS6312594A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | 日立建機株式会社 | 作業機の振動抑制装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011164595A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-08-25 | Nsk Ltd | 近接露光装置及び近接露光方法 |
| CN113721426A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-11-30 | 东莞王氏港建机械有限公司 | 一种光刻机上台面板位置调节方法、调节机构及光刻机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2720188B2 (ja) | 1998-02-25 |
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