JPH02232967A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02232967A JPH02232967A JP1054290A JP5429089A JPH02232967A JP H02232967 A JPH02232967 A JP H02232967A JP 1054290 A JP1054290 A JP 1054290A JP 5429089 A JP5429089 A JP 5429089A JP H02232967 A JPH02232967 A JP H02232967A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に固体撮像装置の遮光
膜の構造に関する。
膜の構造に関する。
従来、この種の固体撮像装置の遮光膜の構造は第５図の
ようになっていた。１は光電変換領域及び電荷転送領域
を形成した半導体基板、２，４，６は酸化膜、３はポリ
シリコンからなる電荷転送電極、５はアルミニウムから
成る遮光膜である。
ようになっていた。１は光電変換領域及び電荷転送領域
を形成した半導体基板、２，４，６は酸化膜、３はポリ
シリコンからなる電荷転送電極、５はアルミニウムから
成る遮光膜である。
撮像時、受光部７に入射した光は光電変換されて電子と
なり、通常一定の周期で与えられるポテンシャル電位の
変化の時、よりポテンシャル電位の深いポリシリコン電
極下へ読み出される。ポリシリコン電極５は通常２種以
上の形状及び機能のものが交互に配列されており、交互
に電位をかけることにより、光電変換により発生した電
子は、順次出力部へ送られ、外部へ取り出さｈ、外部回
路で再び画像データーに再生される。
なり、通常一定の周期で与えられるポテンシャル電位の
変化の時、よりポテンシャル電位の深いポリシリコン電
極下へ読み出される。ポリシリコン電極５は通常２種以
上の形状及び機能のものが交互に配列されており、交互
に電位をかけることにより、光電変換により発生した電
子は、順次出力部へ送られ、外部へ取り出さｈ、外部回
路で再び画像データーに再生される。
上述した従来の固体撮像装置では、ポリシリコン電極３
を有する電荷転送領域の上に形成された遮光膜５に反射
率の極めて高いアルミニウムを使用している為、第５図
に示すように、このアルミニウムの遮光膜５の端部で反
射した光が隣接する画素をはさんで対向する電荷転送領
域の周辺に入射しスミア特性及び感度ムラ特性を劣化さ
せるという欠点があった。
を有する電荷転送領域の上に形成された遮光膜５に反射
率の極めて高いアルミニウムを使用している為、第５図
に示すように、このアルミニウムの遮光膜５の端部で反
射した光が隣接する画素をはさんで対向する電荷転送領
域の周辺に入射しスミア特性及び感度ムラ特性を劣化さ
せるという欠点があった。
本発明の固体撮像素子では、遮光膜の端部に水平に対し
て４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこれに続く水平ある
いは水平に近いひさし状の部分を有している。すなわち
、本発明によれば、ポリシリコン電極の上の遮光膜の端
部に水平に対して４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこの
傾斜部で１度反射した光を再度反射するための水平にひ
さし上に突出したひさし部を構成しているため、この傾
斜部に入射した光が２度の反射で外部に反射されてしま
いスミア特性および感度ムラ特性を悪化させないという
効果を有する。
て４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこれに続く水平ある
いは水平に近いひさし状の部分を有している。すなわち
、本発明によれば、ポリシリコン電極の上の遮光膜の端
部に水平に対して４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこの
傾斜部で１度反射した光を再度反射するための水平にひ
さし上に突出したひさし部を構成しているため、この傾
斜部に入射した光が２度の反射で外部に反射されてしま
いスミア特性および感度ムラ特性を悪化させないという
効果を有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
図中、１は半導体基板であり、光電変換領域および電荷
転送領域が不純物拡散により形成されている。２，４は
酸化膜で絶縁膜の働きをする。３はボリシリコン電極で
、電荷の転送で主なる役割をはたす。５はアルミニウム
の遮光膜で、画素をはさんで対向するポリシリコン電極
（以下対向電極と呼ぶ）付近にこのアルミニウムの遮光
膜５で反射した光が入射しスミア特性を悪化させるのを
防止する為に、一定の傾斜をもった傾斜部９ど水平なひ
さし状のひさし部１０を有している。以下に、この傾斜
部とひさし部の働きについて、理論と実際の構造を示す
。第２図は本実施例の説明図である。図中５はアルミニ
ウムの遮光膜で傾斜部９とひさし部８とを有する。ここ
で、傾斜部９とひさし部１０の水平長をそれぞれＬｌ，
Ｌ２、傾斜部９の傾斜角をθとすると、ひさし部１０の
水平長Ｌ２が十分長い場合、θ〉４５゜の場合は、固体
撮像装置に垂直に入射した光は傾斜部９で一度反射した
光は必らずひさし部１０でもう１度反射する。実際には
ひさし部１０の水平長Ｌ２を無限にとることは不可能な
為、傾斜部９で一度反射した光をあまさず反射するのに
必要なひさし部の長さをＬ ２ （ＭＡＸ）とすると より θ２＝２θ−９０゜ で表わされる長さＬ ２ （ＭＡＸ） ＜ｓｍ）以上の
水平なひさし部とから構成することにより、スミア特性
，デバイスの感度ムラ等を改善する効果がある。
転送領域が不純物拡散により形成されている。２，４は
酸化膜で絶縁膜の働きをする。３はボリシリコン電極で
、電荷の転送で主なる役割をはたす。５はアルミニウム
の遮光膜で、画素をはさんで対向するポリシリコン電極
（以下対向電極と呼ぶ）付近にこのアルミニウムの遮光
膜５で反射した光が入射しスミア特性を悪化させるのを
防止する為に、一定の傾斜をもった傾斜部９ど水平なひ
さし状のひさし部１０を有している。以下に、この傾斜
部とひさし部の働きについて、理論と実際の構造を示す
。第２図は本実施例の説明図である。図中５はアルミニ
ウムの遮光膜で傾斜部９とひさし部８とを有する。ここ
で、傾斜部９とひさし部１０の水平長をそれぞれＬｌ，
Ｌ２、傾斜部９の傾斜角をθとすると、ひさし部１０の
水平長Ｌ２が十分長い場合、θ〉４５゜の場合は、固体
撮像装置に垂直に入射した光は傾斜部９で一度反射した
光は必らずひさし部１０でもう１度反射する。実際には
ひさし部１０の水平長Ｌ２を無限にとることは不可能な
為、傾斜部９で一度反射した光をあまさず反射するのに
必要なひさし部の長さをＬ ２ （ＭＡＸ）とすると より θ２＝２θ−９０゜ で表わされる長さＬ ２ （ＭＡＸ） ＜ｓｍ）以上の
水平なひさし部とから構成することにより、スミア特性
，デバイスの感度ムラ等を改善する効果がある。
？の式をグラフ化したのが第３図である。これにより実
際に設計した実施例およびそのときの光進路を第４図に
示す．この例で明らかなようにアルミニウム遮光膜５の
傾斜をもった部分に入射した光線は２度の反射により外
部に反射されてしまうためスミア特性、および感度むら
特性を悪化させることはない。実際のデバイスのテスト
でもスミア値を約４０％低下させることが確認できた．
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、固体撮像装置でポリシ
リコン電極上に形成されるアルミニウムの遮光膜の端部
の形状を４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこの傾斜部の
傾斜角をθ，水平長をＬｃ■，としたとき
際に設計した実施例およびそのときの光進路を第４図に
示す．この例で明らかなようにアルミニウム遮光膜５の
傾斜をもった部分に入射した光線は２度の反射により外
部に反射されてしまうためスミア特性、および感度むら
特性を悪化させることはない。実際のデバイスのテスト
でもスミア値を約４０％低下させることが確認できた．
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、固体撮像装置でポリシ
リコン電極上に形成されるアルミニウムの遮光膜の端部
の形状を４５゜以上の傾斜をもつ傾斜部とこの傾斜部の
傾斜角をθ，水平長をＬｃ■，としたとき
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は同じ実
施例の説明のための遮光膜端部の断面図、第３図は傾斜
部とひさし部の長さと光の入射角との関係を示すグラフ
、第４図は実際の数値を適用したー実施例の断面図、第
５図は従来例を示す断面図である． １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・ポリシリコン電極、４・・・・・・酸化膜
、５・・・・・・遮光膜、６・・・・・・カバー酸化膜
、７・・・・・・受光部、８・・・・・・入射光、９・
・・・・・傾斜部、１０・・・・・・ひさし部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＯＳ ／ ｔ．５ ｉｔ （７ｔｔｎ） 第 図 ８人穿姥 弟 図 暮
施例の説明のための遮光膜端部の断面図、第３図は傾斜
部とひさし部の長さと光の入射角との関係を示すグラフ
、第４図は実際の数値を適用したー実施例の断面図、第
５図は従来例を示す断面図である． １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・ポリシリコン電極、４・・・・・・酸化膜
、５・・・・・・遮光膜、６・・・・・・カバー酸化膜
、７・・・・・・受光部、８・・・・・・入射光、９・
・・・・・傾斜部、１０・・・・・・ひさし部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＯＳ ／ ｔ．５ ｉｔ （７ｔｔｎ） 第 図 ８人穿姥 弟 図 暮
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に複数の光電変換領域および電荷
転送領域を有する固体撮像装置において、前記光電変換
領域以外の上部を覆う遮光膜の端部の形状が水平に対し
て４５゜以上の傾斜をもつ構造とそれにつづく水平また
は水平に近いひさし部をもつ構造を有していることを特
徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054290A JP2776538B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054290A JP2776538B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232967A true JPH02232967A (ja) | 1990-09-14 |
| JP2776538B2 JP2776538B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=12966436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1054290A Expired - Lifetime JP2776538B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776538B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274370A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-10-05 | Nikon Corp | 受光素子用パッケージ及び固体撮像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
| JPS63244879A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6464355A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and its manufacture |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1054290A patent/JP2776538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
| JPS63244879A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6464355A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and its manufacture |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274370A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-10-05 | Nikon Corp | 受光素子用パッケージ及び固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2776538B2 (ja) | 1998-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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