JPH02233531A - 塗布ガラス組成物及び半導体装置 - Google Patents
塗布ガラス組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH02233531A JPH02233531A JP5473089A JP5473089A JPH02233531A JP H02233531 A JPH02233531 A JP H02233531A JP 5473089 A JP5473089 A JP 5473089A JP 5473089 A JP5473089 A JP 5473089A JP H02233531 A JPH02233531 A JP H02233531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass composition
- semiconductor device
- film
- sog
- germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、半導体技術に用いられる塗布ガラス組成物と
、その焼成物を絶縁膜に用いた半導体装置に関するもの
である。
、その焼成物を絶縁膜に用いた半導体装置に関するもの
である。
［発明の概要］
第１の発明は、塗布ガ．ラス組成物において、水酸化ゲ
ルマニウム及び／又は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧ
に含ＩＦさせたことにより、厚膜に形成してもクラック
を生じないようにしたものである。
ルマニウム及び／又は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧ
に含ＩＦさせたことにより、厚膜に形成してもクラック
を生じないようにしたものである。
第２の発明は、絶縁膜が形成された半導体装置において
、 絶縁膜に水酸化ゲルマニウム及び／又は有機ゲルマニウ
ム化合物をＳＯＧに含有してなる塗布ガラス焼成物を用
いたことにより、 絶縁膜へのクラック発生を防止すると共に平坦化をより
効果的にするようにしたものである。
、 絶縁膜に水酸化ゲルマニウム及び／又は有機ゲルマニウ
ム化合物をＳＯＧに含有してなる塗布ガラス焼成物を用
いたことにより、 絶縁膜へのクラック発生を防止すると共に平坦化をより
効果的にするようにしたものである。
［従来の技術］
近年、ＬＳＩの高密度化には微細な多層配線が不可欠で
あり、多屓配線技術においては層間絶縁膜の平坦化は最
も重要な課題の一つとなっている。
あり、多屓配線技術においては層間絶縁膜の平坦化は最
も重要な課題の一つとなっている。
この方法としては、例えば、月刊Ｓｅｓｉｃｏｎｄｕｔ
ｏｒｆｏｒｌｄ １ ９ ８ ８ ．７の第４９〜第５
４頁に記載されているようなＳ Ｏ Ｇ （Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を用いた成膜技術が知られており、
主にＳ ｉ （ＯＨ） ．を主成分とするＳＯＣと、Ｓ
ｉ （ＯＣ＊Ｈｓ）４などの有機シリコン化合物を主
成分とするＳＯＧがれたものであって、厚膜化してもク
ラックの生じある。
ｏｒｆｏｒｌｄ １ ９ ８ ８ ．７の第４９〜第５
４頁に記載されているようなＳ Ｏ Ｇ （Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を用いた成膜技術が知られており、
主にＳ ｉ （ＯＨ） ．を主成分とするＳＯＣと、Ｓ
ｉ （ＯＣ＊Ｈｓ）４などの有機シリコン化合物を主
成分とするＳＯＧがれたものであって、厚膜化してもク
ラックの生じある。
［発′明が解決しようと矛る課題］
しかしながら、このような従来例にあっては、以下のよ
うな問題点を有している。
うな問題点を有している。
先ず、Ｓ ｉ （ＯＨ）４を主成分とするＳＯＣは、厚
膜化するとクラックを生じ易いため、十分な平坦化形成
を得ることが出来ない問題点がある。
膜化するとクラックを生じ易いため、十分な平坦化形成
を得ることが出来ない問題点がある。
また、Ｓ ｉ （ＯＣ＊Ｈｓ）４などの有機シリコン化
合物を主成分とするＳＯＧは、有機基の存在により、縮
合反応による収縮が抑制されるものの、５００℃以上の
熱処理により有機基の分解が起りクラックが生じる問題
点がある。
合物を主成分とするＳＯＧは、有機基の存在により、縮
合反応による収縮が抑制されるものの、５００℃以上の
熱処理により有機基の分解が起りクラックが生じる問題
点がある。
そこで、Ｓ ｉ （ Ｏ Ｃ ＊ Ｈ ｓ ）などの有
機シリコン化合物を主成分とするＳＯＧに、リン（Ｐつ
を添加し、溶融温度を下げてクラックを抑えることが試
みられているが、クラックの発生を抑止出来ないのが現
状である。
機シリコン化合物を主成分とするＳＯＧに、リン（Ｐつ
を添加し、溶融温度を下げてクラックを抑えることが試
みられているが、クラックの発生を抑止出来ないのが現
状である。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案さない塗布
ガラス組成物及びクラックの生じない絶縁膜を有する半
導体装置を得んとするものである。
ガラス組成物及びクラックの生じない絶縁膜を有する半
導体装置を得んとするものである。
［課題を解決するための手段］
そこで、第１の発明は、水酸化ゲルマニウム及び／又は
有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有させたことを、
その解決手段としている。
有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有させたことを、
その解決手段としている。
また、第２の発明は、絶縁膜に水酸化ゲルマニウム及び
／又゜は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有してな
る塗布ガラス焼成物を用いたことを、解決手段としてい
る。
／又゜は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有してな
る塗布ガラス焼成物を用いたことを、解決手段としてい
る。
［作用］
水酸化ゲルマニウム及び／又は有機ゲルマニウム化合物
をＳＯＧに含有させたことにより、焼成物中に二酸化ゲ
ルマニウムが生成される。この二酸化ゲルマニウムは、
低い溶融温度を有し、これを含有したＳＯＧは、有機基
の解離反応の温度ですでにガラス溶融を起すため、クラ
ブクの発生が防止され、厚膜化することが可能となる。
をＳＯＧに含有させたことにより、焼成物中に二酸化ゲ
ルマニウムが生成される。この二酸化ゲルマニウムは、
低い溶融温度を有し、これを含有したＳＯＧは、有機基
の解離反応の温度ですでにガラス溶融を起すため、クラ
ブクの発生が防止され、厚膜化することが可能となる。
また、斯る塗布ガラス組成物を半導体装置の絶縁膜に用
いることにより、厚膜な平坦化膜を良好に形成すること
が可能となる。
いることにより、厚膜な平坦化膜を良好に形成すること
が可能となる。
［実施例］
以下、本発明に係る塗布ガラス組成物及び半導体装置の
詳細を実施例に基づいて説明する。
詳細を実施例に基づいて説明する。
先ず、塗布ガラス組成物は、水酸化ゲルマニウム及び／
又は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有させたもの
である。なお、ＳＯＧは、ケイ化化合物を有機溶剤で溶
かしたものである。
又は有機ゲルマニウム化合物をＳＯＧに含有させたもの
である。なお、ＳＯＧは、ケイ化化合物を有機溶剤で溶
かしたものである。
水酸化ゲルマニウムは、ゲルマニウム（Ｇｅ）と水酸基
（ＯＨ）が結合したものであり、有機ゲルマニウム化合
物は、Ｇｅと、Ｃ Ｈ ３． Ｃ ＊Ｈ ｓ，Ｏ Ｃ
Ｈ ３． Ｏ Ｃ ＊Ｈ ｓ等の有機基が結合したもの
である。
（ＯＨ）が結合したものであり、有機ゲルマニウム化合
物は、Ｇｅと、Ｃ Ｈ ３． Ｃ ＊Ｈ ｓ，Ｏ Ｃ
Ｈ ３． Ｏ Ｃ ＊Ｈ ｓ等の有機基が結合したもの
である。
本実施例においては、有機ゲルマニウムとしてＧｅ （
ＯＣ＊Ｈｓ）４を１に対して有機シリコンＳｉ （ＯＣ
＊Ｈｓ） ４を２の重量比でＳＯＧに含有させたもので
ある。
ＯＣ＊Ｈｓ）４を１に対して有機シリコンＳｉ （ＯＣ
＊Ｈｓ） ４を２の重量比でＳＯＧに含有させたもので
ある。
次に、このような組成物を焼成させる条件を、半導体装
置の絶縁膜に適用して説明する。
置の絶縁膜に適用して説明する。
先ず、第１図に示すように、例えば、シリコン基板ｌ上
に、ＣＶＤ法にて堆積されたＳｉｎｓ膜を形成し、さら
に多結晶シリコンでなるＰ−Ｓｉ配線３を形成する。
に、ＣＶＤ法にて堆積されたＳｉｎｓ膜を形成し、さら
に多結晶シリコンでなるＰ−Ｓｉ配線３を形成する。
次に、上記塗布ガラス組成物４を、ＳｉＯｚ膜２及びＰ
−Ｓｔ配線３の上にスピンコート（第２図）する。この
状態でｌＯ゛０℃乃至２００℃でベークして溶媒を揮発
させた後、約４００℃の熱処理を行ない、綜合反応を起
させる。そして、６５０℃の酸素ガス中で有機基を解離
させると、第３図に示すように、絶縁膜としての焼成物
としての無機ガラス膜５を得ることが出来る。
−Ｓｔ配線３の上にスピンコート（第２図）する。この
状態でｌＯ゛０℃乃至２００℃でベークして溶媒を揮発
させた後、約４００℃の熱処理を行ない、綜合反応を起
させる。そして、６５０℃の酸素ガス中で有機基を解離
させると、第３図に示すように、絶縁膜としての焼成物
としての無機ガラス膜５を得ることが出来る。
このようにして無機ガラス膜５が形成された後は、所望
の製造プロセスを施すことにより半導体装置が完成する
。
の製造プロセスを施すことにより半導体装置が完成する
。
なお、本実施例で形成した無機ガラス膜５は、層間絶縁
膜として用いる他に、パッシベーション膜等各種の絶縁
膜として用いることが可能である。
膜として用いる他に、パッシベーション膜等各種の絶縁
膜として用いることが可能である。
また、６５０℃の酸素ガス中の有機基解離を行なった無
機処理の際に、ガラス膜はこの温度ですでに軟化を起す
ため、応力は緩和され、クラブクは生じない。
機処理の際に、ガラス膜はこの温度ですでに軟化を起す
ため、応力は緩和され、クラブクは生じない。
このため、絶縁膜であるガラス膜を厚膜化させてもクラ
ックを生じることなく、良好な膜形成が可能となる。
ックを生じることなく、良好な膜形成が可能となる。
以上、実施例について説明したが、塗布ガラス組成物と
しては、この他各種のものが適用される。
しては、この他各種のものが適用される。
例えば、ゲルマニウム化合物としては、ＧｅとＯＨ，Ｃ
Ｈ ｓ ， Ｃ ！ Ｈ ｓ ， Ｏ Ｃ Ｈ ｓ等
の結合したもの、あるいは、これらの混合物を用いるこ
とが出来、要は最終的な無機化熱処理で二酸化ゲルマニ
ウム（ＧｅＯ，）を形成するものであれば、同様の効果
を得ることが可能である。
Ｈ ｓ ， Ｃ ！ Ｈ ｓ ， Ｏ Ｃ Ｈ ｓ等
の結合したもの、あるいは、これらの混合物を用いるこ
とが出来、要は最終的な無機化熱処理で二酸化ゲルマニ
ウム（ＧｅＯ，）を形成するものであれば、同様の効果
を得ることが可能である。
また、上記の組成物にリン（Ｐ）．ヒ素（Ａｓ），ホウ
素（Ｂ）等を添加してもよく、この場合ガラス溶融温度
はさらに低くなり、クラックの発生は、より効果的に抑
止される。
素（Ｂ）等を添加してもよく、この場合ガラス溶融温度
はさらに低くなり、クラックの発生は、より効果的に抑
止される。
〔発明の効果」
以上の説明で明らかなように、本発明に係る塗布ガラス
組成物にあっては、厚膜に形成した場合もクラックを生
じることがないため、これを半導体装置の絶縁膜に適用
した場合、良好な絶縁膜（層間絶縁膜．バッシベーショ
ン膜等）を得ることが出来、構造及び特性上良好な半導
体装置の作成が可能となる効果がある。
組成物にあっては、厚膜に形成した場合もクラックを生
じることがないため、これを半導体装置の絶縁膜に適用
した場合、良好な絶縁膜（層間絶縁膜．バッシベーショ
ン膜等）を得ることが出来、構造及び特性上良好な半導
体装置の作成が可能となる効果がある。
第１図〜第３図は本発明に係る塗布ガラス組成物及び半
導体装置の実施例を示す断面図である。 ４・・・申布ガラス組成物、５・・・無機ガラス膜。
導体装置の実施例を示す断面図である。 ４・・・申布ガラス組成物、５・・・無機ガラス膜。
Claims (2)
- （１）水酸化ゲルマニウム及び／又は有機ゲルマニウム
化合物をＳＯＧに含有させたことを特徴とする塗布ガラ
ス組成物。 - （２）絶縁膜に水酸化ゲルマニウム及び／又は有機ゲル
マニウム化合物をＳＯＧに含有してなる塗布ガラス焼成
物を用いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5473089A JPH02233531A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 塗布ガラス組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5473089A JPH02233531A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 塗布ガラス組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233531A true JPH02233531A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12978919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5473089A Pending JPH02233531A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 塗布ガラス組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02233531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264523A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | Ｓｏｇ材料およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2006013503A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP5473089A patent/JPH02233531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264523A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | Ｓｏｇ材料およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2006013503A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3787446T2 (de) | Mehrschicht-Keramik ausgehend von Silikatestern. | |
| DE3789606T2 (de) | Mehrschichtige Keramik aus hydrogeniertem Silsequioxan. | |
| JP3432783B2 (ja) | 集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体 | |
| US5399529A (en) | Process for producing semiconductor devices | |
| US6559046B1 (en) | Insulator for integrated circuits and process | |
| EP0270263B1 (en) | Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices | |
| KR950011561B1 (ko) | 백금 또는 로듐 촉매 작용시킨 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피막의 형성방법 및 이로써 형성된 다층 세라믹 피막 | |
| US5008320A (en) | Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides | |
| JPH09116011A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US4196232A (en) | Method of chemically vapor-depositing a low-stress glass layer | |
| JPH03200329A (ja) | スピンオンガラスをシリレートする方法 | |
| JPH09307074A (ja) | 誘電体容量素子を用いた記憶装置及び製造方法 | |
| JPS58177462A (ja) | 高融点金属ケイ化物構造層の選択析出方法 | |
| US6191183B1 (en) | Method for the formation of silica thin films | |
| JPH02233531A (ja) | 塗布ガラス組成物及び半導体装置 | |
| JPH0817173B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPS63144526A (ja) | 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 | |
| DE69601284T2 (de) | Verfahren zum Verkleben von Siliziumdioxid auf Gold | |
| JP3396791B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH05121572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3443978B2 (ja) | 低誘電体膜の形成方法 | |
| US6066573A (en) | Method of producing dielectric film | |
| US5891234A (en) | Spin on glass material and method for forming a semiconductor device by using improved spin on glass material | |
| JP2691565B2 (ja) | シリコン酸化膜の改質方法 | |
| JPH08321499A (ja) | 硅素化合物膜およびその形成方法 |