JPH0223643A - リードの前処理方法 - Google Patents
リードの前処理方法Info
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- JPH0223643A JPH0223643A JP63174049A JP17404988A JPH0223643A JP H0223643 A JPH0223643 A JP H0223643A JP 63174049 A JP63174049 A JP 63174049A JP 17404988 A JP17404988 A JP 17404988A JP H0223643 A JPH0223643 A JP H0223643A
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- component lead
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3468—Application of molten solder, e.g. dip soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置等の電子部品をプリント基板にハンダ付は実
装する際に適用される部品リードの前処理方法に関し、 部品リードに対する前処理、即ち予備ハンダ付は工程の
効率化を目的とし、 へUメッキが施された前記部品リードを先ずSnディッ
プ槽に浸漬して第1回目の予備ハンダイ1番ノを行い、
次にこれをIn−5nディップ槽に浸漬して第2回目の
予備ハンダ付けを行うようにしたことを特徴とするもの
である。
装する際に適用される部品リードの前処理方法に関し、 部品リードに対する前処理、即ち予備ハンダ付は工程の
効率化を目的とし、 へUメッキが施された前記部品リードを先ずSnディッ
プ槽に浸漬して第1回目の予備ハンダイ1番ノを行い、
次にこれをIn−5nディップ槽に浸漬して第2回目の
予備ハンダ付けを行うようにしたことを特徴とするもの
である。
本発明は部品リードにAuメッキ(金メッキ)が施され
た半導体装置等の電子部品をプリント基板に実装する際
に適用される部品リードの前処理方法に関する。
た半導体装置等の電子部品をプリント基板に実装する際
に適用される部品リードの前処理方法に関する。
最近は部品実装の高密度化が進み、接続部(ハンダ付は
部)に加わるストレスは益々大きくなる傾向にある。そ
のため、実装に用いるハンダも、疲労強度の低い従来の
5n−Pb (錫−鉛)系ハンダから、融点が低いこ
とからステンプソルダリングが可能で、かつ疲労強度の
高いインジウム系のハンダ(In=52質量%、 5n
=48質量%のハンダであって、以下これをIn−3n
ハンダと呼ぶ)に移行しつつある。しかしこのIn−5
nハンダは、Inと八〇が金属間化合物を形成する過程
でボイドを発生したり、或いはハンダ流動性が悪化して
強度劣化を起こす等の欠点があるため、実装前に部品リ
ード側のAuを除去しておく必要がある。
部)に加わるストレスは益々大きくなる傾向にある。そ
のため、実装に用いるハンダも、疲労強度の低い従来の
5n−Pb (錫−鉛)系ハンダから、融点が低いこ
とからステンプソルダリングが可能で、かつ疲労強度の
高いインジウム系のハンダ(In=52質量%、 5n
=48質量%のハンダであって、以下これをIn−3n
ハンダと呼ぶ)に移行しつつある。しかしこのIn−5
nハンダは、Inと八〇が金属間化合物を形成する過程
でボイドを発生したり、或いはハンダ流動性が悪化して
強度劣化を起こす等の欠点があるため、実装前に部品リ
ード側のAuを除去しておく必要がある。
本発明はIn−3nハンダを用いて部品実装を行う際に
適用される部品リードの前処理方法に関するもので、部
品リード上の^Uメッキの除去を効率化した点にその特
徴がある。
適用される部品リードの前処理方法に関するもので、部
品リード上の^Uメッキの除去を効率化した点にその特
徴がある。
第3図は半導体装置の実装構造を模式的に示した要部側
断面図である。
断面図である。
部品リード10にAuメッキ(図示せず)が施された半
導体装置20の実装は、 ■、 Auメッキされた部品リード10をIn−3nハ
ンダに浸漬して^Uを槽内のIn−3nハンダに拡散さ
せて除去する。
導体装置20の実装は、 ■、 Auメッキされた部品リード10をIn−3nハ
ンダに浸漬して^Uを槽内のIn−3nハンダに拡散さ
せて除去する。
■1部品リート10のAuメッキ除去を行った半導体装
置20を第3図に示す如く矢印方向に移動させ、部品リ
ード10をプリント基板50側のパッド15上に位置決
めする。
置20を第3図に示す如く矢印方向に移動させ、部品リ
ード10をプリント基板50側のパッド15上に位置決
めする。
■、雰囲気温度を上げてIn−3nハンダで構成された
パン11Gを溶融させ、該バンプ16によって両者を接
合する。
パン11Gを溶融させ、該バンプ16によって両者を接
合する。
といった手順でこれを行っていた。
しかしながら、前記In−3nハンダはAuの拡散速度
が遅いため、上記従来の方法では部品リード10のAu
メッキの除去に多大の工数が必要である。本発明の目的
は、このAuメッキを短時間で除去する方法を提供する
にある。
が遅いため、上記従来の方法では部品リード10のAu
メッキの除去に多大の工数が必要である。本発明の目的
は、このAuメッキを短時間で除去する方法を提供する
にある。
本発明による部品リードの前処理方法は、第1図の実施
例図に示す如<、Auメッキ2が施された前記部品リー
ド10を先ずSnディップ槽3に浸漬して第1回目の予
備ハンダ付けを行い、次にこれをIn−Snディップ槽
4に浸漬して第2回目の予備ハ〔作 用〕 本発明によれば、第1回目の予備ハンダ付けによって部
品リード10上のAuメッキがSn中に拡散して効率的
に除去され、第2回目の予備ハンダ付けによって部品リ
ード10上にバンブ16と同一組成のIn−3n層が形
成されるので、部品実装時の条件も著しく改善される。
例図に示す如<、Auメッキ2が施された前記部品リー
ド10を先ずSnディップ槽3に浸漬して第1回目の予
備ハンダ付けを行い、次にこれをIn−Snディップ槽
4に浸漬して第2回目の予備ハ〔作 用〕 本発明によれば、第1回目の予備ハンダ付けによって部
品リード10上のAuメッキがSn中に拡散して効率的
に除去され、第2回目の予備ハンダ付けによって部品リ
ード10上にバンブ16と同一組成のIn−3n層が形
成されるので、部品実装時の条件も著しく改善される。
以下実施例図に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図(a)と(blは本発明の−・実施例を工程順に
示した模式的要部側断面図であるが、前記第3図と同一
部分には同一符号を付している。
示した模式的要部側断面図であるが、前記第3図と同一
部分には同一符号を付している。
第1図(alと(b)に示すように、本発明による部品
リードの前処理方法は、Allメッキ2を施した部品リ
ード10を備えた半導体装置20を基板プリント基板5
0(第3図参照)上に実装するに際して、その部品リー
ドlOに施される前処理方法に関するもので、Auメッ
キ2が施された前記部品リート10を先ずSnディップ
槽3に浸漬して第1回目の予備ハンダ付けを行い、次に
これをIn−Snディップ槽4に浸漬して第2回目の予
備ハンダ付けを行う、というように予備ハンダ付けを2
段階に分離して行う点にその特徴がある。
リードの前処理方法は、Allメッキ2を施した部品リ
ード10を備えた半導体装置20を基板プリント基板5
0(第3図参照)上に実装するに際して、その部品リー
ドlOに施される前処理方法に関するもので、Auメッ
キ2が施された前記部品リート10を先ずSnディップ
槽3に浸漬して第1回目の予備ハンダ付けを行い、次に
これをIn−Snディップ槽4に浸漬して第2回目の予
備ハンダ付けを行う、というように予備ハンダ付けを2
段階に分離して行う点にその特徴がある。
以下本発明による部品リードの前処理方法を工程順序に
従って説明する。
従って説明する。
(1)第1回目の予備ハンダ付け〔第1図(a)〕Sn
デSnディップ槽3のSnディップ槽には、質量%が1
(10%のSnが充填されている)中に半導体装置20
の一方の部品リード10を約15秒間浸漬する。
デSnディップ槽3のSnディップ槽には、質量%が1
(10%のSnが充填されている)中に半導体装置20
の一方の部品リード10を約15秒間浸漬する。
その結果、部品リート10の浸漬部分(点線円で囲んだ
部分)のAuメッキ2はSn中に拡散され、それに代わ
ってその表面には右側の拡大図に示ず3YうなAu −
Sn合金層5が形成される。図中、1は部品リード10
の母材であるリード母材、2はAuメッキをそれぞれ示
す。なお、この予備ハンダ付けはもう一方の部品リード
10に対しても同様に行う。
部分)のAuメッキ2はSn中に拡散され、それに代わ
ってその表面には右側の拡大図に示ず3YうなAu −
Sn合金層5が形成される。図中、1は部品リード10
の母材であるリード母材、2はAuメッキをそれぞれ示
す。なお、この予備ハンダ付けはもう一方の部品リード
10に対しても同様に行う。
(2)第2回目の予備ハンダ付け〔第1図(b)]上記
第1回目の予備ハンダ付けが終了すると、次は部品リー
ドlOをIn−Snディップ槽4 (このInSnディ
ップ槽には、In = 52質量%、 5n=48質景
%のIn −Snハンダが充填されている)中に120
〜180秒間浸漬する。この操作により、Inと結合し
た^Uの化合物はその殆どが前記ディップ槽4内のIn
−3n中に拡散するので、部品リード10上のハンダの
組成はIn−3nハンダのみとなる。このIn−5nに
よる合金層6は、成分的に前記第3図に示したバンプ1
6と略同等な成分を持っているため、半導体装置20を
プリント基板50に実装する。即ち部品リード10とパ
ッド15とを接合する際の条件が特に良好となる。
第1回目の予備ハンダ付けが終了すると、次は部品リー
ドlOをIn−Snディップ槽4 (このInSnディ
ップ槽には、In = 52質量%、 5n=48質景
%のIn −Snハンダが充填されている)中に120
〜180秒間浸漬する。この操作により、Inと結合し
た^Uの化合物はその殆どが前記ディップ槽4内のIn
−3n中に拡散するので、部品リード10上のハンダの
組成はIn−3nハンダのみとなる。このIn−5nに
よる合金層6は、成分的に前記第3図に示したバンプ1
6と略同等な成分を持っているため、半導体装置20を
プリント基板50に実装する。即ち部品リード10とパ
ッド15とを接合する際の条件が特に良好となる。
第2図は本発明の一応用例を模式的に示した要部側断面
図である。
図である。
第2図に示すように、本応用例は、Snディップ槽3と
In−Snディップ槽4とを一つの予備ハンダ装置60
内に装置すると共に、半導体装置20を保持する治具9
と、該治具9を保持してこれを所望の個所へ搬送するア
ーム40とを具備している。
In−Snディップ槽4とを一つの予備ハンダ装置60
内に装置すると共に、半導体装置20を保持する治具9
と、該治具9を保持してこれを所望の個所へ搬送するア
ーム40とを具備している。
以下この装置の動作について説明する。
■、治具9によって保持された半導体装置20をアーム
40がつかんでこれを矢印方向A方向に移動させる。そ
して部品リード10のみを第1のディップ槽であるSn
ディップ槽3内に浸漬させる。
40がつかんでこれを矢印方向A方向に移動させる。そ
して部品リード10のみを第1のディップ槽であるSn
ディップ槽3内に浸漬させる。
■、所定のディップ時間が経過するとアー1140は一
旦矢印B方向に上昇する。そして今度は保持した治具9
を矢印C方向−矢印り方向に移動さ・已てこれを第2の
ディップ槽であるIn−5nディップ槽4内に浸漬させ
る。
旦矢印B方向に上昇する。そして今度は保持した治具9
を矢印C方向−矢印り方向に移動さ・已てこれを第2の
ディップ槽であるIn−5nディップ槽4内に浸漬させ
る。
■、このディップが終わるとバキュームノズル11が作
動して半導体装置20のみを吸着して矢印E方向に持ち
上げる。そしてこれを所定の保管場所へ移動させて収納
する。
動して半導体装置20のみを吸着して矢印E方向に持ち
上げる。そしてこれを所定の保管場所へ移動させて収納
する。
■、半導体装置20の収納が終わると今度は前記アーム
40が再び作動して治具9を保持し、これをスタンバイ
位置まで搬送する。
40が再び作動して治具9を保持し、これをスタンバイ
位置まで搬送する。
なお、これら各ディップ時間は、部品リード10に施さ
れた篩メッキ2の厚さに対応して設定されるが、例えば
Auメッキ2の厚さが5μmの場合は、Snディップ時
間は約15秒であり、 In−Snディップ時間は12
0〜180秒である。そして、このディップ時間の合計
は、In−Snディップ槽のみを用いてAuメッキを除
去する場合の115〜1/15に相当する。
れた篩メッキ2の厚さに対応して設定されるが、例えば
Auメッキ2の厚さが5μmの場合は、Snディップ時
間は約15秒であり、 In−Snディップ時間は12
0〜180秒である。そして、このディップ時間の合計
は、In−Snディップ槽のみを用いてAuメッキを除
去する場合の115〜1/15に相当する。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、部品リ
ード上に施されたAuメッキを確実に、しかも短時間で
除去することができるので、部品実装時の信転性が著し
く向上し、且つ部品リードの前処理作業の作業効率が大
幅に改善されるといった優れた工業的効果がある。
ード上に施されたAuメッキを確実に、しかも短時間で
除去することができるので、部品実装時の信転性が著し
く向上し、且つ部品リードの前処理作業の作業効率が大
幅に改善されるといった優れた工業的効果がある。
第1図(a)とfb)は本発明の一実施例を模式的に示
した要部側断面図、 第2図は本発明の一応用例を示す模式的要部側断面図、 第3図は半導体装置の実装構造を示す模式的要部側断面
図である。 図中、1はリード母材、 2は^Uメッキ、 3はSnディップ槽、 4はIn−Snディップ槽、 5は^u−Sn合金層、 6はIn −Sn合金層、 9は治具、 10は部品リード、 11はハ′キュームノズル、 15はパッド、 16はバンプ、 20は半導体装置、 40はアーム、 50はプリント基板、 60は予備ハンダ装置、 をそれぞれ示す。
した要部側断面図、 第2図は本発明の一応用例を示す模式的要部側断面図、 第3図は半導体装置の実装構造を示す模式的要部側断面
図である。 図中、1はリード母材、 2は^Uメッキ、 3はSnディップ槽、 4はIn−Snディップ槽、 5は^u−Sn合金層、 6はIn −Sn合金層、 9は治具、 10は部品リード、 11はハ′キュームノズル、 15はパッド、 16はバンプ、 20は半導体装置、 40はアーム、 50はプリント基板、 60は予備ハンダ装置、 をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置等の電子部品をプリント基板に実装する際に
適用される部品リードの前処理方法であって、 Auメッキ(2)が施された前記部品リード(10)を
先ずSnディップ槽(3)に浸漬して第1回目の予備ハ
ンダ付けを行い、次にこれをIn−Snディップ槽(4
)に浸漬して第2回目の予備ハンダ付けを行うようにし
たことを特徴とする部品リードの前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174049A JP2625924B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | リードの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174049A JP2625924B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | リードの前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223643A true JPH0223643A (ja) | 1990-01-25 |
| JP2625924B2 JP2625924B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=15971729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174049A Expired - Lifetime JP2625924B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | リードの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625924B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111151837A (zh) * | 2020-02-07 | 2020-05-15 | 朱会平 | 一种平面式电路板上锡机 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174049A patent/JP2625924B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111151837A (zh) * | 2020-02-07 | 2020-05-15 | 朱会平 | 一种平面式电路板上锡机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625924B2 (ja) | 1997-07-02 |
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